JPS59105647A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPS59105647A JPS59105647A JP57217177A JP21717782A JPS59105647A JP S59105647 A JPS59105647 A JP S59105647A JP 57217177 A JP57217177 A JP 57217177A JP 21717782 A JP21717782 A JP 21717782A JP S59105647 A JPS59105647 A JP S59105647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripe
- monitor
- pattern
- photomask
- accuracy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、写真製版工程に使用されるフォトマスクに
関するものである。
関するものである。
集積回路などの半導体装置を製造する場合。
一般にフォトリングラフィ技術によりバタン形成が行な
われる。
われる。
近年この種の装置の集稍度が高くなる一方、バタン精度
、ポね合せ札度等、増々フォトマスクの品質精度が向上
し、製造工程も’ＪＡ １ｔｌｔ化している。このため
、微細加工が容易で筒精度、高速マスクメーキングが可
能な電子ビーム露光装置により作成されはじめている。
、ポね合せ札度等、増々フォトマスクの品質精度が向上
し、製造工程も’ＪＡ １ｔｌｔ化している。このため
、微細加工が容易で筒精度、高速マスクメーキングが可
能な電子ビーム露光装置により作成されはじめている。
電子ビーム市光装置（ＥＢ露露光装置上、ＫＢテ゛−ク
ーに従い所定のスキャン幅で谷チップを連続的に露光す
ることにより、フォトマスク全作成している。
ーに従い所定のスキャン幅で谷チップを連続的に露光す
ることにより、フォトマスク全作成している。
以下、従来のフォトマスクの製造および検査方法につい
て説明する。オ１図にその一例を示す。ラスタースキャ
ンタイプのＶ Ｂ ’７３’光装置は図に示すように所
定のスキャン幅で、ラスクー（３）ラスキャンしつつ、
フォトマスクｆｉ＋全面ヲ露光しパターン（２）を形成
している。従って、１チツプのデークーは、何ストライ
プにも分割され露光されるので、必ずチップ内は、スト
ライプの継ぎ部分が問題となってくる。また従来の光力
法によるフォトマスク作成方法とは異り、毎回Ｅ Ｂデ
ーターに従り作成するのでバタンの保障が問題となって
いる。このような方法でフォトマスク全作成しているた
め、バタンの継ぎ都の検査は毎回不可欠であり、全スト
ライプについてそれが保障されなけれはならなかった。
て説明する。オ１図にその一例を示す。ラスタースキャ
ンタイプのＶ Ｂ ’７３’光装置は図に示すように所
定のスキャン幅で、ラスクー（３）ラスキャンしつつ、
フォトマスクｆｉ＋全面ヲ露光しパターン（２）を形成
している。従って、１チツプのデークーは、何ストライ
プにも分割され露光されるので、必ずチップ内は、スト
ライプの継ぎ部分が問題となってくる。また従来の光力
法によるフォトマスク作成方法とは異り、毎回Ｅ Ｂデ
ーターに従り作成するのでバタンの保障が問題となって
いる。このような方法でフォトマスク全作成しているた
め、バタンの継ぎ都の検査は毎回不可欠であり、全スト
ライプについてそれが保障されなけれはならなかった。
さらに、従来の方法ではスキャン幅を正確に測る方法が
なく ＋ ｌ１ｌｄＪ定か不可能であった。
なく ＋ ｌ１ｌｄＪ定か不可能であった。
以上のように従来のフォトマスク作成方法では、正１ｆ
（１ｙ’ｘ継ぎ部分の測定および、スキャン幅の測定が
各マスクについて行なうことができず。
（１ｙ’ｘ継ぎ部分の測定および、スキャン幅の測定が
各マスクについて行なうことができず。
精度のよいフォトマスクを作成することができないとい
う欠点があった。
う欠点があった。
この発明は以上のような欠点を除去するだめになされた
もので、正規バタン以外の正規配列外ニモニターバタン
全配列させ、フォトマスクのｊ精度を確認できるフォト
マスクを提供することを目的としている。
もので、正規バタン以外の正規配列外ニモニターバタン
全配列させ、フォトマスクのｊ精度を確認できるフォト
マスクを提供することを目的としている。
以下実施例について説明する。第２図はこの発明による
フォトマスク作成方法の一実施例を示す図である。１ず
、ＥＢデーターに従いモニターバタンＩ４１ ｋ ＪＭ
画するが、モニターバタン（４）は（４Ａ）と（４Ｂ）
に分割されておシ、（４Ａ）のみを最初に露光する。
フォトマスク作成方法の一実施例を示す図である。１ず
、ＥＢデーターに従いモニターバタンＩ４１ ｋ ＪＭ
画するが、モニターバタン（４）は（４Ａ）と（４Ｂ）
に分割されておシ、（４Ａ）のみを最初に露光する。
モニタ−バタン＋４１ｉｄ第２図のように構成されてお
り、スキャン・、吊ストライプ継ぎ部のｊ′ｌ−１度が
チェックできるバタンにより１４４成され全チップバタ
ン（２）全作図完了後、（４Ａ）のバタンと同様なバタ
ン（４Ｂ ） ｋ作図する構成となっている。モニター
バタン（４Ａ）の１ストライプ１５）ヲマスク面内４個
所についてｉ、ｌに元完了後、モニターバタン（４Ａ）
の部分を作図完了し１次に本バタンの１ストライプにつ
いて第２図に示したようにマスク生血に穫り順次露光し
ていく。Ｆ、Ｂデーグーに従い本バタン全部露光冗了置
再ひモ５ユタバタンＩ４１（ｚＪ光する。モニターバタ
ン（４１のうち。
り、スキャン・、吊ストライプ継ぎ部のｊ′ｌ−１度が
チェックできるバタンにより１４４成され全チップバタ
ン（２）全作図完了後、（４Ａ）のバタンと同様なバタ
ン（４Ｂ ） ｋ作図する構成となっている。モニター
バタン（４Ａ）の１ストライプ１５）ヲマスク面内４個
