JPS59123193A - 電界発光表示素子 - Google Patents
電界発光表示素子Info
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- JPS59123193A JPS59123193A JP57229167A JP22916782A JPS59123193A JP S59123193 A JPS59123193 A JP S59123193A JP 57229167 A JP57229167 A JP 57229167A JP 22916782 A JP22916782 A JP 22916782A JP S59123193 A JPS59123193 A JP S59123193A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- -1 rare earth metal ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 101100274801 Caenorhabditis elegans dyf-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016468 DyF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電圧の印加によって発光を呈する電界発光
表示素子(以下rEL表示素子」と略称する)に係り、
特に単一の発光母体層で多色発光を得ることができるよ
うにしたE、 L表示素子の製法に関するものである。
表示素子(以下rEL表示素子」と略称する)に係り、
特に単一の発光母体層で多色発光を得ることができるよ
うにしたE、 L表示素子の製法に関するものである。
電界発光現象は、ロンドン・ニシンバラおよびダブリン
フィロソフィ力ルマガシン(1,ondon 、 Pd
−−inburgh and rlouhlin P
hylosophicalMagazine)第7系第
38巻第285号第700〜737頁(西暦1947年
10月)に現わたジー・デストリオ−(G 、&Des
triau )氏の初期の論文の一つに発表されたもの
か初めてであり、この時以来相当な研究と技術的努力と
が費やされしかしてこれによる各種素子かすでに市場に
出されている。
フィロソフィ力ルマガシン(1,ondon 、 Pd
−−inburgh and rlouhlin P
hylosophicalMagazine)第7系第
38巻第285号第700〜737頁(西暦1947年
10月)に現わたジー・デストリオ−(G 、&Des
triau )氏の初期の論文の一つに発表されたもの
か初めてであり、この時以来相当な研究と技術的努力と
が費やされしかしてこれによる各種素子かすでに市場に
出されている。
また最近、多色による発光表示を可能とするEl、表示
素子か提案されており、たとえば特公昭54−2931
8号公報中ZnSの発光母体の中に希土類元素弗化物を
含んだ蒸着膜を作り、更にその上または内部に任意の図
形をした金属マンガン蒸着膜をはさみ、熱処理による拡
散を用いてその図形の部分については赤色E L発光(
700人)、他の部分は希土類元素による発光色たとえ
ばDyF3なら黄色、TbFl 、FrF3なら緑色、
’rmF1なら青色の817発光をさせ、単−ZnS薄
膜で二色の電界発光を可能にした薄膜型+= r、表示
素子が開示されている。
素子か提案されており、たとえば特公昭54−2931
8号公報中ZnSの発光母体の中に希土類元素弗化物を
含んだ蒸着膜を作り、更にその上または内部に任意の図
形をした金属マンガン蒸着膜をはさみ、熱処理による拡
散を用いてその図形の部分については赤色E L発光(
700人)、他の部分は希土類元素による発光色たとえ
ばDyF3なら黄色、TbFl 、FrF3なら緑色、
’rmF1なら青色の817発光をさせ、単−ZnS薄
膜で二色の電界発光を可能にした薄膜型+= r、表示
素子が開示されている。
しかしながら、こうした製法によるEl−表示素子は、
たとえばTbF3が混合されたZnS膜中に所望のパタ
ーンをした金属マンガン薄層が1〜3層はさみ込まれた
多層蒸着膜を形成した後、約600℃。
たとえばTbF3が混合されたZnS膜中に所望のパタ
ーンをした金属マンガン薄層が1〜3層はさみ込まれた
多層蒸着膜を形成した後、約600℃。
3時間熱処理してマンガンをZnS膜中に拡散さゼる製
法であるため、ZnS中にTbF3のみが添加された領
域とTbF、及びMnが添加され両者が複合中心を形成
し7ている領域との境目がはっきりと出に<<。
法であるため、ZnS中にTbF3のみが添加された領
域とTbF、及びMnが添加され両者が複合中心を形成
し7ている領域との境目がはっきりと出に<<。
発光の際言わゆる「にじみ」によりシャープな表示を得
にくいという欠点があり、特にドツトマトリクスパター
ンのように微細なパターンによる表示を行う形状とする
には制限があり、表示画素寸法が縦横とも約200μs
を限度とされているという欠点があり、実用に当り使用
範囲が限られていた。
にくいという欠点があり、特にドツトマトリクスパター
