JPS5843543A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用パツケ−ジ

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JPS5843543A
JPS5843543A JP56141393A JP14139381A JPS5843543A JP S5843543 A JPS5843543 A JP S5843543A JP 56141393 A JP56141393 A JP 56141393A JP 14139381 A JP14139381 A JP 14139381A JP S5843543 A JPS5843543 A JP S5843543A
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JP
Japan
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thermosetting resin
semiconductor element
lead wire
internal lead
space
Prior art date
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Pending
Application number
JP56141393A
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English (en)
Inventor
Tomonori Nishino
西野　友規
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置用パッケージの改良に−，、する
ものである。
従来の半導体装置用パッケージでは、第１図の１うな熱
硬化性樹脂を用−たプラスチツタ・モールド°半導体部
品が大部分を占めてｒるが、耐湿性、寸法安定性等にお
−てプラスチック・モールド半導体部品４！有の間１点
がある。
まず、耐湿性に′）−で線熱硬化性樹脂１１には透湿性
があり、かつ樹脂中には微量であるがイオン化しやす論
物質が金型れるえめに１高■高湿雰囲気中では半導体素
子１２の゛特性劣化が生じやすい。Ｉ！え、同時に外部
端子用フレーム１３と半導体素子とフレームを持続する
導線１４に沿うて浸透した水分、また半導体素子を支持
する金属フレーム１５ＫｉＥ１つて浸入した水分が半導
体素子の電極パターンの腐食を生じさせ友。
また、寸法安定性については、半導体素子、外部端子用
フレーム、半導体素子を支持する金属フレーム、熱硬化
性樹脂間の熱膨張係数Ｏ差によって生ずる応力によって
内部の導線が断線すゐという間廟点讐もうている。
シカシ、プラスチック・モールド半導体１１品は製造工
程の自動化が図られ、コスシが安−という長所がある。
本発明は、−来の半導体装置用パッケージのもつこうし
九間聰点を鱗決し、しかも、畏所管生かす九めに、熱硬
化性樹脂で形成される半導体装置用パラ夛−ジにお−で
半導体素子の上部に半導体素子と熱硬化性樹脂で形成さ
れた空間に不活性ガスを封入し、この空間と熱硬化性樹
脂との界面には低融点ガラスや薄膜が形成されるように
構成し九半導体装雪用パッケージである。
以下図面によって説明する。
第２１１は本発明による半導体装置用パッケージの一実
施例の構造を示す図である。耐湿性の改善については、
熱硬化性樹脂２１を透過した水、分お工びイオン化した
物質は、半導体素子＝２の上部に形成され、不活性ガス
が封入され九空間２３と熱硬化性樹脂２１との界面に形
成された低融点ガラス２４によって値蔽される。會た、
外部端子用フレーム２５．内部の導線２′６に沿って浸
透し九水分、また半導体素子２２を支持する金属フレー
ム２７に沿りて浸透し九水分もまた低融点ガラス２４に
よって値蔽される。　Ｌ、１１・：亡も、浸透した門分
が低融点ガラスと内部導線の界面から侵入しようとして
４内部の不活性ガｊＥＯ存在によ〕更に侵入しに（（な
る。
また、寸法安定性Ｏ改善については、半導体素子２２．
外部端子用フレーム２５．半導体素子用支持用金属フレ
ーム２７．熱硬化性樹脂２１間の熱膨張係数の差によっ
て応力が内部導線２６に働込ても、不活性ガスが封入さ
れた空間２３の存在に１シ内部導線の自由ｌは大きく、
内部導線に働く応力は減少する。このため、内部導線の
断線は生じＫ（（なゐ。
しかも、本発明は製造工程の自動化も図ることが可能で
あり、コスト上の長所も生かすことも可能である。
以上の如く、本発明による半導体装愛用パッケージは従
来の早場体装置用パツケーージＯ％つ耐湿性や寸法安″
定性の間■を解決し、実用化も容重にする。　−゛
【図面の簡単な説明】
第１ｉＥｔ＃ｉ従米の！導体装置用パッケージの構造の
一例を示す図、第２図は本発明による半導体装置用パッ
ケージの一実施例を示゛す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 熱硬化性樹脂で形成される半導体装置用パッケージにお
    いて、半導体素子の上部に該半導体素子と該熱硬化性樹
    脂で形成された空間を有し、該空間には不活性ガスが封
    入され、上記空間と上記熱硬化性樹脂との界面は低融点
    ガラスの薄膜から成邊ことを特徴とする半導体装置用パ
    ッケージ。
JP56141393A 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置用パツケ−ジ Pending JPS5843543A (ja)

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JP56141393A JPS5843543A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置用パツケ−ジ

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JP56141393A JPS5843543A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置用パツケ−ジ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5843543A true JPS5843543A (ja) 1983-03-14

Family

ID=15290942

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JP56141393A Pending JPS5843543A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置用パツケ−ジ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4697203A (en) * 1984-06-04 1987-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method therefor
KR100451382B1 (ko) * 1997-05-13 2004-12-14 삼성전자주식회사 플라스틱패키지의성형방법및그를성형하기위한반도체성형금형

Cited By (3)

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KR100451382B1 (ko) * 1997-05-13 2004-12-14 삼성전자주식회사 플라스틱패키지의성형방법및그를성형하기위한반도체성형금형

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