JPS5910901A - 光学積層物 - Google Patents
光学積層物Info
- Publication number
- JPS5910901A JPS5910901A JP57121072A JP12107282A JPS5910901A JP S5910901 A JPS5910901 A JP S5910901A JP 57121072 A JP57121072 A JP 57121072A JP 12107282 A JP12107282 A JP 12107282A JP S5910901 A JPS5910901 A JP S5910901A
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- JP
- Japan
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- substrate
- vapor
- deposited
- sio2
- tio2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば薄いガラスのような基板の上に複層の
蒸着膜を積層した光学積層物に関する。
蒸着膜を積層した光学積層物に関する。
ガラスやプラスチックのような基板の上に、高屈折率の
ZrO,及び低屈折率のsio、2交互に積層し7て得
られる干渉現象全利用したフィルター、ダイクロインク
ミラー、エタロン板、高反射ミラーなどのような光学積
層物は、既に知られている。
ZrO,及び低屈折率のsio、2交互に積層し7て得
られる干渉現象全利用したフィルター、ダイクロインク
ミラー、エタロン板、高反射ミラーなどのような光学積
層物は、既に知られている。
これまで基板は蒸着膜に比べると非常に厚かったので問
題にならなかったが、基板が薄いとか、加えて剛性の小
さなプラスチック製であるとか、蒸着膜が多層で非常に
厚いような場合には、蒸着膜の内部応力によって僅かで
はあるが基板が変形(歪み)奮起こし、この変形が光学
系に態形#全与えることが判った。これにより、例えば
平行光が基板に入射しても、反射光及び透過光は発散又
は収束してし捷うことがある。この不都合を解消するた
め、蒸着膜中に内部応力が生じないように基板全加熱せ
ずに常温で蒸着する方法が考えられたが、基板温度が低
いと膜強度及び基板との接着強度が弱く好1しくなかっ
た。
題にならなかったが、基板が薄いとか、加えて剛性の小
さなプラスチック製であるとか、蒸着膜が多層で非常に
厚いような場合には、蒸着膜の内部応力によって僅かで
はあるが基板が変形(歪み)奮起こし、この変形が光学
系に態形#全与えることが判った。これにより、例えば
平行光が基板に入射しても、反射光及び透過光は発散又
は収束してし捷うことがある。この不都合を解消するた
め、蒸着膜中に内部応力が生じないように基板全加熱せ
ずに常温で蒸着する方法が考えられたが、基板温度が低
いと膜強度及び基板との接着強度が弱く好1しくなかっ
た。
本発明者らは、zro、及び5ho2の内部応力が共に
圧縮応力でおることに鑑み、隣接する一対の膜の内部応
力を釣合わせることにより相殺して基板に対する応力の
影響全消失させる技術に着目した。そこでzro、と疎
ぼ等しい高屈折率を有し、かつSiO2の圧縮応力を相
殺するのに必要十分な弓1張応力を示す物質を得るべく
研究したところ、Ti01が目的とする引張応力を示す
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
圧縮応力でおることに鑑み、隣接する一対の膜の内部応
力を釣合わせることにより相殺して基板に対する応力の
影響全消失させる技術に着目した。そこでzro、と疎
ぼ等しい高屈折率を有し、かつSiO2の圧縮応力を相
殺するのに必要十分な弓1張応力を示す物質を得るべく
研究したところ、Ti01が目的とする引張応力を示す
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は、積層される蒸着膜の内部応力によって
変形する基板の上に内部応カ全有するTiO7及びsi
o、蒸着膜を一回ないし多数回交互に積層してなり、か
つ前記5iotの圧縮応力がTie。
変形する基板の上に内部応カ全有するTiO7及びsi
o、蒸着膜を一回ないし多数回交互に積層してなり、か
つ前記5iotの圧縮応力がTie。
の引張応力で相殺されていること全特徴とする光学積層
物全提供する。
物全提供する。
以下、図面全引用して夾施例により本発明全具体的に説
明する。
明する。
第1図は断面図であり、下記蒸着条件で基板ガラス(す
に圧縮応力を示すS i O,(2) f蒸着すると第
1図(a)の如く変形し、他方引張応カ全示すT i
0t(3)全蒸着すると第1図(b)の如く変形した。
に圧縮応力を示すS i O,(2) f蒸着すると第
1図(a)の如く変形し、他方引張応カ全示すT i
0t(3)全蒸着すると第1図(b)の如く変形した。
(基板ガラス)
長さl=28mm
幅 =18朋
厚さ = 0.5 mrx
硝種 =BSC7
ヤング率E = 7.13X10”dyn/ctAポア
ソン比ν=022 (蒸着条件) Tto。
ソン比ν=022 (蒸着条件) Tto。
膜厚:500人
基板温度:300℃
真空度 、 5X10 Torr 、まで排気後、02
ガ/(i 2.5XIOTo r r 、導入蒸着方法
: TiOを活性化蒸着 蒸着速度:〜1o^/sec。
ガ/(i 2.5XIOTo r r 、導入蒸着方法
: TiOを活性化蒸着 蒸着速度:〜1o^/sec。
S10゜
膜厚:1000^
基板温度:300℃
X9度 : 2.0X10 Torr、tで排気後、0
2ガスf g5X10 Torr 、導入蒸着方法:5
IOs’に電子ビーム加熱蒸着蒸着速度:2〜5 ^/
Sec。
2ガスf g5X10 Torr 、導入蒸着方法:5
IOs’に電子ビーム加熱蒸着蒸着速度:2〜5 ^/
Sec。
ZrO。
膜厚:500人
基板温度:300℃
真空度 : 1.OX]OTorr。
蒸着方法”Zr0tk電子ビ一ム加熱蒸着蒸着速度:3
〜5 ^/sec。
〜5 ^/sec。
既に知られているように蒸着膜中の応力は、次の式によ
って求められる。
って求められる。
基板を矩形とし、膜全体の応力全σとすると、E:基板
のヤング率 b: 〃の厚さ l: 〃の長さく長手方向) ν: 〃のポアソン比 Δ:基板の歪み量(両端自由で中心点の歪み) である。
のヤング率 b: 〃の厚さ l: 〃の長さく長手方向) ν: 〃のポアソン比 Δ:基板の歪み量(両端自由で中心点の歪み) である。
この結果、測定された各蒸着膜の内部応力σは次の通り
であった。
であった。
Tie、 : 1.2X10’dyn/d (引張
)S io、 : 1.3XIO’ dyn/c++
1 (圧縮)ZrOt: 0.9XIO’ dyn
/a+! (圧縮)次に第2図(断面図)に示すよう
に前記蒸着条件と同じ条件で基板ガラス(1)の上に、
T r o2又UZrO□とそのヒに5IOtk交互に
7層重ねて蒸着した。
)S io、 : 1.3XIO’ dyn/c++
1 (圧縮)ZrOt: 0.9XIO’ dyn
