JPS59117123A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
- Publication number
- JPS59117123A JPS59117123A JP57232511A JP23251182A JPS59117123A JP S59117123 A JPS59117123 A JP S59117123A JP 57232511 A JP57232511 A JP 57232511A JP 23251182 A JP23251182 A JP 23251182A JP S59117123 A JPS59117123 A JP S59117123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist film
- porous member
- resist
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レゾスト除去装置に関する。
従来、ウニ・・の表面に？−）型のレジストを塗布した
後、半導体装置の生産が行われている。
後、半導体装置の生産が行われている。
而して、ウェハの周縁部に付着した不要なレジストを除
去するため、第１図に示す如く、ウェハチャック１上に
ウェハ２を固着して所定速度で回転させながら、ウェハ
２上のレジスト膜３の周縁部に溶剤４を滴下することが
行われている。
去するため、第１図に示す如く、ウェハチャック１上に
ウェハ２を固着して所定速度で回転させながら、ウェハ
２上のレジスト膜３の周縁部に溶剤４を滴下することが
行われている。
しかしながら、回転するウェハ２の周縁部上に溶剤を滴
下すると、第２図（Ａ）に示す如く、レジスト膜３の塗
布面積が小さくなる。このため実質上ウェハ２の径を小
さくしたのと同じ結果となシ、生産性を低下する。また
、同図（Ｂ）に示す如く、周縁部が切欠された所謂オリ
エンテーションフラット２ａの近傍のレジスト膜３を除
去するのが難しい。更に、ウェハ２が偏心した状態でウ
ェハチャック２上に載置されている場合には、同図（Ｃ
）に示す如く、レジスト膜３の除去部分が片寄り、均一
な除去ができない。これらの結果、レジスト粉による露
光不足及びエツチング不良等を起こす問題があった。
下すると、第２図（Ａ）に示す如く、レジスト膜３の塗
布面積が小さくなる。このため実質上ウェハ２の径を小
さくしたのと同じ結果となシ、生産性を低下する。また
、同図（Ｂ）に示す如く、周縁部が切欠された所謂オリ
エンテーションフラット２ａの近傍のレジスト膜３を除
去するのが難しい。更に、ウェハ２が偏心した状態でウ
ェハチャック２上に載置されている場合には、同図（Ｃ
）に示す如く、レジスト膜３の除去部分が片寄り、均一
な除去ができない。これらの結果、レジスト粉による露
光不足及びエツチング不良等を起こす問題があった。
本発明は、ウェハのエッソ部のレゾスト膜を容易に除去
して、レノスト膜による露光不足及びエツチング不良を
防止してウェハの生産性を向上させることができるレジ
スト除去装置を提供することとその目的とするものであ
る。
して、レノスト膜による露光不足及びエツチング不良を
防止してウェハの生産性を向上させることができるレジ
スト除去装置を提供することとその目的とするものであ
る。
〔発明の概要」
本発明は、回転するウェー・の周面に溶剤を含浸した多
孔質部材を幽接することによシ、ウェー・のエツジ部の
レノスト膜を容易に除去して、レノスト膜による露光不
足及びエツチング不良を防止して、ウェー・の生産性を
向上させることができるレノスト除去装置１ｔである。
孔質部材を幽接することによシ、ウェー・のエツジ部の
レノスト膜を容易に除去して、レノスト膜による露光不
足及びエツチング不良を防止して、ウェー・の生産性を
向上させることができるレノスト除去装置１ｔである。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
”４４３図は、一実施例の概略構成を示す説明図である
。図中１０は、レジスト膜１１が塗布されたウェハ１２
を固着したウェハチャックである。ウェハチャック１０
は、例えば１０００〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転
するようになっている。ウェー・チャック１０の近傍に
は、ウェハ１２０局面が当接するように多孔質部材１３
が垂下されている。多孔質部材１３は、例えば円柱状の
ビロード部で形成されている。多孔質部材１３には、溶
剤供給管１４が接続されている。溶剤供給管１４の側部
には、スプリング等の弾性部材１５が取付けられて因る
。多孔質部材１３は、この弾性部材１５によシラニー・
チャック１０の中心方向に押圧されている。弾性部材１
５の他端部は、エアーシリンダー１６等からなる押出機
構に接続されている。
。図中１０は、レジスト膜１１が塗布されたウェハ１２
を固着したウェハチャックである。ウェハチャック１０
は、例えば１０００〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転
するようになっている。ウェー・チャック１０の近傍に
は、ウェハ１２０局面が当接するように多孔質部材１３
が垂下されている。多孔質部材１３は、例えば円柱状の
ビロード部で形成されている。多孔質部材１３には、溶
剤供給管１４が接続されている。溶剤供給管１４の側部
には、スプリング等の弾性部材１５が取付けられて因る
。多孔質部材１３は、この弾性部材１５によシラニー・
チャック１０の中心方向に押圧されている。弾性部材１
５の他端部は、エアーシリンダー１６等からなる押出機
構に接続されている。
而して、このように構成されたレジスト除去装置Ｕによ
れば、レジストＭ １１の形成されたウェハ１２を２０
０〜３０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、その
周面に多孔質部材１３を尚接する。多孔質部材１３中に
は、レジスト膜１１の材質に適した溶剤が、溶剤供給菅
１４から供給されて含浸しているので、第４図（支）及
び同図（Ｂ）に示す如く、ウェー・１２の周縁部に巻き
込んだし・シスト膜だけを容易に除去することができる
。しかも、多孔質部材１３は、ウェー・チャックｌθの
中心方向に沿って押出されているので、所Ｆｔ１Ｍオリ
エンテーションフラット面１２ａに巻き込んだレジスト
膜も完全に除去することができる。その結果、ウニ・・
１２の搬送中に、搬送ガイドやキャリアのウェハ落下止
め部に、レソストｊ摸が接触するのを防止して、レゾス
トｊ１メの欠けた残シ部がウェハ１２の表面に付着する
のを防止できる。このため、レノスト膜による露光不足
及びエツチング不良を防止できる。
れば、レジストＭ １１の形成されたウェハ１２を２０
０〜３０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、その
周面に多孔質部材１３を尚接する。多孔質部材１３中に
は、レジスト膜１１の材質に適した溶剤が、溶剤供給菅
１４から供給されて含浸しているので、第４図（支）及
び同図（Ｂ）に示す如く、ウェー・１２の周縁部に巻き
込んだし・シスト膜だけを容易に除去することができる
。しかも、多孔質部材１３は、ウェー・チャックｌθの
中心方向に沿って押出されているので、所Ｆｔ１Ｍオリ
エンテーションフラット面１２ａに巻き込んだレジスト
