JPS5899766A - 入射妨害排除能力評価装置 - Google Patents
入射妨害排除能力評価装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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- G01R1/16—Magnets
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は妨害電界に対する受信機の排除能力を評価する
に好適な入射妨害排除能力評価装置に関する。
に好適な入射妨害排除能力評価装置に関する。
最近、受信機におけろ入射妨害排除能力の評価、即ち周
囲の電磁界の影響に対する受信機の耐雑音性1午が問題
化している。この評価は1つの□手段としてジヤツキ−
法により行なわれるが、これは後に述べるように種々の
問題点を有している。
囲の電磁界の影響に対する受信機の耐雑音性1午が問題
化している。この評価は1つの□手段としてジヤツキ−
法により行なわれるが、これは後に述べるように種々の
問題点を有している。
第1図及び第2図はジヤツキ−法による評価システムの
構成例で、第1図はストリップ線路(平行導体)の構成
、第2図は評価システムのブロック図を示す。ストリッ
プ線路は、下部導体1と該下部導体1上に絶縁材に薫る
柱(,4a141)、4CI4d) で平行に保持さ
れる上部導体2で構成さ第1の両端部2a及び2bは図
示のごとく絞り込まれ、Wいに対応する端(laと2a
、lbと2b)が絶縁物を介してテーパ状に機械結合さ
れる。ストリップ線路の寸法&”!、 La−2000
mm t lLb ”” 2750 mm 、 、−W
1=900mm、 w2: 600mm、 )I=80
0mm−で図示される。
構成例で、第1図はストリップ線路(平行導体)の構成
、第2図は評価システムのブロック図を示す。ストリッ
プ線路は、下部導体1と該下部導体1上に絶縁材に薫る
柱(,4a141)、4CI4d) で平行に保持さ
れる上部導体2で構成さ第1の両端部2a及び2bは図
示のごとく絞り込まれ、Wいに対応する端(laと2a
、lbと2b)が絶縁物を介してテーパ状に機械結合さ
れる。ストリップ線路の寸法&”!、 La−2000
mm t lLb ”” 2750 mm 、 、−W
1=900mm、 w2: 600mm、 )I=80
0mm−で図示される。
1ストIJツブ線路の一方の結合端は平行導体1及び2
に妨害信号を印加するための給電端3aを構成し、給電
用同軸線(図示しない)を介して整合回路10に接続さ
れる。妨害信号は整合回路10を介してもうけられる妨
害信号発生器11から供給さ゛れストリップ線路の下部
導体−1上には絶縁用のプラスチック製又は木製の台5
を介して被測定受信機6が配置され、電磁波の漏洩及び
侵木を防止するための電源用阻止フィルタ18を介して
電源が供給される。受信機6には更に、4アンテナ阻止
フイルタ6を介して希望信号発生器14が接続され希望
信号が受信機6に印加されると共に、スピーカ用阻止フ
ィルタ/終端抵抗15及びバンドパスフィルター16を
介して音声周波電圧計17がもうけられ受信機6の出力
信号が取り出される。
に妨害信号を印加するための給電端3aを構成し、給電
用同軸線(図示しない)を介して整合回路10に接続さ
れる。妨害信号は整合回路10を介してもうけられる妨
害信号発生器11から供給さ゛れストリップ線路の下部
導体−1上には絶縁用のプラスチック製又は木製の台5
を介して被測定受信機6が配置され、電磁波の漏洩及び
侵木を防止するための電源用阻止フィルタ18を介して
電源が供給される。受信機6には更に、4アンテナ阻止
フイルタ6を介して希望信号発生器14が接続され希望
信号が受信機6に印加されると共に、スピーカ用阻止フ
ィルタ/終端抵抗15及びバンドパスフィルター16を
介して音声周波電圧計17がもうけられ受信機6の出力
信号が取り出される。
以上のごとき構成で、妨害信号発生器11のレベルを低
レベルから上昇させることにより受信機60入射仲害に
対する排除能力を測定するととができ、この方法によi
ば150KHzから150 MHzの周波数範囲におけ
る排除能力の評価が可能とされている。
レベルから上昇させることにより受信機60入射仲害に
