JPS5892239A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5892239A JPS5892239A JP19117281A JP19117281A JPS5892239A JP S5892239 A JPS5892239 A JP S5892239A JP 19117281 A JP19117281 A JP 19117281A JP 19117281 A JP19117281 A JP 19117281A JP S5892239 A JPS5892239 A JP S5892239A
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- JP
- Japan
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- layer
- glass
- insulation
- thereafter
- glass layer
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、多層構造を持つ半導体装置、特にその表面
平担化を図るための製造方法に関するものである。
平担化を図るための製造方法に関するものである。
従来、多層構造を持つ半導体装置の表面平担化法として
は、第１図に示すようなものがあった。
は、第１図に示すようなものがあった。
図において（１）は半導体基板、（２）は絶縁膜層、（
３）は所定の形状にパターニングされた金属あるいは半
導体より成る回路要素、（４）はリンあるいはホウ素な
どを含んだ低融点ガラス層、（５）は金属あるいは半導
体層である。
３）は所定の形状にパターニングされた金属あるいは半
導体より成る回路要素、（４）はリンあるいはホウ素な
どを含んだ低融点ガラス層、（５）は金属あるいは半導
体層である。
従来の方法では、第１図（ａ）のように半導体基板（１
）上の絶縁膜（２）上に所定のパターン形成を終えた層
（３）の上に、更に新たな回路構成層を積み重ねようと
する場合、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ、＋ｐｏｒ
Ｄｅｐｏ −５ｉｔｉｏｎ）その他の方法で第１図（ｂ
）の如く低融点ガラス層（４）を形成した後、下部のパ
ターン層（３）によって急な段差が生じる。このためそ
の上にさらに重ねようとする金属あるいは半導体の層（
５）が段切れを起こす危険性を防止する目的で、予め膚
（５）の形成に先立って加熱処理を加えて低融点ガラス
（４）に一旦流動性を与えることにより、第１図（ｃ）
の如く段差部に丸味を持たせた後、第１図（ｄ）の如く
次の層を形成するという手段がとられてきた。
）上の絶縁膜（２）上に所定のパターン形成を終えた層
（３）の上に、更に新たな回路構成層を積み重ねようと
する場合、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ、＋ｐｏｒ
Ｄｅｐｏ −５ｉｔｉｏｎ）その他の方法で第１図（ｂ
）の如く低融点ガラス層（４）を形成した後、下部のパ
ターン層（３）によって急な段差が生じる。このためそ
の上にさらに重ねようとする金属あるいは半導体の層（
５）が段切れを起こす危険性を防止する目的で、予め膚
（５）の形成に先立って加熱処理を加えて低融点ガラス
（４）に一旦流動性を与えることにより、第１図（ｃ）
の如く段差部に丸味を持たせた後、第１図（ｄ）の如く
次の層を形成するという手段がとられてきた。
しかしこの様な従来の方法では、層（３）と層（５）の
間の電気的絶縁を、中間にはさんだ低融点ガラス７ｄ
（４）によって確保するという主旨から明らかなように
、加熱処理によって低融点ガラス層（４）を流動化して
平担化し得る限界は、％４ （３）のパターンの角部と
層（５）との距離が電気絶縁を保つに十分なだけ離れて
いる程度にとどめなければならない、このため、あまり
十分に平担化できないという欠点があった。
間の電気的絶縁を、中間にはさんだ低融点ガラス７ｄ
（４）によって確保するという主旨から明らかなように
、加熱処理によって低融点ガラス層（４）を流動化して
平担化し得る限界は、％４ （３）のパターンの角部と
層（５）との距離が電気絶縁を保つに十分なだけ離れて
いる程度にとどめなければならない、このため、あまり
十分に平担化できないという欠点があった。
この発明は上記のような従来方法の欠点を除去するため
になされたもので、いったん低融点ガラス層を十分に平
担化を加えて、その上面に露出した下部層パターン＜３
）の端部をエツチング除去した後、さらに低融点ガラス
層を付着させることにより、上部に極めてなだらかな層
を形成し得る方法を提供することを目的としている。
になされたもので、いったん低融点ガラス層を十分に平
担化を加えて、その上面に露出した下部層パターン＜３
）の端部をエツチング除去した後、さらに低融点ガラス
層を付着させることにより、上部に極めてなだらかな層
を形成し得る方法を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、（６）は新たに積み足した絶縁用低融点ガ
ラス層である。
図において、（６）は新たに積み足した絶縁用低融点ガ
ラス層である。
本発明の一実施例においても、第２図（ａ）および第２
図（ｂ）のように、所定の形状に加工された層（３）を
低融点ガラス層（４）でおおうことは従来法と同様であ
るが、ガラス層（４）の膜厚は従来法の場合。
図（ｂ）のように、所定の形状に加工された層（３）を
低融点ガラス層（４）でおおうことは従来法と同様であ
るが、ガラス層（４）の膜厚は従来法の場合。
よりも若干薄い。次にこのガラス層（４）を十分に加熱
して流動性を持たせると、容易に第２図（ｃ）のように
、層（３）の上部端部が流動して平担化したガラス層か
らはみ出すような構造とすることができる。次にこの表
面を、ガラス層（４）に対してはほとんどエツチングせ
ず層（３）の材質だけを選択的にエツチングするような
方法でエツチングすることにより、第２図（ｄ）のよう
に層（３）のはみ出した部分を除去してしまう。この場
合のエツチング方法として、例えば層（３）がポリシリ