ンのように微細なパターンによる表示を行う形状とする
には制限があり、表示画素寸法が縦横とも約200μs
を限度とされているという欠点があり、実用に当り使用
範囲が限られていた。
この発明は、前記の欠点に鑑みてなされたものであり、
特に製造が容易にして、種々の文字、数字5画像等を極
めてシャープに発光させることができると共に、微細な
パターンによる表示をも行うことかできる新規なEl−
表示素子の製法を提供することを目的とするものである
。
特に製造が容易にして、種々の文字、数字5画像等を極
めてシャープに発光させることができると共に、微細な
パターンによる表示をも行うことかできる新規なEl−
表示素子の製法を提供することを目的とするものである
。
すなわち、この発明に係るE11表示素子は、発光母体
層に発光中心として複数種の希土類金属イオンを116
1別にイオン注入法により注入し、この時フォトレジス
トをマスク材料とし、で用いて発光母体層に注入する希
土類金属イオンの領域を規定して所定パターンの発光中
心層を得ることにより、単一発光母体層で多色の電界発
光を得んとするものであり、以下に実施例を挙げ′にの
発明の詳細な説明する。
層に発光中心として複数種の希土類金属イオンを116
1別にイオン注入法により注入し、この時フォトレジス
トをマスク材料とし、で用いて発光母体層に注入する希
土類金属イオンの領域を規定して所定パターンの発光中
心層を得ることにより、単一発光母体層で多色の電界発
光を得んとするものであり、以下に実施例を挙げ′にの
発明の詳細な説明する。
第1図〜第6図は、この発明によるE L表示素子の製
造工程を示す図で、ガラス基板等から成る透明絶縁性の
基板1上に、In2O3や5n(12等から成る透明電
極21’20.等から成る第1の誘電体層3゜2nS等
から成る発光母体N4をこの順で膜厚が約2000人、
約30 (10人、糸勺3000〜糸勺6000人とな
るよう真空蒸着法により順次積層形成するく第1図参照
)。
造工程を示す図で、ガラス基板等から成る透明絶縁性の
基板1上に、In2O3や5n(12等から成る透明電
極21’20.等から成る第1の誘電体層3゜2nS等
から成る発光母体N4をこの順で膜厚が約2000人、
約30 (10人、糸勺3000〜糸勺6000人とな
るよう真空蒸着法により順次積層形成するく第1図参照
)。
発光母体層4の上にフォトレジスト
し、第1の発光中心を注入する部分のフォトレジスト5
aを紫外線照射もしくは電子ヒームリングラフィによる
露光及び現象液中への浸しによる現象により除去し、T
b’+をイオン注入法によって発光母体層4中に注入し
て第1の発光中心Jii16aを形成する(第2図参照
)。
aを紫外線照射もしくは電子ヒームリングラフィによる
露光及び現象液中への浸しによる現象により除去し、T
b’+をイオン注入法によって発光母体層4中に注入し
て第1の発光中心Jii16aを形成する(第2図参照
)。
第1の発光中心層6a形成後、先のフオ)レジスト5a
を溶解除去し、別のフォトレジスト5bを塗布し、第2
の発光中心を注入する部分のフオトレジス)5bを前記
同様の方法により除去し、Sm3+をイオン注入法によ
って発光母体層4中に注入して第2の発光中心層6bを
形成する(第3図参照)。
を溶解除去し、別のフォトレジスト5bを塗布し、第2
の発光中心を注入する部分のフオトレジス)5bを前記
同様の方法により除去し、Sm3+をイオン注入法によ
って発光母体層4中に注入して第2の発光中心層6bを
形成する(第3図参照)。
第2の発光中心1m6b形成後、先のフォトレジスト5
bを溶解除去し、別のフ第1・レジスト5Cを塗布し、
第3の発光中心を注入する部分のフ第1レジス)5cを
前記同様の方法により除去し、Tm”をイオン注入法に
よって発光母体層4中に注入して第3の発光中心1i1
6cを形成する(第4図参!1.@ )。
bを溶解除去し、別のフ第1・レジスト5Cを塗布し、
第3の発光中心を注入する部分のフ第1レジス)5cを
前記同様の方法により除去し、Tm”をイオン注入法に
よって発光母体層4中に注入して第3の発光中心1i1
6cを形成する(第4図参!1.@ )。
第3の発光中心1e16C形成後、フォトレジスト5C
を溶解除去し、その後結晶欠陥を補うため真空中で約5
00°Cに加熱して約30分程度焼成するアニーリング
を行う(第5図参照)。
を溶解除去し、その後結晶欠陥を補うため真空中で約5
00°Cに加熱して約30分程度焼成するアニーリング
を行う(第5図参照)。
この上に、Vλ0,等から成る第2の誘電体層7。
へ1等から成る反射性金属背面電極8をこの順で11Q
厚が何れも約3000八となるよう真空蒸着法により順
次積層形成することによりEL表示素子を作製する(第
6図参照)。
厚が何れも約3000八となるよう真空蒸着法により順
次積層形成することによりEL表示素子を作製する(第
6図参照)。
このように形成したEL表示素子は、電極2。
8間への電圧印加により、発光母体4と各発光中心6a
,6b,6cとの境界面の部分が発光し、電圧の上昇と
共に発光中心6a,6b,6cの部分全体が一様に発光
するものであり、第1の発光中心層6a領域は緑色,第
2の発光111心層6bf+域は青色,第3の発光中心
