JPS591277B2 - 17 アルフア− −(3− ヒドロキシプロピル )−17 ベ−タ− − ヒドロキシアンドロスト−4− エン −3− オンノセイゾウホウ - Google Patents
17 アルフア− −(3− ヒドロキシプロピル )−17 ベ−タ− − ヒドロキシアンドロスト−4− エン −3− オンノセイゾウホウInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は17α−(3−ヒドロキシプロピル)−17β
−ヒドロキシアンドロストー4−エンー3−オンの製造
法に関する。
−ヒドロキシアンドロストー4−エンー3−オンの製造
法に関する。
さらに詳しくは抗アルドステロン性利尿剤および降圧剤
として有用な3−(3−オキソー7α−アセチルチオー
17β−ヒドロキシアンドロストー4−エンー17α−
イル)プロビオラクトン(以下スピロノラクトンと略す
。
として有用な3−(3−オキソー7α−アセチルチオー
17β−ヒドロキシアンドロストー4−エンー17α−
イル)プロビオラクトン(以下スピロノラクトンと略す
。
)の中間体となる17α−(3−ヒドロキシプロピル)
−17β−ヒドロキシアンドロストー4−エンー3オン
の新規な製造法に関する。本発明方法で得られる17α
−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒドロキシア
ンドロストー4−エンー3オンを原料として、以下図示
する方法によりスピロノラクトンを製造することができ
る。
−17β−ヒドロキシアンドロストー4−エンー3オン
の新規な製造法に関する。本発明方法で得られる17α
−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒドロキシア
ンドロストー4−エンー3オンを原料として、以下図示
する方法によりスピロノラクトンを製造することができ
る。
スピロノラクトンの製造法としては、3β−ヒドロキシ
アンドロスト一5−エン一17−オンを出発原料とする
方法が知られている。
アンドロスト一5−エン一17−オンを出発原料とする
方法が知られている。
この方法によれば3β−ヒドロキシアンドロスト一5−
エン一17−オンをエチニル化し、二酸化炭素と反応さ
せてプロピオル酸誘導体とし、ついで水素添加しアクリ
ル酸誘導体とする。アクリル酸誘導体をさらに酸処理に
より3−(3β,17β−ジヒドロキシアンドロスト5
−エン一17α−イル)アクリロラクトンとし、これを
水素添加して飽和ラクトンとし、引続きオツペナウア一
酸化して3−(17β−ヒドロキシアンドロスト一4−
エン一3−オン−17α−イル)プロピオラクトンとす
る。
エン一17−オンをエチニル化し、二酸化炭素と反応さ
せてプロピオル酸誘導体とし、ついで水素添加しアクリ
ル酸誘導体とする。アクリル酸誘導体をさらに酸処理に
より3−(3β,17β−ジヒドロキシアンドロスト5
−エン一17α−イル)アクリロラクトンとし、これを
水素添加して飽和ラクトンとし、引続きオツペナウア一
酸化して3−(17β−ヒドロキシアンドロスト一4−
エン一3−オン−17α−イル)プロピオラクトンとす
る。
(J.A.Cella,E.A.BrOwnandR.
R.Burtner;J.Crg.Chem.,? 7
43(1959))さらに得られた3−(17β−ヒド
ロキシアンドロスト一4−エン一3−オン−17α−イ
ル)−プロピオラクトンの6位、7位を脱水素し、これ
とチオ酢酸を反応させてスピロノラクトンを製造する。
(J.A.CellaandR.C.Tweit;J.
Org.Chem.,? 1109(1959))上記
した方法の欠点は出発原料に3β−ヒドロキシアンドロ
スト一5−エン一17−オンを使用することおよび工程
数がきわめて多く繁雑であることである。とくに、3β
−ヒドロキシアンドロスト一5−エン一17−オンはメ
キシコ山地に自生するジオスコレア(山いもの一種)の
根から抽出したジオスゲニンを原料とし、6工程の繁雑
な工程を経由して製造されるものであり、山いもの栽培
が困難なこととあいまつて、非常に高価なものになりつ
つある。
R.Burtner;J.Crg.Chem.,? 7
43(1959))さらに得られた3−(17β−ヒド
ロキシアンドロスト一4−エン一3−オン−17α−イ
ル)−プロピオラクトンの6位、7位を脱水素し、これ
とチオ酢酸を反応させてスピロノラクトンを製造する。
(J.A.CellaandR.C.Tweit;J.
