JPS5885527A - 半導体結晶への不純物のド−ピング法 - Google Patents
半導体結晶への不純物のド−ピング法Info
- Publication number
- JPS5885527A JPS5885527A JP56184962A JP18496281A JPS5885527A JP S5885527 A JPS5885527 A JP S5885527A JP 56184962 A JP56184962 A JP 56184962A JP 18496281 A JP18496281 A JP 18496281A JP S5885527 A JPS5885527 A JP S5885527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doping
- mask
- pattern
- impurities
- semiconductor crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子での不純物ドーピング技術の改良に
関するものである。
関するものである。
ダイオード、トランジスタふ・よび集積回路の製造に山
・いて、半導体結晶の所定の領域に選択的に所定の不純
物を拡散またはイオン注入によってドーピングする技術
は最も基礎的で重要なものである。所定の領域にのみ不
純物をドープするには、イオン注入法と拡散法とがある
。例えばイオン注１− 人においては、フォトレジストをウェーバに塗布後、フ
ォトレジストの窓を所定領域に設け、この窓を通してイ
オン注入を行うのが最も普通である。
・いて、半導体結晶の所定の領域に選択的に所定の不純
物を拡散またはイオン注入によってドーピングする技術
は最も基礎的で重要なものである。所定の領域にのみ不
純物をドープするには、イオン注入法と拡散法とがある
。例えばイオン注１− 人においては、フォトレジストをウェーバに塗布後、フ
ォトレジストの窓を所定領域に設け、この窓を通してイ
オン注入を行うのが最も普通である。
拡散においてはマスク材に８１０．、 Ｓ Ｉ３Ｎ、等
が通常用いられていて、このマスク材の窓からの拡散を
利用している。
が通常用いられていて、このマスク材の窓からの拡散を
利用している。
いずれにせよドーピングのマスクは、正確に所定の位置
に窓が開けられていなければならないが、従来の方法に
ふ・いては、どれだけ正確に所定領域の位置に窓開けが
可能かは、フォトマスクのパターンをフォトレジストに
露光転写する際の位置合わせ精度によって決まるが、従
来の霧光装置では±１μｍ が１仮界であり、これ以」
二の精度を得るのは困難であった。近年半導体素子の高
周波特性の向上、集積度の向上への要求は、ますます強
くなっているが、この要求を満すには、素子の大きさを
小さくする必要があり、そのため、不純物のドーピング
においてもより微小な領域に高精度の位置合わせで行う
ことが、ますます強く求められている。
に窓が開けられていなければならないが、従来の方法に
ふ・いては、どれだけ正確に所定領域の位置に窓開けが
可能かは、フォトマスクのパターンをフォトレジストに
露光転写する際の位置合わせ精度によって決まるが、従
来の霧光装置では±１μｍ が１仮界であり、これ以」
二の精度を得るのは困難であった。近年半導体素子の高
周波特性の向上、集積度の向上への要求は、ますます強
くなっているが、この要求を満すには、素子の大きさを
小さくする必要があり、そのため、不純物のドーピング
においてもより微小な領域に高精度の位置合わせで行う
ことが、ますます強く求められている。
２−
本発明は、このような状況を鑑みなされたものであり士
ｌ／−Ｌｍ 以下の高精度の位置合わせて不純物のド
ーピングを行うことを目的とするものである。
ｌ／−Ｌｍ 以下の高精度の位置合わせて不純物のド
ーピングを行うことを目的とするものである。
以下に図を用いて詳細に本発明の説明を行う。
第１図において１は半導体結晶、例えば半絶縁性Ｑ ａ
Ａ ｓ結晶基板、２は結晶基板１の一主面上にあらか
じめ形成された一導電型領域、例えばｎ型ＧａＡｓエピ
タキシャル層である。かかる結晶表面上にまず３のＴｉ
層を蒸着により形成する。
Ａ ｓ結晶基板、２は結晶基板１の一主面上にあらか
じめ形成された一導電型領域、例えばｎ型ＧａＡｓエピ
タキシャル層である。かかる結晶表面上にまず３のＴｉ
層を蒸着により形成する。
その上部に通常のフォトリソグラフィでレジストパター
ン４を形成し、エツチング等の方法で、Ｔ１層を加工し
、レジストを除去することにより第２図のＴＩマスク８
′を形成する。かかる後に所望の第１回めの不純物ドー
ピングを行なう。例えばＳｅをイオン注入により半導体
結晶中にドープし７のｎ 領域を第２図の如く形成する
。次いでＴＩ マスク３′ を等方的にエツチングし所
定の量例えば０３μｍ 縮少させる。エツチング法とし
ては高精度なプラズマエツチングが適している。第一３
＝ ３図に示すように縮少されたＴｉ マスク３／／ をマ