層6C領域は赤色の発光を各々行う(第7図参照)。
,6b,6cとの境界面の部分が発光し、電圧の上昇と
共に発光中心6a,6b,6cの部分全体が一様に発光
するものであり、第1の発光中心層6a領域は緑色,第
2の発光111心層6bf+域は青色,第3の発光中心
層6C領域は赤色の発光を各々行う(第7図参照)。
しかも各発光中心層6a,6b,6c.は、フォトレジ
スト5a,5b.5cを用いるマスキンクにより所定領
域を形成するように設けられるため、従来の製法に比べ
て複雑な形状や微細な寸法のものでも高精度に作ること
ができ、「にじみ−1のないシャープな表示を得やすい
。
スト5a,5b.5cを用いるマスキンクにより所定領
域を形成するように設けられるため、従来の製法に比べ
て複雑な形状や微細な寸法のものでも高精度に作ること
ができ、「にじみ−1のないシャープな表示を得やすい
。
そして、電極2,8を各々短冊形状とすると共に発光母
体層4をはさんで直交状態となるように形成し、電極2
,8の交叉箇所に各発光中心5a。
体層4をはさんで直交状態となるように形成し、電極2
,8の交叉箇所に各発光中心5a。
6b、6c領域が位置するよう設け、各電極2゜8への
印加電圧の選定により、各発光中心6a。
印加電圧の選定により、各発光中心6a。
6b、6c領域を個別に発光させることもでき、表示画
素寸法が縦横とも数10μm程度の微細なドツトマトリ
クスによる複雑な色変化の表示を行うことも可能である
(第8図参照)。
素寸法が縦横とも数10μm程度の微細なドツトマトリ
クスによる複雑な色変化の表示を行うことも可能である
(第8図参照)。
このようにこの発明によれば、あらかじめ設けた発光母
体層にフォトレジストによるマスキングにより複数種の
希土類金属イオンを個別にイオン注入法によって所定形
状領域を有するよう注入することにより、単一発光母体
層で多色の電界発光を可能とし、特にZnSの発光母体
の中に希土類元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にそ
の上または内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形の部分と
他の部分とで発光色を異ならせるようにした従来例とは
一見構造がイυているものの製法が全く界なり、従来例
では得ることのできない効果、すなわち1にじみ」ので
ないシャープな表示や数1077111程度の寸法の微
細な表示形状を得ることができる。
体層にフォトレジストによるマスキングにより複数種の
希土類金属イオンを個別にイオン注入法によって所定形
状領域を有するよう注入することにより、単一発光母体
層で多色の電界発光を可能とし、特にZnSの発光母体
の中に希土類元素弗化物を含んだ蒸着膜を作り、更にそ
の上または内部に任意の図形をした金属マンガン蒸着膜
をはさみ、熱処理による拡散を用いてその図形の部分と
他の部分とで発光色を異ならせるようにした従来例とは
一見構造がイυているものの製法が全く界なり、従来例
では得ることのできない効果、すなわち1にじみ」ので
ないシャープな表示や数1077111程度の寸法の微
細な表示形状を得ることができる。
また、異なる種類の発光中心を含む複数種の発光母体層
を絶縁層及び透明電極で挟持することにより多色の発光
を得るようにした多層型のEL表示素子に比べ、絶縁層
数や透明電極数が少ないことから構造が簡単で、しかも
ET、、表示素子の全体の厚さ寸法が小さくなるという
利点をも有する。
を絶縁層及び透明電極で挟持することにより多色の発光
を得るようにした多層型のEL表示素子に比べ、絶縁層
数や透明電極数が少ないことから構造が簡単で、しかも
ET、、表示素子の全体の厚さ寸法が小さくなるという
利点をも有する。
また、異なる種類の発光中心を含む複数種の発光母体層
をマスクを用いて真空蒸着法で平面的に分離して形成す
ることにより多色の発光を得るようにした分離型)−型
のEl、表示素子では、マスク蒸着による分離された発
光母体層間の間隙の最小値が約200μmと大きくなり
、これに比べてこの発明に係るE L表示素子では微細
なパターンの発光形状を得ることができる利点を有する
。
をマスクを用いて真空蒸着法で平面的に分離して形成す
ることにより多色の発光を得るようにした分離型)−型
のEl、表示素子では、マスク蒸着による分離された発
光母体層間の間隙の最小値が約200μmと大きくなり
、これに比べてこの発明に係るE L表示素子では微細
なパターンの発光形状を得ることができる利点を有する
。
しかも、マスク材料としてフォトレジストを用いるため
、高価な治具や金型を必要とせず、材料の機械的・化学
的性質を変えず、複雑な形状・微細な寸法のものでも高
精度で得られ、設計変更が容易に行えるという、極めて
実用効果大なる利点を有するものである。
、高価な治具や金型を必要とせず、材料の機械的・化学
的性質を変えず、複雑な形状・微細な寸法のものでも高
精度で得られ、設計変更が容易に行えるという、極めて
実用効果大なる利点を有するものである。
第1回〜第6図は、この発明によるEL表示素子の実施
例の製法を説明する断面図、 第7図は、同上EL表示素子の発光表示状態を説明する
