JPS5892264A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5892264A JPS5892264A JP56191138A JP19113881A JPS5892264A JP S5892264 A JPS5892264 A JP S5892264A JP 56191138 A JP56191138 A JP 56191138A JP 19113881 A JP19113881 A JP 19113881A JP S5892264 A JPS5892264 A JP S5892264A
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- JP
- Japan
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- collector
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路装置に関するものである。
半導体集積回路装置を構成するＰＮＰ ）ランジスタの
１つとして、従来からエピタキシャルベースＰＮＰ ト
ランジスタがあシ、これを第１図に示しである。この第
１図において、（１）はＰ型半導体基板、（２）はこの
基板（１）の主面上に成長させたＮＳ！！エピタキシャ
ル層、（３）は同層（２）上にＰ型不純物を選択拡散し
て形成したＰＮＰ ）ランジスタのコレクタ領域、（４
）はこれらの上に同様に成長されたＮ型エピタキシャル
層、（５）は同層（４）上にＰ型不純物を選択拡散して
形成したコレクタ引出し拡散層、（６１は同様にＰ型不
純物を選択拡散して形成したエミッタ領域、（７）は同
様にＮ型不純物を選択拡散して形成した同層（４）とし
てのベース領域（４′）のコンタクト拡散層である。そ
してこの従来のエピタキシャルベースＰＮＰ ）ランジ
スタの高周波特性−寸なわちｆＴ： Ｉｇ特性を第２図
に１またその不純物濃度プロファイルを第３図にそれぞ
れ表わしている。
１つとして、従来からエピタキシャルベースＰＮＰ ト
ランジスタがあシ、これを第１図に示しである。この第
１図において、（１）はＰ型半導体基板、（２）はこの
基板（１）の主面上に成長させたＮＳ！！エピタキシャ
ル層、（３）は同層（２）上にＰ型不純物を選択拡散し
て形成したＰＮＰ ）ランジスタのコレクタ領域、（４
）はこれらの上に同様に成長されたＮ型エピタキシャル
層、（５）は同層（４）上にＰ型不純物を選択拡散して
形成したコレクタ引出し拡散層、（６１は同様にＰ型不
純物を選択拡散して形成したエミッタ領域、（７）は同
様にＮ型不純物を選択拡散して形成した同層（４）とし
てのベース領域（４′）のコンタクト拡散層である。そ
してこの従来のエピタキシャルベースＰＮＰ ）ランジ
スタの高周波特性−寸なわちｆＴ： Ｉｇ特性を第２図
に１またその不純物濃度プロファイルを第３図にそれぞ
れ表わしている。
こ＼でこのような従来のエピタキシャルベースＰＮＰ
）ランジスタにおいては、ベース領域がエピタキシャル
層によシ形成されているために、エミッタ領域からベー
ス領域に注入される少数キャリヤは加速電界を受けず、
従って拡散ベースＰＮＰトランジスタに比較してｆＴ：
Ｉｇ特性が劣るという欠点があった。これは次式によ
り知られる。すなわち、 一１１Ｔｉｗ ｒｓ 十ｒ６ （ｃｅ’＋ Ｃｃ）ひで
、τｙｓ／ｒｌ少数キャリヤのベース走行時間、ｒｃは
エミッタ抵抗、Ｃｅはエミッタ遷移容量、Ｃｃはコレク
タ遷移容量であり、エピタキシャルＰＮＰ ）ランジス
タは、通常、均一ベーストランジスタであるために、拡
散勾配に起因する加速電界を受けず、拡散ベーストラン
ジスタに比較してＴＢが大となり、ｆ’ｒが小となるの
である。
）ランジスタにおいては、ベース領域がエピタキシャル
層によシ形成されているために、エミッタ領域からベー
ス領域に注入される少数キャリヤは加速電界を受けず、
従って拡散ベースＰＮＰトランジスタに比較してｆＴ：
Ｉｇ特性が劣るという欠点があった。これは次式によ
り知られる。すなわち、 一１１Ｔｉｗ ｒｓ 十ｒ６ （ｃｅ’＋ Ｃｃ）ひで
、τｙｓ／ｒｌ少数キャリヤのベース走行時間、ｒｃは
エミッタ抵抗、Ｃｅはエミッタ遷移容量、Ｃｃはコレク
タ遷移容量であり、エピタキシャルＰＮＰ ）ランジス
タは、通常、均一ベーストランジスタであるために、拡
散勾配に起因する加速電界を受けず、拡散ベーストラン
ジスタに比較してＴＢが大となり、ｆ’ｒが小となるの
である。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、前記Ｐ重拡散
