JPS5892260A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5892260A
JPS5892260A JP56191157A JP19115781A JPS5892260A JP S5892260 A JPS5892260 A JP S5892260A JP 56191157 A JP56191157 A JP 56191157A JP 19115781 A JP19115781 A JP 19115781A JP S5892260 A JPS5892260 A JP S5892260A
Authority
JP
Japan
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semiconductor device
image sensor
layer
analog
layers
Prior art date
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Pending
Application number
JP56191157A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruhiko Abe
阿部　東彦
Masahiro Yoneda
昌弘 米田
Shinichi Sato
真一 佐藤
Kazuo Mizuguchi
一男 水口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS5892260A publication Critical patent/JPS5892260A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は同一基板上に複数の活性層を有する積層構造
を有する半導体装置に関するものである。
以下、図に従って本発明の構成、動作について説明する
。
図において、（１）　、　（３）　、　（ｆｉ）　、　
（７）は各種半導体素子が集積化された活性層を意味し
、各活性層間の（２）。
（４）　、　（６）は２つの活性層、例えば（１）と（
３）を電気的に分離絶縁する絶縁層である。
さて、このような複数の活性層（１）　＊　（ａ）　＃
　（６）　＊　（７）及び上下２つの活性層、例えば（
１）と（３）を電気的化分離絶縁する絶縁層（２）から
なる積層構造に構築した半導体装置において、最上位の
第１層（１）の機能を画像９文字などのイメージセンサ
とする。この場合、このイメージセンサ機能は、可視光
領域のみならず、赤外領域において動作する。このよう
な光領域でのイメージセンサ−動作は、例えばシリコン
を用いたＣＣＤ型イメージセンサ、　ＭＯ８型イメージ
センサ等各種デバイス構造、あるいはメタル、例えば白
金のショットキーデバイスを用いて実現可能であること
は知られている。このような画像センサーデバイスから
の電気信号は多くの場合アナログ信号であり、各種論理
回路、記憶回路を用いて画像処理を行なう場合には、ア
ナログ信号をデジタル信号に変換することが不可欠であ
る。
従って、この発明においては、画像センサー機能を有す
る活性層（１）の下の活性層（３）に、絶縁層（２）を
介してアナログ信号をデジタル信号に変換する回路を組
込む。これにより、第１の活性層（１）から送られる大
量のアナログ信号を十分に処理することが出来る。
次に、この活性層（３）テデジタル化された画像信号は
絶縁層（４）及び（６）を介して形成された、例えば論
理回路用活性層（５）及び記憶回路用活性層（７）に転
送され論理処理及び記憶処理される。
このような構造により、図に示した如き積層構造の半導
体装置は、画像センサ機能、アナログ。
デジタル変換機能、論理回路機能、記憶回路機能を同一
基板上に有機的に組込み、一つのシステムとして動作す
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の半導体装置の概念図である。 （ｉ）　ｅ　（ａ）ｅ　（５）　ｐ　（７）は活性層、
（２）　、　（４）　＃　（６）は絶縁層代理人　葛野
信−

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）同一基板上に形成された、複数の活性層を有する
    ものにおいて、最上位の層に可視光領域あるいは赤外領
    域の波長で動作する画像センサ機能を有することを特徴
    とする積層構造の半導体装置。
  2. （２）最上位の画像センサ機能を有する層の下にアナロ
    グ・デジタル変換回路を組込んだ層を設けることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。
  3. （３）アナログ・デジタル変換回路機能層の下の複数の
    層に論理回路層のいずれか一方または両方を組込んだこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
    。
JP56191157A 1981-11-27 1981-11-27 半導体装置 Pending JPS5892260A (ja)

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