JPS5891012A - 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置Info
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- JPS5891012A JPS5891012A JP18887281A JP18887281A JPS5891012A JP S5891012 A JPS5891012 A JP S5891012A JP 18887281 A JP18887281 A JP 18887281A JP 18887281 A JP18887281 A JP 18887281A JP S5891012 A JPS5891012 A JP S5891012A
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は屓化珪素粉末の製造方法及びその製造装置に関
する。
する。
例えば叉化注菜−酸化イ、トリウムもしくは酸化マダ不
シウム(816N4−Y2O,もしくは5t3N4−
MgO)焼結体は哉誠的強度が高く、耐熱性もすぐれて
いるため高1話ガスタービン部材等に適用されるように
なってきている。4化珪素糸焼結体の熱的・機械的特性
は出発原料の性質によって大きく影蒼され、4化珪素に
ついてはできるだけα相含有率の^いことが望まれる。
シウム(816N4−Y2O,もしくは5t3N4−
MgO)焼結体は哉誠的強度が高く、耐熱性もすぐれて
いるため高1話ガスタービン部材等に適用されるように
なってきている。4化珪素糸焼結体の熱的・機械的特性
は出発原料の性質によって大きく影蒼され、4化珪素に
ついてはできるだけα相含有率の^いことが望まれる。
ところで、従来、窒化珪素粉末の製造は種々の方法で行
わnているが、最近ではα相含有率の高い窒化珪素粉末
が得られる方法としてシリカ粉末とカー設ン粉末に窒化
珪累粉禾、炭化珪素粉末及び酸1化珪素系粉末のうち少
なくとも1種を添ツノIして混合原料粉末全調製し、こ
れを過素含有非酸化性l囲気中で7111熱処理し、還
元・」化反応させる方法が採用されている。
わnているが、最近ではα相含有率の高い窒化珪素粉末
が得られる方法としてシリカ粉末とカー設ン粉末に窒化
珪累粉禾、炭化珪素粉末及び酸1化珪素系粉末のうち少
なくとも1種を添ツノIして混合原料粉末全調製し、こ
れを過素含有非酸化性l囲気中で7111熱処理し、還
元・」化反応させる方法が採用されている。
しかし、上記従来方法では下記のような種々の欠点がめ
る。
る。
(1)4化珪素は混合原料粉末中のJ化珪素等の添加粉
末を咳として、その表面に成長していくので、良好な焼
結性を有する慮細な4化珪素粉末金得るためには、添〃
口粉末の添訓オを多くしなければならない。このように
添力14多くすると生成する窒化珪素粉末の粒径が均一
化して、成形時の成形密度が小さくなる。
末を咳として、その表面に成長していくので、良好な焼
結性を有する慮細な4化珪素粉末金得るためには、添〃
口粉末の添訓オを多くしなければならない。このように
添力14多くすると生成する窒化珪素粉末の粒径が均一
化して、成形時の成形密度が小さくなる。
(2) S iO2とCからSI3N4が生成する反
応はS 102とCとの固−同反応が都連段階であるの
で、シリカ粉末とカーぜン粉末の接触が良好である必要
がある。しかし、出発原料はいずれも微細な粉末で、そ
の混合原料粉末のカサ比重は非常に小さく(0,13〜
0.20)、シリカ粒子とカー・デン粒子との良好な接
触状態が得にくい。また、充填縫も少ないので生産効率
が悪い。
応はS 102とCとの固−同反応が都連段階であるの
で、シリカ粉末とカーぜン粉末の接触が良好である必要
がある。しかし、出発原料はいずれも微細な粉末で、そ
の混合原料粉末のカサ比重は非常に小さく(0,13〜
0.20)、シリカ粒子とカー・デン粒子との良好な接
触状態が得にくい。また、充填縫も少ないので生産効率
が悪い。
(3)混合原料粉末を容器に充填して還元・窒化反応さ
する際、混合原料粉末はカサ比重が小′さいにもかかわ
らず出発原料が微細なため、粉体床中での間隙が非常に
狭い状態になっている。
する際、混合原料粉末はカサ比重が小′さいにもかかわ
らず出発原料が微細なため、粉体床中での間隙が非常に
狭い状態になっている。
このため、反応により生成するCOガスが粉体床中から
外へ拡散しにくく、かつ窒化反応に必要なN2ガスが粉
体床中に浸透しにくい。この場合、粉体床が厚いと粉体
床内部でばN2#度が低く、009度が高くなるためS
iCやSi2ON2が副生したり未反応S iO2が残
留して、513N4の生成が良好でない。したがって、
粉体床の厚さは約15鑓程度に制限される。また、粉体
床内部では反応速度が遅いためSi、N4生成を完了さ
せるのに時間がかかり生産効率が悪い。
