JPS588602B2 - デンリヨクゾウフクキ - Google Patents
デンリヨクゾウフクキInfo
- Publication number
- JPS588602B2 JPS588602B2 JP50062158A JP6215875A JPS588602B2 JP S588602 B2 JPS588602 B2 JP S588602B2 JP 50062158 A JP50062158 A JP 50062158A JP 6215875 A JP6215875 A JP 6215875A JP S588602 B2 JPS588602 B2 JP S588602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- transistors
- transistor
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はラジオ受信機等に用いられる電力増幅器の改
良に関するものである。
良に関するものである。
第１図は従来のこの種の電力増幅器を示す。
図中１は入力トランスで１次コイル１ａと２次コイル１
ｂを有する。
ｂを有する。
２は出力トランスで、１次コイル２ａと２次コイル２ｂ
を有し、１次コイル２ａの中点は電源＋Ｖｃ端子に接続
され、２次コイル２ｂにはスピーカ等の負荷３が接続さ
れている。
を有し、１次コイル２ａの中点は電源＋Ｖｃ端子に接続
され、２次コイル２ｂにはスピーカ等の負荷３が接続さ
れている。
Ｑ３，Ｑ４はＮＰＮ形の出力トランジスタ、Ｑ１，Ｑ２
はこの出力トランジスタを駆動するＮＰＮ形トランジス
タである。
はこの出力トランジスタを駆動するＮＰＮ形トランジス
タである。
これらのＮＰＮ形トランジスタは、例えば第２図に示す
ように、Ｐ形基板１１上にコレクタ領域となるＮ形エピ
タシャル層１２を設け、これをＰ形分離層１３で分離し
た後、Ｐ形ベース領域１４を拡散形成し、更にＮ形のエ
ミツタ領域１５を拡散形成し、コレクタ電極１６、エミ
ッタ電極１７ベース電極１８をＳｉｎ２膜１９上に形成
したものである。
ように、Ｐ形基板１１上にコレクタ領域となるＮ形エピ
タシャル層１２を設け、これをＰ形分離層１３で分離し
た後、Ｐ形ベース領域１４を拡散形成し、更にＮ形のエ
ミツタ領域１５を拡散形成し、コレクタ電極１６、エミ
ッタ電極１７ベース電極１８をＳｉｎ２膜１９上に形成
したものである。
各領域の不純物濃度は第３図に示すようにＮ形コレクタ
領域が最も低く、Ｎ形エミツタ領域が最も高く、Ｐ形ベ
ース領域がそれらの中間の濃度に作られる。
領域が最も低く、Ｎ形エミツタ領域が最も高く、Ｐ形ベ
ース領域がそれらの中間の濃度に作られる。
トランジスタＱ３，Ｑ４は不純物濃度の最も低いコレク
タ領域が出力トランス２の１次コイル２ａの両端に接続
され、不純物濃度の最も高いエミツタ領域が共に抵抗Ｒ
２を介してアースされている。
タ領域が出力トランス２の１次コイル２ａの両端に接続
され、不純物濃度の最も高いエミツタ領域が共に抵抗Ｒ
２を介してアースされている。
トランジスタＱ１，Ｑ２は、不純物濃度の最も低いコレ
クタ領域が共に電源＋Ｖｃ端子に接続され、不純物濃度
の最も高いエミツタ領域が夫々トランジスタＱ３，Ｑ４
のベース領域に接続されている。
クタ領域が共に電源＋Ｖｃ端子に接続され、不純物濃度
の最も高いエミツタ領域が夫々トランジスタＱ３，Ｑ４
のベース領域に接続されている。
入力トランス１の２次コイル１ｂの両端は夫々トランジ
スタＱ１，Ｑ２のベース領域に接続されている。
スタＱ１，Ｑ２のベース領域に接続されている。
半固定抵抗Ｒ１、ダイオードＤ１，Ｄ２はトランジスタ
Ｑ１，Ｑ２に直流バイアスを与えるもので、抵抗Ｒ１と
ダイオードＤ１，Ｄ２との接続点がトランス１の２次コ
イル１ｂに接続され、この２次コイル１ｂを通じてトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２に直流バイアスが与えられる。
Ｑ１，Ｑ２に直流バイアスを与えるもので、抵抗Ｒ１と
ダイオードＤ１，Ｄ２との接続点がトランス１の２次コ
イル１ｂに接続され、この２次コイル１ｂを通じてトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２に直流バイアスが与えられる。
この電力増幅器は、入力信号電流を、トランジスタＱ１
，Ｑ３の各ベース、エミツタ領域またはトランジスタＱ
２，Ｑ４の各ベス、エミツタ領域を経て流し、これを電
力増幅するものである。
，Ｑ３の各ベース、エミツタ領域またはトランジスタＱ
２，Ｑ４の各ベス、エミツタ領域を経て流し、これを電
力増幅するものである。
ところで、トランジスタＱ１〜Ｑ４として用いられるＮ
ＰＮ トランジスタのしゃ断周波数は通常４００ＭＨｚ
程度であり、第１図の気力増幅器をラジオ受信機に用い
ると、ラジオ受信機のＲＦ周波数がＮＰＮ形トランジス
タのしゃ断周波数内に含まれるので、ラジオ受信機のア
ンテナにトランジスタの高周波ノイズがふく射し、不快
な音となって現われる。
ＰＮ トランジスタのしゃ断周波数は通常４００ＭＨｚ