Org.Chem.,? 1109(1959))上記
した方法の欠点は出発原料に3β−ヒドロキシアンドロ
スト一5−エン一17−オンを使用することおよび工程
数がきわめて多く繁雑であることである。とくに、3β
−ヒドロキシアンドロスト一5−エン一17−オンはメ
キシコ山地に自生するジオスコレア(山いもの一種)の
根から抽出したジオスゲニンを原料とし、6工程の繁雑
な工程を経由して製造されるものであり、山いもの栽培
が困難なこととあいまつて、非常に高価なものになりつ
つある。
一方、近年羊毛の洗浄廃水中より多量に回収できるウー
ルグリースや魚油から得られるコレステロールの微生物
酸化によりアンドロスタ一1,4−ジエン一3,17−
ジオンを安価に製造する方法が開発されている。
ルグリースや魚油から得られるコレステロールの微生物
酸化によりアンドロスタ一1,4−ジエン一3,17−
ジオンを安価に製造する方法が開発されている。
本発明の目的は、高価な3β−ヒドロキシアンドロスト
一5−エン一17−オンにかえて、安価なアンドロスタ
一1,4−ジエン一3,17−ジオンを原料としてスピ
ロノラクトンの重要な中間体である17α−(3−ヒド
ロキシプロピル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一
4−エン一3−オンのより簡易な製造法を提供すること
にある。
一5−エン一17−オンにかえて、安価なアンドロスタ
一1,4−ジエン一3,17−ジオンを原料としてスピ
ロノラクトンの重要な中間体である17α−(3−ヒド
ロキシプロピル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一
4−エン一3−オンのより簡易な製造法を提供すること
にある。
アンドロスタ一1,4−ジエン一3,17−ジオンから
、17α−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒド
ロキシアンドロスト一4−エン一3−オンを製造する方
法は、既に知られている。たとえば、特開昭50−30
861の明細書中には、下記に図示するごとくアンドロ
スタ−1,4−ジエン− 3,17 −ジオン(んを2
−プロピン−1−オールと反応させ、得られる17α−
(3−ヒドロキシプロピニル)−17β−ヒドロキシア
ンドロスタ−1,4 −ジエン−3−オン旧)を錯〕体
触媒の存在下で水素添加して17α−( 3 −ヒドロ
キシプロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4
−エン− 3 −オン(C)を得、これをクロム酸で酸
化して3−(17β−ヒドロキシアンドロスト− 4
−エン−3−オン−17α−イル)プロピオラクトン旧
を製造する方法が記載されている。また、同明細書には
アンドロスト− 4 −エンー3,17−ジオンから3
−(17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン− 3
−オン−17α−イル)プロピオラクトンの製法も記
載されている。
、17α−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒド
ロキシアンドロスト一4−エン一3−オンを製造する方
法は、既に知られている。たとえば、特開昭50−30
861の明細書中には、下記に図示するごとくアンドロ
スタ−1,4−ジエン− 3,17 −ジオン(んを2
−プロピン−1−オールと反応させ、得られる17α−
(3−ヒドロキシプロピニル)−17β−ヒドロキシア
ンドロスタ−1,4 −ジエン−3−オン旧)を錯〕体
触媒の存在下で水素添加して17α−( 3 −ヒドロ
キシプロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4
−エン− 3 −オン(C)を得、これをクロム酸で酸
化して3−(17β−ヒドロキシアンドロスト− 4
−エン−3−オン−17α−イル)プロピオラクトン旧
を製造する方法が記載されている。また、同明細書には
