JPS5893872A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5893872A JPS5893872A JP19236081A JP19236081A JPS5893872A JP S5893872 A JPS5893872 A JP S5893872A JP 19236081 A JP19236081 A JP 19236081A JP 19236081 A JP19236081 A JP 19236081A JP S5893872 A JPS5893872 A JP S5893872A
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- Japan
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- target
- covers
- magnetic pole
- blocks
- magnet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング装置、特にターゲットとして２
強磁性体材料を使用する時に適したスパッタリング装置
に関するものである。
強磁性体材料を使用する時に適したスパッタリング装置
に関するものである。
スパッタリング装置は金属あるいは非金属の薄膜を作成
するために広く使われている。これらの装置においては
、スパッタリングの速度を上げ又膜作成の効率を高める
ため、ターゲット前面に該われておシ、その￥〈はター
ゲットの裏面に磁極の対を置き、ターゲットを透して表
面に出る磁界を利用している。
するために広く使われている。これらの装置においては
、スパッタリングの速度を上げ又膜作成の効率を高める
ため、ターゲット前面に該われておシ、その￥〈はター
ゲットの裏面に磁極の対を置き、ターゲットを透して表
面に出る磁界を利用している。
しかしながらターゲットが強磁性材料の場合には、ター
ゲット裏面の磁極の影響は表面に及び難い。このため強
磁性材料をスパッタリングさせる時の磁場の利用には種
々の工夫が凝らされている。
ゲット裏面の磁極の影響は表面に及び難い。このため強
磁性材料をスパッタリングさせる時の磁場の利用には種
々の工夫が凝らされている。
その一つに磁極をターゲット前面に配置する方法がある
。ただしこの場合には磁極面の材料がスパッタリングさ
れる恐れがあるので、それを避けるためターゲットと組
成的に同−又は類似した材料で磁極の部分を覆うことが
行なわれる。
。ただしこの場合には磁極面の材料がスパッタリングさ
れる恐れがあるので、それを避けるためターゲットと組
成的に同−又は類似した材料で磁極の部分を覆うことが
行なわれる。
このように磁極を覆ったスパッタリング装置においては
２強磁性体材料のスパッタリングも成る程度速度を上げ
て行なうことができ、しかも磁極自身がスフ９．タリン
グされることを防止することもできる。しかし更にスパ
ッタリング速度を増そうとすると、磁極を覆っている材
料の温度上昇をもたらし、更に磁極の温度まで上昇させ
、特性に悪影響を与えることがあった。
２強磁性体材料のスパッタリングも成る程度速度を上げ
て行なうことができ、しかも磁極自身がスフ９．タリン
グされることを防止することもできる。しかし更にスパ
ッタリング速度を増そうとすると、磁極を覆っている材
料の温度上昇をもたらし、更に磁極の温度まで上昇させ
、特性に悪影響を与えることがあった。
したがって本発明の目的は、前述のようにターゲット前
面に磁極を配置し且つこの磁極の前面をターゲットと組
成的には同−又は類似の材料で覆っていながら、しかも
この覆った材料および磁極のスバ、タリング中の温度上
昇を抑えることができ、従って強磁性材料の更に高速な
ス・フッタリングの可能な装置を提供するーことにある
。
面に磁極を配置し且つこの磁極の前面をターゲットと組
成的には同−又は類似の材料で覆っていながら、しかも
この覆った材料および磁極のスバ、タリング中の温度上
昇を抑えることができ、従って強磁性材料の更に高速な
ス・フッタリングの可能な装置を提供するーことにある
。
このため本発明の装置はその一部が次のような構成にな
っている。すなわち、ターゲット前面の磁極を囲みある
いは磁極に沿って、熱伝導性に優れそして少なくとも強
磁性体ではない金属のブロックを配置し、このブロック
の上面とブロックと並ぶ磁極の双方を覆うようにターゲ
ット材料と同一か又は類似した組成の磁極覆いをつける
。そして金属ブロックは磁極覆いとターｆ、）表面又は
ターグツＦを保持する基台の金属部との両者に密着して
いることが重要でおる。
っている。すなわち、ターゲット前面の磁極を囲みある
いは磁極に沿って、熱伝導性に優れそして少なくとも強
磁性体ではない金属のブロックを配置し、このブロック
の上面とブロックと並ぶ磁極の双方を覆うようにターゲ
ット材料と同一か又は類似した組成の磁極覆いをつける
。そして金属ブロックは磁極覆いとターｆ、）表面又は
ターグツＦを保持する基台の金属部との両者に密着して
いることが重要でおる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成の断面を示した図であ
る。第１図において、磁性を持つ不銹鋼から成る基台１
には、外周に近く環状磁石２．中央部に柱状磁石３．パ
ーマロイから成るターゲット４などが取付けられている
。更にこの基台１には環状磁石２の内側に沿って環状の
銅ブロック５゜同磁石２の外側には、柱状の銅ブロック
６が磁石２に接して数ケ所に分散配置されている。又中
央の柱状磁石３を囲んで銅ブロック７がある。