所についてｉ、ｌに元完了後、モニターバタン（４Ａ）
の部分を作図完了し１次に本バタンの１ストライプにつ
いて第２図に示したようにマスク生血に穫り順次露光し
ていく。Ｆ、Ｂデーグーに従い本バタン全部露光冗了置
再ひモ５ユタバタンＩ４１（ｚＪ光する。モニターバタ
ン（４１のうち。
上記で沙べた（４Ａ）と同様なバタン（４Ｂ）の１スト
ライプｔｅｌ ｋ 露光する。
ライプｔｅｌ ｋ 露光する。
金モニターバタン＋４１ｉ−露光し、露光が完了する。
このような方法をとれば、ストライプの４１部を必ずチ
ェックすることができ、−また、ストライプ内のおよび
、ストライプ界面の精度のチェックが可能である。モニ
ターバタン（４）は露光の最初と最後に露光されるので
（４Ａ）（４Ｂ）の位冒すれからマスクバクンの長時間
ドリフト７ｉが）１′〆る。
ェックすることができ、−また、ストライプ内のおよび
、ストライプ界面の精度のチェックが可能である。モニ
ターバタン（４）は露光の最初と最後に露光されるので
（４Ａ）（４Ｂ）の位冒すれからマスクバクンの長時間
ドリフト７ｉが）１′〆る。
なお、上記実施例では、モニターバタン（４）ヲマスク
内の４個所に配置１１シたが、これ以外の配置でもよく
、同様の効果を奏する。
内の４個所に配置１１シたが、これ以外の配置でもよく
、同様の効果を奏する。
また、モニターバタン（４）は（４Ａ） （４Ｂ）の２
分割による方法および２ストライブによる方法について
述べたが、これ以外でもよく同様の彷果ヲ奏スる。さら
にモニターバタン内のバタン形状について図に示すよう
なバタンについて述べ／ζが、これ以外でもよく同様の
効果を奏する。
分割による方法および２ストライブによる方法について
述べたが、これ以外でもよく同様の彷果ヲ奏スる。さら
にモニターバタン内のバタン形状について図に示すよう
なバタンについて述べ／ζが、これ以外でもよく同様の
効果を奏する。
本発明によれば、ＥＢ露光装置ｄにより作成されたフォ
トマスクの精度を正ａωｌこ定量的に把握できるため嶋
精度なフォトマスクの作成が容易となった。特に、ＥＢ
ｗ；光装置で問題となるスキャン幅、ストライプ継ぎ部
の精度がモニターバタンをチェックすることによシ、正
イ１ｆｆｌに把握でき、装置の精度をチェックする上で
非常に骨動な手段である。モニターバタン？！？実際に
作図露光するのに要する時間は極めて短く５本パタンを
作図露光するのに何ら支障を期たさない。
トマスクの精度を正ａωｌこ定量的に把握できるため嶋
精度なフォトマスクの作成が容易となった。特に、ＥＢ
ｗ；光装置で問題となるスキャン幅、ストライプ継ぎ部
の精度がモニターバタンをチェックすることによシ、正
イ１ｆｆｌに把握でき、装置の精度をチェックする上で
非常に骨動な手段である。モニターバタン？！？実際に
作図露光するのに要する時間は極めて短く５本パタンを
作図露光するのに何ら支障を期たさない。
モニターバタンには、フォトマスクの１八ツの方にある
ため、クエハーへの焼付転写ｆこは影響をおよほさない
。
ため、クエハーへの焼付転写ｆこは影響をおよほさない
。
他の実施例について説明する。上記説明ではＫＢ露光装
置についての７オトマスク（′ｉ ｉ 方法について述
べたが、ステップアンドリピート方式によるフォトマス
ク作成方法について以下に説明する。ステップアンドリ
ピート方式では第３図に示すようにあらかじめ本バタン
の１０倍の大きさを有するレチクル（６）を作成し、縮
少レンズにより 扇に縮少しマスク全面に渡り、ステッ
プアンドリピートしている。この方法においても上記説
明で述べたと同様製造装置の精度チェックは各マスクで
行なうことが不可能であった。
置についての７オトマスク（′ｉ ｉ 方法について述
べたが、ステップアンドリピート方式によるフォトマス
ク作成方法について以下に説明する。ステップアンドリ
ピート方式では第３図に示すようにあらかじめ本バタン
の１０倍の大きさを有するレチクル（６）を作成し、縮
少レンズにより 扇に縮少しマスク全面に渡り、ステッ
プアンドリピートしている。この方法においても上記説
明で述べたと同様製造装置の精度チェックは各マスクで
行なうことが不可能であった。
ステップアンドリピート方法においも、製造装置の精度
をチェックするため、あらかじめオ番図に示すように精
度チェック用のレチクル（７）を作成しておきフォトマ
スクの隅に焼付露光する。
をチェックするため、あらかじめオ番図に示すように精
度チェック用のレチクル（７）を作成しておきフォトマ
スクの隅に焼付露光する。
レチクルに自己筒するバタンとしては、たとえ１ゲｈ＜
ｔｊ 少４にチェック用バタン、トータルピンｆｆニッ
クバタン、ディストーションチェック用パクン等のモニ
ターバタン（８）を配置シておく。
ｔｊ 少４にチェック用バタン、トータルピンｆｆニッ
クバタン、ディストーションチェック用パクン等のモニ
ターバタン（８）を配置シておく。
このようにすれば、ステップアンドリピート方式により
作成されたフォトマスクの精度を一６マスクについて正
（１π１こ把握できるため、筒精度な７オトマスクの作
成が可能となる。
作成されたフォトマスクの精度を一６マスクについて正
（１π１こ把握できるため、筒精度な７オトマスクの作
成が可能となる。
第１図は従来のＥＢ露光装置による油Ｂフォトマスクの
作成方法および７オトマスクケ示す説明図、第２図は本
発明によるＥＢ露元装置の描画方法および、フォトマス
クを示す説明図。 第８図は従来のステップアンドリピート方式によるフォ
トマスクの作成方法およびフォトマスクを示す説明図、
第４図は本発明によるステップアンドリピート方式のフ
ォトマスクの作成方法および）オドマスクを示す説明図
である。 図において１１）はフォトマスク、）２）は正規バタン
、（３）はラスター、（４）はモニターバタン、（４Ａ
）１、４Ｂ ）はモニターバタン内のチェックバタン＋
５１ ｆｊストライプである。 なお図中間−符号は、同一または４・（」歯部分を示す
