JPS5910242A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5910242A JPS5910242A JP57118565A JP11856582A JPS5910242A JP S5910242 A JPS5910242 A JP S5910242A JP 57118565 A JP57118565 A JP 57118565A JP 11856582 A JP11856582 A JP 11856582A JP S5910242 A JPS5910242 A JP S5910242A
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- JP
- Japan
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- resin
- header
- semiconductor device
- droop
- sealed
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置における放熱体構造に関
する。
する。
樹脂封止型半導体装置は、銅のごとき熱良導性の金属厚
板からなるヘッダと称する放熱体の上にパワー用トラン
ジスタやノくワー用Ｉ Ｃ（集ｆｉ回路）の形成された
半導体素子を接続し、放熱体と一体的に形成した複数の
外部リードと半導体素子の電極との間をワイヤと称する
金線を介して電気的に接続した後、半導体素子を包囲す
るように有機相のリードの外端を樹脂体の外部に露出さ
せるとともに、放熱体の底面を樹脂体の底面と同じ平面
として露出させるものである。
板からなるヘッダと称する放熱体の上にパワー用トラン
ジスタやノくワー用Ｉ Ｃ（集ｆｉ回路）の形成された
半導体素子を接続し、放熱体と一体的に形成した複数の
外部リードと半導体素子の電極との間をワイヤと称する
金線を介して電気的に接続した後、半導体素子を包囲す
るように有機相のリードの外端を樹脂体の外部に露出さ
せるとともに、放熱体の底面を樹脂体の底面と同じ平面
として露出させるものである。
ところで、上記の放熱体は金属厚板をプレス機によシ機
械加工して所定の輪郭に形成されるが金属厚板を打ち抜
く際に、プレスの金型が最初にあたる面の切断部に「ダ
レ」と呼ばれる潰れた縁部が生じるとともに金型が脱出
する面の切断部には、「パリ」と呼ばれる突起が生じる
のが普通である。
械加工して所定の輪郭に形成されるが金属厚板を打ち抜
く際に、プレスの金型が最初にあたる面の切断部に「ダ
レ」と呼ばれる潰れた縁部が生じるとともに金型が脱出
する面の切断部には、「パリ」と呼ばれる突起が生じる
のが普通である。
このような「ダレ」及び「パリ」を有する放熱体を用い
て樹脂封止半導体装置を製造するにあたって、「パリ」
のある面を下にした場合、第１図に示すように樹脂体２
によシ封止された放熱体１の露出する下面で「パリ」３
が突出して実装される配線基板に損傷を与えることがあ
シ、予め「パリ」取シ作業を行々う必要がある。一方、
「パリ」のある面を上にすれば、第２図に示すように、
放熱体の下面の「ダレ」部分４に樹脂体が回υこみ、「
樹脂のパリ」５を生じることによシ、半導体装定に実装
するために「樹脂のパリ」を取る作業が必要となった。
て樹脂封止半導体装置を製造するにあたって、「パリ」
のある面を下にした場合、第１図に示すように樹脂体２
によシ封止された放熱体１の露出する下面で「パリ」３
が突出して実装される配線基板に損傷を与えることがあ
シ、予め「パリ」取シ作業を行々う必要がある。一方、
「パリ」のある面を上にすれば、第２図に示すように、
放熱体の下面の「ダレ」部分４に樹脂体が回υこみ、「
樹脂のパリ」５を生じることによシ、半導体装定に実装
するために「樹脂のパリ」を取る作業が必要となった。
本発明は上記した問題を解消するもので、その目的とす
るところは、半導体装置の外観を向上するとともにパリ
取り作業を不要とする放熱体「ヘッダ」の提供にあり、
以下実施例に従って具体的に説明する。
るところは、半導体装置の外観を向上するとともにパリ
取り作業を不要とする放熱体「ヘッダ」の提供にあり、
以下実施例に従って具体的に説明する。
第３図に本発明を樹脂封止型パワー用トランジスタに適
用した場合の例が示される。同図において、１は放熱板
ヘッダで１ダレ」４のある面を下面として「パリ」のあ
る上面に、トランジスタ素子６を接続（ペレットボンデ
ィング）し、外部リード７と素子６の電極とを金ワイヤ
８により接続し、樹脂体２によシ封止しである。上記放
熱体の露出する下面（底面）には、樹脂体によシ囲まれ
た周辺部が突出するように底面内に浅い凹陥部９が形成
しである。第４図に第３図におけるＡ部分が拡大図示さ
れている。同図に示すようにヘッダの形状として樹脂モ
ールド後の樹脂体裏面に露出する底面の突出する縁部１
０の幅ａを約０．１１１１、凹陥部の深さｂを約０．０
：ｌ）ｍ程度とすることによりモールドの際の樹脂の回