外へ拡散しにくく、かつ窒化反応に必要なN2ガスが粉
体床中に浸透しにくい。この場合、粉体床が厚いと粉体
床内部でばN2#度が低く、009度が高くなるためS
iCやSi2ON2が副生したり未反応S iO2が残
留して、513N4の生成が良好でない。したがって、
粉体床の厚さは約15鑓程度に制限される。また、粉体
床内部では反応速度が遅いためSi、N4生成を完了さ
せるのに時間がかかり生産効率が悪い。
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、混合原料粉末を造粒した後、この造粒粒子を流動層状
態で反応させることにょυ、生産効率を向上し得るとと
もに良好な焼結性を有する微細なα相き有季の高い窒化
珪素粉末の製造方法及びその製造装置を提供しようとす
るものである。
、混合原料粉末を造粒した後、この造粒粒子を流動層状
態で反応させることにょυ、生産効率を向上し得るとと
もに良好な焼結性を有する微細なα相き有季の高い窒化
珪素粉末の製造方法及びその製造装置を提供しようとす
るものである。
すなわち、本願第1の発明は、シリカ粉末あるいは5i
−0成分を含む化合物粉末及びカーはン粉末に4化珪素
粉末、炭化珪素粉末及び酸窒化珪素系粉末のうち少なく
とも1.1′fiを添カロして混合原料粉末を調製し、
これを短径が0.2〜30朋になるように造粒した後、
この造粒粒子f:流動ノー状態で1300〜1550C
の窒業含有非酸化t9:、雰囲気中にて処理し、還元・
4化反応させることを特徴とする窒化珪素粉末の製造方
法でおる。
−0成分を含む化合物粉末及びカーはン粉末に4化珪素
粉末、炭化珪素粉末及び酸窒化珪素系粉末のうち少なく
とも1.1′fiを添カロして混合原料粉末を調製し、
これを短径が0.2〜30朋になるように造粒した後、
この造粒粒子f:流動ノー状態で1300〜1550C
の窒業含有非酸化t9:、雰囲気中にて処理し、還元・
4化反応させることを特徴とする窒化珪素粉末の製造方
法でおる。
一5=
また、本願第2の発明は、上部が開放され、かつ底部に
通気孔を設けた造粒粒子が収容される反応容器と、この
反応容器の少なくとも外周囲を包囲し、上部に、fス排
出口を有する断熱体と前記反応容器の底部と連通し、該
反応容器内の温度を1300〜1550℃に保持すΔ蓋
要な温度に加熱された窒素含有非酸化性ガスを該反応容
器内に供給するためのd路とを具備したことを特徴とす
る窒化珪素粉末の製造装置である。
通気孔を設けた造粒粒子が収容される反応容器と、この
反応容器の少なくとも外周囲を包囲し、上部に、fス排
出口を有する断熱体と前記反応容器の底部と連通し、該
反応容器内の温度を1300〜1550℃に保持すΔ蓋
要な温度に加熱された窒素含有非酸化性ガスを該反応容
器内に供給するためのd路とを具備したことを特徴とす
る窒化珪素粉末の製造装置である。
本発明方法における出発原料として用いられる三成分の
粉末の混合別合はその成分粉末の種類によって異なるが
、′列えばシリカ〜カー♂ンー造化珪素(5in2−
C−8i6N4)混合系の場合、SiC: C: 5t
3N4== 1 : 0.4〜4:0.005〜1.0
の重着割合(でするのが望ましい。これはS+021に
対してCが0.4未満ではSiO□が未反応として残留
し、かつ512ON2の多量生成がみられる反面α相S
! 3N4の生成社が少なくなる。また、Cが4を超
えるとβ相5t5N4の生成がみられ結果的にα相5i
5N4の純度が悪化するほか、とくに収6− 率低丁がみらルるためである。−万5i021 Vc対
して513N4が0.005未満ではα相St、N4の
高収率化効果が少なく、逆に1を超えると好ましい粉末
特性を有する粉末が得られない。
粉末の混合別合はその成分粉末の種類によって異なるが
、′列えばシリカ〜カー♂ンー造化珪素(5in2−
C−8i6N4)混合系の場合、SiC: C: 5t
3N4== 1 : 0.4〜4:0.005〜1.0
の重着割合(でするのが望ましい。これはS+021に
対してCが0.4未満ではSiO□が未反応として残留
し、かつ512ON2の多量生成がみられる反面α相S
! 3N4の生成社が少なくなる。また、Cが4を超
えるとβ相5t5N4の生成がみられ結果的にα相5i
5N4の純度が悪化するほか、とくに収6− 率低丁がみらルるためである。−万5i021 Vc対
して513N4が0.005未満ではα相St、N4の
高収率化効果が少なく、逆に1を超えると好ましい粉末
特性を有する粉末が得られない。
本発明方法において出発原料を混合して混合粉末原料を
調製する方法としては、列えば湿式又は乾式のボールミ
ル法が挙げられる。
調製する方法としては、列えば湿式又は乾式のボールミ
ル法が挙げられる。
本発明方法における混合原料粉末の造粒は水・アルコー
ル、アセトン等を用いた湿式法で行い乾燥、造粒しても
よいし、ポリビニルアルコール、フェノールレノン、小