アンドロスト− 4 −エンー3,17−ジオンから3
−(17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン− 3
−オン−17α−イル)プロピオラクトンの製法も記
載されている。
それによるとアンドロスト−4−エン−3,17−ジオ
ンを2−プロピン−1−オールと反応させ、7 5.5
モル%収率で17α−( 3 −ヒドロキシプロピニル
)−17β−ヒドロキシアンドロストー4−エン− 3
−オンを得、さらにトリス(トリフエニルホスフイン
)ロジウムクロリドを触媒として加圧下に水素添加し、
7 8.4モル%収率で17α−(3−ヒドロキシプロ
ピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン−
3 −オンを得、これをジヨーンズ試薬で酸化し、8
6モル%収率で3−(17β−ヒドロキシアンドロスト
−4−エン−3−オン−17α−イル)プロピオラクト
ンを得ている。本発明者特は、アンドロスタ−1,4
−ジエン− 3,17 −ジオンを出発原料とし、中間
体にアンドロスト− 4 −エン− 3,17 −ジオ
ンを経由し、公知の方法と比較して工程数の少い簡単で
しかも収率のより高い17α−( 3 −ヒドロキシプ
ロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン
−3−オンの製造法を開発すべく鋭意研究した結果、(
a)アンドロスト−1,4 −ジエン− 3,17 ー
ジオンを自体公知の方法でトリス(トリフエニルホスフ
イン)ロジウムクロリドを触媒として水素添加し、アン
ドロスト− 4 −エン−3,17−ジオンを製造し(
C.Djerassi and J.Gutzwill
er,J.Am.Chem. Soc.,山4537
(1966))(b)得られたアンドロスト− 4 −
エン−3,17−ジオンの3位のカルボニル基を自体公
知の方法で保護し(J.Fried and J.A.
Fdwards,“Organic React io
ns in Steroid chemiーstry”
,voll,P.3 7 5(19 7 2),Van
Nostrand Reinhold co.,)(
c)これに下記−般式(I)(上記式中でR,は水素原
子またはアルキル基、R2およびR3はアルキル基を表
わす。
ンを2−プロピン−1−オールと反応させ、7 5.5
モル%収率で17α−( 3 −ヒドロキシプロピニル
)−17β−ヒドロキシアンドロストー4−エン− 3
−オンを得、さらにトリス(トリフエニルホスフイン
)ロジウムクロリドを触媒として加圧下に水素添加し、
7 8.4モル%収率で17α−(3−ヒドロキシプロ
ピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン−
3 −オンを得、これをジヨーンズ試薬で酸化し、8
6モル%収率で3−(17β−ヒドロキシアンドロスト
−4−エン−3−オン−17α−イル)プロピオラクト
ンを得ている。本発明者特は、アンドロスタ−1,4
−ジエン− 3,17 −ジオンを出発原料とし、中間
体にアンドロスト− 4 −エン− 3,17 −ジオ
ンを経由し、公知の方法と比較して工程数の少い簡単で
しかも収率のより高い17α−( 3 −ヒドロキシプ
ロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト−4−エン
−3−オンの製造法を開発すべく鋭意研究した結果、(
a)アンドロスト−1,4 −ジエン− 3,17 ー
ジオンを自体公知の方法でトリス(トリフエニルホスフ
イン)ロジウムクロリドを触媒として水素添加し、アン
ドロスト− 4 −エン−3,17−ジオンを製造し(
C.Djerassi and J.Gutzwill
er,J.Am.Chem. Soc.,山4537
(1966))(b)得られたアンドロスト− 4 −
エン−3,17−ジオンの3位のカルボニル基を自体公
知の方法で保護し(J.Fried and J.A.