シ込みが一部なくとも上記突出部１００幅ａ以下に抑え
られ「樹脂のパリ」の発生を防止することができる。
用した場合の例が示される。同図において、１は放熱板
ヘッダで１ダレ」４のある面を下面として「パリ」のあ
る上面に、トランジスタ素子６を接続（ペレットボンデ
ィング）し、外部リード７と素子６の電極とを金ワイヤ
８により接続し、樹脂体２によシ封止しである。上記放
熱体の露出する下面（底面）には、樹脂体によシ囲まれ
た周辺部が突出するように底面内に浅い凹陥部９が形成
しである。第４図に第３図におけるＡ部分が拡大図示さ
れている。同図に示すようにヘッダの形状として樹脂モ
ールド後の樹脂体裏面に露出する底面の突出する縁部１
０の幅ａを約０．１１１１、凹陥部の深さｂを約０．０
：ｌ）ｍ程度とすることによりモールドの際の樹脂の回
シ込みが一部なくとも上記突出部１００幅ａ以下に抑え
られ「樹脂のパリ」の発生を防止することができる。
第５図乃至第８図に本発明による樹脂封止型パワートラ
ンジスタを得るための製造工程の一部が示される。これ
を工程順に説明すると下記の通シである。
ンジスタを得るための製造工程の一部が示される。これ
を工程順に説明すると下記の通シである。
（１）銅系の厚板材から第１の金型１１を用いてプレス
しヘッダ部材１を打ち抜き形成する（第５図）。
しヘッダ部材１を打ち抜き形成する（第５図）。
このとき、ヘッダ部材に「パリ」３及び「ダレ」４が生
じる。
じる。
（２１第２の金型１２を用いてプレスヘッダ部材）「ダ
レ」を有する面に凹陥部９を形成する（第６図）。
レ」を有する面に凹陥部９を形成する（第６図）。
（３）ヘッダ部材の「パリ」のある面を上にし、半導体
６を接続（ペレットボンディング）し、次いで素子の電
極とリード７との間を金ワイヤ８で接続（ワイヤボンデ
ィング）する（第７図）。
６を接続（ペレットボンディング）し、次いで素子の電
極とリード７との間を金ワイヤ８で接続（ワイヤボンデ
ィング）する（第７図）。
（４）素子の接続されたヘッダ１をモールド型（図示し
々い）内に装填し、エポキシ系樹脂等によシ成形（モー
ルド）して樹脂封止体２をつくる。第８図は完成した樹
脂封止型半導体装置の側面から視た断面図、１３はビス
止め孔である。第９図は、同じく半導体装置の裏面を示
し、ヘッダ底面の凹陥部９により突出する縁部１０は、
樹脂封止体２によシ囲まれた周辺の一部に限られる。
々い）内に装填し、エポキシ系樹脂等によシ成形（モー
ルド）して樹脂封止体２をつくる。第８図は完成した樹
脂封止型半導体装置の側面から視た断面図、１３はビス
止め孔である。第９図は、同じく半導体装置の裏面を示
し、ヘッダ底面の凹陥部９により突出する縁部１０は、
樹脂封止体２によシ囲まれた周辺の一部に限られる。
以上実施例によシ述べた本発明によればヘッダの樹脂封
止体よシ露出する底面に凹陥部を形成しておくことによ
り、ヘッダの「ダレ」のある近傍で周囲の樹脂体は部分
的に接触するため、その部分の面圧が高くなシ「樹脂の
パリ」の発生が阻止されると同時に、樹脂の１もれ」を
防止することができ、外観上の見苦しさがなくなるとと
もに、パリ取り作業が不要となり、コスト節減ができる
等の諸効果がもたらされる。
止体よシ露出する底面に凹陥部を形成しておくことによ
り、ヘッダの「ダレ」のある近傍で周囲の樹脂体は部分
的に接触するため、その部分の面圧が高くなシ「樹脂の
パリ」の発生が阻止されると同時に、樹脂の１もれ」を
防止することができ、外観上の見苦しさがなくなるとと
もに、パリ取り作業が不要となり、コスト節減ができる
等の諸効果がもたらされる。
本発明は前記実施例に限定されることなく、他の形式の
半導体装置のヘッダにも同様に応用できる。第１０図は
樹脂封止型パワーＩＣに本発明を適用した例を裏面図で
示すものである。この場合、樹脂封止体はヘッダの周辺
全部を囲み、ヘッダ底面の凹陥部によって突出する縁部
１０は、周辺全部にわたっている。
半導体装置のヘッダにも同様に応用できる。第１０図は
樹脂封止型パワーＩＣに本発明を適用した例を裏面図で
示すものである。この場合、樹脂封止体はヘッダの周辺
全部を囲み、ヘッダ底面の凹陥部によって突出する縁部
１０は、周辺全部にわたっている。
本発明は高消費電力用のＩＣに適用して特に有効である
。
。
第１図及び第２図は在来の樹脂封止型トランジスタの例
を内部構造で示す断面図である。 第３図は本発明による樹脂封止型トランジスタの実施例
を示す断面図。 第４図は第３図におけるＡ部拡大図である。 第５図乃至第８図は本発明による樹脂封止型半導体装置
の製造プロセスの一部を示し、第５図〜第７図は正面断
面図であられし、第８図は側面断面図によりあられす。 第９図及び第１０図は本発明による樹脂封止型半導体装
置の各実施例を示す底面図である。 １・・・放熱体（ヘッダ）、２・・・樹脂封止体−３・
・・「パリ」、４・・「ダレ」、５・・・「樹脂のパリ
」、６・・・半導体素子、７・・・リード、８・・・金
ワイヤ、９凹陥部、１０・・・突出縁部、１１・・・第
１の金型、１２・・・第２の金型、１３・・・ビス止め
