JPS5910054B2 - マスク原版のパタ−ン精度確認方法 - Google Patents
マスク原版のパタ−ン精度確認方法Info
- Publication number
- JPS5910054B2 JPS5910054B2 JP50081299A JP8129975A JPS5910054B2 JP S5910054 B2 JPS5910054 B2 JP S5910054B2 JP 50081299 A JP50081299 A JP 50081299A JP 8129975 A JP8129975 A JP 8129975A JP S5910054 B2 JPS5910054 B2 JP S5910054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- original
- pattern
- mask original
- reduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスクパターンの精度を測定可能にしたマス
ク原版のパターン精度確認方法に係わり、例えば半導体
製造技術等において用いる適正なマスク原版の選択、或
は縮写装置における縮写レンズのレンズ収差による癖を
チェックする場合等に適用して好適ならしめんとするも
のである。
ク原版のパターン精度確認方法に係わり、例えば半導体
製造技術等において用いる適正なマスク原版の選択、或
は縮写装置における縮写レンズのレンズ収差による癖を
チェックする場合等に適用して好適ならしめんとするも
のである。
半導体製造技術で用いられる光学用マスク原版は、微細
パターンで高精度のものが必要とされ、一般には例えば
数百倍に拡大製図した原図から写真技法により縮写して
得るようにしている。この場合のマスク原版のパターン
寸法精度は±２μ程度でありこれ以下にするのは困難と
されている。これは縮写の際のレンズ収差或は縮小倍率
の確認、すなわち在来の光学装置による確認に限界があ
るためであつた。一方、最近の弾性表面波素子において
は、そのストライプ状電極の形成に際して、ストライプ
状電極のストライプピッチを０．２μ以下の精度に、ト
ランスジューサ間を１μ以下の精度に夫々抑えることが
要求されている。
パターンで高精度のものが必要とされ、一般には例えば
数百倍に拡大製図した原図から写真技法により縮写して
得るようにしている。この場合のマスク原版のパターン
寸法精度は±２μ程度でありこれ以下にするのは困難と
されている。これは縮写の際のレンズ収差或は縮小倍率
の確認、すなわち在来の光学装置による確認に限界があ
るためであつた。一方、最近の弾性表面波素子において
は、そのストライプ状電極の形成に際して、ストライプ
状電極のストライプピッチを０．２μ以下の精度に、ト
ランスジューサ間を１μ以下の精度に夫々抑えることが
要求されている。
また電荷転送素子（ＣＣＤ）のように２次元的に広い素
子を作る場合にも各転送部間の重わ精度が重視される。
しかし、いずれの場合も従来の光学系による確認方法で
は高精度の適正マスク原版を選びとることは困難である
。又、縮写の場合にもレンズにはレンズ収差による特有
の癖（画面の中心と周辺とで縮小率が一致しないこと）
を有しておわ、この癖を見きわめることができれば、例
えばこれを基に予め原図を補正し、より正確な縮写が可
能となる。
子を作る場合にも各転送部間の重わ精度が重視される。
しかし、いずれの場合も従来の光学系による確認方法で
は高精度の適正マスク原版を選びとることは困難である
。又、縮写の場合にもレンズにはレンズ収差による特有
の癖（画面の中心と周辺とで縮小率が一致しないこと）
を有しておわ、この癖を見きわめることができれば、例
えばこれを基に予め原図を補正し、より正確な縮写が可
能となる。
本発明は、上述の点に鑑みそれ自体のパターン寸法の精
度の確認を可能にして目的に合つた適正マスク原版を選
択できるようになし、或は縮写レンズ等の光学レンズの
レンズ収差による癖を検知できるようにしたマスク原版
