JPH03227046A - 高周波集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明に、小型化をはかった高周波帯の果噴回路に関
するものである。

〔従来の技術〕

以下、高周波集積回路として、モノリゾツタマイクロ波
果横回路増＠器（以下、ＭＭ工Ｃ増鶴器という）を例Ｖ
Ｃとって説明する。

第３図ｒｉ従来のＭＭ工Ｃ増幅４のチップパターンの一
例を示す平面図である。

図において、１１１は高周波トランジスタ１．２）はイ
ンダクタ、１３１はコンデンサ、（４１は入力信号端子
、１５）は出力信号端子、（６１に高周波トランジスタ
＋１１の直流バイアス印加端子である。

次に、動作について説明する。

入力信号端子１４）に目」ぷされた信号／Ｉ′ｉ高周波
トランジスタ（１）により増幅され、出力信号端子１６
）から収り出される。ここで、旨周波トランジスタ１１
１を動作させるための直流バイアスは、直流バイアス印
加端子＋６１より供給される。コンデンサク３１および
インダクタ１２１ニ高周波トランジスタ１１の人９人出
インピーダンスを所定の特性インピーダンスに歪合させ
るために用いられる。

〔発明が解決しようとする昧題〕

従来のＭＭ工Ｃ増嵯器は以上のように構成されているの
で、増＠器に９求される特性や使用同仮数によって大容
量のコンデサおよびインダクタか必要となる。その耐果
、コンデンサおよびインダクタの面積が増大し、ＭＭ工
０４Ｍ器パターンの大部分がコンデンサおよびインダク
タそれぞれのパターンとなり、ＭＭ工Ｃｆツブの犬面槓
化によるコストアップの問題と広面積のコンデンサ２よ
びそれぞれのバター７配直によるＭＭ工ＣＭ路設計が困
難になる等の問題点かあつ之。

この発明は、上記のような問題点？解消するためになさ
れたもので、コンデンサ、インダクタの占有面構ｆ！：
減らした小型の高周波集積回路？得ることを目的とする
。

〔課題？解決するための手段〕

この発明に係る高周波集積回路は、集積回路４板の裏面
に一部を設け、この凹部内にコンデ７’！ｊ／’：ｆｉ
−７に形成し、さらにコンデンサパターン上に絶縁膜と
形成し、この絶縁膜にインダクタパターンを横ｉ所形成
し、このコンデンサおよびインダクタと過積（ロ）路請
板表面力南周波トランジスタや回路パターンと央償回路
４板金べ通導に体で汝続したものである。

〔作用〕

この発明においては、コンチン・すお↓びインメクタ部
分を集積回路基板表面から破り除き、４横回路基板裏面
の凹部に形成したことから、業績回路基板表面に右利し
ていたコンデンサお：びインダクタそれぞれのパターン
の面積が減少する。

〔医厖−」〕

以下、この発明の一夾ＦＭ例を図について説明する、 第１図にＭＭＩＣＭ幅器のチップパターンを示す平面図
、＄；２図ｒｉ第１図に示すＡ−Ａにおける蘭面図でめ
る。

図において％）１）〜＋６１は第８図の従来例に示し部
＋８１内にコンデンサ４１とインダクタ（！１それぞれ
のパターンが積層されている。コンチン＋ｊ３１とイ／
λクタ１２）の惰−構造ｄ第２図にボアようにコンデン
サ（３）用の絶縁体、嗜をａさん次４億ｏｖ％　ｂｄで
コンチン？ｃ３１が形成さｒＬ、その上に杷嫌績囚を杉
改し、この杷−膜ｊ上にインダクタ（２）のバター／を
形状し、高周波集積回路が横我さ扛ている◎凹部（８１
内のコンデンサ１３）とインダクタ４＋に、集積回路基
板（γ１をス通する貞通導電体１ａにより集積Ｌｇ１路
基板＋７１上の高周波トランジスタ１１１や池の回路バ
ター／と１気司に接続されている。

以上のように構成することにより、匠来は高周彼巣償回
路上に構成され、広い面積を占有してい次コンデンサ＋
ｌ！およびインダクタ＋１＋それぞれのパターンを表面
より襄Ｉｆｉに移設力にｇＴ雇となり、・ｕ渭な特注に
従来例と同等になる。さらに、表面の回路パターン配置
でコンデンサ３１おｘ□インダクタ２１それぞれのパタ
ーンの制約カ褥消もしくに少々〈な９、集積回路パター
ン紋針に２ける自由度が向上する。

４゜ ｌお、上記実ｉ例ではＭＭＩＣ壇幅器について説明した
が、こａＶＣ限定するものでなく、他の尚周波果檎回路
νて通用しても同様の幼果１ｒ：奥することはいうまで
もない。

〔発明の効果〕

以上説明したようＶにの発明ａ、４横回路蕪板上１ｃ形
成される回路パターンで、コンデンサおよびインダクタ
それぞれのパターンを集積回路基板の裏面に設けた凹部
に形成したので、集積回路パターンの縮小化が可能とな
り、小型化した安価な高周波集積回路が得られる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図にこの発明に係る高周波集積回路の一害苑ｇＡＪ
ＶＣよるＭＭ工増＠器のチップパターンを示す平面図、
第２図は第１図に示すＡ−Ａにおける断面図、第８図は
従来のＭＭ工工場増幅器チップパターンを示す平面図で
ある。 図において、）！）は高出力トランジスタ１，２１にイ
ンダクタ、３１ハコンデンサ、１４１ｉ人力信号端子、
＋５１は出力信号端子、１６）は直流バイアス印加端子
、１７１は集積回路基板、（８）は凹部、ｂは絶縁膜、
３１１ｍにコンデンサ用絶縁体、３υ、（至）に電億。 ＋７１は貫通導電体である。 なお、谷図中、同一符号に同一　または当相部分會示す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高周波トランジスタ、コンデサ、インダクタなどの回路
   パターンを同一の集積回路基板に備えた高周波集積回路
   において、上記集積回路基板の裏面に凹部を設け、この
   凹部内に上記コンデンサパターンを形成し、さらにコン
   デンサパターン上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にイ
   ンダクタのパターンを積層形成し、上記集積回路基板上
   面の回路パターンと上記コンデンサおよびインダクタと
   を上記集積回路基板を貫通導電体で接続したことを特徴
   とする高周波集積回路。