/a+! (圧縮)次に第2図(断面図)に示すよう
に前記蒸着条件と同じ条件で基板ガラス(1)の上に、
T r o2又UZrO□とそのヒに5IOtk交互に
7層重ねて蒸着した。
この結果得られた光学積層物の基板面の歪みは次の通り
であった。
であった。
osio、/TiO,の交互層一応力がほぼ釣合ってい
る。
る。
5461大の単色光によるニュートンリング(干渉縞)
が凹面で1本 o S 40. /ZrO,の交互層一応力が釣合って
いない。
が凹面で1本 o S 40. /ZrO,の交互層一応力が釣合って
いない。
同 17本
以上の結果から明らかなように、隣接する蒸着膜の内部
応力を互に釣合わせることにより相殺させた本発明の光
学積層物ぼ、基板面の歪みが事実上無視し得るほど少な
く、従って、高度の面精度が要求されるエタロン板、干
渉フィルター、ダイクロイックミラー、高反射ミラーな
どに利用可能である。なお、基板に直接接触するのけT
i o、に限るものではすく、用途によってはsio
、7接触させてもよい。基板はガラスに限らずプラスチ
ックでもよく、また基板面は平面に限らず、所定の目的
金持った曲面でもよい。
応力を互に釣合わせることにより相殺させた本発明の光
学積層物ぼ、基板面の歪みが事実上無視し得るほど少な
く、従って、高度の面精度が要求されるエタロン板、干
渉フィルター、ダイクロイックミラー、高反射ミラーな
どに利用可能である。なお、基板に直接接触するのけT
i o、に限るものではすく、用途によってはsio
、7接触させてもよい。基板はガラスに限らずプラスチ
ックでもよく、また基板面は平面に限らず、所定の目的
金持った曲面でもよい。
蒸着方法も真空蒸着に限らず、スノくツタリング、イオ
ンブレーティング、CVDなとの方法でもよい。
ンブレーティング、CVDなとの方法でもよい。
第1図及び第2図は断面図である。
出願人 日本光学工業株式会社
代理人 渡 辺 隆 男
Claims (1)
- 積層される蒸着膜の内部応力によって変形を生じる基板
の上にTtO□蒸着膜とSiO1蒸着膜が交互に積層し
てなり、前記sho、膜の内部応力と前記TlO2膜の
内部応力が釣合っていることを特徴とする光学積層物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121072A JPS5910901A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光学積層物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121072A JPS5910901A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光学積層物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910901A true JPS5910901A (ja) | 1984-01-20 |
Family
ID=14802143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57121072A Pending JPS5910901A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光学積層物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910901A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134231A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-17 | Showa Denko Kk | 積層物の製造方法及びその製造装置 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JP2007063574A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Showa Shinku:Kk | 多層膜の成膜方法および成膜装置 |
| WO2009016658A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Galileo Avionica S.P.A. | Preliminary controlled pre-deformation treatment for the production of mirrors |
| JP2010210782A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | マイクロミラー装置 |
| JP2019149480A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法 |
| WO2024181319A1 (ja) * | 2023-02-28 | 2024-09-06 | 東海光学株式会社 | 光学薄膜 |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57121072A patent/JPS5910901A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134231A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-17 | Showa Denko Kk | 積層物の製造方法及びその製造装置 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JP2007063574A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Showa Shinku:Kk | 多層膜の成膜方法および成膜装置 |
| WO2009016658A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Galileo Avionica S.P.A. | Preliminary controlled pre-deformation treatment for the production of mirrors |
| JP2010210782A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | マイクロミラー装置 |
| JP2019149480A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法 |
| WO2024181319A1 (ja) * | 2023-02-28 | 2024-09-06 | 東海光学株式会社 | 光学薄膜 |
| EP4653926A1 (en) | 2023-02-28 | 2025-11-26 | Tokai Optical Co., Ltd. | Optical thin film |
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