対する排除能力を測定するととができ、この方法によi
ば150KHzから150 MHzの周波数範囲におけ
る排除能力の評価が可能とされている。
ところで、上記ストリップ線路のごとへ不平衡駆動され
る線路で−は一一路の1周の長さが1波長に基ている。
る線路で−は一一路の1周の長さが1波長に基ている。
ストリ;プ線路原アンテナとして動作すれば、外部に電
竺竺が放射され、・トリ・ブ線路の摺囲に存在する反射
体、例えば壁面或いは測定者もしくは測定装置等で反射
された後ストリップ線路内部に再入射することになる。
竺竺が放射され、・トリ・ブ線路の摺囲に存在する反射
体、例えば壁面或いは測定者もしくは測定装置等で反射
された後ストリップ線路内部に再入射することになる。
そのため、ストリップ線路内部の電界は所定の強度を維
持できずこ適切な評価が困難となる。 ′スl−
IJツブ線路内部の適切な電界強度は第3図に示す較正
曲線で説明される。これは1辺20確の金属板をストリ
ップ線路の下部導体上に1cIrLの高さで配置し、下
部導体に対する金属板の高周波電圧を適当なpH定装置
、例えば高周波ミリボルトメータで測定するもので、縦
軸は金属板の検出電圧(mV)、横軸は周波数(MHり
を示す。図中の(イ)は無変調の測定用送信機の無負荷
電圧がIOVの場合の較正曲線で、ス) IJツブ線路
で適切な評価を得ろためには、該導体内に配置された金
属板の電圧が較正曲線(イ)を中心とする±2dBの範
囲になければならないとされる。しかしながら、電磁波
の再入射があると金属板の電圧値は上記範囲から逸脱す
ることになるので、受信機の排除能力に対する適切な評
価は困難となる。これは第4図でより詳しく説明される
。
持できずこ適切な評価が困難となる。 ′スl−
IJツブ線路内部の適切な電界強度は第3図に示す較正
曲線で説明される。これは1辺20確の金属板をストリ
ップ線路の下部導体上に1cIrLの高さで配置し、下
部導体に対する金属板の高周波電圧を適当なpH定装置
、例えば高周波ミリボルトメータで測定するもので、縦
軸は金属板の検出電圧(mV)、横軸は周波数(MHり
を示す。図中の(イ)は無変調の測定用送信機の無負荷
電圧がIOVの場合の較正曲線で、ス) IJツブ線路
で適切な評価を得ろためには、該導体内に配置された金
属板の電圧が較正曲線(イ)を中心とする±2dBの範
囲になければならないとされる。しかしながら、電磁波
の再入射があると金属板の電圧値は上記範囲から逸脱す
ることになるので、受信機の排除能力に対する適切な評
価は困難となる。これは第4図でより詳しく説明される
。
第4図は、金属ケース内
より80CnLの高さに第1図で説明したストリップ線
路を配置した入射妨害排除能力評価装置を示し、金属ケ
ースの寸法は長さ3.5m+幅3.Om +高さ2.5
mである。
路を配置した入射妨害排除能力評価装置を示し、金属ケ
ースの寸法は長さ3.5m+幅3.Om +高さ2.5
mである。
周波数特性は第5図に示される。図から明らかなように
金属板の検出電圧が第3図で述べた較正曲線の許容範囲
を大きく逸脱することがわかる。
金属板の検出電圧が第3図で述べた較正曲線の許容範囲
を大きく逸脱することがわかる。
従って本発明は従来の技術の一上記欠点を改善するもの
で、その目的は、ストリップ線路内部の電界強度の適切
゛な保持が可能な入射妨害排除能力評価装置を提供する
ことにある。
で、その目的は、ストリップ線路内部の電界強度の適切
゛な保持が可能な入射妨害排除能力評価装置を提供する
ことにある。
この目的を達成するための本発明の特徴は、互いに並行
な上部導体と下部導体の両端を絶縁物を介し′てテーバ
状に機械結合し一端に妨M信号給電端他端に終端抵爺接
゛続端を形成したストリ・プ線路を一1閉じた金属ケー
ス内に配置し、妨害信号の供給で妨害電磁場を模擬する
ことにより供試機の妨害排除能力を評価する入射妨害排
除能力評価装置において、前記金属ケースの内面に装着
される磁性電波吸収体と、前記ストリップ線路の下部導
体の並行部の両端で該下部導体が夫々ダンピング抵抗を
介して前記金属ケースに電気的に接続されるごとく前記
ストリップ線路を前記金属ケニス内に保持する手段と、
一端が前記ストリップ線路の妨害信号給電端に接続され
他端が前記金属ケースを貫通して妨害信号を供給する外