概略平面図、 第8図は、同上EL表示素子でドツトマトリクスによる
発光表示状態を説明する概略平面図である。 1:幕板 2:透明電極 3.7;絶縁!−4−発光母体層 5a、5b、5cニアr)レジス) 6a、6b、6c:発光中心層 8:背面電極 − 第を図 114E 第に 図 第6 図 亀 第8図 11!6図
例の製法を説明する断面図、 第7図は、同上EL表示素子の発光表示状態を説明する
概略平面図、 第8図は、同上EL表示素子でドツトマトリクスによる
発光表示状態を説明する概略平面図である。 1:幕板 2:透明電極 3.7;絶縁!−4−発光母体層 5a、5b、5cニアr)レジス) 6a、6b、6c:発光中心層 8:背面電極 − 第を図 114E 第に 図 第6 図 亀 第8図 11!6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁物及び電極によりはさまれると共に前記電極への電
圧の印加によって発光を呈する二重絶縁層構造の電界発
光表示素子において、 発光母体層を形成した後、前記発光母体層に発光中心と
して複数種の希土類金属イオンを個別にイオン注入法に
より注入し、この時フォトレジストをマスク材料として
用いて、前記発光母体層に注入する前記希土類金属イオ
ンの領域を規定して所定パターンの発光中心層を得るこ
とにより、多色の電界発光を得ることを特徴とする電界
発光表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229167A JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229167A JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123193A true JPS59123193A (ja) | 1984-07-16 |
| JPS6250958B2 JPS6250958B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16887832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229167A Granted JPS59123193A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電界発光表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123193A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264592A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子の製造方法 |
| JPS6324588A (ja) * | 1986-05-21 | 1988-02-01 | ロックウェル・インタ−ナショナル・コ−ポレ−ション | エレクトロルミネセントディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2002051212A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Material for organic electroluminescence device and its manufacturing method |
| US6797920B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-09-28 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57229167A patent/JPS59123193A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264592A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子の製造方法 |
| JPS6324588A (ja) * | 1986-05-21 | 1988-02-01 | ロックウェル・インタ−ナショナル・コ−ポレ−ション | エレクトロルミネセントディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2002051212A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Material for organic electroluminescence device and its manufacturing method |
| US6797920B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-09-28 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250958B2 (ja) | 1987-10-27 |
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