JPS589361A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS589361A JPS589361A JP56105580A JP10558081A JPS589361A JP S589361 A JPS589361 A JP S589361A JP 56105580 A JP56105580 A JP 56105580A JP 10558081 A JP10558081 A JP 10558081A JP S589361 A JPS589361 A JP S589361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- substrate
- field oxide
- film
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/186—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウェル層を含む３層構造を有する固体撮像素
子に関するものである。
子に関するものである。
従来用いられているこの種の固体撮像素子を鮪１＃ＡＫ
示す。同図において、態形基板１の一生表面Ｋｐ形ウェ
ル層２を形成し、ζζに、１形のソース３およびドレイ
ン４ならびにゲート電極５からなるＭＯｌｔ ）ランジ
スタ詳が構成しである。前記ソース３は、ｐ形つェル層
２と共に光ダイオードをも構成してシシ、この光ダイオ
ードと前記ＭｏＢトランジスタとからなる各光電変換素
子は、フィールド酸化膜６および層間絶縁膜７，８によ
シ互に絶縁されると共に、ＡＩ配線９によって接続され
ている。また、各フィールド酸化ＩＩＩの上方にあたる
層間絶縁膜−の上＆１ムｊ層１・が設けである。
示す。同図において、態形基板１の一生表面Ｋｐ形ウェ
ル層２を形成し、ζζに、１形のソース３およびドレイ
ン４ならびにゲート電極５からなるＭＯｌｔ ）ランジ
スタ詳が構成しである。前記ソース３は、ｐ形つェル層
２と共に光ダイオードをも構成してシシ、この光ダイオ
ードと前記ＭｏＢトランジスタとからなる各光電変換素
子は、フィールド酸化膜６および層間絶縁膜７，８によ
シ互に絶縁されると共に、ＡＩ配線９によって接続され
ている。また、各フィールド酸化ＩＩＩの上方にあたる
層間絶縁膜−の上＆１ムｊ層１・が設けである。
上記構成を有する固体撮像素子において、Ａ１層１０を
設けることＫよシ、前記ソース３およびｐ形つェル層２
によって構成される光ダイオードの部分以外から１ｊ！
１＃光電変換素子に光が入〕込むことを防止する構造が
とられている。
設けることＫよシ、前記ソース３およびｐ形つェル層２
によって構成される光ダイオードの部分以外から１ｊ！
１＃光電変換素子に光が入〕込むことを防止する構造が
とられている。
しかしながら、ＡＩ層１０は、−直に入射して米る光に
対しては有効な防止手段となるが、第２図に示すように
斜め方向に入射し走光１１ 、１１’は該Ａ４層１０を
避けて光電変換素子内に入ル込み、ドレイン４の近傍で
光電子１２を発生させる。発生した光電子１２は拡散な
いしドリフトによシトレイ７４に入り込み、垂直スメア
を発生させる原因となっている。
対しては有効な防止手段となるが、第２図に示すように
斜め方向に入射し走光１１ 、１１’は該Ａ４層１０を
避けて光電変換素子内に入ル込み、ドレイン４の近傍で
光電子１２を発生させる。発生した光電子１２は拡散な
いしドリフトによシトレイ７４に入り込み、垂直スメア
を発生させる原因となっている。
零発−はこのような状況に鑑みてなされたものであ〉、
その目的は漏れ光成分による垂直スメアを防止し九固体
撮像素子を提供することＫＴｏる。
その目的は漏れ光成分による垂直スメアを防止し九固体
撮像素子を提供することＫＴｏる。
このような目的を達成するために、本発明による固体撮
像素子は、フィールド酸化膜下のウェル層幅を、他部分
よりも薄く構成し九ものである。
像素子は、フィールド酸化膜下のウェル層幅を、他部分
よりも薄く構成し九ものである。
以下、実施例を用いて本発明による固体撮像素子を詳細
に説明する。
に説明する。
第３図は、本発明による固体撮像素子の一実施例を示す
断面図であシ、第２図と同一部分は同一記号を用いてそ
の詳細説明を省略する。第３図において、態形基板１の
上のシ形ウェル層２は、フィールド酸化膜６の下の部分
において他部分よシ薄く形成しである。このため、ｐ形
つェル層２とｎ形基板１とＫよって形成される空乏層１
３が、フィールド酸化膜６の直１５下まで到達している
。
断面図であシ、第２図と同一部分は同一記号を用いてそ
の詳細説明を省略する。第３図において、態形基板１の
上のシ形ウェル層２は、フィールド酸化膜６の下の部分
において他部分よシ薄く形成しである。このため、ｐ形
つェル層２とｎ形基板１とＫよって形成される空乏層１
３が、フィールド酸化膜６の直１５下まで到達している
。
上記構成を有する固体撮像素子において、空乏層ＩＳＫ
は、ｎ形基板１の方向にプラスの電界がかかつている。
は、ｎ形基板１の方向にプラスの電界がかかつている。
従って、漏れ光成分１１によってｐ形つェル層２の内部
に発生し走光電子１２は、この電界によってｎ形基板１
へ流れ込み、ドレイン４の側へは殆んど流れなくなる。
に発生し走光電子１２は、この電界によってｎ形基板１
へ流れ込み、ドレイン４の側へは殆んど流れなくなる。
このため、垂直スメアの発生が大幅に軽減できる。
なお、上述した実施例においては態形基板１の上にｐ形
つェル層２を設叶、その上Ｋｍ形ソース。
つェル層２を設叶、その上Ｋｍ形ソース。
ドレイン等を形成したｎ −ｐ −ｎ構造のものについ
てのみ説明し九が、導電形を逆にし九ｐ−ｎ−ｐ構造の
吃のＫついても全く同様に、漏れ光成分によって発生し
た電荷を基板側に吸収して垂直スメアを防止する効果が
得られることは言うまでもない。
てのみ説明し九が、導電形を逆にし九ｐ−ｎ−ｐ構造の
吃のＫついても全く同様に、漏れ光成分によって発生し
た電荷を基板側に吸収して垂直スメアを防止する効果が
得られることは言うまでもない。
以上説明したように１本発明による固体撮像素子によれ
ば、フィールド酸化膜下のウェル層幅を他部分よシも薄
く構成したことによシ、当該フィールド酸化膜上方にあ
るムｊ層を避けて入ル込んで来た漏れ光成分によ）嶋該
部分のウェル層に発生する電荷を、そζに発生する空乏
層を利用して１１□ 基板側へ流出させてしまうことができる。従って、前記
漏れ電流成分によって発生した電荷がドレインに流れ込
むことを防止でき、垂直スメアを低減させることができ
るため、Ｓ／Ｎ比が大幅に増加して性能が向上するとい
う優れた効果を有する。
ば、フィールド酸化膜下のウェル層幅を他部分よシも薄
く構成したことによシ、当該フィールド酸化膜上方にあ
るムｊ層を避けて入ル込んで来た漏れ光成分によ）嶋該
部分のウェル層に発生する電荷を、そζに発生する空乏
層を利用して１１□ 基板側へ流出させてしまうことができる。従って、前記
漏れ電流成分によって発生した電荷がドレインに流れ込
むことを防止でき、垂直スメアを低減させることができ
るため、Ｓ／Ｎ比が大幅に増加して性能が向上するとい
う優れた効果を有する。
第１図および第２図は従来の一体操像素子を示す断面図
、第３図は本発明による固体撮像素子の断面図である。 １・・・・態形基板、２・−・・ｐ形りエル層、３・・
・・ソース、４・・・Φドレイン、５・・・・ゲート電
極、６・・・・フィールド酸化膜。 ２
、第３図は本発明による固体撮像素子の断面図である。 １・・・・態形基板、２・−・・ｐ形りエル層、３・・
・・ソース、４・・・Φドレイン、５・・・・ゲート電
極、６・・・・フィールド酸化膜。 ２
Claims (1)
- 第１導電形を有する半導体基板の一主表面に館２導電形
を有する半導体からなるウェル層を設け、このウェル層
上に光ダイオードとこの光ダイオードを構成要素の一部
とするスイッチ用トランジスタとからな）それヤれ１画
素に対応する複数の光電変換素子を亙にフィールド酸化
膜で分離して配置し、前記ウェル層は、前記フィールド
酸化膜の下において他部分よ〉も薄く構成しであること