。 代理人 烏 野 信 − 第１ν１ 第２図 ４Ａ ４Ｂ 第３図 第４図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 ’ｔ、’＋１ｇｒｉ昭５７−２
１７１７７ 号２、発明の名称 フォトマスク ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６１ＩＭ正の内容 ｑλ明細１１）をつぎのとおり訂正する。
作成方法および７オトマスクケ示す説明図、第２図は本
発明によるＥＢ露元装置の描画方法および、フォトマス
クを示す説明図。 第８図は従来のステップアンドリピート方式によるフォ
トマスクの作成方法およびフォトマスクを示す説明図、
第４図は本発明によるステップアンドリピート方式のフ
ォトマスクの作成方法および）オドマスクを示す説明図
である。 図において１１）はフォトマスク、）２）は正規バタン
、（３）はラスター、（４）はモニターバタン、（４Ａ
）１、４Ｂ ）はモニターバタン内のチェックバタン＋
５１ ｆｊストライプである。 なお図中間−符号は、同一または４・（」歯部分を示す
。 代理人 烏 野 信 − 第１ν１ 第２図 ４Ａ ４Ｂ 第３図 第４図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 ’ｔ、’＋１ｇｒｉ昭５７−２
１７１７７ 号２、発明の名称 フォトマスク ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６１ＩＭ正の内容 ｑλ明細１１）をつぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- 正規バタンか配列されたフォトマスクにおいて、正規バ
タン以外に、正規バタンの（ｈ度ヲイ１ζ認できるモニ
ターバタンを有していることを特徴とするフォトマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217177A JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217177A JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082326A Division JPS63288018A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105647A true JPS59105647A (ja) | 1984-06-19 |
| JPS6344220B2 JPS6344220B2 (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=16700065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217177A Granted JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105647A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124129A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS63288018A (ja) * | 1988-04-05 | 1988-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| US5296917A (en) * | 1992-01-21 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of monitoring accuracy with which patterns are written |
| JP2011034120A (ja) * | 2010-11-17 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | フォトマスクペア |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
| JPS5552143U (ja) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57217177A patent/JPS59105647A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
| JPS5552143U (ja) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124129A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS63288018A (ja) * | 1988-04-05 | 1988-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| US5296917A (en) * | 1992-01-21 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of monitoring accuracy with which patterns are written |
| JP2011034120A (ja) * | 2010-11-17 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | フォトマスクペア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344220B2 (ja) | 1988-09-02 |
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