部装置に接続される給電用同軸線と、該給電用同軸線と
金属ケースとの間を電気的に絶縁する高周波損失の大き
い絶縁体と、前記ストリップ線路のテーバ部に対向して
該線路内にもうけられる抵抗バッフ元とを有するごとき
入射妨害排除能力評価装置にある。
な上部導体と下部導体の両端を絶縁物を介し′てテーバ
状に機械結合し一端に妨M信号給電端他端に終端抵爺接
゛続端を形成したストリ・プ線路を一1閉じた金属ケー
ス内に配置し、妨害信号の供給で妨害電磁場を模擬する
ことにより供試機の妨害排除能力を評価する入射妨害排
除能力評価装置において、前記金属ケースの内面に装着
される磁性電波吸収体と、前記ストリップ線路の下部導
体の並行部の両端で該下部導体が夫々ダンピング抵抗を
介して前記金属ケースに電気的に接続されるごとく前記
ストリップ線路を前記金属ケニス内に保持する手段と、
一端が前記ストリップ線路の妨害信号給電端に接続され
他端が前記金属ケースを貫通して妨害信号を供給する外
部装置に接続される給電用同軸線と、該給電用同軸線と
金属ケースとの間を電気的に絶縁する高周波損失の大き
い絶縁体と、前記ストリップ線路のテーバ部に対向して
該線路内にもうけられる抵抗バッフ元とを有するごとき
入射妨害排除能力評価装置にある。
以−を回向により本発明の詳細な説明する。
第6図及び第7図は本発明による入射妨害排除能力評価
装置の一実施例で、第6図は平面図、第7図は第6図の
A−A断面図を示す。
装置の一実施例で、第6図は平面図、第7図は第6図の
A−A断面図を示す。
図において参照番号恕はほぼ直方体形状の金属ケース1
9の内面全面に電波吸収体730を装着した電波暗箱で
、使用者の出入り或いは測定装置の搬出入等のための扉
21を有する。電波吸収体30としては、電波暗箱の小
型化及び測定周波数が150MI−Iz以下であるこt
から、厚さの薄いフェライト電波吸収体が好適である。
9の内面全面に電波吸収体730を装着した電波暗箱で
、使用者の出入り或いは測定装置の搬出入等のための扉
21を有する。電波吸収体30としては、電波暗箱の小
型化及び測定周波数が150MI−Iz以下であるこt
から、厚さの薄いフェライト電波吸収体が好適である。
電波暗箱否の寸法は例えば長さLCが3m、幅W。が2
.6m、高さ■1oが2.6 mとされ、その中に第1
図、のストリップ線路がもうけもれる。ストリップ線路
は第6図に示すように、長手方向の中心軸が電波暗箱明
の床面20aのひとつの対角線に一致する如(、下部導
体1をもって絶縁性の保持台60上に配置され、しかも
ストリップ線路の上部導体2と電波暗箱4の天井間の距
離がストリップ線路の並行導体(,1,2)間の距離よ
りも犬となるように設定される。対角線に一致させて配
置させるのは電波暗箱を小型化すると共に暗箱内でのワ
ーキングエリアを広(とるためであり、またストリップ
線路と暗箱の天井との間の距離を犬とするのはストリッ
プ線路のインビーダ保持台60は例えば木製で、ストリ
ップ線路内の電界強度への゛床面20aからの影響を考
慮し、その高さh−を70cm程度とすることが望まし
い。この高さhは一トリ・プ線路と暗箱の天五間の距離
を犬とする上記要件を満足する。保持台6oの両側面に
は電波暗箱4の金属ケース19に一端が接地されたグラ
ウンド用溝′体板(70a、 70b)がもうけられ、
各導体板とストリップ線路の下部導体1の並行部分の各
々の対応端とが夫々ダンピング抵抗(80a。
.6m、高さ■1oが2.6 mとされ、その中に第1
図、のストリップ線路がもうけもれる。ストリップ線路
は第6図に示すように、長手方向の中心軸が電波暗箱明
の床面20aのひとつの対角線に一致する如(、下部導
体1をもって絶縁性の保持台60上に配置され、しかも
ストリップ線路の上部導体2と電波暗箱4の天井間の距
離がストリップ線路の並行導体(,1,2)間の距離よ
りも犬となるように設定される。対角線に一致させて配
置させるのは電波暗箱を小型化すると共に暗箱内でのワ
ーキングエリアを広(とるためであり、またストリップ
線路と暗箱の天井との間の距離を犬とするのはストリッ
プ線路のインビーダ保持台60は例えば木製で、ストリ
ップ線路内の電界強度への゛床面20aからの影響を考
慮し、その高さh−を70cm程度とすることが望まし
い。この高さhは一トリ・プ線路と暗箱の天五間の距離
を犬とする上記要件を満足する。保持台6oの両側面に
