JPS5893361A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5893361A JPS5893361A JP56194697A JP19469781A JPS5893361A JP S5893361 A JPS5893361 A JP S5893361A JP 56194697 A JP56194697 A JP 56194697A JP 19469781 A JP19469781 A JP 19469781A JP S5893361 A JPS5893361 A JP S5893361A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- piece
- external
- electrodes
- semiconductor device
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/076—Connecting or disconnecting of strap connectors
- H10W72/07651—Connecting or disconnecting of strap connectors characterised by changes in properties of the strap connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、外部端子として引出された外部電極と内部
電極との接続を改良した半導体装置に関する。
電極との接続を改良した半導体装置に関する。
ダイオード、サイリスタ、トライアックなどの半導体装
置では、絶縁基板上に装着された半導体ベレットから電
極の内部電極が出されＪこれらの内部電極に外部電極が
接続され引出されている。
置では、絶縁基板上に装着された半導体ベレットから電
極の内部電極が出されＪこれらの内部電極に外部電極が
接続され引出されている。
半導体装置としてトライアックの場合について説明する
。
。
従来の半導体装置は第１図に斜視図で示すようＫなって
いた０図はトライアックの場合を示し、（１）はアルミ
ナなどからなる絶縁基板で、鉄材又は鋼材からなる放熱
板（２）ｋはんだなどで接着されている。放熱板（２）
Ｋは取付は穴（２ａ）があけられである。絶縁基板（１
）上面には各電極に対す個所にメタライズ層（３）が施
されである◎（４）はＴ２外部電極で、メタライズ層（
３）上に共にはんだ付けされたＴ２内部電極（５）には
んだ接合されである。（６）はＴ１外部電極で（７）は
Ｇ外部電極であり、それぞれ各メタライズ層（３）上は
んだ付けされ引出されである。これら各外部電極（４）
＊ （６） ＠ （７）は黄銅材又は鋼材など導電金
属からなり、外部端子を形成する。（８）はＴ２内部電
極（５）上にはんだ接合された半導体ベレット、（９）
は鋼材などからなり半導体ベレット（８）とＴ、外部電
極（６）とをはんだ付は接続するＴ、内部電極、αＱは
鋼材などからなシ半導体ペレット（８）とＧ外部電極（
７）とをはんだ付は接続するＧ内部電極である〇上記従
来の装置の各部品のはんだ接合による組立てには、各部
品間にろう材片をはさみ、水素ふん囲気中で一度にろう
付は接合している。
いた０図はトライアックの場合を示し、（１）はアルミ
ナなどからなる絶縁基板で、鉄材又は鋼材からなる放熱
板（２）ｋはんだなどで接着されている。放熱板（２）
Ｋは取付は穴（２ａ）があけられである。絶縁基板（１
）上面には各電極に対す個所にメタライズ層（３）が施
されである◎（４）はＴ２外部電極で、メタライズ層（
３）上に共にはんだ付けされたＴ２内部電極（５）には
んだ接合されである。（６）はＴ１外部電極で（７）は
Ｇ外部電極であり、それぞれ各メタライズ層（３）上は
んだ付けされ引出されである。これら各外部電極（４）
＊ （６） ＠ （７）は黄銅材又は鋼材など導電金
属からなり、外部端子を形成する。（８）はＴ２内部電
極（５）上にはんだ接合された半導体ベレット、（９）
は鋼材などからなり半導体ベレット（８）とＴ、外部電
極（６）とをはんだ付は接続するＴ、内部電極、αＱは
鋼材などからなシ半導体ペレット（８）とＧ外部電極（
７）とをはんだ付は接続するＧ内部電極である〇上記従
来の装置の各部品のはんだ接合による組立てには、各部
品間にろう材片をはさみ、水素ふん囲気中で一度にろう
付は接合している。
