JPS59110148A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59110148A JPS59110148A JP22828983A JP22828983A JPS59110148A JP S59110148 A JPS59110148 A JP S59110148A JP 22828983 A JP22828983 A JP 22828983A JP 22828983 A JP22828983 A JP 22828983A JP S59110148 A JPS59110148 A JP S59110148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating material
- container
- longitudinal axis
- flat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Noodles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、それぞれ方形の横断面を有する金属の下部と
絶縁材料上部からなる容器の中に収納された二つの半導
体素体、容器の縦軸に前後して並ぶ主端子および上部の
上面の狭い側において平プラグの形で引き出される四つ
の端子を備えた半導体装置に関する。
絶縁材料上部からなる容器の中に収納された二つの半導
体素体、容器の縦軸に前後して並ぶ主端子および上部の
上面の狭い側において平プラグの形で引き出される四つ
の端子を備えた半導体装置に関する。
二つのザイリスタ半導体素体を含むそのような半導体装
置は１例えばシーメンス社データブック（Ｓｉｅｍｅｎ
ｓ−Ｄａｔｅｎｂｕｃｈ ） ｒモジュ−ｋ （Ｍ
ｏｄｕｌｅ ） ｊ、１９８０／８１年、８ページ、第
７図から公知である。
置は１例えばシーメンス社データブック（Ｓｉｅｍｅｎ
ｓ−Ｄａｔｅｎｂｕｃｈ ） ｒモジュ−ｋ （Ｍ
ｏｄｕｌｅ ） ｊ、１９８０／８１年、８ページ、第
７図から公知である。
第一の補助端子の双方はゲート電極に導かれ、一方他の
補助端子の双方は補助カソード電位にある１；ＩＪ ＠
Ｎ ？）ｌｉのための補助カソード電極である。後者の
電イνの双方は制イ灯信号源をカソード電位に置くため
に役Ｖつ。
補助端子の双方は補助カソード電位にある１；ＩＪ ＠
Ｎ ？）ｌｉのための補助カソード電極である。後者の
電イνの双方は制イ灯信号源をカソード電位に置くため
に役Ｖつ。
上述の種類の半導体装置においては、一方では上述の補
助端子自身の間（こ、他方ではこの補助端子と大地およ
びアノード端子との間に所定の全問および沿面距離が厳
守されなければならない。このこきは、規格に定められ
た２０ＴＭｌＯ幅と固定された長さを持つモジュールが
規格平プラグおよび規格絶縁端子を備えるときには特に
困難、である。そのときには補助端子は上述の最低限の
間隔がもはや厳守されていないほど大きな空間を必要と
する。
助端子自身の間（こ、他方ではこの補助端子と大地およ
びアノード端子との間に所定の全問および沿面距離が厳
守されなければならない。このこきは、規格に定められ
た２０ＴＭｌＯ幅と固定された長さを持つモジュールが
規格平プラグおよび規格絶縁端子を備えるときには特に
困難、である。そのときには補助端子は上述の最低限の
間隔がもはや厳守されていないほど大きな空間を必要と
する。
本発明は上述の種類の半導体装置をこの空間および、地
縁距離か厳守されるように改善することを目的とする。
縁距離か厳守されるように改善することを目的とする。
この目的は、平プラグが容器の縦軸に関して並んで位置
する２対をなして配置されており１，６対の平プラグは
縦軸に関して前後して並び、平プラグはその大きい方の
接触面で縦軸に横に位置し、かつ６対が絶縁材料からな
るカラーによって囲まれていることによって達成される
。
する２対をなして配置されており１，６対の平プラグは
縦軸に関して前後して並び、平プラグはその大きい方の
接触面で縦軸に横に位置し、かつ６対が絶縁材料からな
るカラーによって囲まれていることによって達成される
。
本発明を第１図および第２図に関しての記述によって詳
細に説明する。図では第１図が側面図、第２図が平面図
を示す。
細に説明する。図では第１図が側面図、第２図が平面図
を示す。
半導体装置は金属の基板１と上に密着した絶縁材料上部
２から成る。この容器の中に二つのサイリスタ半導体素
体が収納されているが、見やすくするために図示しない
。上部２の上面４の上に三つの端子５，６および７が引
き出されている。端子５はアノード端子、端子６はカソ
ード端子そして端子７は両生導体素体の間の中間タップ
である。
２から成る。この容器の中に二つのサイリスタ半導体素
体が収納されているが、見やすくするために図示しない
。上部２の上面４の上に三つの端子５，６および７が引
き出されている。端子５はアノード端子、端子６はカソ
ード端子そして端子７は両生導体素体の間の中間タップ
である。
上部２の上面４に四つの補助端子８，９，１０．１１が
配置されている。補助端子は、例えば２．８ Ｘ Ｏ，
８Ｉｌｌの平プラグとして形成されている。補助端子は
上側で二つの対８．９もしくは１０１月をなして並んで
配置されている。この６対の補助端子は半導体装置の縦
軸１５の方向に見て前後に位置する。平プラグ８，９．
１０．１１の大きい方の接触面はその場合縦軸１５に対
して横に位置する。これによって、補助端子相互が所定
の容器寸法において規定された空間および沿面距離を有
することが確保されている。
配置されている。補助端子は、例えば２．８ Ｘ Ｏ，
８Ｉｌｌの平プラグとして形成されている。補助端子は
上側で二つの対８．９もしくは１０１月をなして並んで
配置されている。この６対の補助端子は半導体装置の縦