麦粉等の有機バインダー又はエチルシリケート、コロイ
ダルシリカ等の無機バインダーを1史用して乾燥、造粒
してもよい。また、造粒法としては、湿式又は乾式の押
出し法1回伝法、加圧圧縮法、流動層造粒法、遠心流動
法、攪拌造粒法、スフレ−ドライヤー法等あるいはこれ
らの組合亡失を挙げることができる。混合原料粉末全造
粒することにより、S iO2とCとの接触状態がよく
なり、S i 、N4生成反応の律速段階である510
2とCとの固−向反応が起こりやすくなる。造粒粒子内
部ではS iO2とCとの反応により発生したsIoガ
スとCOガスが粒子に亀裂を生じさせる。この亀裂を通
じてCOガスが外部へ拡散し、N2ガスが内部へ浸透す
るため、反応が起こシやすくなりSl、N4の生産効率
が向上する。造粒粒子の短径を0.2〜30 rran
の範囲としたのは、0.2 ran未満であると造粒粒
子がガス流により飛散しゃすくなって安定した流動層状
態が潜られず、30m5+を超えると造粒粒子内部から
のCOガスの拡散や内部へのN2ガスの浸透が困難にな
って反応が良好に進まないためである。
ル、アセトン等を用いた湿式法で行い乾燥、造粒しても
よいし、ポリビニルアルコール、フェノールレノン、小
麦粉等の有機バインダー又はエチルシリケート、コロイ
ダルシリカ等の無機バインダーを1史用して乾燥、造粒
してもよい。また、造粒法としては、湿式又は乾式の押
出し法1回伝法、加圧圧縮法、流動層造粒法、遠心流動
法、攪拌造粒法、スフレ−ドライヤー法等あるいはこれ
らの組合亡失を挙げることができる。混合原料粉末全造
粒することにより、S iO2とCとの接触状態がよく
なり、S i 、N4生成反応の律速段階である510
2とCとの固−向反応が起こりやすくなる。造粒粒子内
部ではS iO2とCとの反応により発生したsIoガ
スとCOガスが粒子に亀裂を生じさせる。この亀裂を通
じてCOガスが外部へ拡散し、N2ガスが内部へ浸透す
るため、反応が起こシやすくなりSl、N4の生産効率
が向上する。造粒粒子の短径を0.2〜30 rran
の範囲としたのは、0.2 ran未満であると造粒粒
子がガス流により飛散しゃすくなって安定した流動層状
態が潜られず、30m5+を超えると造粒粒子内部から
のCOガスの拡散や内部へのN2ガスの浸透が困難にな
って反応が良好に進まないためである。
また、この造粒粒子を流動ノー状、蝶で反応させること
により、反応系の温度を均一にし、C。
により、反応系の温度を均一にし、C。
ガスの拡散及びN2ガスの浸透を良好にし、造粒粒子の
処理iを増力1することができ杢ため、生産効率を更に
向上させることができる。
処理iを増力1することができ杢ため、生産効率を更に
向上させることができる。
本発明方法における水素含有非酸化性崖囲気としては、
N2. NH3,N2− N2 、N2−不活性ガス等
が挙げられる。
N2. NH3,N2− N2 、N2−不活性ガス等
が挙げられる。
本発明方法において崇素含有非酸化性浮囲気の温度範囲
を1300〜1550℃としたのは、1300℃未満で
はSt、N4が生成し難く、1550℃を超えるとSi
Cの生成がみられるためである。
を1300〜1550℃としたのは、1300℃未満で
はSt、N4が生成し難く、1550℃を超えるとSi
Cの生成がみられるためである。
本発明の製造装置における反応容器は筒状の(till
壁と通気孔を有する底部からなり、その底部ハ0.3〜
10間径の多数孔を有する2枚の黒鉛質平板の間にカー
ぎン繊維からなる多孔質*、mシートを挾持した3層構
造のものでもよいし、剪;β4月4l−−Iオ遺墳1オ
#L多孔構造をなす目皿からなるものでもよい。
壁と通気孔を有する底部からなり、その底部ハ0.3〜
10間径の多数孔を有する2枚の黒鉛質平板の間にカー
ぎン繊維からなる多孔質*、mシートを挾持した3層構
造のものでもよいし、剪;β4月4l−−Iオ遺墳1オ
#L多孔構造をなす目皿からなるものでもよい。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施?’t1
図は本発明の1化珪素粉末の製造装置を示す所面図であ
る。図中1は第1の断熱体であり、この断熱体1は内部
にカギ型の通路2を有し、かつ一端側上部には該通路2
と連通ずる開口部が形4Jiされている。この第1の〜
↑熱体1の開口部周辺上には、造粒粒子を収容する円筒
状の黒9− 鉛製反応容器3が設置されている。この反応谷43は上
部が開放され、かつ底1fBJ aが0.3〜10纒径
の多数孔を何する2枚の黒鉛質モ板4a、4bの111
にカーボン繊維からなる多孔質繊維シート5を挾持した
3層構造となっている・また、@記第1の断熱体1土に
は前記反応容器3の周囲を民団するように第2の断熱体
6が設置さnている。第2の断熱体6の上部にはがス排
出1」7が設けら−gでいる。また、第2の断熱体6の