程度であり、第１図の気力増幅器をラジオ受信機に用い
ると、ラジオ受信機のＲＦ周波数がＮＰＮ形トランジス
タのしゃ断周波数内に含まれるので、ラジオ受信機のア
ンテナにトランジスタの高周波ノイズがふく射し、不快
な音となって現われる。
この現象は、通常ラジエーショと呼ばれる。
従来このラジエーショを防止、軽減するために、電力増
幅器を含む出力段とアンテナとを離して配置すること、
電力増幅器に敢えて高周波特性の悪いＰＮＰ形トランジ
スタを使用すること、出力段とアンテナとの間をシール
ドすることなどが行なわれているが、セットが大形化し
たり、高価になる不都合がある。
幅器を含む出力段とアンテナとを離して配置すること、
電力増幅器に敢えて高周波特性の悪いＰＮＰ形トランジ
スタを使用すること、出力段とアンテナとの間をシール
ドすることなどが行なわれているが、セットが大形化し
たり、高価になる不都合がある。
この発明はかかる不都合を伴なうことなく、簡単にラジ
エーショを防止、軽減することのできる電力増幅器を提
供するものである。
エーショを防止、軽減することのできる電力増幅器を提
供するものである。
第４図はこの発明装置の一実施例を示し、第１図と同じ
部分には同一の符号を付して示している。
部分には同一の符号を付して示している。
この発明の特徴は、トランジスタＱ１，Ｑ２の構成にあ
る。
る。
このトランジスタＱ１，Ｑ２は第１図のものと同じく、
ＮＰＮ形トランジスタであるが、不純物濃度の最も高い
エミツタ領域が電源＋Ｖｃ端子に夫々接続され、不純物
濃度の最も低いコレクタ領域が夫々出力トランジスタＱ
３，Ｑ４のベース領域に夫々接続されている。
ＮＰＮ形トランジスタであるが、不純物濃度の最も高い
エミツタ領域が電源＋Ｖｃ端子に夫々接続され、不純物
濃度の最も低いコレクタ領域が夫々出力トランジスタＱ
３，Ｑ４のベース領域に夫々接続されている。
即ち従来のＮＰＮ形トランジスタのコレクタ、ベース及
びエミツタをそのまま接続するのではなく、コレクタを
エミツタとして、エミツタをコレクタとして、つまり逆
トランジスタとして接続し、使用するものである。
びエミツタをそのまま接続するのではなく、コレクタを
エミツタとして、エミツタをコレクタとして、つまり逆
トランジスタとして接続し、使用するものである。
出力トランジスタＱ３，Ｑ４の構成は第１図と同じであ
り、不純物濃度の最も高いエミッタ領域が夫夫抵抗Ｒ２
を介してアースされ、不純物濃度の最も低いコレクタ領
域が夫々出力トランス２の１次コイル２ａの両端に接続
されている。
り、不純物濃度の最も高いエミッタ領域が夫夫抵抗Ｒ２
を介してアースされ、不純物濃度の最も低いコレクタ領
域が夫々出力トランス２の１次コイル２ａの両端に接続
されている。
他の点においても第４図の実施例は第１図と同じに構成
されている。
されている。
トランジスタＱ１，Ｑ２については、第４図の実施例は
、第１図のトランジスタＱ１，Ｑ２と比較して、ちょう
どエミツタ領域とコレクタ領域を互いに置換えて接続し
た結果になっている。
、第１図のトランジスタＱ１，Ｑ２と比較して、ちょう
どエミツタ領域とコレクタ領域を互いに置換えて接続し
た結果になっている。
第４図の実施例において、入力信号電流は、トランジス
タＱ１のベース、コレクタ領域とトランジスタＱ３のベ
ース、エミツタ領域、またはトランジスタＱ２のベース
、コレクタ領域とトランジスタＱ４のベース、エミツタ
領域を通じて流れ即ち本実施例の駆動トランジスタＱ１
，Ｑ２のコレクタは実際にはエミツタとして動作してい
る。
タＱ１のベース、コレクタ領域とトランジスタＱ３のベ
ース、エミツタ領域、またはトランジスタＱ２のベース
、コレクタ領域とトランジスタＱ４のベース、エミツタ
領域を通じて流れ即ち本実施例の駆動トランジスタＱ１
，Ｑ２のコレクタは実際にはエミツタとして動作してい
る。
つまり通常のコレクタと同じように動作すれば、電流は
この駆動トランジスタＱ１，Ｑ２に流入する方向に流れ
、出力トランジスタＱ３，Ｑ４に電流を供給することは
できず、本回路は作動しないものであり、上記駆動トラ
ンジスタＱ１，Ｑ２が逆トランジスタとして動作し、そ
のコレクタがエミツタとして働いた場合のみ上記第１図
の従来の電力増幅回路と同じ機能を果すものである。
この駆動トランジスタＱ１，Ｑ２に流入する方向に流れ
、出力トランジスタＱ３，Ｑ４に電流を供給することは
できず、本回路は作動しないものであり、上記駆動トラ
ンジスタＱ１，Ｑ２が逆トランジスタとして動作し、そ
のコレクタがエミツタとして働いた場合のみ上記第１図
の従来の電力増幅回路と同じ機能を果すものである。
この場合、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース、コレクタ
間においては、コレクタ領域からベース領域に注入され
た電子のベース領域内でのキャリア移行時間が、コレク
タ領域の不純物濃度が低いために、遅くなって、ベース
領域内で殆んど再結合する結果となり、電流増幅率の低
下とともにトランジスタＱ１，Ｑ２のしゃ断周波数が低
下し、ラジエーショを著しく減少させることができた。
間においては、コレクタ領域からベース領域に注入され