スクとして所望の第２回めの不純物ドーピングを行なう
。
ン４を形成し、エツチング等の方法で、Ｔ１層を加工し
、レジストを除去することにより第２図のＴＩマスク８
′を形成する。かかる後に所望の第１回めの不純物ドー
ピングを行なう。例えばＳｅをイオン注入により半導体
結晶中にドープし７のｎ 領域を第２図の如く形成する
。次いでＴＩ マスク３′ を等方的にエツチングし所
定の量例えば０３μｍ 縮少させる。エツチング法とし
ては高精度なプラズマエツチングが適している。第一３
＝ ３図に示すように縮少されたＴｉ マスク３／／ をマ
スクとして所望の第２回めの不純物ドーピングを行なう
。
図示の例は２回目のＳｅのイオン注入が１回目のイオン
注入よりも深く、すなわち高エネルギで１回目よりも低
いドーズ量で行われた場合のものであり、２のｎ型領域
と７のｎ 領域との間に８の深いｎ型領域を介在させた
構造を得る例である。
注入よりも深く、すなわち高エネルギで１回目よりも低
いドーズ量で行われた場合のものであり、２のｎ型領域
と７のｎ 領域との間に８の深いｎ型領域を介在させた
構造を得る例である。
ここで７と８との間隔はＴｉ マスク３′ と縮少され
たＴｉ マスク８″ とのパターンサイズ差、すなわ
ちエツチングによるパターン縮少量によって決定される
が Ｉｌｌ ｉは例えばプラズマエツチングにより高精
度のエツチング加工が可能であるため、サイドエッチ量
を±１μｍ 以下で制御することができ、従って７と８
との間隔は高精度で制御できる。
たＴｉ マスク８″ とのパターンサイズ差、すなわ
ちエツチングによるパターン縮少量によって決定される
が Ｉｌｌ ｉは例えばプラズマエツチングにより高精
度のエツチング加工が可能であるため、サイドエッチ量
を±１μｍ 以下で制御することができ、従って７と８
との間隔は高精度で制御できる。
明らかに本発明は上記例以外にも各種の変形、１□
応用が可能である。”例えば３（３’、３″）のＴｉは
Ｍｏ、Ｔａ 等の高精度エツチングが可能な他の金属、
アルいは５ｉ０２等の絶縁物を用いることも−４、− できる。さらに４のレジストパターン自身も適用可能で
ある。また、トープでする不純物はＳｅに限定されず、
Ｎ型、Ｐ型任意のものを採用でき、かつマスク材との組
合せにより熱拡散等地の不純物ドーピング法も可能であ
る。また結晶はＧａＡｓに限定されずにＳ ｉ、 Ｇｅ
、 ＩｎＰ 等任意のものを用いることができる。
Ｍｏ、Ｔａ 等の高精度エツチングが可能な他の金属、
アルいは５ｉ０２等の絶縁物を用いることも−４、− できる。さらに４のレジストパターン自身も適用可能で
ある。また、トープでする不純物はＳｅに限定されず、
Ｎ型、Ｐ型任意のものを採用でき、かつマスク材との組
合せにより熱拡散等地の不純物ドーピング法も可能であ
る。また結晶はＧａＡｓに限定されずにＳ ｉ、 Ｇｅ
、 ＩｎＰ 等任意のものを用いることができる。
以上述べた如く本発明によれば、最初のパターンに対し
て第１回目のドーピングを行った後、前記パターンを所
定の量だけ小さくして第２回目のドーピングを行ってい
るため、第１回目を第２回目のドーピングの相対位置を
極めて精密に設定することが出来る。
て第１回目のドーピングを行った後、前記パターンを所
定の量だけ小さくして第２回目のドーピングを行ってい
るため、第１回目を第２回目のドーピングの相対位置を
極めて精密に設定することが出来る。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示すための断面
図である。 １・・・・・・・・半導体結晶基板 ２・・・・・・・・・−導電型領域 ３・・・・・・・・・マスク材料 ３７ 、３″、、、エツチング等した後のマスク材料５
− ４、・・・・・・・・・フォトレジストバクーン７・・
・・・・・・第１不純物ドープ領域８・・・・・・・・
・第２不純物ドープ領域−〇−
図である。 １・・・・・・・・半導体結晶基板 ２・・・・・・・・・−導電型領域 ３・・・・・・・・・マスク材料 ３７ 、３″、、、エツチング等した後のマスク材料５
− ４、・・・・・・・・・フォトレジストバクーン７・・
・・・・・・第１不純物ドープ領域８・・・・・・・・
・第２不純物ドープ領域−〇−
Claims (1)
- 半導体結晶中に選択的に不純物をドーピングする方法に
ふ・いて、半導体結晶の表面にマスク拐を形成し、これ
をマスクとして第１回目の不純物ドーピングを行ないか
かる後に、マスク材を所定量縮少させた後に第２回目の
不純物ドーピングを行なうことを特徴とする半導体結晶