上部には反応容53内部に造粒粒子を供給するための原
料供給−if sが挿着されている。
る。図中1は第1の断熱体であり、この断熱体1は内部
にカギ型の通路2を有し、かつ一端側上部には該通路2
と連通ずる開口部が形4Jiされている。この第1の〜
↑熱体1の開口部周辺上には、造粒粒子を収容する円筒
状の黒9− 鉛製反応容器3が設置されている。この反応谷43は上
部が開放され、かつ底1fBJ aが0.3〜10纒径
の多数孔を何する2枚の黒鉛質モ板4a、4bの111
にカーボン繊維からなる多孔質繊維シート5を挾持した
3層構造となっている・また、@記第1の断熱体1土に
は前記反応容器3の周囲を民団するように第2の断熱体
6が設置さnている。第2の断熱体6の上部にはがス排
出1」7が設けら−gでいる。また、第2の断熱体6の
上部には反応容53内部に造粒粒子を供給するための原
料供給−if sが挿着されている。
更に第2の断熱体6の側壁には反応容器3の側壁まで頁
I山する反応物取出管9が挿着されている。前記第1の
断熱体1の他端側には・ρりえば4素ガス金前記++M
路2内に供給するための熱交換パイノ10が挿着されて
いる。そして、第1の断熱体)における・母イノ挿着部
付近は膨出して、前記・9イグ10からの4.Xがス等
を反応容器、9内で1300−1550℃に保持するに
必快な+6i ifまで1Jtl 、@するための誘導
力り熱コイル1ノ全収容10− するlJO熱室12が形成さnている。
I山する反応物取出管9が挿着されている。前記第1の
断熱体1の他端側には・ρりえば4素ガス金前記++M
路2内に供給するための熱交換パイノ10が挿着されて
いる。そして、第1の断熱体)における・母イノ挿着部
付近は膨出して、前記・9イグ10からの4.Xがス等
を反応容器、9内で1300−1550℃に保持するに
必快な+6i ifまで1Jtl 、@するための誘導
力り熱コイル1ノ全収容10− するlJO熱室12が形成さnている。
次に、上記製14装置を用いて4化珪素粉末を製造する
方法を説明する。まず、シリカ粉末1屯1部とカー♂ン
/ラック0.5重速部に窒化珪素粉末0.1tfii部
を冷力nし、混合原料粉末を1筆した。次に、この混合
原料粉末を短径31に造粒した。次いで、この造粒粒子
を図示しだ製造装置の原料供給管8から反応容器3内に
供給した。つづいて、熱交換・ぐイノ10内に4素ガス
を送入し、加熱室12で誘4卵熱コイル1ノによって高
温に卯熱し、通路2を通過させ、反応容器3の底部3a
の通気孔から噴出させ、反応′#器3内の造粒粒子全流
動ノー状態にして還元・j化反応を行った。この際、反
応容器3内の温度は約1450℃であった。未反応の4
素がス、生成したCOガス等はIス排気ロアから排出さ
れた。反応生ノ戊′吻は反応物取出管9から1幀次卓出
した。この後、反応生成物を700℃の空気中で加熱処
理し、残留カーがンを燃焼1余去して塁化珪素粉禾を得
た。
方法を説明する。まず、シリカ粉末1屯1部とカー♂ン
/ラック0.5重速部に窒化珪素粉末0.1tfii部
を冷力nし、混合原料粉末を1筆した。次に、この混合
原料粉末を短径31に造粒した。次いで、この造粒粒子
を図示しだ製造装置の原料供給管8から反応容器3内に
供給した。つづいて、熱交換・ぐイノ10内に4素ガス
を送入し、加熱室12で誘4卵熱コイル1ノによって高
温に卯熱し、通路2を通過させ、反応容器3の底部3a
の通気孔から噴出させ、反応′#器3内の造粒粒子全流
動ノー状態にして還元・j化反応を行った。この際、反
応容器3内の温度は約1450℃であった。未反応の4
素がス、生成したCOガス等はIス排気ロアから排出さ
れた。反応生ノ戊′吻は反応物取出管9から1幀次卓出
した。この後、反応生成物を700℃の空気中で加熱処
理し、残留カーがンを燃焼1余去して塁化珪素粉禾を得
た。
しかして上記実#i列によれば、反応時間を短縮できる
とともに処理量を増加することができ、生産効率を向上
することができた。処理針に1関しては、内径250+
mnの反応容器を用いた揚台、粒子床の深さを300+
nm程度Vこすることができた。
とともに処理量を増加することができ、生産効率を向上
することができた。処理針に1関しては、内径250+
mnの反応容器を用いた揚台、粒子床の深さを300+
nm程度Vこすることができた。
また、反応が均一に進行するので、均質なS 13N4
粉禾を18ることができた。得られたJ化珪素扮末はα
相含有率92%、粒径範囲0.2〜1.48m1平均粒
+t O,7μmであった、すなわち、微細で粒径範囲
が広いため、成形密度が犬きく良好な焼結性を有するS
i3N4粉末が寿られた。
粉禾を18ることができた。得られたJ化珪素扮末はα
相含有率92%、粒径範囲0.2〜1.48m1平均粒
+t O,7μmであった、すなわち、微細で粒径範囲
が広いため、成形密度が犬きく良好な焼結性を有するS
i3N4粉末が寿られた。