層からなるコレクタ領域ＫＮ型不純物を選択拡散して能
動ベース領域を形成させると共Ｋ。
層からなるコレクタ領域ＫＮ型不純物を選択拡散して能
動ベース領域を形成させると共Ｋ。
Ｐ重拡散層からなるエミッタ領域をこのエピタキシャル
層内にある能動ベース領域に達するように形成させて、
能動ベース領域によシ加速電界を構成させることによシ
高周波特性を改善し得るようにしたものである。
層内にある能動ベース領域に達するように形成させて、
能動ベース領域によシ加速電界を構成させることによシ
高周波特性を改善し得るようにしたものである。
以下、この発明方法の一実施例につき、第４図ないし第
６図を参照して詳細に説明する。
６図を参照して詳細に説明する。
第４図においてこの実施例方法では、前記Ｐ重拡散層に
よるコレクタ領域（３）を形成したのち、Ｎ型不純物を
選択拡散して能動ベース領域（８）を形成させ、ついで
これらの上にＮ型エピタキシャル層（４）を成長させ、
その後Ｐ型不純物の選択拡散により、前記コレクタ領域
（３１に達するコレクタ引出し拡散層（５１と共に、能
動ベース領域（８）に達するエミッタ領域（９）を形成
させ、かつさらにＮ型不純物の選択拡散によるベースコ
ンタクト拡散層（７）を形成させるのである。
よるコレクタ領域（３）を形成したのち、Ｎ型不純物を
選択拡散して能動ベース領域（８）を形成させ、ついで
これらの上にＮ型エピタキシャル層（４）を成長させ、
その後Ｐ型不純物の選択拡散により、前記コレクタ領域
（３１に達するコレクタ引出し拡散層（５１と共に、能
動ベース領域（８）に達するエミッタ領域（９）を形成
させ、かつさらにＮ型不純物の選択拡散によるベースコ
ンタクト拡散層（７）を形成させるのである。
第５図はこの★流側方法によって得られるエピタキシャ
ルベースＰＮＰ ）ランジスタの不純物濃度プロファイ
ルを示しており、この第５図から明らかなように、新た
に形成された能動ベース領域（８）は、エミッタ領域か
ら注入される少数キャリヤが加速電界を受けるような濃
度勾配を有し、第６図に示すｆＴ： ＩＫ特性、すなわ
ち高周波特性について、前記第２図との比較から明らか
なように充分に優れたものが得られることになる。
ルベースＰＮＰ ）ランジスタの不純物濃度プロファイ
ルを示しており、この第５図から明らかなように、新た
に形成された能動ベース領域（８）は、エミッタ領域か
ら注入される少数キャリヤが加速電界を受けるような濃
度勾配を有し、第６図に示すｆＴ： ＩＫ特性、すなわ
ち高周波特性について、前記第２図との比較から明らか
なように充分に優れたものが得られることになる。
以上詳述したようにこの発明方法によれば、半導体集積
回路装置に対し、個別半導体素子としての拡散ベースＰ
ＮＰ ）ランジスタと同様な高周波特性をもつエピタキ
シャルベースＰＮＰ ）ランジスタを形成でき、併せて
ＰＮＰ、ＮＰＮ）ランジスタのいわゆる相補型トランジ
スタの集積回路装置内への実現をより一層容易に可能と
するなどの特長を有するものである。
回路装置に対し、個別半導体素子としての拡散ベースＰ
ＮＰ ）ランジスタと同様な高周波特性をもつエピタキ
シャルベースＰＮＰ ）ランジスタを形成でき、併せて
ＰＮＰ、ＮＰＮ）ランジスタのいわゆる相補型トランジ
スタの集積回路装置内への実現をより一層容易に可能と
するなどの特長を有するものである。
第１図は従来例方法により半導体集積回路装置内に形成
されるＰＮＰ ）ランジスタを示す断面図、第２図およ
び第３図は同上トランジスタのｆＴ：工Ｅ′特性および
不純物濃度分布をそれぞれに示す説明図であり、また第
４図はこの発明の一実施例方法により半導体集積回路装
置内に形成されるＰＮＰトランジスタを示す断面図、第
５図および第６図は同上トランジスタの不純物濃度分布
およびｆＴ：ＩＥ％性をそれぞれに示す説明図である。 （１）・拳・・Ｐ型半導体基板、（２）・・嗜・Ｎｌｉ
エピタキシャル層、（３）・・−・Ｐ型コレクタ領域、
（４）・・・−Ｎｆｉエピタキシャル層、（５１・・・
・Ｐ型コレクタ引出し拡散層、（７）・−・・Ｎ型ベー
スコンタクト拡散層、（８）・・・・Ｎ型能動ベース領
域、（９）−＠・・Ｐ型エミッタ領域。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第４図 第２図
されるＰＮＰ ）ランジスタを示す断面図、第２図およ
び第３図は同上トランジスタのｆＴ：工Ｅ′特性および
不純物濃度分布をそれぞれに示す説明図であり、また第
４図はこの発明の一実施例方法により半導体集積回路装
置内に形成されるＰＮＰトランジスタを示す断面図、第