コンや金属シリサイド層の場合にはフレオン系のガスプ
ラズマエツチングが利用でき、また層（３）がＡＩ等の
金属層の場合には通常のリン酸を主成分としたアルミエ
ツチング液を利用することができる。
して流動性を持たせると、容易に第２図（ｃ）のように
、層（３）の上部端部が流動して平担化したガラス層か
らはみ出すような構造とすることができる。次にこの表
面を、ガラス層（４）に対してはほとんどエツチングせ
ず層（３）の材質だけを選択的にエツチングするような
方法でエツチングすることにより、第２図（ｄ）のよう
に層（３）のはみ出した部分を除去してしまう。この場
合のエツチング方法として、例えば層（３）がポリシリ
コンや金属シリサイド層の場合にはフレオン系のガスプ
ラズマエツチングが利用でき、また層（３）がＡＩ等の
金属層の場合には通常のリン酸を主成分としたアルミエ
ツチング液を利用することができる。
その後、さらにその上に新たに低融点ガラス層（６）を
付着させ（第２図（ｅ））、これを再度加熱して流動さ
せれば上面は第２図（ｆ）のように極めてなめらかなも
のになろうしかる後この上に、次の層（５）を形成する
仁とによって、第２図（ｇ）のように、層（３）との間
に十分な絶縁距離を保ちながらきわめて平担に上の層（
５）を作ることが可能になる。
付着させ（第２図（ｅ））、これを再度加熱して流動さ
せれば上面は第２図（ｆ）のように極めてなめらかなも
のになろうしかる後この上に、次の層（５）を形成する
仁とによって、第２図（ｇ）のように、層（３）との間
に十分な絶縁距離を保ちながらきわめて平担に上の層（
５）を作ることが可能になる。
なお、上記実施例では、追加絶縁層（６）として低融点
ガラスを用いた例について説明したが、この層がたとえ
ばシリコン窒化膜のような他の絶縁物層であっても良い
ことは言うまでもないＯまた、第２図（ｆ）に示したよ
うな再度の平担化は不必要なら省略されても良いし、層
（４）と層（６）の間にさらに何層かの別の絶縁層が加
えられても、本発明の主旨から言って差支えないことは
勿論である。また、シリコン基板上の多層構造の、第何
層目に対して適用しても本発明が有効なことも言うまで
もない。
ガラスを用いた例について説明したが、この層がたとえ
ばシリコン窒化膜のような他の絶縁物層であっても良い
ことは言うまでもないＯまた、第２図（ｆ）に示したよ
うな再度の平担化は不必要なら省略されても良いし、層
（４）と層（６）の間にさらに何層かの別の絶縁層が加
えられても、本発明の主旨から言って差支えないことは
勿論である。また、シリコン基板上の多層構造の、第何
層目に対して適用しても本発明が有効なことも言うまで
もない。
以上の様に、この発明によれば層間絶縁層の形成と２段
階に分けて、下の構造物自体も平担化を図った後にさら
に絶縁層を重ねる構成にしたので、極めて平担でかつ良
好な電気絶縁を保った多層構造が実現できる効果がある
。
階に分けて、下の構造物自体も平担化を図った後にさら
に絶縁層を重ねる構成にしたので、極めて平担でかつ良
好な電気絶縁を保った多層構造が実現できる効果がある
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、従来の多層構造平担化法を示
す側面断面図。第２図（ａ）〜軸）はこの発明の一実施
例を示す側面断面図である。 （旧・・半導体基板、（２）・・・絶縁膜層、（３）・
・・金属あるいは半導体の回路パターン、（４）・・・
低融点ガラス層（５）・・・金属あるいは半導体層、（
６）・・・絶縁膜層。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 舒 信 −
す側面断面図。第２図（ａ）〜軸）はこの発明の一実施
例を示す側面断面図である。 （旧・・半導体基板、（２）・・・絶縁膜層、（３）・
・・金属あるいは半導体の回路パターン、（４）・・・
低融点ガラス層（５）・・・金属あるいは半導体層、（
６）・・・絶縁膜層。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 舒 信 −
Claims (1)
- 多層電極構造を持つ半導体装置の製造において、層間絶
縁物層として低融点ガラスを使用し、加熱による該ガラ
ス層の平担化で、下の層のパターンの上部端を露出せし
め、この露出部をエツチング除去して下部層のパターン
上部に丸味を持たせた後、さらに絶縁物層をたい積して
層間絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117281A JPS5892239A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117281A JPS5892239A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892239A true JPS5892239A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16270091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19117281A Pending JPS5892239A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60121795A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-29 | 東京応化工業株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19117281A patent/JPS5892239A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60121795A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-29 | 東京応化工業株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
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