また、SiCは検知されなかった。
また、上記実施例の製造装置は加熱室12で窒素がスを
力n熱する方式で必ジ、熱源′物体を炉内に装着しなく
てもよいので浦牟な構造にできる。しかも、jJn熱室
12での加熱は上記実施レリの如く誘導加熱コイル11
に限らず灯油、重油。
力n熱する方式で必ジ、熱源′物体を炉内に装着しなく
てもよいので浦牟な構造にできる。しかも、jJn熱室
12での加熱は上記実施レリの如く誘導加熱コイル11
に限らず灯油、重油。
LPG等の燃焼加熱でもよい。史に反応答イ渉3の底部
3aは2枚の黒鉛質平板4a 、4bの間にカーボン愼
維からなる多孔質繊維シート5を挾持した31惰構造と
なっており、黒鉛質平板4a。
3aは2枚の黒鉛質平板4a 、4bの間にカーボン愼
維からなる多孔質繊維シート5を挾持した31惰構造と
なっており、黒鉛質平板4a。
4bは薄くても充分な強度を有し、しか11がスの流れ
を均一にして反応を良好に進行させることができる。
を均一にして反応を良好に進行させることができる。
なお、反応容器は上記実施例のシロ〈円節状に限らず角
筒状でもよい。また、上記実施例の如く半連続式に限ら
ずバッチ式でもよい。また反応容器からの排気ガスの熱
を窒素含有非酸化性ガスの予熱に利用することが望まし
い。
筒状でもよい。また、上記実施例の如く半連続式に限ら
ずバッチ式でもよい。また反応容器からの排気ガスの熱
を窒素含有非酸化性ガスの予熱に利用することが望まし
い。
以上詳述した111<本発明によれば、生産効率を向上
し得るとともに良好な焼結性を有する微細なαH」き有
季の高い窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置を提
供できるものである。
し得るとともに良好な焼結性を有する微細なαH」き有
季の高い窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置を提
供できるものである。
図は本発明の実施列における窒化珪素粉末の製造装置を
示す断面図でおる。 1・・・第1の所熱体、2・・・d路、3・・・反応容
器、4a、4b・・・黒鉛質平板、5・・・多孔質繊維
シート、6・・・第2の析熱体、7・・・がス排出口、
8・・・13− 原料供給管、9・・・反応物増出管、1o・・・熱交換
・母イブ、11・・・誘導加熱コイル、12・・・加熱
室。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦14−
示す断面図でおる。 1・・・第1の所熱体、2・・・d路、3・・・反応容
器、4a、4b・・・黒鉛質平板、5・・・多孔質繊維
シート、6・・・第2の析熱体、7・・・がス排出口、
8・・・13− 原料供給管、9・・・反応物増出管、1o・・・熱交換
・母イブ、11・・・誘導加熱コイル、12・・・加熱
室。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦14−
Claims (4)
- (1) シリカ粉末あるいば5i−0成分を含む化合
物粉末及びカーぜン粉末に窒化珪素粉末、炭化珪素粉末
及び酸i化珪素系扮禾のうち少なくとも1種を添’JO
して混合原料粉末全調製し、これを短径0.2〜30闇
になるように造粒した後、この造粒粒子を流動層状態で
1300〜1550℃の窒素含有非酸化性感囲気中にて
処理し、還元・窒化反応させること全特徴とする窒化珪
素粉末の製造方法。 - (2)上部が開放され、かつ底部に通気孔を設けた造粒
粒子が収容さnる反応容器と、この反応容器の少なくと
も外周囲を包囲し、上部にガス排出口を有する断熱体と
、前記反応容器の底部と連通し、該反応容器内の温度を
1300〜1550Cに保持するに必要な温度に加熱さ
nた4累含有非酸化性ガスを該反応容器内に供給するた
めの通路とを具:#4f L−たことを特徴とする窒化
珪素粉末の製造装置。 - (3)反応容器の1市気孔を有する底部が0.3〜10
s++径の多数孔を有する2枚の黒鉛質平板の間にカー
・げン繊維からなる多孔質繊維ンートを挟持した3層構
造となっていることを特徴とする特許請求の範囲第2
、!i =e域の窒化珪素粉末の製造装置。 - (4)反応容器はその底部が一9T14−741m多孔
構造をなす目皿からな ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のX化珪