のパターン精度確認方法を提供するものである。
度の確認を可能にして目的に合つた適正マスク原版を選
択できるようになし、或は縮写レンズ等の光学レンズの
レンズ収差による癖を検知できるようにしたマスク原版
のパターン精度確認方法を提供するものである。
本発明においては、マスク原版に弾性表面波素子用のス
トライプ電極パターンを併設し、このストライプ電極パ
ターンを利用して弾性表面波素子を作レその表面波素子
の周波数特性すなわち１つのノッチ周波数を測定するこ
とによりそのマスク原版のパターンの寸法精度を確認で
きるようにな゛ すものである。
トライプ電極パターンを併設し、このストライプ電極パ
ターンを利用して弾性表面波素子を作レその表面波素子
の周波数特性すなわち１つのノッチ周波数を測定するこ
とによりそのマスク原版のパターンの寸法精度を確認で
きるようにな゛ すものである。
以下、図面を参照して本発明のマスク原版のパターン精
度確認方法の例を説明しよう。
度確認方法の例を説明しよう。
第１図及び第２図は半導体装置の製造にマスク原版のパ
ターン精度確認方法を適用した場合であ門 る。
ターン精度確認方法を適用した場合であ門 る。
本発明においては、先づ第１図に示すように最終的に形
成するマスク原版の原寸法に対して適当な倍率例えば２
００倍に拡大製図した原図１を設ける。
成するマスク原版の原寸法に対して適当な倍率例えば２
００倍に拡大製図した原図１を設ける。
この原図１には、半導体装置用の主パターン２と共に爾
後、縮写されたマスク原版における主パターンの寸法精
度の確認に供される弾性表面波素子用ストライプ電極の
パターン３を併設する。この場合のストライプ電極パタ
ーン３は互に所定間隔を置いて対向する対のパターン部
３ａ及び３ｂを有するを可とする。次に、この原図１よ
り縮写して原寸法のマスク原版を得るが、このとき第２
図に示すように縮小率を夫々僅かづつ異ならした複数の
マスク原版４〔４Ａ１４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、・・・
・・・・・・〕を得るようにする。一例としては２００
倍の拡大原図１を１／２０の縮小率で縮写し、さらに之
を１／１０の縮小率で縮写して原寸のマスク原版を得る
場合に、縮小率？を基準としてこれより僅かづつ縮小率
を異ならして、すなわち例えば最初の１／２０の縮写の
ときに夫々・・・・・・の縮小率の複数の縮写版を作ｂ
、これら複数】の縮写版を夫々一の縮小率でさらに縮写
して、夫々原図１に対して？、？・・・・・・に縮写し
た複数のマスク原版２０１２０２４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４
Ｄ、４Ｅ、・・・・・・を得る。
後、縮写されたマスク原版における主パターンの寸法精
度の確認に供される弾性表面波素子用ストライプ電極の
パターン３を併設する。この場合のストライプ電極パタ
ーン３は互に所定間隔を置いて対向する対のパターン部
３ａ及び３ｂを有するを可とする。次に、この原図１よ
り縮写して原寸法のマスク原版を得るが、このとき第２
図に示すように縮小率を夫々僅かづつ異ならした複数の
マスク原版４〔４Ａ１４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、・・・
・・・・・・〕を得るようにする。一例としては２００
倍の拡大原図１を１／２０の縮小率で縮写し、さらに之
を１／１０の縮小率で縮写して原寸のマスク原版を得る
場合に、縮小率？を基準としてこれより僅かづつ縮小率
を異ならして、すなわち例えば最初の１／２０の縮写の
ときに夫々・・・・・・の縮小率の複数の縮写版を作ｂ
、これら複数】の縮写版を夫々一の縮小率でさらに縮写
して、夫々原図１に対して？、？・・・・・・に縮写し
た複数のマスク原版２０１２０２４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４
Ｄ、４Ｅ、・・・・・・を得る。
従つて各マスク原版４は夫々原寸法を僅かづつ異ならし