上記従来装置では％Ｔ１外部電極（６）とＴ１内部電極
（９）との間、及びＧ外部電極（７）とＧ内部電極Ｑ１
との間にそれぞれろう材片をはさみろう付は接合してい
て、作業工程がそれだけ複絨となシ、自動化を阻害し、
作業能率を非常に低下させ量産化が困難であった。また
、はさみ込むろう材片数が多く、手間がかかり価格が高
くなっていた。
（９）との間、及びＧ外部電極（７）とＧ内部電極Ｑ１
との間にそれぞれろう材片をはさみろう付は接合してい
て、作業工程がそれだけ複絨となシ、自動化を阻害し、
作業能率を非常に低下させ量産化が困難であった。また
、はさみ込むろう材片数が多く、手間がかかり価格が高
くなっていた。
この発明は、内部電極と外部電極との接続を、絶縁基板
上に施しである外部電極箇所のメタライズ層上にろう材
片を置き、このろう材片上に外部電極と内部電極とを並
べて載せ、それぞれろう材で溶着するととＫより、双方
が間につ表がるろう材により接続され、作業工程が簡略
化され、自動化が容易となり、作業能率が向上し、量産
化することができ、ろう材片数が減少される半導体装置
を提供することを目的としている。
上に施しである外部電極箇所のメタライズ層上にろう材
片を置き、このろう材片上に外部電極と内部電極とを並
べて載せ、それぞれろう材で溶着するととＫより、双方
が間につ表がるろう材により接続され、作業工程が簡略
化され、自動化が容易となり、作業能率が向上し、量産
化することができ、ろう材片数が減少される半導体装置
を提供することを目的としている。
第２図は仁の発明の一実施例による半導体装置を示すト
ライアックの場合の斜視図であ！＋ 、（１）〜（８）
、 （２ａ）は上記従来装置と同一のものである０絶
縁基板α力上面ＫｓＴ１外部電極（６）とＧ外部電極（
７）の箇所に対し施されである各メタライズ層（３）上
に１それぞれろう材片（財）を置く〇一方のろう材片（
２）上にＴ１外部電極（６）とＴ、内部電極（２）とを
小さいすき間で並べて載せる。このＴ、内部電極の他方
側は半導体ペレット（８）上に載せである。他方のろう
材片に）上ＫＧ外部電極（７）とＧ内部電極（ホ）とを
比較的小さいすき間で並べて載せる。これらろう材片（
ロ）の箇所以外の各部品間には、上記従来装置と同様に
それぞれろう材片がはさまれてあり、水素ふん囲気中で
一度にろう付は接合される。
ライアックの場合の斜視図であ！＋ 、（１）〜（８）
、 （２ａ）は上記従来装置と同一のものである０絶
縁基板α力上面ＫｓＴ１外部電極（６）とＧ外部電極（
７）の箇所に対し施されである各メタライズ層（３）上
に１それぞれろう材片（財）を置く〇一方のろう材片（
２）上にＴ１外部電極（６）とＴ、内部電極（２）とを
小さいすき間で並べて載せる。このＴ、内部電極の他方
側は半導体ペレット（８）上に載せである。他方のろう
材片に）上ＫＧ外部電極（７）とＧ内部電極（ホ）とを
比較的小さいすき間で並べて載せる。これらろう材片（
ロ）の箇所以外の各部品間には、上記従来装置と同様に
それぞれろう材片がはさまれてあり、水素ふん囲気中で
一度にろう付は接合される。
こうして％Ｔ１外部電極（６）とＴＩ内部電極（支）と
が間のろう材を介して接続され、また、Ｇ外部電極（７
）とＧ内部電極（ホ）とが間のろう材を介して接続され
る。仁の場合、主電流が流れるＴｌ外部電極（６）とＴ
。
が間のろう材を介して接続され、また、Ｇ外部電極（７
）とＧ内部電極（ホ）とが間のろう材を介して接続され
る。仁の場合、主電流が流れるＴｌ外部電極（６）とＴ
。
内部電極（２）の間隔−は、特に注意を要する点であり
、ｔは０．５ｍｍ以下にしておく必要がある。間隔ｔを
大龜くすると、大電流領域において電圧降下が大きくな
シ、大電流を流すことが不可能となる〇このように、絶
縁基板（１）上のメタライズ層（３）上に置いたろう材
片＠により、この上に載せた外部電極と内部電極とをろ
う付けし接続してあり、作業工程が簡略化され自動化が
容易となる。
、ｔは０．５ｍｍ以下にしておく必要がある。間隔ｔを
大龜くすると、大電流領域において電圧降下が大きくな
シ、大電流を流すことが不可能となる〇このように、絶
縁基板（１）上のメタライズ層（３）上に置いたろう材
片＠により、この上に載せた外部電極と内部電極とをろ
う付けし接続してあり、作業工程が簡略化され自動化が
容易となる。
なお、上記実施例では半導体装置としてトライアックの
場合について説明したが、ダイオード。
場合について説明したが、ダイオード。