Fdwards,“Organic React io
ns in Steroid chemiーstry”
,voll,P.3 7 5(19 7 2),Van
Nostrand Reinhold co.,)(
c)これに下記−般式(I)(上記式中でR,は水素原
子またはアルキル基、R2およびR3はアルキル基を表
わす。
)で表わされる有機リチウム誘導体を反応させ、(d)
得られる下記一般式(l)(上記式中でXはアセタール
残基、ジチオアセタール残基、モノチオアセタール残基
、エナミン残基、またはエノールエーテル残基を表わし
、Rl,R2,R3は上記一般式(1)中におけると同
じ意義を有する。
得られる下記一般式(l)(上記式中でXはアセタール
残基、ジチオアセタール残基、モノチオアセタール残基
、エナミン残基、またはエノールエーテル残基を表わし
、Rl,R2,R3は上記一般式(1)中におけると同
じ意義を有する。
)で表わされる17β−ヒドロキシステロイド誘導体を
酸性条件下に分解して17α−(3−ヒドロキシプロピ
ル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エン一3
−オンを得ることによつて上記した目的を達成すること
ができた。上記一般式(l)で表わされる17β−ヒド
ロキシステロイド誘導体において、それらの誘導体にお
ける二重結合(1個または複数個)の位置は、たとえば
アセタールの場合は5位、チオアセタールの場合は4位
、エナミンおよびエノールエーテルの場合は3位および
5位である。
酸性条件下に分解して17α−(3−ヒドロキシプロピ
ル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エン一3
−オンを得ることによつて上記した目的を達成すること
ができた。上記一般式(l)で表わされる17β−ヒド
ロキシステロイド誘導体において、それらの誘導体にお
ける二重結合(1個または複数個)の位置は、たとえば
アセタールの場合は5位、チオアセタールの場合は4位
、エナミンおよびエノールエーテルの場合は3位および
5位である。
本発明を詳細に説明するに、本発明方法においては、有
機リチウム誘導体はアンドロスト一4−エン一3,17
−ジオンの17位のカルボニル基と選択的に反応する必
要がある。そのためには3一位のカルボニル基を保護す
る。カルボニル基の保護方法としては、アセタール化、
チオアセタール化、エナミン化、エノールエーテル化等
の公知の力法が適用される。
機リチウム誘導体はアンドロスト一4−エン一3,17
−ジオンの17位のカルボニル基と選択的に反応する必
要がある。そのためには3一位のカルボニル基を保護す
る。カルボニル基の保護方法としては、アセタール化、
チオアセタール化、エナミン化、エノールエーテル化等
の公知の力法が適用される。
アセタール化には2−メチル−2−エチル−1,3−ジ
オキソランのようなケトン類およびグリコール類から合
成されるアセタール化合物が一般に使用される。
オキソランのようなケトン類およびグリコール類から合
成されるアセタール化合物が一般に使用される。
ケトンとしてはメチルエチルケトン、ジエチルケトン、
シクロヘキサノン等が挙げられ、グリコールとしてはエ
チレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレ
ングリコール等が挙げられる。チオアセタール化にはエ
タンジチオール、プロパンジチオール等のジチオール;
またはアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン
、シクロヘキサノン等のケトンおよびエタンジチオール
、プロパンジチオール等のジチオールから合成されるチ
オアセタール類が使用される。
シクロヘキサノン等が挙げられ、グリコールとしてはエ
チレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレ
ングリコール等が挙げられる。チオアセタール化にはエ
タンジチオール、プロパンジチオール等のジチオール;
またはアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン
、シクロヘキサノン等のケトンおよびエタンジチオール
、プロパンジチオール等のジチオールから合成されるチ
オアセタール類が使用される。
エナミン化にはジメチルアミン、ジエチルアミン、モル
ホリン、ピペリジン、ピロリジン等の2級アミンが使用
される。
ホリン、ピペリジン、ピロリジン等の2級アミンが使用
される。
エノールエーテル化は、オルトギ酸エステル、オルト酢
酸エステル、オルトプロピオン酸エステル等のオルトエ
ステル類;ジアルコキシプロパン、ジアルコキシブタン