た半導体装置用の主パターン５と弾性表面波素子用の対
のストライプ状電極パターン６〔６ａ、６ｂ〕とを有す
る。次に、この様にして得た各マスク原版４に対し、夫
々各自の有するストライプ状電極パターン６を利用して
各自の主パターン５の原寸法精度を測定する。
た半導体装置用の主パターン５と弾性表面波素子用の対
のストライプ状電極パターン６〔６ａ、６ｂ〕とを有す
る。次に、この様にして得た各マスク原版４に対し、夫
々各自の有するストライプ状電極パターン６を利用して
各自の主パターン５の原寸法精度を測定する。
すなわち、第３図に示すようにマスク原版４のストライ
プ状電極パターン６〔６ａ、６ｂ〕を用いて例えばＢｉ
ｌ２ＧｅＯ２Ｏ或はＬｉＮｂＯ３等の如き圧電体基板７
上に互に所定間隔はなれて対向する対のストライブ状電
極８及び９を形成し夫々゛入カトランスジユーサ１０及
び出力トランスジユーサ１１を構成して成る弾性表面波
フイルタ１２を設ける。この弾性表面波フイルタ１２は
各マスク原版４Ａ、４Ｂ、４Ｃｃ・・・・・について設
けるようになす。この弾性表面波フイルタ１２の周波数
特性は第４図に示す如くなり、このときの通過帯域の中
心周波数Ｆ。又はノツチ周波数ｆ１、Ｆ２はストライプ
状電極８、９のピツチＬ、電極対数Ｎ、表面波の音速８
等に関係する。ここで、弾性表面波フイルタ１２の周波
数例えば精度良く測定できる１つのノツチ周波数ｆ１又
はＦ２を測定すれば、そのノツチ周波数ｆ１又はＦ２か
らストライプ状電極８、９の実寸法が換算され、このス
トライプ電極８、９の寸法精度をもつてそのマスク原版
４の主パターン５の寸法精度が測定できる。
プ状電極パターン６〔６ａ、６ｂ〕を用いて例えばＢｉ
ｌ２ＧｅＯ２Ｏ或はＬｉＮｂＯ３等の如き圧電体基板７
上に互に所定間隔はなれて対向する対のストライブ状電
極８及び９を形成し夫々゛入カトランスジユーサ１０及
び出力トランスジユーサ１１を構成して成る弾性表面波
フイルタ１２を設ける。この弾性表面波フイルタ１２は
各マスク原版４Ａ、４Ｂ、４Ｃｃ・・・・・について設
けるようになす。この弾性表面波フイルタ１２の周波数
特性は第４図に示す如くなり、このときの通過帯域の中
心周波数Ｆ。又はノツチ周波数ｆ１、Ｆ２はストライプ
状電極８、９のピツチＬ、電極対数Ｎ、表面波の音速８
等に関係する。ここで、弾性表面波フイルタ１２の周波
数例えば精度良く測定できる１つのノツチ周波数ｆ１又
はＦ２を測定すれば、そのノツチ周波数ｆ１又はＦ２か
らストライプ状電極８、９の実寸法が換算され、このス
トライプ電極８、９の寸法精度をもつてそのマスク原版
４の主パターン５の寸法精度が測定できる。
従つて、本例では各マスク原版４Ａ、４Ｂ、４Ｃのスト
ライプ状電極パターン６を利用して形成した各弾性表面
波フイルタ１２の１つのノツチ周波数ｆ１又はＦ２を測
定して各マスク原版４Ａ、４Ｂ１４Ｃ、・・・・・・の
主パターン５の寸法精度を判別する。
ライプ状電極パターン６を利用して形成した各弾性表面
波フイルタ１２の１つのノツチ周波数ｆ１又はＦ２を測
定して各マスク原版４Ａ、４Ｂ１４Ｃ、・・・・・・の
主パターン５の寸法精度を判別する。
各マスク原版４Ａ、４Ｂ、４Ｃｃ・・・・・・・・の主
パターン５の寸法精度が判別できれば、その中から目的
に応じた高精度のマスク原版を選び、その選択されたマ
スク原版をもつて半導体装置の製造を行えば高精度の半
導体装置が得られる。因みに、上述の如くして得た複数
のマスク原版４において、理論値のノツチ周波数６０。
２５ＭＨｚに対してノツチ周波数が６０．２５ＭＨｚ士
５０ＫＨｚの範囲に入るマスク原版が得られ、これはパ
ターン寸法に換算するとストライプ状電極のピツチで±
０．０３μ、数詣全長のトランスジユーサ間で±１μの
精度に相当する。
パターン５の寸法精度が判別できれば、その中から目的
に応じた高精度のマスク原版を選び、その選択されたマ
スク原版をもつて半導体装置の製造を行えば高精度の半
導体装置が得られる。因みに、上述の如くして得た複数
のマスク原版４において、理論値のノツチ周波数６０。
