JPS589391Y2 - 多極ダイオ−ドスイツチ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、スイッチング個所と同数の分岐路を互いに並
列に設け、個々の分岐路を直列路と並列路より形成し、
相応のスイッチング個所の非動作中不導通の直列ダイオ
ードを、個々の分岐路の直列路に設け、相応のスイッチ
ング個所の非動作中導通の並列ダイオードと制御回路と
を、個々の分岐路の並列路に設け、該制御回路の入力側
に基準電位を印加可能とし、相応の分岐路を該制御回路
により導通されるようにした高周波用の多極ダイオード
スイッチに関する。

本考案の基本的課題は、複数のスイッチング個所を具備
し、反射減衰量および減衰域での減衰量の大きい多極ダ
イオードスイッチを提供することである。

本考案によればこの課題は次のようにして解決される。

即ちプリント板の片面に基準電位面を形成し、直列ダイ
オードをプリント板に星状に配置し、並列ダイオードお
よび制御回路を、分岐路毎に別個にモジュールプレート
として構成し、相応の直列ダイオードに接続し、更にそ
れ自体公知のように星状に配置された直列ダイオードの
周囲において前記プリント板に平行な位置に配置し、前
記プリント板に取り付けるようにし、さらにダイオード
と多極ダイオードスイッチの接続端子として働く接続部
材（例えば同軸コネクタ）との間の接続路の特性インピ
ーダンスが、モジュールに対して適正に設定されるよう
にし、さらに直列ダイオードの遮断容量および残存する
配線容量が、直列ダイオードの中性点と相応の接続部材
との間の接続路を誘導性に構威し更に必要に応じて付加
補償インダクタンスを設けることにより、補償されるよ
うにしたものである。

