JPH0138378B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0138378B2 JPH0138378B2 JP56191138A JP19113881A JPH0138378B2 JP H0138378 B2 JPH0138378 B2 JP H0138378B2 JP 56191138 A JP56191138 A JP 56191138A JP 19113881 A JP19113881 A JP 19113881A JP H0138378 B2 JPH0138378 B2 JP H0138378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- region
- layer
- collector
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路装置に関するもので
ある。
ある。
半導体集積回路装置を構成するPNPトランジ
スタの１つとして、従来からエピタキシヤルベー
スPNPトランジスタがあり、これを第１図に示
してある。この第１図において、１はＰ型半導体
基板、２はこの基板１の主面上に成長させたＮ型
エピタキシヤル層、３は同層２上にＰ型不純物を
選択拡散して形成したPNPトランジスタのコレ
クタ領域、４はこれらの上に同様に成長されたＮ
型エピタキシヤル層、５は同層４上にＰ型不純物
を選択拡散して形成したコレクタ引出し拡散層、
６は同様にＰ型不純物を選択拡散して形成したエ
ミツタ領域、７は同様にＮ型不純物を選択拡散し
て形成した同層４としてのベース領域４′のコン
タクト拡散層である。そしてこの従来のエピタキ
シヤルベースPNPトランジスタの高周波特性、
すなわちfT：IEを第２図に、またその不純物濃度
プロフアイルを第３図にそれぞれ表わしている。
スタの１つとして、従来からエピタキシヤルベー
スPNPトランジスタがあり、これを第１図に示
してある。この第１図において、１はＰ型半導体
基板、２はこの基板１の主面上に成長させたＮ型
エピタキシヤル層、３は同層２上にＰ型不純物を
選択拡散して形成したPNPトランジスタのコレ
クタ領域、４はこれらの上に同様に成長されたＮ
型エピタキシヤル層、５は同層４上にＰ型不純物
を選択拡散して形成したコレクタ引出し拡散層、
６は同様にＰ型不純物を選択拡散して形成したエ
ミツタ領域、７は同様にＮ型不純物を選択拡散し
て形成した同層４としてのベース領域４′のコン
タクト拡散層である。そしてこの従来のエピタキ
シヤルベースPNPトランジスタの高周波特性、
すなわちfT：IEを第２図に、またその不純物濃度
プロフアイルを第３図にそれぞれ表わしている。
こゝでこのような従来のエピタキシヤルベース
PNPトランジスタにおいては、ベース領域がエ
ピタキシヤル層により形成されているために、エ
ミツタ領域からベース領域に注入される少数キヤ
リヤは加速電界を受けず、従つて拡散ベース
PNPトランジスタに比較してfT：IE特性が劣ると
いう欠点があつた。これは次式により知られる。
すなわち、 １／2πfT＝τB＋re（Ce＋Cc） こゝで、τBは少数キヤリヤのベース走行時間、
reはエミツタ抵抗、Ceはエミツタ遷移容量、Cc
はコレクタ遷移容量であり、エピタキシヤル
PNPトランジスタは、通常、均一ベーストラン
ジスタであるために、拡散勾配に起因する加速電
界を受けず、拡散ベーストランジスタに比較して
τBが大となり、fTが小となるのである。
PNPトランジスタにおいては、ベース領域がエ
ピタキシヤル層により形成されているために、エ
ミツタ領域からベース領域に注入される少数キヤ
リヤは加速電界を受けず、従つて拡散ベース
PNPトランジスタに比較してfT：IE特性が劣ると
いう欠点があつた。これは次式により知られる。
すなわち、 １／2πfT＝τB＋re（Ce＋Cc） こゝで、τBは少数キヤリヤのベース走行時間、
reはエミツタ抵抗、Ceはエミツタ遷移容量、Cc
はコレクタ遷移容量であり、エピタキシヤル
PNPトランジスタは、通常、均一ベーストラン
ジスタであるために、拡散勾配に起因する加速電
界を受けず、拡散ベーストランジスタに比較して
τBが大となり、fTが小となるのである。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、前記
Ｐ型拡散層からなるコレクタ領域にＮ型不純物を
選択拡散して能動ベース領域を形成させると共
に、Ｐ型拡散層からなるエミツタ領域をこのエピ
タキシヤル層内にある能動ベース領域に達するよ
うに形成させて、能動ベース領域により加速電界
を構成させることにより高周波特性を改善し得る
ようにしたものである。
Ｐ型拡散層からなるコレクタ領域にＮ型不純物を
選択拡散して能動ベース領域を形成させると共
に、Ｐ型拡散層からなるエミツタ領域をこのエピ
タキシヤル層内にある能動ベース領域に達するよ
うに形成させて、能動ベース領域により加速電界
を構成させることにより高周波特性を改善し得る
ようにしたものである。
以下、この発明方法の一実施例につき、第４図
ないし第６図を参照して詳細に説明する。
ないし第６図を参照して詳細に説明する。
第４図においてこの実施例方法では、前記Ｐ型
拡散層によるコレクタ領域３を形成したのち、Ｎ
型不純物を選択拡散して能動ベース領域８を形成
させ、ついでこれらの上にＮ型エピタキシヤル層
４を成長させ、その後Ｐ型不純物の選択拡散によ
り、前記コレクタ領域３に達するコレクタ引出し
拡散層５と共に、能動ベース領域８に達するエミ
ツタ領域９を形成させ、かつさらにＮ型不純物の
選択拡散によるベースコンタクト拡散層７を形成
させるのである。
拡散層によるコレクタ領域３を形成したのち、Ｎ
型不純物を選択拡散して能動ベース領域８を形成
させ、ついでこれらの上にＮ型エピタキシヤル層
４を成長させ、その後Ｐ型不純物の選択拡散によ
り、前記コレクタ領域３に達するコレクタ引出し
拡散層５と共に、能動ベース領域８に達するエミ
ツタ領域９を形成させ、かつさらにＮ型不純物の
選択拡散によるベースコンタクト拡散層７を形成
させるのである。
第５図はこの実施例方法によつて得られるエピ
タキシヤルベースPNPトランジスタの不純物濃
度プロフアイルを示しており、この第５図から明
らかなように、新たに形成された能動ベース領域