軸１５の方向に見て前後に位置する。平プラグ８，９．
１０．１１の大きい方の接触面はその場合縦軸１５に対
して横に位置する。これによって、補助端子相互が所定
の容器寸法において規定された空間および沿面距離を有
することが確保されている。
一方ではアノード端子５に対する。他方では大地電位に
ある底板１に対する所定の空間および沿面距離の厳守の
ために、補助端子８，９，１０．１１はそれぞれ絶縁制
料からなるカラー１３もしくは１２により囲まれている
。場所の節約のために両カラーが共通の壁部１４を有す
ることもできる。補助端子は第１図に示すように絶縁材
料カラーよりいくらか上へ突出していてもよいが、しか
し完全にその中に沈んでいてもよい。絶縁材料カラーは
容器上部２の一部分であることが望ましい。しかし上部
２を覆う蓋体１６に固定されていることもできる。
ある底板１に対する所定の空間および沿面距離の厳守の
ために、補助端子８，９，１０．１１はそれぞれ絶縁制
料からなるカラー１３もしくは１２により囲まれている
。場所の節約のために両カラーが共通の壁部１４を有す
ることもできる。補助端子は第１図に示すように絶縁材
料カラーよりいくらか上へ突出していてもよいが、しか
し完全にその中に沈んでいてもよい。絶縁材料カラーは
容器上部２の一部分であることが望ましい。しかし上部
２を覆う蓋体１６に固定されていることもできる。
本発明による半導体装置は、例えば二つのサイリスタ半
導体素体を収容した容器の上面に二列に並ぶ例えば一対
の補助ゲート端子および一対の四つの補助端子を主端子
のほかに有し、七の６対の各補助端子の平プラグはそれ
ぞれ容器の縦軸方向に前後に接触面を横にして位置し、
６対ごとに絶縁材料カラーによって囲まれている。本発
明によるこの構成によって、半導体装置の上面４の約鑓
顛の必要長さ、約２０１ｇ１の必要幅および規格のソケ
ットを有する規格の平プラグの２゜８ｘ０．８ｍ＋の寸
法において、必要な空間および沿面距離を厳守すること
が可能である。
導体素体を収容した容器の上面に二列に並ぶ例えば一対
の補助ゲート端子および一対の四つの補助端子を主端子
のほかに有し、七の６対の各補助端子の平プラグはそれ
ぞれ容器の縦軸方向に前後に接触面を横にして位置し、
６対ごとに絶縁材料カラーによって囲まれている。本発
明によるこの構成によって、半導体装置の上面４の約鑓
顛の必要長さ、約２０１ｇ１の必要幅および規格のソケ
ットを有する規格の平プラグの２゜８ｘ０．８ｍ＋の寸
法において、必要な空間および沿面距離を厳守すること
が可能である。
第１図は本発明の一実施例の側面図、第２図は平面図で
ある。 １・・・金属基板、２・・・容器上部、８ 、９．１０
．１１・・・平プラグ、１２ 、１３・・・カラー。
ある。 １・・・金属基板、２・・・容器上部、８ 、９．１０
．１１・・・平プラグ、１２ 、１３・・・カラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）それぞれ方形の横断面を有する金属の下部と絶縁材
料上部からなる容器の中に収納された二つの半導体素体
、容器の縦軸に前後して並ぶ主端子および上部の上面の
狭い側において平プラグの形で引き出される四つの端子
を備えたものにおいて、平プラグが容器の縦軸に関して
並んで位置する２対をなして配置されており、各対の平
プラグはその大きい方の接触面で縦軸に横に位置し、か
つ各対が絶縁材料からなるカラーによって囲まれたこと
を特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、両カラ
ーが共通の壁部を有することを特徴とする半導体装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
いて、カラーが絶縁材料上部の一部分であることを特徴
とする半導体装置。 ４）％許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
いて、平プラグが上部を覆う蓋体に固定されたことを特
徴とする半導体装置。 ５）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載の装置において、平プラグがカラーから突出している
ことを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE8234053 | 1982-12-03 | ||
| DE82340536 | 1982-12-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110148A true JPS59110148A (ja) | 1984-06-26 |
Family
ID=6746200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22828983A Pending JPS59110148A (ja) | 1982-12-03 | 1983-12-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110148A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615053A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP22828983A patent/JPS59110148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615053A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
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