た電子のベース領域内でのキャリア移行時間が、コレク
タ領域の不純物濃度が低いために、遅くなって、ベース
領域内で殆んど再結合する結果となり、電流増幅率の低
下とともにトランジスタＱ１，Ｑ２のしゃ断周波数が低
下し、ラジエーショを著しく減少させることができた。
入出力トランス１，２を除く部品を半導体集積回路で構
成する場合、単に半導体基板を覆う絶縁膜上の配線パタ
ーンを変更するだけで、第３図の構成とすることができ
、その構成は極めて簡単である。
成する場合、単に半導体基板を覆う絶縁膜上の配線パタ
ーンを変更するだけで、第３図の構成とすることができ
、その構成は極めて簡単である。
尚電力増幅回路としては、従来、駆動トランジスタとこ
れと逆の接合形の出力トランジスタとを備えたものがあ
るが（特開昭４９−４２２６６号公報参照）、この従来
装置は駆動トランジスタと出力トランジスタとが互いに
逆の接合形を有することが条件であり、本発明装置のよ
うにいずれもＮＰＮ形の接合形である場合は動作しない
ものであり、本発明とは全く異なるものである。
れと逆の接合形の出力トランジスタとを備えたものがあ
るが（特開昭４９−４２２６６号公報参照）、この従来
装置は駆動トランジスタと出力トランジスタとが互いに
逆の接合形を有することが条件であり、本発明装置のよ
うにいずれもＮＰＮ形の接合形である場合は動作しない
ものであり、本発明とは全く異なるものである。
以上のようにこの発明装置によれば、簡単にセットの大
形化を招くことなしに、ラジエーショを防止、軽減する
ことができる効果がある。
形化を招くことなしに、ラジエーショを防止、軽減する
ことができる効果がある。
第１図は従来の電力増幅器の電気回路図、第２図はＮＰ
Ｎ形トランジスタの構成図、第３図はその各領域の不純
物濃度を示す説明図、第４図はこの発明装置の一実施例
を示す電気回路図である。 図中Ｑ３，Ｑ４は出力トランジスタＱ１，Ｑ２はそれを
駆動するＮＰＮ形トランジスタである。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Ｎ形トランジスタの構成図、第３図はその各領域の不純
物濃度を示す説明図、第４図はこの発明装置の一実施例
を示す電気回路図である。 図中Ｑ３，Ｑ４は出力トランジスタＱ１，Ｑ２はそれを
駆動するＮＰＮ形トランジスタである。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 電力増幅用のＮＰＮ形の出力トランジスタとＮ形コ
レクタ領域、Ｐ形ベース領域及び上記Ｎ形コレクタ領域
よりも不純物濃度の高いＮ形エミツタ領域とを有しその
コレクタが上記出力トランジスタのベースにそのエミツ
タが電源に接続され上記べース領域に印加される入力信
号電流がコレクタ領域を通って上記出力トランジスタの
ベース領域に流れ上記出力トランジスタを駆動するＮＰ
Ｎ形駆動トランジスタとを備えたことを特徴とする電力
増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50062158A JPS588602B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | デンリヨクゾウフクキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50062158A JPS588602B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | デンリヨクゾウフクキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51138148A JPS51138148A (en) | 1976-11-29 |
| JPS588602B2 true JPS588602B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=13192014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50062158A Expired JPS588602B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | デンリヨクゾウフクキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588602B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942266A (ja) * | 1972-08-29 | 1974-04-20 |
-
1975
- 1975-05-23 JP JP50062158A patent/JPS588602B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51138148A (en) | 1976-11-29 |
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