素粉末の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887281A JPS5891012A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887281A JPS5891012A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891012A true JPS5891012A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16231344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18887281A Pending JPS5891012A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 窒化珪素粉末の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891012A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251108A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
| JPS627611A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
| JPS627612A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素の製造装置 |
| JPS6279843A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 流動層合成装置のガス分散板 |
| JPS6283307A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
| JPS63297205A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Ibiden Co Ltd | 窒化物の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525700A (en) * | 1975-07-03 | 1977-01-17 | Onoda Cement Co Ltd | The process for production of silicon nitride |
| JPS5337581A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-06 | Apollo Heat Ltd | Fluidized bed apparatus |
| JPS53102300A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Toshiba Corp | Preparation of type silicon nitride powders |
| JPS54120298A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Production of type silicon nitride |
| JPS5622611A (en) * | 1979-07-28 | 1981-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of alpha-type silicon nitride powder |
| JPS5632611A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-02 | Hitachi Cable | Method of manufacturing plasticcinsulated aluminummcoated cable |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP18887281A patent/JPS5891012A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| JPS627611A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
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| JPS6279843A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 流動層合成装置のガス分散板 |
| JPS6283307A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 窒化ケイ素粉末の製造装置 |
| JPS63297205A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Ibiden Co Ltd | 窒化物の製造方法 |
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