孔。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
を内部構造で示す断面図である。 第３図は本発明による樹脂封止型トランジスタの実施例
を示す断面図。 第４図は第３図におけるＡ部拡大図である。 第５図乃至第８図は本発明による樹脂封止型半導体装置
の製造プロセスの一部を示し、第５図〜第７図は正面断
面図であられし、第８図は側面断面図によりあられす。 第９図及び第１０図は本発明による樹脂封止型半導体装
置の各実施例を示す底面図である。 １・・・放熱体（ヘッダ）、２・・・樹脂封止体−３・
・・「パリ」、４・・「ダレ」、５・・・「樹脂のパリ
」、６・・・半導体素子、７・・・リード、８・・・金
ワイヤ、９凹陥部、１０・・・突出縁部、１１・・・第
１の金型、１２・・・第２の金型、１３・・・ビス止め
孔。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
Claims (1)
- １、放熱体の上に半導体素子を接続し、この半導体素子
を包囲１〜、放熱体の底面と同じ平面にその底面を有す
る樹脂体によシ封止して成る樹脂封止型半導体装置にお
いて、上記放熱体底面の周辺部は突出していることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118565A JPS5910242A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118565A JPS5910242A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910242A true JPS5910242A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14739738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118565A Pending JPS5910242A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910242A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237756A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Citizen Watch Co Ltd | 放熱板付半導体装置 |
| JP2010199494A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2013065474A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2014007294A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57118565A patent/JPS5910242A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237756A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Citizen Watch Co Ltd | 放熱板付半導体装置 |
| JP2010199494A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US9905499B2 (en) | 2011-10-30 | 2018-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013065474A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN104025287A (zh) * | 2011-10-31 | 2014-09-03 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
| US9070659B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9613883B2 (en) | 2011-10-31 | 2017-04-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10504822B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-12-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014007294A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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