次に本考案を実施例について図面により詳細に説明する
。

第１図は６極ダイオードスイツチを示す。

互いに並列な６つの分岐路１〜６の出力側は互いに接続
される。

個々の分岐路１〜６にはそれぞれ直列ダイオードＤ１１
〜Ｄ１６および並列路が接続される。

分岐路１〜６の並列路にはそれぞれダイオードＤ２１〜
Ｄ２６および制御回路８１〜Ｓ６が設けられる。

第１図では、ダイオードＤ２１〜Ｄ２６および制御回路
８１〜Ｓ６は破線により囲まれている。

分岐路１〜６に設けられたコンデンサＣ１〜Ｃ６により
、それぞれ分岐路１〜６に流れる直流分が阻止される。

分岐路１〜６には更に補償インダクタンスＬ１〜Ｌ６が
挿入される。

第２図は、第１図のダイオードスイッチの１つの分岐路
の直列路と、並列ダイオードおよび制御回路を有する並
列路とを示す。

次に第、２図により制御回路とダイオードスイッチの詳
細な構成呻よび動作を説明する。

制御回路はトラジスタＴ１〜Ｔ３を有する。

トランジスタＴ１のベースは基準電位に接続可能である
。

トランジスタＴ１のコレクタはトランジスタＴ２のベー
スに接続すれ、トランジスタＴ１のエミッタにトランジ
スタＴ３のコレクタに接続される。

トランジスタＴ２．Ｔ３のエミッタは互いに接続される
。

トランジスタＴ２のコレクタは、抵抗Ｒ１３およびリア
クトルＤｒを介して直列ダイオードＤ１ １に接続される。

トランジスタＴ３のコレクタは、抵抗Ｒ１１を介して並
列ダイオードＤ２１に接続される。

トランジスタＴ２ 、Ｔ３の共通の工□ツタには＋５ｖ
の電圧が印加される。

トランジスタＴ１のエミッタとトランジスタＴ３のコレ
クタは一２４Ｖの電圧源に接続される。

非動作状態では、トランジスタ（制御トランジスタ）Ｔ
２は不導通である。

他方トランジスタＴ３は導通なので、＋５ｖの電圧源か
らトランジスタＴ３および抵抗Ｒ１１を介して並列ダイ
オードＤ２１に電流が流れる。

従って信号線は、並列ダイオードＤ２１およびコンデン
サＣ１１を介して基準電位に接続される。

直列ダイオードＤ１１は、抵抗Ｒ１２，Ｒ１３およびリ
アクトルＤｒを介して印加される電位により不導通であ
る。

この場合遮断域での減衰量は５０ｄＢである。

ダイオードスイッチを導通する場合には、トランジスタ
Ｔ１のベースに接続された入力端（制御入力側）７に基
準電位を印加する。

その結果トランジスタＴ２が導通制御され、トランジス
タＴ３が不導通になる。

＋５ｖの電圧源は、導通制御されたトランジスタＴ２と
抵抗Ｒ１３とりアクドルＤ・ｒを介して直列ダイオード
Ｄ１１に接続される。

その結果直列ダイオードＤ１１が導通する。

但し端子Ｏに接続された直列ダイオードＤ１１の端子に
は基準電位が印加されている。

また並列ダイオードＤ２１は、抵抗Ｒ１４，Ｒ１１を介
して一２４Ｖの電圧源より印加される電圧により不導通
にされる。

以上のように、既述の制御入力側７には基準電位を印加
することにより、ダイオードスイッチに唯一の導通路を
形成することができる。

第３図は第１図のダイオードスイッチの構成を示す。

プリント板３７の一力の面にはアース面が形成される。

パッケージのフレーム３９の端面には、同軸コネクタ３
８として構成された接続部材が設けられる。

プリント板３７はパッケージのフレーム３９内に収容さ
れる・。

直列ダイオードｖ１１〜Ｄ１６はプリント板３７のほぼ
中央領域に星状に配置される。

従って中性点と直、列ダイオードＤ１１〜Ｄ１６との接
続路の長さを短縮することができ、分岐路１〜６の経路
をほぼ等しく形成することができる。

並列ダイオードＤ２１〜Ｄ２６および制御回路Ｓ１〜Ｓ
６は、分岐路１〜６毎に個別に、モジュールプレート３
１〜３６（例えば厚膜回路）として構成される。

モジュールプレート３１〜３６は、プリント板３７に平
行に直列ダイオードＤ１１〜Ｄ１６の星状接続を取り囲
むように、プリント板３１に取り付けられる。

プリント板３７０片面にアース面が形成されているので
、このようにすれば憔めて良好な遮蔽効果が得られる。

パッケージのフレーム３９の端面に取り付けられた同軸
コネクタ３８とモジュールプレート３１〜３６との間の
接続路４０は、適当な抵抗値の線路として構成される。

星状に配置された直列ダイオードＤ１１〜Ｄ１６とモジ
ュールプレート３１〜３６との間の接続路４１は、プリ
ント板３７にプリントされた導通路として構成される。

接続路４０．４１の特性インピーダンスは適正に設定さ
れる。

即ち相異る伝送路の電気特正およびモジュールプレート
の導通路の電気特性が相等しく設定される。

例えば導通路をプリントする場合には、導体路の相異る
長さに起因する電気特性の相異を、導体路の幅を適当に
調節することにより補償することができる。

直列ダイオードＤ１１〜Ｄ１６の遮断容量および若干量
残存する配線容量は、接続路４３を誘導性に形成し更に
直列ダイオードＤ１１〜Ｄ１６の中性点と相応の同軸コ
ネクタ３８との間に付加補償インダクタンスを設けるこ
とにより補償される。

分岐路１〜６に配属された補償インダクタンスＬ１〜Ｌ
６は、それぞれモジュールプレート３１〜３６に設けら
れる。

本考案の多極ダイオードスイッチの構成素子を適正にレ
イアウトすれば、配線容量の障害を解消し、分岐路間を
遮蔽することができる。

更にその都度の導通路の整合をとることができ、また遮
断域において大きい減衰量が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の多極ダイオードスイッチの実施例の回
路略図、第２図は第１図の実施例に含まれる制御回路の
回路図、第３図はプリント板に実装された第１図の実施
例の斜視略図である。 １〜６・・・・・・分岐路、ＤＩｌ〜Ｄ１６・・・・・
・直列ダイオード、Ｄ２１〜Ｄ２６・・・・・・並列ダ
イオード、Ｓ１〜Ｓ６・・・・・・制御回路、Ｌ１〜Ｌ
６・・・・・・補償インダクタンス、３１〜３６・・・
・・・モジュールプレート、３７・・・・・・プリント
板、３８・・・・・・同軸コネクタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. スイッチング個所と同数の分岐路を互いに並列に設け、
   個々の分岐路を直列路と並列路より形成し、相応のスイ
   ッチング個所の非動作中不導通の直列ダイオードを、個
   々の分岐路の直列路に設け、相応のスイッチング個所の
   非動作中導通の並列ダイオードと制御回路とを、個々の
   分岐路の並列路に設け、該制御回路の入力側に基準電位
   を印加可能とし、相応の分岐路を該制御回路により導通
   させるようにした高周波用の多極ダイオードスイッチに
   おいて、プリント板の片面に基準電位面を形成し、直列
   ダイオードをプリント板に星状に配置し、並列ダイオー
   ドおよび制御回路を、分岐路毎に別個にモジュールプレ
   ートとして構成し、相応の直列ダイオードに接続し、更
   に星状に配置された直列ダイオードの周囲において前記
   プリント板に平行な位置に配置し、前記プリント板に取
   り付けるようにし、さらにダイオードと多極ダイオード
   スイッチの接続端子として働く接続部材との間の接続路
   の特性インピーダンスが、モジュールに対して適正に設
   定されるようにし、さらに直列ダイオードの遮断容量お
   よび残存する配線容量が、直列ダイオードの中性点と相
   応の接続部材との間の接続路を誘導性に構成し更に必要
   に応じて付加補償インダクタンスを設けることにより、
   補償されるようにして成る高周波用の多極ダイオードス
   イッチ。