JPS5885516A - チツプ型コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
チツプ型コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPS5885516A JPS5885516A JP18406681A JP18406681A JPS5885516A JP S5885516 A JPS5885516 A JP S5885516A JP 18406681 A JP18406681 A JP 18406681A JP 18406681 A JP18406681 A JP 18406681A JP S5885516 A JPS5885516 A JP S5885516A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はチップ型コンデンサおよびその製造方法に関し
、特にチップ型コンデンサの端子電極の構成に関する。
、特にチップ型コンデンサの端子電極の構成に関する。
従来、核層セラミックコンデンサ等のチップ型コンデン
サの端子電極は嫁、パラジウム、白金等の金属にガラス
フリット有機バイングー、浴剤前全適当量混合して形成
したペーストをコンデンサ素子の端子部に塗布した後、
温度８００〜９００’０にて焼結して形成されていた。
サの端子電極は嫁、パラジウム、白金等の金属にガラス
フリット有機バイングー、浴剤前全適当量混合して形成
したペーストをコンデンサ素子の端子部に塗布した後、
温度８００〜９００’０にて焼結して形成されていた。
しかしながら銀は半田付時の半田くわれ性の問題があり
、かつ近年の貴金属類の高騰により、最近では無電解メ
ッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の金属層
全形成し、次に不安部分の金属層のみをエツチングなど
で除去した恢、残った金属層上に錫又は錫を主体とする
合金メッキ層を施す手段がとられてきている。
、かつ近年の貴金属類の高騰により、最近では無電解メ
ッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の金属層
全形成し、次に不安部分の金属層のみをエツチングなど
で除去した恢、残った金属層上に錫又は錫を主体とする
合金メッキ層を施す手段がとられてきている。
しかし、上述した従来手段では層形成後、（ｉ）コンデ
ンサ素子の端子部分にエツチングレジスト皮膜等を形成
した後、コンデンサ索子をエツチング液などに浸漬して
不要部分の金属層を除去する。
ンサ素子の端子部分にエツチングレジスト皮膜等を形成
した後、コンデンサ索子をエツチング液などに浸漬して
不要部分の金属層を除去する。
（Ｍ）不快部分の金属層を除去した後に端子部分を被榎
したエツチングレジスト皮膜等を除去するなどの工程が
必要となる。このため端子電極材料費のコストダウンが
はかられたにもかかわらず、工数の増加をきたし一°産
性に適さないという欠点があった。またエツチング法等
によシ、金属層を除去する場合、エツチングレジスト皮
膜等でａわれているコンデンサ素子の端子部分にもエツ
チング液がしみ込み端子電極として必要な箇所の金属層
をも除去してしまうという欠点があった。
したエツチングレジスト皮膜等を除去するなどの工程が
必要となる。このため端子電極材料費のコストダウンが
はかられたにもかかわらず、工数の増加をきたし一°産
性に適さないという欠点があった。またエツチング法等
によシ、金属層を除去する場合、エツチングレジスト皮
膜等でａわれているコンデンサ素子の端子部分にもエツ
チング液がしみ込み端子電極として必要な箇所の金属層
をも除去してしまうという欠点があった。
本発明の目的はかかる従来欠点を解消したチップ型コン
デンサおよびその製造方法全提供することにある。
デンサおよびその製造方法全提供することにある。
本発明によれば、コンデンサ素子の端子部の表面に鋼、
ガラスフリット、有機バインダーよシなるペーストを塗
布した後、屋索を主す部分とする還元性雰囲気炉中の８
５０℃以下の温度で焼結して銅を被着した第１導′＃Ｉ
７Ｌ層と、この第１導電層上に電解メッキまたは溶融金
属中にＶ漬する手段により、錫または錫を主体とする合
金を破着させた第２導電層とからなる端子電極を有する
ことを特徴とするチップ型コンデンサおよびその製造方
法が得られる。
ガラスフリット、有機バインダーよシなるペーストを塗
布した後、屋索を主す部分とする還元性雰囲気炉中の８
５０℃以下の温度で焼結して銅を被着した第１導′＃Ｉ
７Ｌ層と、この第１導電層上に電解メッキまたは溶融金
属中にＶ漬する手段により、錫または錫を主体とする合
金を破着させた第２導電層とからなる端子電極を有する
ことを特徴とするチップ型コンデンサおよびその製造方
法が得られる。
以下、本発明のチップ型コンデンサおよびその製造方法
の一実施例を第１図を診照して説明する。
の一実施例を第１図を診照して説明する。
図中診照符号１は＆層上ラミックチップ型コンデンサ素
子（以下コンデンサ素子と略称）でるる。
子（以下コンデンサ素子と略称）でるる。
先ずコンデンサ索子ｌの両端の端子部分に第１導′邂層
として、銅、ガラスフリット、有機バインダーよシなる
ペーストを公知の浸漬手段により塗布した後、約８０℃
で３０分間乾燥させる。次に酸素磯度を１０ｐｐｍ以下
としかつ窒素を主成分とする還元性雰囲気炉中ペースト
を塗布したコンデンサ素子１を入れて８５０°０以下の
温度、好ましくは５００〜７００°０の温度範囲で約１
時間サイクルで加熱・焼結して銅皮膜２を形成する。銅
皮膜２の形成目的は積層セラミックコンデンサの内部電
極に通常用いられている、銀、パラジウム、白金トの接
続を良好にし、かつ次の工程で形成する第２導電層の下
地金属としての働きをさせるためである。
として、銅、ガラスフリット、有機バインダーよシなる