２５ＭＨｚに対してノツチ周波数が６０．２５ＭＨｚ士
５０ＫＨｚの範囲に入るマスク原版が得られ、これはパ
ターン寸法に換算するとストライプ状電極のピツチで±
０．０３μ、数詣全長のトランスジユーサ間で±１μの
精度に相当する。
このように、ー７ −８周波数として求め
た場合には１０〜１０ のオーダの精測が可能であり、よつてマスク原版４の精
度確認は従来の光学的確認に比し格段的に高精度となる
。
た場合には１０〜１０ のオーダの精測が可能であり、よつてマスク原版４の精
度確認は従来の光学的確認に比し格段的に高精度となる
。
上例においては、実際に用いるマスク原版に適用した場
合であるが、この他例えば縮写装置の縮写レンズのレン
ズ収差による癖をチエツクする場合にも適用できる。
合であるが、この他例えば縮写装置の縮写レンズのレン
ズ収差による癖をチエツクする場合にも適用できる。
第５図及び第６図はその場合の一例である。レンズ収差
に於て、球面収差は画面の中心と周辺で変らないが、非
点収差、コマ収差、歪収差等は画面の中心と周辺で大き
く変わり、一般には画面の対角線の長さＤとレンズの焦
点距離ｆの比Ｄ／ｆが大きくなるに従つて（周辺に行く
に従つて）急速に大きくなる。
に於て、球面収差は画面の中心と周辺で変らないが、非
点収差、コマ収差、歪収差等は画面の中心と周辺で大き
く変わり、一般には画面の対角線の長さＤとレンズの焦
点距離ｆの比Ｄ／ｆが大きくなるに従つて（周辺に行く
に従つて）急速に大きくなる。
従つて本例では、先づ第５図に示すように対角線上に互
に直交した計測用の同一寸法形状の複数の弾性表面波素
子用ストライプ状電極パターン１３を配置したチヤート
１４を作成し、このチヤート１４をチエツクすべき縮写
レンズを介して縮写し第６図に示す実寸法のストライプ
状電極パターン１６を有するマスク原版１５を作成する
。このマスク原版１５の各ストライプ状電極パターン１
６から夫々第３図に示す如き弾性表面波フイルタを形成
し、夫々の弾性表面波フイルタのノツチ周波数を測定し
、マスク原版１５の中心と周辺のノツチ周波数のずれを
測定する。かくすればこのときの縮写レンズの収差によ
る画面各部での縮写寸法のずれ所謂レンズの癖をチエツ
クできる。従つて、縮写レンズの癖が判れば、この縮写
レンズを用いて縮写する場合に、予め拡大原図のパター
ンを修正することができ、より正確な縮写が期待できる
。上述せる如く、マスク原版に弾性表面波素子用のスト
ライプ状電極パターンを併設することにより、そのマス
ク原版のパターン寸法精度を高精度に測定することがで
き、従つて例えば半導体製造技術等に於て用いるマスク
原版或はその適正マスクの選択に適用でき、又は縮写装
置に｝ける縮写レンズの収差による癖をチエツクし補正
によつてより正確な縮写を行う場合に適用して好適なら
しめるものである。
に直交した計測用の同一寸法形状の複数の弾性表面波素
子用ストライプ状電極パターン１３を配置したチヤート
１４を作成し、このチヤート１４をチエツクすべき縮写
レンズを介して縮写し第６図に示す実寸法のストライプ
状電極パターン１６を有するマスク原版１５を作成する
。このマスク原版１５の各ストライプ状電極パターン１
６から夫々第３図に示す如き弾性表面波フイルタを形成
し、夫々の弾性表面波フイルタのノツチ周波数を測定し
、マスク原版１５の中心と周辺のノツチ周波数のずれを
測定する。かくすればこのときの縮写レンズの収差によ
る画面各部での縮写寸法のずれ所謂レンズの癖をチエツ
クできる。従つて、縮写レンズの癖が判れば、この縮写
レンズを用いて縮写する場合に、予め拡大原図のパター
ンを修正することができ、より正確な縮写が期待できる
。上述せる如く、マスク原版に弾性表面波素子用のスト
ライプ状電極パターンを併設することにより、そのマス
ク原版のパターン寸法精度を高精度に測定することがで
き、従つて例えば半導体製造技術等に於て用いるマスク
原版或はその適正マスクの選択に適用でき、又は縮写装
置に｝ける縮写レンズの収差による癖をチエツクし補正
によつてより正確な縮写を行う場合に適用して好適なら