８は、エミツタ領域から注入される少数キヤリヤ
が加速電界を受けるような濃度勾配を有し、第６
図に示すfT：IE特性、すなわち高周波特性につい
て、前記第２図との比較から明らかなように充分
に優れたものが得られることになる。
タキシヤルベースPNPトランジスタの不純物濃
度プロフアイルを示しており、この第５図から明
らかなように、新たに形成された能動ベース領域
８は、エミツタ領域から注入される少数キヤリヤ
が加速電界を受けるような濃度勾配を有し、第６
図に示すfT：IE特性、すなわち高周波特性につい
て、前記第２図との比較から明らかなように充分
に優れたものが得られることになる。
以上詳述したようにこの発明方法によれば、半
導体集積回路装置に対し、個別半導体素子として
の拡散ベースPNPトランジスタと同様な高周波
特性をもつエピタキシヤルベースPNPトランジ
スタを形成でき、併せてPNP、NPNトランジス
タのいわゆる相補型トランジスタの集積回路装置
内への実現をより一層容易に可能とするなどの特
長を有するものである。
導体集積回路装置に対し、個別半導体素子として
の拡散ベースPNPトランジスタと同様な高周波
特性をもつエピタキシヤルベースPNPトランジ
スタを形成でき、併せてPNP、NPNトランジス
タのいわゆる相補型トランジスタの集積回路装置
内への実現をより一層容易に可能とするなどの特
長を有するものである。
第１図は従来例方法により半導体集積回路装置
内に形成されるPNPトランジスタを示す断面図、
第２図および第３図は同上トランジスタのfT：IE
特性および不純物濃度分布をそれぞれに示す説明
図であり、また第４図はこの発明の一実施例方法
により半導体集積回路装置内に形成されるPNP
トランジスタを示す断面図、第５図および第６図
は同上トランジスタの不純物濃度分布およびfT：
IE特性をそれぞれに示す説明図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……Ｎ型エピタキシ
ヤル層、３……Ｐ型コレクタ領域、４……Ｎ型エ
ピタキシヤル層、５……Ｐ型コレクタ引出し拡散
層、７……Ｎ型ベースコンタクト拡散層、８……
Ｎ型能動ベース領域、９……Ｐ型エミツタ領域。
内に形成されるPNPトランジスタを示す断面図、
第２図および第３図は同上トランジスタのfT：IE
特性および不純物濃度分布をそれぞれに示す説明
図であり、また第４図はこの発明の一実施例方法
により半導体集積回路装置内に形成されるPNP
トランジスタを示す断面図、第５図および第６図
は同上トランジスタの不純物濃度分布およびfT：
IE特性をそれぞれに示す説明図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……Ｎ型エピタキシ
ヤル層、３……Ｐ型コレクタ領域、４……Ｎ型エ
ピタキシヤル層、５……Ｐ型コレクタ引出し拡散
層、７……Ｎ型ベースコンタクト拡散層、８……
Ｎ型能動ベース領域、９……Ｐ型エミツタ領域。
Claims (1)
- １ Ｐ型半導体基板の主面上に第１のＮ型エピタ
キシヤル層を成長する工程と、この第１のＮ型エ
ピタキシヤル層上にＰ型不純物を選択的に拡散し
てコレクタ領域を形成する工程と、このコレクタ
領域にＮ型不純物を選択的に拡散して能動ベース
領域を形成する工程と、これらの上に第２のＮ型
エピタキシヤル層を成長する工程と、この第２の
Ｎ型エピタキシヤル層表面から、前記コレクタ領
域および能動ベース領域にそれぞれ達するように
Ｐ型不純物を選択的に拡散してコレクタ引出し拡
散領域およびエミツタ領域を形成する工程と、さ
らにこの第２のＮ型エピタキシヤル層表面からＮ
型不純物を選択的に拡散してベースコンタクト拡
散層を形成する工程とを含んでPNPトランジス
タを構成することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191138A JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191138A JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892264A JPS5892264A (ja) | 1983-06-01 |
| JPH0138378B2 true JPH0138378B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=16269513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191138A Granted JPS5892264A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892264A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2030963C (en) * | 1989-12-14 | 1995-08-15 | Robert Michael Sorbello | Orthogonally polarized dual-band printed circuit antenna employing radiating elements capacitively coupled to feedlines |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6019671B2 (ja) * | 1976-02-27 | 1985-05-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製法 |
| JPS53134374A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Sony Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191138A patent/JPS5892264A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5892264A (ja) | 1983-06-01 |
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