は電波暗箱4の金属ケース19に一端が接地されたグラ
ウンド用溝′体板(70a、 70b)がもうけられ、
各導体板とストリップ線路の下部導体1の並行部分の各
々の対応端とが夫々ダンピング抵抗(80a。
80b)を介して電気的に結合される。ダンピング抵抗
としては200(Ω)前後のものが望ましい。
としては200(Ω)前後のものが望ましい。
ストリップ線路の給電端3aには、第6図に示されるよ
うに、妨害信号を供給する給電用同軸ケーブル40の一
端が接続される。同軸ケーブル40の他端は絶縁リング
50による電波暗箱明との間の電気的絶縁を介して暗箱
否の外に導き出され、妨°害信号を供給する外部装置(
第2図の妨害信号発生器11)に接続される。絶縁リン
グ50とし゛ては電気的絶縁性及び高周波損失の大きな
もの、例えばフ王うイト或いはダストコアなどが、用い
られろ。絶縁リング50は同軸ケーブル40と電波暗箱
囮との間に密着してもうけられその寸法は例えば厚さ5
01m〜100朋、外径16Mm、内径8闘のものが用
いられろ。
うに、妨害信号を供給する給電用同軸ケーブル40の一
端が接続される。同軸ケーブル40の他端は絶縁リング
50による電波暗箱明との間の電気的絶縁を介して暗箱
否の外に導き出され、妨°害信号を供給する外部装置(
第2図の妨害信号発生器11)に接続される。絶縁リン
グ50とし゛ては電気的絶縁性及び高周波損失の大きな
もの、例えばフ王うイト或いはダストコアなどが、用い
られろ。絶縁リング50は同軸ケーブル40と電波暗箱
囮との間に密着してもうけられその寸法は例えば厚さ5
01m〜100朋、外径16Mm、内径8闘のものが用
いられろ。
ストリップ線路内には、第7図に示すように、ス) I
Jノブ線路のテーバ部に対向しη抵抗体バッフル(90
a、90b)がもうけられろ。抵抗体バックルは、ス)
IJツブ耐路のテーバ部と並行導体部とをほぼ実質的
に区画するごと(、絶縁体(91a、91b)を介して
空間配置される。
Jノブ線路のテーバ部に対向しη抵抗体バッフル(90
a、90b)がもうけられろ。抵抗体バックルは、ス)
IJツブ耐路のテーバ部と並行導体部とをほぼ実質的
に区画するごと(、絶縁体(91a、91b)を介して
空間配置される。
以上の如き構成の入射妨害排除能力評価装置の実験例を
第8図に示す。なお本実験例における仕様は次の通りで
ある。
第8図に示す。なお本実験例における仕様は次の通りで
ある。
第8−から明らかなように第3図の較正曲線@)の許容
範囲(±2dB)を満足し、第5図のディプ及びピーク
(許容範囲を逸脱する部分)を完全に除去することがで
きる。
範囲(±2dB)を満足し、第5図のディプ及びピーク
(許容範囲を逸脱する部分)を完全に除去することがで
きる。
本発明の構成によれば、次のような理由から較正曲線の
許容範囲が満足される。
許容範囲が満足される。
(1] 電波吸収体を装着した電波暗箱内にストリッ
プ線路を配置しているので、ストリップ線路がアンテナ
として動作する周波数以上での電磁波の再入射による線
路内の電界強度への影響が抑制されろこと。
プ線路を配置しているので、ストリップ線路がアンテナ
として動作する周波数以上での電磁波の再入射による線
路内の電界強度への影響が抑制されろこと。
(2)・妨害信号供給用の同軸ケーブルが電波暗箱と電
気的に絶縁されているので、ストリップ線路と電波暗箱
のi面と同軸ケーブルとで形成される一種の分布定数回
路かオープン回路となりこれによる共振が抑制され、こ
の結果10MHz近傍に生ずる大きなディプが除去でき
ること。なお、同軸ケーブルと電波暗箱との間の絶縁体
としてフェライトのような高周波損失の太きいものを用
いるので、内部から高周波が漏れろおそれはない。
気的に絶縁されているので、ストリップ線路と電波暗箱
のi面と同軸ケーブルとで形成される一種の分布定数回
路かオープン回路となりこれによる共振が抑制され、こ
の結果10MHz近傍に生ずる大きなディプが除去でき
ること。なお、同軸ケーブルと電波暗箱との間の絶縁体
としてフェライトのような高周波損失の太きいものを用
いるので、内部から高周波が漏れろおそれはない。
(3)ス) IJツブ線路をダンピング抵抗を介して電
波暗箱にグラウンドしているので、直接、接地した場合
にス) IJツブ線路と電波暗箱との間に形成される一