る。第１図において、磁性を持つ不銹鋼から成る基台１
には、外周に近く環状磁石２．中央部に柱状磁石３．パ
ーマロイから成るターゲット４などが取付けられている
。更にこの基台１には環状磁石２の内側に沿って環状の
銅ブロック５゜同磁石２の外側には、柱状の銅ブロック
６が磁石２に接して数ケ所に分散配置されている。又中
央の柱状磁石３を囲んで銅ブロック７がある。
磁石２の磁極面および銅ブロック５，６の上面を纒めて
環状の覆い８がかけられている。この覆い８はターゲッ
ト４と同じ材料で作られている。
環状の覆い８がかけられている。この覆い８はターゲッ
ト４と同じ材料で作られている。
又中央の磁石３の磁極面およびこれを囲む鋼ブロック７
に対しても、同じ材質の磁極覆い９がかけられている。
に対しても、同じ材質の磁極覆い９がかけられている。
これらを構成する際に重要なことは。
磁極覆い８，９と銅ブロック５，６の密着および銅ブロ
ックと基台１の密着をよくして熱伝導を悪くしないよう
に組立てることである。これは環状磁石２，３の高さを
銅ブロック５，６の高さよシそれぞれ若干低くしておけ
ば、基台が相当の磁性を持っているところから、覆い８
，９と基台１が磁石２，３を介して強く引き合うことに
よシ容易に実現できる。なお磁石はターゲット前面にタ
ーデッドと平行な磁界を作ることが目的であるから。
ックと基台１の密着をよくして熱伝導を悪くしないよう
に組立てることである。これは環状磁石２，３の高さを
銅ブロック５，６の高さよシそれぞれ若干低くしておけ
ば、基台が相当の磁性を持っているところから、覆い８
，９と基台１が磁石２，３を介して強く引き合うことに
よシ容易に実現できる。なお磁石はターゲット前面にタ
ーデッドと平行な磁界を作ることが目的であるから。
当然磁石２と磁石３とでは磁化の方向は反対である。ま
た基台１は水によシ冷却できる。
た基台１は水によシ冷却できる。
第１図に示された例では、磁極覆い８，９の冷却も充分
にでき、磁石２，３についても特性に影響を与えるよう
な温度上昇は観測されなかった。
にでき、磁石２，３についても特性に影響を与えるよう
な温度上昇は観測されなかった。
第２図は本発明の他の実施例の構成の断面を示した図で
ある。第２図において、ターゲット１４は冷却機構を付
けた基台１１に埋め込まれており基台１１の他の部分に
は環状の磁石１２．この磁石１２の内外両面にそれぞれ
沿って密着して置かれている環状の銅ブロック１５と１
５′沖央部の磁石１３．その磁石を囲んでいる銅ブロッ
ク１７などが取り付けられている。これらの磁極面およ
び銅ブロックを覆うターゲットと同材質の磁極覆い１８
と１９は前に述べた実施例とほぼ同じである。
ある。第２図において、ターゲット１４は冷却機構を付
けた基台１１に埋め込まれており基台１１の他の部分に
は環状の磁石１２．この磁石１２の内外両面にそれぞれ
沿って密着して置かれている環状の銅ブロック１５と１
５′沖央部の磁石１３．その磁石を囲んでいる銅ブロッ
ク１７などが取り付けられている。これらの磁極面およ
び銅ブロックを覆うターゲットと同材質の磁極覆い１８
と１９は前に述べた実施例とほぼ同じである。
この実施例もすぐれた冷却効果があシ、このためス・母
ツタリングの速度を上げることが容易でありた。
ツタリングの速度を上げることが容易でありた。
第３図は本発明の更に他の実施例の構成の断面を示す図
である。第３図においてターゲット２４は冷却機構をつ
けた基台（第２図の１相当）を構成しており、その他の
部分は第２図の実施例と同様である。この実施例ではタ
ーゲット２４が基台となるため構造が簡単となると共に
すぐれた冷却効果があシ、このためスノｆツタリング速
度をより大きく上げることが容易であった。
である。第３図においてターゲット２４は冷却機構をつ
けた基台（第２図の１相当）を構成しており、その他の
部分は第２図の実施例と同様である。この実施例ではタ
ーゲット２４が基台となるため構造が簡単となると共に
すぐれた冷却効果があシ、このためスノｆツタリング速
度をより大きく上げることが容易であった。
以上の諸実施例からも明らかなように９本発明において
は、磁極を覆う金属板に発生する熱を銅ブロックを通じ
て速かに基台の冷却機構に導いている。従って、実施例
の説明において説明したように、磁極覆いの金属板と銅
ブロックあるいは銅ブロックと基台部分は密着した面接
触であって。
は、磁極を覆う金属板に発生する熱を銅ブロックを通じ
て速かに基台の冷却機構に導いている。従って、実施例
の説明において説明したように、磁極覆いの金属板と銅
ブロックあるいは銅ブロックと基台部分は密着した面接
触であって。
熱伝導に対する抵抗が非常に小さい。
なお前述の実施例ではブロックの材料としていずれも銅
を使用したが、熱伝導にすぐれた金属であれば銅に限ら
ず使用することができる。例えばアルミニウムなどはよ
い結果を与えるし、他の金属であってもよい。又ブロッ
クおよびブロックを取付けている部分の形状についても
多くの変形も可能であるが、熱伝導のよい金属のブロッ
クを通じてターダウト前面に配置された磁極を覆う金属
板に発生する熱を、冷却部へ運び出す機構を付けたスパ
ッタリング装置は、すべて本発明の範囲に含まれること
は明らかである。
を使用したが、熱伝導にすぐれた金属であれば銅に限ら
ず使用することができる。例えばアルミニウムなどはよ
い結果を与えるし、他の金属であってもよい。又ブロッ
クおよびブロックを取付けている部分の形状についても
多くの変形も可能であるが、熱伝導のよい金属のブロッ
クを通じてターダウト前面に配置された磁極を覆う金属
板に発生する熱を、冷却部へ運び出す機構を付けたスパ
ッタリング装置は、すべて本発明の範囲に含まれること