、ジアルコキシシクロヘキサン等のアセタール類;ベン
ジルアルコール等のアルコール類;フエニルメタンチオ
ール等のチオール類等が使用される。
酸エステル、オルトプロピオン酸エステル等のオルトエ
ステル類;ジアルコキシプロパン、ジアルコキシブタン
、ジアルコキシシクロヘキサン等のアセタール類;ベン
ジルアルコール等のアルコール類;フエニルメタンチオ
ール等のチオール類等が使用される。
上記した3位のカルボニル差の保護力法のうちではエノ
ールエーテル化が簡単でかつ収率も高い。3位を保護し
た17−ケトステロイドと反応する有機リチウム誘導体
は上記一般式(1)で表わされるか、一般式(1)中で
R1は水素原子または通常炭素数6以下、好ましくは2
以下のアルキル基を表わし、R2,R3は通常炭素数6
以下、好ましくは3以下のアルキル基を表わす。
ールエーテル化が簡単でかつ収率も高い。3位を保護し
た17−ケトステロイドと反応する有機リチウム誘導体
は上記一般式(1)で表わされるか、一般式(1)中で
R1は水素原子または通常炭素数6以下、好ましくは2
以下のアルキル基を表わし、R2,R3は通常炭素数6
以下、好ましくは3以下のアルキル基を表わす。
有機リチウム誘導体はハロゲン化プロパノール(E)と
ビニルエーテル類(F′)から容易に合成されるハロゲ
ン化プロピルアセタール0、をエーテル類を溶媒として
金属リチウムと反応させることにより容易に得ることが
できる。
ビニルエーテル類(F′)から容易に合成されるハロゲ
ン化プロピルアセタール0、をエーテル類を溶媒として
金属リチウムと反応させることにより容易に得ることが
できる。
(式中XはClまたはBrを表わし、R4,R5および
RtはHまたは炭素数が1〜2個の炭化水素残基、R6
は炭素数1〜3個の炭化水素残基を表わす。
RtはHまたは炭素数が1〜2個の炭化水素残基、R6
は炭素数1〜3個の炭化水素残基を表わす。
)特に、安価なビニールメチルエーテル、ビニルエチル
エーテルから得られるアセトアルデヒド一3−リチオプ
ロピル=メチル=アセタール、アセトアルデヒド−3−
リチオプロピルーエチルーアセタールが有利に使用され
る。
エーテルから得られるアセトアルデヒド一3−リチオプ
ロピル=メチル=アセタール、アセトアルデヒド−3−
リチオプロピルーエチルーアセタールが有利に使用され
る。
リチウム化反応は、通常のハロゲン化物と金属リチウム
から有機リチウム化合物を合成する方法に準じて行われ
る。溶媒としてはジエチルエーテルが好ましく、反応温
度は30℃から−30℃、好ましくは−5から−200
Cが適当である。3位のカルボニル基が保護された17
−ケトステロイドと有機リチウム誘導体を反応させるに
は、17−ケトステロイドをテトラヒドロフラン等の適
当な溶媒に溶解し、これに有機リチウム誘導体のエーテ
ル溶液を滴下するか、あるいは有機リチウム誘導体のエ
ーテル溶液に17−ケトステロイドの溶液を滴下するこ
とによつて行われる。
から有機リチウム化合物を合成する方法に準じて行われ
る。溶媒としてはジエチルエーテルが好ましく、反応温
度は30℃から−30℃、好ましくは−5から−200
Cが適当である。3位のカルボニル基が保護された17
−ケトステロイドと有機リチウム誘導体を反応させるに
は、17−ケトステロイドをテトラヒドロフラン等の適
当な溶媒に溶解し、これに有機リチウム誘導体のエーテ
ル溶液を滴下するか、あるいは有機リチウム誘導体のエ
ーテル溶液に17−ケトステロイドの溶液を滴下するこ
とによつて行われる。
反応温度は30℃から−30℃、好ましくはO′Cから
一20℃である。上記反応では17−ケトステロイド1
モルに対し3モル以上、好ましくは10モルから15モ
ルの有機リチウム誘導体が使用される。
一20℃である。上記反応では17−ケトステロイド1
モルに対し3モル以上、好ましくは10モルから15モ
ルの有機リチウム誘導体が使用される。
17−ケトステロイド1モルに対し、3モル以下の有機
リチウム誘導体を使用する場合には17−β−ヒドロキ
システロイド誘導体の収率は低い。
リチウム誘導体を使用する場合には17−β−ヒドロキ
システロイド誘導体の収率は低い。
以上のようにして得られる、上記一般式(l)で表わさ
れる17β−ヒドロキシステロイド誘導体は液状である
が、これを単離精製することなく、ただちに酸性条件下
に分解すると17α−(3−ヒドロキシプロピノ(ハ)
−17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エン一3−オ
ンが高収率で得られる。
れる17β−ヒドロキシステロイド誘導体は液状である
が、これを単離精製することなく、ただちに酸性条件下
に分解すると17α−(3−ヒドロキシプロピノ(ハ)