種の分布定数回路による共振を抑制でき、:30MHz
近傍に生ずる大きなディプを除去できろこと。これは第
9図A、第9図B、第9図Cかも明らかにされる。第9
図Aはス) IJツブ線路を抵抗を介することなく直接
接地した場合、第9図Bは200Ωのダンピング権抵抗
を介して接地した場合、第9図Cは電気的に浮かした場
合である。これらの実験例で明らかなように、直接接地
の場合には30 MHz近傍のティグは改善されず、ま
た電気的に浮かした場合には許容範囲内には収まるが、
7MHzMHz近傍なディプが発生する。
波暗箱にグラウンドしているので、直接、接地した場合
にス) IJツブ線路と電波暗箱との間に形成される一
種の分布定数回路による共振を抑制でき、:30MHz
近傍に生ずる大きなディプを除去できろこと。これは第
9図A、第9図B、第9図Cかも明らかにされる。第9
図Aはス) IJツブ線路を抵抗を介することなく直接
接地した場合、第9図Bは200Ωのダンピング権抵抗
を介して接地した場合、第9図Cは電気的に浮かした場
合である。これらの実験例で明らかなように、直接接地
の場合には30 MHz近傍のティグは改善されず、ま
た電気的に浮かした場合には許容範囲内には収まるが、
7MHzMHz近傍なディプが発生する。
(4)ストリップ線路内に抵抗体バッフルをもうけてい
るので、ストリップ線路のテーバ部より空間に放射され
た電磁波が線路内に発生させる定在波を抑制することが
でき、第9図Bに見られる79M)(z 近傍のピー
クを除去できること。
るので、ストリップ線路のテーバ部より空間に放射され
た電磁波が線路内に発生させる定在波を抑制することが
でき、第9図Bに見られる79M)(z 近傍のピー
クを除去できること。
なお、上記実施例においては電波暗箱内におけろ同軸ケ
ーブルの長さについては言及しなカ・ったが、暗箱内に
i出しているケーブルの長さによっては、ストリップ線
路内の電場との結合で共振するおそれがあ乞。これを防
止するためには、電波暗箱内のケーブルの長さを最高使
用周波数の波長(150MI(z )の1/4以下とす
ることが望ましいが、実際上この長さで配線することは
困難であるので、空間に浮いているケーブルの長さを1
/4以下とし、他の部分を例えば床面のラエライト電波
、吸収体に接して力;ら外部に引き出すよtうにする。
ーブルの長さについては言及しなカ・ったが、暗箱内に
i出しているケーブルの長さによっては、ストリップ線
路内の電場との結合で共振するおそれがあ乞。これを防
止するためには、電波暗箱内のケーブルの長さを最高使
用周波数の波長(150MI(z )の1/4以下とす
ることが望ましいが、実際上この長さで配線することは
困難であるので、空間に浮いているケーブルの長さを1
/4以下とし、他の部分を例えば床面のラエライト電波
、吸収体に接して力;ら外部に引き出すよtうにする。
この場合フェライトに接して引き廻す部分は全体の長さ
の1/3程度とすることが望ましい。これによりフェラ
イトの磁気損失を利用してケーブルの共振をダンプする
ことが可能となる。
の1/3程度とすることが望ましい。これによりフェラ
イトの磁気損失を利用してケーブルの共振をダンプする
ことが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、平1行導体、内部
の電界強度を所望の周波数範囲で適切に保持することが
でき、−シかもコンパクトな寸法の入射妨害排除能力評
価装置を提供することができ、電子機器の製造工程にお
ける最終的な検査部門の一環として容易に設置すること
が可能と九る。〜
の電界強度を所望の周波数範囲で適切に保持することが
でき、−シかもコンパクトな寸法の入射妨害排除能力評
価装置を提供することができ、電子機器の製造工程にお
ける最終的な検査部門の一環として容易に設置すること
が可能と九る。〜
第1図はストーリーツブ線路の構成図、第2図は入射妨
害排除能力評価システムのブロック図、第3図は較正曲
線、−第4図は入射妨害排除能力評価装置の従来例、第
5図は第4図の構成の周波数特性、第6図は本発明によ
る入射妨害排除能力評価装置の一実施例、第7図は第6
図のA−A断面図、第8図は本発明による入射妨害排除
能力評価装置の実験例1、第9図Aはストリップ線路を
直接電波暗箱に接地した場合の周波数特性、第9図Hは