を特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105580A JPS589361A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105580A JPS589361A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589361A true JPS589361A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14411438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105580A Pending JPS589361A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589361A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207640A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP1178534B1 (en) * | 2000-06-28 | 2009-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS type solid-state imager with an isolation region |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150288A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-23 | Philips Nv | Video sensor |
| JPS53127283A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
| JPS54152870A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Pioneer Electronic Corp | Semiconductor device |
| JPS55110476A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Hitachi Ltd | Solidstate image sensor |
| JPS5755672A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-02 | Nec Corp | Solid-state image pickup device and its driving method |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56105580A patent/JPS589361A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150288A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-23 | Philips Nv | Video sensor |
| JPS53127283A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
| JPS54152870A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Pioneer Electronic Corp | Semiconductor device |
| JPS55110476A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Hitachi Ltd | Solidstate image sensor |
| JPS5755672A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-02 | Nec Corp | Solid-state image pickup device and its driving method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207640A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP1178534B1 (en) * | 2000-06-28 | 2009-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS type solid-state imager with an isolation region |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5736756A (en) | Solid-state image sensing device with lght shielding film | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6065565A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03201478A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JPS5972164A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100223503B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| JP2506697B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01168059A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02304976A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59129463A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3481654B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6320385B2 (ja) | ||
| JPS6223156A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2008153250A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5917585B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6345856A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0821704B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06275809A (ja) | 固体撮像素子 | |
| McNutt et al. | Schottky-barrier infrared focal plane arrays with novel readout structures | |
| JPS6074566A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR970005946B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
| JPH05145056A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2964488B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS622511B2 (ja) |