は明らかである。
第１図、第２図および第３図はいずれも本発明の
の実施例の構成メ断面を示す図である。
記号の説明：１は基台、２は環状磁石、３は柱状磁石、
４はターゲット、 ５ 、５’ 、 ６ 、７は銅プロ
、り、８，９は磁極覆い、１４．２４はターゲットをそ
れぞれあられしている。 第１図 第２図 ９Ｐ！Ｊ３図
４はターゲット、 ５ 、５’ 、 ６ 、７は銅プロ
、り、８，９は磁極覆い、１４．２４はターゲットをそ
れぞれあられしている。 第１図 第２図 ９Ｐ！Ｊ３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ターゲットに近接して少なくとも１対の磁極が設
けられ、該磁極の少なくとも一部は該ターゲットの前面
に設置され、該磁極の前記ターゲットの前面に現われた
部分に該ターゲットの材料と同質若しくは類似した材料
の磁極覆いが設けられ。 かつこの磁極覆いと前記磁極に近接したターグツト若し
くはこのターゲットを載せる基台との間に。 熱伝導性の良い金属のブロックを密着介在させて成るこ
とを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19236081A JPS5893872A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | スパツタリング装置 |
| GB08231830A GB2110719B (en) | 1981-11-30 | 1982-11-08 | Sputtering apparatus |
| FR8219696A FR2517330B1 (fr) | 1981-11-30 | 1982-11-24 | Appareil de projection de metal sur un substrat, en particulier du type a magnetron |
| DE19823244691 DE3244691C3 (de) | 1981-11-30 | 1982-11-30 | Magnetron-Kathodenzerstäubungs-Anlage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19236081A JPS5893872A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893872A true JPS5893872A (ja) | 1983-06-03 |
| JPS6127465B2 JPS6127465B2 (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=16289978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19236081A Granted JPS5893872A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893872A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138070A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-07-22 | ライボルト・アクチェンゲゼルシャフト | 強磁性ターゲツトをスパツタするためのマグネトロンカソード |
| JPS6274074A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Shimadzu Corp | スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06311690A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 回転電機のハウジング冷却装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158381A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Magnetron sputtering device |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19236081A patent/JPS5893872A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158381A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Magnetron sputtering device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138070A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-07-22 | ライボルト・アクチェンゲゼルシャフト | 強磁性ターゲツトをスパツタするためのマグネトロンカソード |
| JPS6274074A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Shimadzu Corp | スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6127465B2 (ja) | 1986-06-25 |
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