への不純物のドーピング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184962A JPS5885527A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体結晶への不純物のド−ピング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184962A JPS5885527A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体結晶への不純物のド−ピング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885527A true JPS5885527A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16162389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184962A Pending JPS5885527A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体結晶への不純物のド−ピング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885527A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5076992A (ja) * | 1973-11-07 | 1975-06-24 | ||
| JPS5223263A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-22 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56184962A patent/JPS5885527A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5076992A (ja) * | 1973-11-07 | 1975-06-24 | ||
| JPS5223263A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-22 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0252179B1 (en) | Process for producing undercut mask profiles | |
| JPS58100441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3798080A (en) | Method of producing a semiconductor component | |
| EP0429697A1 (de) | Halbleiterscheibe mit dotiertem Ritzrahmen | |
| JPH0325931B2 (ja) | ||
| US4380481A (en) | Method for fabricating semiconductor devices | |
| JP3378561B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5879719A (ja) | 半導体結晶への不純物ド−ピング方法 | |
| JPS5885526A (ja) | 半導体結晶への不純物ド−ピング方法 | |
| KR0166824B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS622709B2 (ja) | ||
| JPS58123722A (ja) | 半導体結晶への不純物のド−ピング法 | |
| JPS6242398B2 (ja) | ||
| JPS58123721A (ja) | 半導体結晶への不純物ド−ピング法 | |
| JPS58124227A (ja) | 半導体結晶への不純物ド−ピング方法 | |
| JP2868771B2 (ja) | 電子ビーム露光用位置合せマークの形成方法 | |
| JPS5852351B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5815934B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPH03190140A (ja) | Ｍｏｓトランジスタとその製造方法 | |
| KR100540332B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| JPS58102564A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP2001358151A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS61168225A (ja) | ４回対称アラインメントマ−カ−を有するフオトマスク | |
| JPS6250973B2 (ja) | ||
| JPH01225177A (ja) | 電界効果トランジスタ |