ストリップ線路を抵抗を介して電波暗箱に接地した場合
の周波数特性、第9図Cはストリップ線と電波暗箱とを
電気的に絶縁した一合の周波数特性を示゛す。 − 1ニ一下部導4体、 2:上部導体、3a:給′
電端、 3b=−終端抵抗端、30:電波吸収体、
40:給電用同軸ケーブル、50:絶縁リング、
60:保持台、80a、80b:ダンピング抵抗、 90a、90b:抵抗体バッフル。
害排除能力評価システムのブロック図、第3図は較正曲
線、−第4図は入射妨害排除能力評価装置の従来例、第
5図は第4図の構成の周波数特性、第6図は本発明によ
る入射妨害排除能力評価装置の一実施例、第7図は第6
図のA−A断面図、第8図は本発明による入射妨害排除
能力評価装置の実験例1、第9図Aはストリップ線路を
直接電波暗箱に接地した場合の周波数特性、第9図Hは
ストリップ線路を抵抗を介して電波暗箱に接地した場合
の周波数特性、第9図Cはストリップ線と電波暗箱とを
電気的に絶縁した一合の周波数特性を示゛す。 − 1ニ一下部導4体、 2:上部導体、3a:給′
電端、 3b=−終端抵抗端、30:電波吸収体、
40:給電用同軸ケーブル、50:絶縁リング、
60:保持台、80a、80b:ダンピング抵抗、 90a、90b:抵抗体バッフル。
Claims (1)
- 互いに並行な上部導体と゛下部導体の両端を絶縁 1物
を介してテーバ状に機械結合し一端に筋書信号給電端他
端に終端抵抗接続端を形成したストリップ線路を゛、閉
じた金属ケニス内に配置し、妨害信号の供給で妨害電磁
場を模擬することにより供試機の妨害排除能力を評価す
る入射妨害排除能力計 1(価装置におい獣前記金属ケ
ースの内面に装着さ第1る磁性′電波吸収体と、前記ス
トリップ線路の下゛部導体の並行部の両端で該下部導体
が夫々ダンビッグ抵抗を介して前記金属ケースに電気的
に接続1 されるごとく前記ストリップ線路を前記金
属ケ−11ス内に保持する手段と、一端が前記ス) I
Jツブ線線路路妨害信号給電端に接続され他端−;二前
記金゛属ケースを貫通して妨害信号を供給する外部装置
に接続される給電用同軸ケーブルと、該給電用同軸ケ周
波損失の大きい絶縁体と、前記ストリップ線路のテーバ
部に対向して該線路内にもうけられる抵抗バッフルとを
有することを特徴とする入射妨害排除能力評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196923A JPS5899766A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 入射妨害排除能力評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196923A JPS5899766A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 入射妨害排除能力評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899766A true JPS5899766A (ja) | 1983-06-14 |
| JPH0324633B2 JPH0324633B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16365912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196923A Granted JPS5899766A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 入射妨害排除能力評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899766A (ja) |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56196923A patent/JPS5899766A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324633B2 (ja) | 1991-04-03 |
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