JPS5895065U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5895065U JPS5895065U JP19085681U JP19085681U JPS5895065U JP S5895065 U JPS5895065 U JP S5895065U JP 19085681 U JP19085681 U JP 19085681U JP 19085681 U JP19085681 U JP 19085681U JP S5895065 U JPS5895065 U JP S5895065U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- comb
- semiconductor equipment
- electrode
- metal region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のエミッター安定化抵抗の断面図、第２図
は従来のエミッター安定化抵抗の平面図、第３図はこの
考案の一実施例の安定化抵抗の平面図。 図において１はシリコンウェハ、２は高比抵抗金属領域
、３はシリコン酸化膜、４は電極用金属である。なお図
中同一符号は同一または相当部分である。
は従来のエミッター安定化抵抗の平面図、第３図はこの
考案の一実施例の安定化抵抗の平面図。 図において１はシリコンウェハ、２は高比抵抗金属領域
、３はシリコン酸化膜、４は電極用金属である。なお図
中同一符号は同一または相当部分である。
Claims (1)
- バイポーラトランジスタにおいてシリコンウェハの表面
にある比抵抗をもった金属領域を形成し、その金属領域
内に、複数個のくし形の形状をした、電極用金属を、互
いにくし形の部分をかみ合う様に形成し、その電極金属
の一方向はエミッター側に、もう一方をエミッター引出
電極側に配線し、エミッター安定化抵抗を形成したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19085681U JPS5895065U (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19085681U JPS5895065U (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895065U true JPS5895065U (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=30104350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19085681U Pending JPS5895065U (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895065U (ja) |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP19085681U patent/JPS5895065U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS592159U (ja) | トランジスタ装置 | |
| JPS5892744U (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5945939U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5812938U (ja) | 半導体ウエ−ハ | |
| JPS58168149U (ja) | トランジスタ | |
| JPS5954961U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6115755U (ja) | 抵抗体内蔵半導体装置 | |
| JPS5978637U (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS585357U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5812942U (ja) | 薄膜集積回路装置 | |
| JPS59101449U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5883149U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS592160U (ja) | 半導体装置の接続構造 | |
| JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
| JPS5846444U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5827949U (ja) | 半導体抵抗装置 | |
| JPS60149150U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5869942U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60136155U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5812949U (ja) | 半導体集積回路の多層配線構造 | |
| JPS6071153U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5954960U (ja) | 半導体装置の電極構造 | |
| JPS5929054U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5881961U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6120063U (ja) | 抵抗体内蔵半導体装置 |