膜も完全に除去することができる。その結果、ウニ・・
１２の搬送中に、搬送ガイドやキャリアのウェハ落下止
め部に、レソストｊ摸が接触するのを防止して、レゾス
トｊ１メの欠けた残シ部がウェハ１２の表面に付着する
のを防止できる。このため、レノスト膜による露光不足
及びエツチング不良を防止できる。
しかも、ウェー・・１２の周面部に巻き込んだレジスト
膜だけを完全に除去できるので、レジスト膜１１の塗布
され７’Ｃウエノ・１２の有効径を大きくすることがで
きる。その結果、レソスト嗅１１の塗布されたウェー・
１２の生１Ｓ件を向上をせることができる。
膜だけを完全に除去できるので、レジスト膜１１の塗布
され７’Ｃウエノ・１２の有効径を大きくすることがで
きる。その結果、レソスト嗅１１の塗布されたウェー・
１２の生１Ｓ件を向上をせることができる。
以上説明した如く、本発明に係るレジスト除去装置によ
れば、ウェハのエツジ部のレジスト膜を容易に除去して
、レノスト膜による露光不足及びエツチング不良を防止
してウェハの生産性を向上させることができる等顕著な
効果を奏するものである。
れば、ウェハのエツジ部のレジスト膜を容易に除去して
、レノスト膜による露光不足及びエツチング不良を防止
してウェハの生産性を向上させることができる等顕著な
効果を奏するものである。
つ、１は、つ、２兄ツえ、オケ布し、い、状態を示す説
明図、第２図（４）乃至同図（Ｃ）は、従来の手段によ
って周面のレジストを除去したウェー・の状態を示す説
明図、第３図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説
明図、第４図（支）及び同図（Ｂ）は、同実施例のレジ
スト除去装置にて周面のレノストを除去したウニノ・の
状態を示す説明図である。 １０・・・ウェハチャック、１１・・・レノスト膜、１
２・・・ウェー・、１３・・・多孔質部材、１４・・・
溶剤供給管、１５・・・弾性部材、１６・・・エアーシ
リンダー、Ｕ・・・レジスト塗布装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第 ２ 図 第３図 第 ４ 図 （Ｂ）と＝ビ→ ２ １
明図、第２図（４）乃至同図（Ｃ）は、従来の手段によ
って周面のレジストを除去したウェー・の状態を示す説
明図、第３図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説
明図、第４図（支）及び同図（Ｂ）は、同実施例のレジ
スト除去装置にて周面のレノストを除去したウニノ・の
状態を示す説明図である。 １０・・・ウェハチャック、１１・・・レノスト膜、１
２・・・ウェー・、１３・・・多孔質部材、１４・・・
溶剤供給管、１５・・・弾性部材、１６・・・エアーシ
リンダー、Ｕ・・・レジスト塗布装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第 ２ 図 第３図 第 ４ 図 （Ｂ）と＝ビ→ ２ １
Claims (1)
- 先端部にウェー・固着面を有して回転自在に立設された
ウェハチャックと、該ウェハチャックの近傍に前記ウェ
ー・の周面が描接するように設けられた多孔質部材と、
該多孔質部材に接続された溶剤供給管と、前記多孔質部
材を前記ウェー・チャックの中心部に向って押出しする
ように該溶剤供給管に取付けられた弾性部材とを具備す
ることを特徴とするレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232511A JPS59117123A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | レジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232511A JPS59117123A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117123A true JPS59117123A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16940474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232511A Pending JPS59117123A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | レジスト除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117123A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188934A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Sharp Corp | レジスト除去装置 |
| JPS63291422A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| US4897369A (en) * | 1987-06-29 | 1990-01-30 | SGS-Thompson Microelectronics S.p.A. | Method for shaping the edges of slices of semiconductor material |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| KR100374634B1 (ko) * | 2000-09-25 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지부의 포토레지스트 제거 장치 |
| JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57232511A patent/JPS59117123A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188934A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Sharp Corp | レジスト除去装置 |
| JPS63291422A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| US4897369A (en) * | 1987-06-29 | 1990-01-30 | SGS-Thompson Microelectronics S.p.A. | Method for shaping the edges of slices of semiconductor material |
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| KR100374634B1 (ko) * | 2000-09-25 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지부의 포토레지스트 제거 장치 |
| JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
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