ペーストを公知の浸漬手段により塗布した後、約８０℃
で３０分間乾燥させる。次に酸素磯度を１０ｐｐｍ以下
としかつ窒素を主成分とする還元性雰囲気炉中ペースト
を塗布したコンデンサ素子１を入れて８５０°０以下の
温度、好ましくは５００〜７００°０の温度範囲で約１
時間サイクルで加熱・焼結して銅皮膜２を形成する。銅
皮膜２の形成目的は積層セラミックコンデンサの内部電
極に通常用いられている、銀、パラジウム、白金トの接
続を良好にし、かつ次の工程で形成する第２導電層の下
地金属としての働きをさせるためである。
次に第２２ｓ、電層として第１導電層の銅皮膜２上に電
解バレルメッキまたは溶融金属中への浸漬手段により、
錫または錫−鉛合金皮膜３を形成する。
解バレルメッキまたは溶融金属中への浸漬手段により、
錫または錫−鉛合金皮膜３を形成する。
電解バレルメッキは通常用いられる公知の方法で良く、
溶融金属中への浸漬手段は、錫または錫−鉛合金を加熱
して２００〜３００°０で溶融させたものにコンデンサ
素子を約３〜５秒間浸漬させる方法でよい。錫または錫
−鉛合金皮膜３の形成目的は銅皮膜２の保護と実装時の
半田付性の同上である。
溶融金属中への浸漬手段は、錫または錫−鉛合金を加熱
して２００〜３００°０で溶融させたものにコンデンサ
素子を約３〜５秒間浸漬させる方法でよい。錫または錫
−鉛合金皮膜３の形成目的は銅皮膜２の保護と実装時の
半田付性の同上である。
上記本発明の実施例によシ製造したｆＪｔｔ−セラミッ
クチップ型コンデンサの静電容ｔｃ（ｎＦ）、ｉ４電体
損失ｔａｎＪ（＄）をＩＫＨｚ、ＩＶにて測定した結果
を次表に示す。表中の値は試料５０個の平均値であシ、
従来例のものはニッケル無電解メッキ層を形成し、不要
部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層全形成し
、さらにその上に錫合金メツ５− 電層を形成したものである。
クチップ型コンデンサの静電容ｔｃ（ｎＦ）、ｉ４電体
損失ｔａｎＪ（＄）をＩＫＨｚ、ＩＶにて測定した結果
を次表に示す。表中の値は試料５０個の平均値であシ、
従来例のものはニッケル無電解メッキ層を形成し、不要
部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層全形成し
、さらにその上に錫合金メツ５− 電層を形成したものである。
以上、不発明により（イ）コンデンサ素子全面にニッケ
ル等の金属層を形成した後不要部分の金属層を除去する
工程が不安になるのでｘｉ性の向上がはかれる。（ロ）
さらに不要部分の金属層の除去工程が無くなるため、従
来のように端子電極として必要な部分の金属層をも除去
してしまうという不具合がなくなり、信頼性および電気
特性のすぐれたチップ型コンデンサを得ることができる
。などの効果があり、その産業的価値は大なるものであ
る。
ル等の金属層を形成した後不要部分の金属層を除去する
工程が不安になるのでｘｉ性の向上がはかれる。（ロ）
さらに不要部分の金属層の除去工程が無くなるため、従
来のように端子電極として必要な部分の金属層をも除去
してしまうという不具合がなくなり、信頼性および電気
特性のすぐれたチップ型コンデンサを得ることができる
。などの効果があり、その産業的価値は大なるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示すチップ型コンデンサの
断面図である。 １・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・銅皮膜、３・・・・・・錫又は揚−鉛合金皮膜。
断面図である。 １・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・銅皮膜、３・・・・・・錫又は揚−鉛合金皮膜。
Claims (3)
- （１）コンデンサ素子の端子部の表面に組を仮着した第
１導′醒層と、前記第１４電層上に錫又は錫を主体とす
る合金を被着した第２導電層とからなる端子電極を有す
ることを特徴とするチップ型コンデンサ。 - （２）コンデンサ素子の端子部に銅、ガラスフリット、
有機バインダーよシなるペーストを塗布する工程と、こ
れを還元性雰囲気中の８５０℃以下の温度で焼結して銅
２ｓ電層を形成する工程と、前記銅導電層上に電解、メ
ッキまたは清融金槙中に浸漬する手段により、錫または
錫を主体とする合金の導電層を形成する工程とからなる
ことを％徴とすルチップ型コンデンサの製造方法。 - （３）前記還元性雰囲気が窒素でおること金％徴とする
特許請求の範囲第２項記載のチップ型コンデンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406681A JPS5885516A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406681A JPS5885516A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885516A true JPS5885516A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16146775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18406681A Pending JPS5885516A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP18406681A patent/JPS5885516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
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