−17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エン一3−オ
ンが高収率で得られる。
収率の高いことは原料ステロイドの高価なことを考える
と極めて有利である。また、17α−(3−ヒドロキシ
プロピル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エ
ン一3−オンはベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素;およびジクロロ
メタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素に著し
く溶け難いのに対し、未反応のアンドロスト一4−エン
一3,17−ジオンはこれら溶媒に容易に溶解する。
と極めて有利である。また、17α−(3−ヒドロキシ
プロピル)一17β−ヒドロキシアンドロスト一4−エ
ン一3−オンはベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素;およびジクロロ
メタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素に著し
く溶け難いのに対し、未反応のアンドロスト一4−エン
一3,17−ジオンはこれら溶媒に容易に溶解する。
従つて、この溶解度差を利用して生成物の1.7α−(
3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒドロキシアンド
ロスト一4−エン一3−オンから、未反応のアンドロス
ト一4ーエン一3,17−ジオンを容易に回収すること
ができる。本発明方法で使用される有機リチウム誘導体
のうち、アセトアルデヒド−3−リチオプロピル=エチ
ル=アセタールはシクロヘキサノンと反応してヒドロキ
シプロピル誘導体を与えることは既に知られている。
3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒドロキシアンド
ロスト一4−エン一3−オンから、未反応のアンドロス
ト一4ーエン一3,17−ジオンを容易に回収すること
ができる。本発明方法で使用される有機リチウム誘導体
のうち、アセトアルデヒド−3−リチオプロピル=エチ
ル=アセタールはシクロヘキサノンと反応してヒドロキ
シプロピル誘導体を与えることは既に知られている。
(P.E.EatOnet.al,J.Org.Che
m.,?,1947(1972)しかし、ステロイド化
合物の17位のカルボニル基はシクロヘキサノンのカル
ボニル基に比し著るしく反応性が低い。実際、シクロヘ
キサン1モルと有機リチウム誘導体1モルを反応させる
ことにより90%収率でヒドロキシプロピル化が行われ
るのに対し、17−ケトステロイドの場合には、収率よ
くヒドロキシプロピル化を行うには3倍モル以上、好し
くは10倍モル以上の有機リチウム誘導体を必要とし、
それでも必ず、未反応物が残存する。しかし、前述した
とおり溶解度差を利用してこの未反応のアンドロスト一
4−エン一3,17−ジオンを容易に回収して再使用で
きることは本発明方法の利点である。次に本発明を以下
の実施例により具体的に説明するが、本発明はその要旨
を超えない限り、これら実施例に限定されない。
m.,?,1947(1972)しかし、ステロイド化
合物の17位のカルボニル基はシクロヘキサノンのカル
ボニル基に比し著るしく反応性が低い。実際、シクロヘ
キサン1モルと有機リチウム誘導体1モルを反応させる
ことにより90%収率でヒドロキシプロピル化が行われ
るのに対し、17−ケトステロイドの場合には、収率よ
くヒドロキシプロピル化を行うには3倍モル以上、好し
くは10倍モル以上の有機リチウム誘導体を必要とし、
それでも必ず、未反応物が残存する。しかし、前述した
とおり溶解度差を利用してこの未反応のアンドロスト一
4−エン一3,17−ジオンを容易に回収して再使用で
きることは本発明方法の利点である。次に本発明を以下
の実施例により具体的に説明するが、本発明はその要旨
を超えない限り、これら実施例に限定されない。
実施例 1
アンドロスト一4−エン一3,17−ジオン20.05
9(0.070モル)、オルトギ酸エチル25m11脱
水エタノール200m1およびp−トルエンスルホン酸
0.259を混合し、室温で15分間攪拌する。
9(0.070モル)、オルトギ酸エチル25m11脱
水エタノール200m1およびp−トルエンスルホン酸
0.259を混合し、室温で15分間攪拌する。
ピリジン0.5m2を加えたのち、エタノールを減圧下
に留去し、得られた結晶に、ピリジン数滴を加えた99
.5%エタノール50WLIを加え再結晶する。18.
