JPS5886732A - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子、特に半導体チップを基体に接合す
るマウント構造の改良に関する。

半導体電子部品の製造工程の一つとして、半導体チップ
を基体に接着するダイマウント（もしくはダイボンディ
ング）の工程がある。このダイマウントは、半導体チッ
プの固定保持ならびに半導体チップからの電気配線の引
き出し、さらに素子が作動時に半導体チップより生ずる
熱の放散を容易にすることを目的として行なわれている
。このダイマウントの構造として、従来より、・ハンダ
による加熱接合構造と、導電性樹脂による接合構造とが
知られている。前者のノ・ンダによる加熱接合構造につ
いて詳述すれば、第１図のごとく基体ｌと半導体チップ
２との間にノーンダ３を介在させて接合するものである
が、基体１とノ・ンダ３との間の接合層４ａならびに半
導体チップ２とノ・ンダ３との接合層４ｂとがそれぞれ
合金化されろ必要がある。ハンダ材料としては、Ａｎ−
８ｉ、　　Ａｎ　　Ｓｎ。

Ｐｂ−８ｎ等が利用されている。しかし、Ａｎ　　Ｓｉ
等では接合層４ａ、４ｂの合金化は容易であるが、ハン
ダを溶融し合金化させるための加熱温度が高いため半導
体チップ２を劣化させやすく、また接合層４ａ、４ｂが
硬いため半導体素子に温度サイクルやステップストレス
等の試験を行なうと、熱歪により接合層４ａ、４ｂもし
くは半導体チップ２にクラックが発生しやすい欠点があ
った。一方Ｐｂ　　ａｎ等のハンダでは加熱温度が低く
、また接合層４ａ、４ｂもＡｎ　　８１等に比較して軟
かい憂長所はあるが、接合層４ａ、４ｂを合金化させが
たく、基体１や半導体チップ２の被接合面の材料の選択
が限定される欠点がある。

後者の導電性樹脂による接合構造は、金属微粉末を混入
したエポキシ系樹脂の熱硬化反応を利用して基体１と半
導体チップ２とを接合するもので。

加熱温度が低くまた接合材料も安価であるため近年多く
利用されている。しかるに、エポキシ系樹脂は硬く、半
導体チップ２等の熱歪な充分に吸収できず、ハンダによ
る接合構造と同様に接合面若しくは半導体チップにクラ
ックが発生しやすく、充分に満足できるものでない。

特に、半導体素子の高密度化、高集積度化の要請に伴な
い半導体チップのサイズも大きくなる傾向にあり、熱歪
による不良発生の改善は重要課題である。

本発明はかかる従来技術の欠点を改良するためになされ
たもので、弾性を具えた接合材で基体１と半導体チップ
２とを接合することで、半導体チップ２の熱歪を接合材
が吸収できるように構成したことを特徴とする。以下第
２図に示す実施例を参照して本発明を説明すると、基体
１と半導体チップ２との間を接合材５で接合したマウン
ト構造である。接合材５は、シリコン系樹脂６に金、銀
、銅などの良導電性かつ良熱伝導性を具えた金属微粉末
７を混入して構成される。シリコン系樹脂６は弾性と耐
熱性に優れ、半導体チップ２の熱歪の吸収および半導体
チップ２の発熱による劣化を防止する特性を接合材５に
与える。金属微粉末７は接合材５に導電性と熱伝導性を
与えて、半導体チップ２の熱の放散を容易にし、また只
好なオーミック性を確保させる。

以上説明した所から明らかなように本考案によれば、半
導体チップの熱歪が接合材で吸収されるため、徒然のご
とき熱歪による接合部もしくは半・導体チップにクラッ
クが発生することがなく、信頼性および生産性に優れた
半導体素子が得られる。

特に半導体チップのサイズが犬なる半導体素子に有効で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のハンダによる加熱接合構造を示す図、第
２図は本発明のマウント接合構造な示す図である。 １・・・基体、２・・・半導体チップ、５・・・接合材
、６・・・シリコン系樹脂、７・・・金属粉末。 特許出願人　　クラリオン株式会社 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体チップを基体に接合材により接合させた半導体素
   子において、該接合材が弾性を具えたシリコン系樹脂に
   導電性金属粉末を混入して構成されていることを特徴と
   する半導体素子。