サイリスタなどの場合にも適用できるものである。
以上のように、この発明によれば、外部電極と内部電極
を絶縁基板上りメタライズ層上のろう材片上に並べ、ろ
う付けして接続したので、作業工程が簡単となシ、自動
化が容易になり、作業能率が向上し、量産化ができ、ろ
う材片数が減少し、価格が低下される。
を絶縁基板上りメタライズ層上のろう材片上に並べ、ろ
う付けして接続したので、作業工程が簡単となシ、自動
化が容易になり、作業能率が向上し、量産化ができ、ろ
う材片数が減少し、価格が低下される。
第１図は従来の半導体装置を示すトライアックの斜視図
、第２図はこの発明の一実施例による半導体装置誉示す
トライアックの斜視図である０１・・・絶縁基板、３・
・・メタ２イズ層、４・・・Ｔ２外部電極、５・・・Ｔ
２内部電極、６・・・Ｔｌ外部電極、ツ・・・Ｇ外部電
極、８・・・半導体ペレット、２１・・・ろう材片、２
２・・・Ｔ、内部電極、２３・・・Ｇ内部電極なお、図
中同一符号は同−又は和尚部分を示す。 代理人葛野信−（外１名） 第１図 第２図 手続補正書（自発） ９１許庁長官殿 １、 ’Ｉｆ件。表示 特願昭５６−１９４６
９−マ号２ 発明の名称 半導体装置 ３、袖ＩＦをする者 事件との関係 特許出願人 ５、＠正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の横。 ６、補正の内容 明細書記４ペ一ジ第２行の「基板（ｎｊ Ｊを「基板（
１）」に補正する。 以上
、第２図はこの発明の一実施例による半導体装置誉示す
トライアックの斜視図である０１・・・絶縁基板、３・
・・メタ２イズ層、４・・・Ｔ２外部電極、５・・・Ｔ
２内部電極、６・・・Ｔｌ外部電極、ツ・・・Ｇ外部電
極、８・・・半導体ペレット、２１・・・ろう材片、２
２・・・Ｔ、内部電極、２３・・・Ｇ内部電極なお、図
中同一符号は同−又は和尚部分を示す。 代理人葛野信−（外１名） 第１図 第２図 手続補正書（自発） ９１許庁長官殿 １、 ’Ｉｆ件。表示 特願昭５６−１９４６
９−マ号２ 発明の名称 半導体装置 ３、袖ＩＦをする者 事件との関係 特許出願人 ５、＠正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の横。 ６、補正の内容 明細書記４ペ一ジ第２行の「基板（ｎｊ Ｊを「基板（
１）」に補正する。 以上
Claims (1)
- 絶縁基板上に施された複数箇所のメタライジング層上に
それぞれろう材片が置かれ、これらのろう材片上にそれ
ぞれ同極の外部電極と内部電極とが並べて配置され、上
記各ろう材片の加熱溶融により上記各同極の外部電極及
び内部電極がそれぞれ接合され、双方間がろう材により
接続されであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194697A JPS5893361A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194697A JPS5893361A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893361A true JPS5893361A (ja) | 1983-06-03 |
| JPS6251499B2 JPS6251499B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=16328762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194697A Granted JPS5893361A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033441U (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56194697A patent/JPS5893361A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033441U (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251499B2 (ja) | 1987-10-30 |
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