５図および第６図は同上トランジスタの不純物濃度分布
およびｆＴ：ＩＥ％性をそれぞれに示す説明図である。 （１）・拳・・Ｐ型半導体基板、（２）・・嗜・Ｎｌｉ
エピタキシャル層、（３）・・−・Ｐ型コレクタ領域、
（４）・・・−Ｎｆｉエピタキシャル層、（５１・・・
・Ｐ型コレクタ引出し拡散層、（７）・−・・Ｎ型ベー
スコンタクト拡散層、（８）・・・・Ｎ型能動ベース領
域、（９）−＠・・Ｐ型エミッタ領域。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第４図 第２図
Claims (1)
- Ｐ型半導体基板の主面上に第１のＮ型エビタ′キシャル
層を成長する工程と、この第１のＮ型エピタキシャル層
上にＰ型不純物を選択的に拡散してコレクタ領域を形成
する工程と、このコレクタ領域にＮ型不純物を選択的に
拡散して能動ベース領域を形成する工程と、これらの上
に第２のＮ型エピタキシャル層を成長する工程と、この
第２のＮ型エピタキシャル層表面から、前記コレクタ領
域および能動ベース領域にそれぞれ達するようＫＰ型不
純物を選択的に拡散してコレクタ引出し拡散領域および
エミッタ領域を形成する工程と、さらＫこの第２のＮ型
エピタキシャル層表面からＮ型不純物を選択的に拡散し
てベースコンタクト拡散層を形成する工程とを含んでＰ
ＮＰ ）ランジスタを構成することを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191138A JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191138A JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892264A true JPS5892264A (ja) | 1983-06-01 |
| JPH0138378B2 JPH0138378B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=16269513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191138A Granted JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892264A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267931A (ja) * | 1989-12-14 | 1993-10-15 | Communications Satellite Corp (Comsat) | 直交偏波二重帯域用マイクロストリップアンテナ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104076A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Sony Corp | Semiconductor unit |
| JPS53134374A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Sony Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191138A patent/JPS5892264A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104076A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Sony Corp | Semiconductor unit |
| JPS53134374A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Sony Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267931A (ja) * | 1989-12-14 | 1993-10-15 | Communications Satellite Corp (Comsat) | 直交偏波二重帯域用マイクロストリップアンテナ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138378B2 (ja) | 1989-08-14 |
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