しめるものである。
第１図は本発明を半導体装置用のマスク原版に適用した
場合の拡大製図された原図の一例を示す平面図、第２図
は第１図の原図より縮写して得た複数の本発明によるマ
スク原版の平面図、第３図は本発明の説明に供する表面
波フイルタの一例を示す平面図、第４図はその周波数特
性図、第５図は本発明を縮写レンズのくせのチエツクに
適用した場合の拡大製図されたチヤートの平面図、第６
図は第５図のチヤートから縮写して得た本発明によるマ
スク原版の平面図である。 １は原図、２、５は主パターン、３、６は弾性表面波素
子用ストライプ状電極パターン、４〔４Ａ１４Ｂ１４Ｃ
、４Ｄ、４Ｅ１・・・・・・〕はマスク原版である。
場合の拡大製図された原図の一例を示す平面図、第２図
は第１図の原図より縮写して得た複数の本発明によるマ
スク原版の平面図、第３図は本発明の説明に供する表面
波フイルタの一例を示す平面図、第４図はその周波数特
性図、第５図は本発明を縮写レンズのくせのチエツクに
適用した場合の拡大製図されたチヤートの平面図、第６
図は第５図のチヤートから縮写して得た本発明によるマ
スク原版の平面図である。 １は原図、２、５は主パターン、３、６は弾性表面波素
子用ストライプ状電極パターン、４〔４Ａ１４Ｂ１４Ｃ
、４Ｄ、４Ｅ１・・・・・・〕はマスク原版である。
Claims (1)
- １ 所望のパターンと弾性表面波素子用ストライプ状電
極パターンを併設してなるマスク原版より弾性表面波素
子を作成し、その周波数特性の測定により、原版のパタ
ーン精度を測定するマスク原版のパターン精度確認方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50081299A JPS5910054B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | マスク原版のパタ−ン精度確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50081299A JPS5910054B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | マスク原版のパタ−ン精度確認方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS524784A JPS524784A (en) | 1977-01-14 |
| JPS5910054B2 true JPS5910054B2 (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=13742502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50081299A Expired JPS5910054B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | マスク原版のパタ−ン精度確認方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910054B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937693A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電波シ−ル装置 |
| JPS61124092A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置の扉装置 |
-
1975
- 1975-06-30 JP JP50081299A patent/JPS5910054B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS524784A (en) | 1977-01-14 |
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