729の淡黄色の3−エトキシアンドロスタ一3,5−
ジエン一17−オンが得られる。
に留去し、得られた結晶に、ピリジン数滴を加えた99
.5%エタノール50WLIを加え再結晶する。18.
729の淡黄色の3−エトキシアンドロスタ一3,5−
ジエン一17−オンが得られる。
収率85.2%200m1の四ツロフラスコを窒素置換
したのち、金属リチウムの小片1.759および乾燥エ
ーテル40miを加え、−15℃に冷却する。
したのち、金属リチウムの小片1.759および乾燥エ
ーテル40miを加え、−15℃に冷却する。
一方アセトアルデヒド=3−ブロモプロピル=エチル=
アセタール21.359(0.101モル)および乾燥
エーテル25mjからなる溶液を調製し、これを撹拌し
ながら1時間かけてフラスコ中に滴下する。滴下終了後
1.5時間撹拌を続ける。ついで先に合成した3−エト
キシアンドロスタ一3,5−ジエン一17−オン2.5
59(0.0081モル)を乾燥テトラヒドロフラン3
0m1に溶解し、これを攪拌しながら30分かけてフラ
スコ中に滴下する。
アセタール21.359(0.101モル)および乾燥
エーテル25mjからなる溶液を調製し、これを撹拌し
ながら1時間かけてフラスコ中に滴下する。滴下終了後
1.5時間撹拌を続ける。ついで先に合成した3−エト
キシアンドロスタ一3,5−ジエン一17−オン2.5
59(0.0081モル)を乾燥テトラヒドロフラン3
0m1に溶解し、これを攪拌しながら30分かけてフラ
スコ中に滴下する。
滴下終了後反応温度を−15゜Cから00Cまで上昇さ
せて1,5時間攪拌を続ける。反応液を氷水中に注ぎ、
テトラヒドロフランを加えて有機物を抽出する。
せて1,5時間攪拌を続ける。反応液を氷水中に注ぎ、
テトラヒドロフランを加えて有機物を抽出する。
その際、食塩を加えて塩析し抽出効率を高める。分液し
たテトラヒドロフラン層は乾燥後、25m1まで濃縮す
る。ついで水60m11エタノール40m1および濃塩
酸4W11からなる塩酸溶液25m2を加え室温で2時
間撹拌する。炭酸ソーダを加えて中和後、テトラヒドロ
フランを加えて抽出する。テトラヒドロフラン溶液を濃
縮すると3.549の結晶が得られる。この結晶をシリ
カゲルを充填したクロマトグラフイ一にかける。テトラ
ヒドロフラン(65)−ベンゼン(35)を溶出剤に用
いて未反応のアンドロスト一4−エン一3,17−ジオ
ンと17α−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒ
ドロキシアンドロスト一4−エン一3オンを分離すると
、アンドロスト一4−エン一3,17−ジオン0.21
5!9(0.0008モル)および17α一(3−ヒド
ロキシプロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト一
4−エン一3−オンが2.849得られる。後者をテト
ラヒドロフランから再結晶すると2.279(0.00
657モル)の精製結晶が得られる。融点166.5〜
168.0℃ 収率81(Ff)実施例 2200m1
の四ツロフラスコに金属リチウムの小片0.60gおよ
び乾燥エーテル35m1を加え、−15℃に冷却する。
たテトラヒドロフラン層は乾燥後、25m1まで濃縮す
る。ついで水60m11エタノール40m1および濃塩
酸4W11からなる塩酸溶液25m2を加え室温で2時
間撹拌する。炭酸ソーダを加えて中和後、テトラヒドロ
フランを加えて抽出する。テトラヒドロフラン溶液を濃
縮すると3.549の結晶が得られる。この結晶をシリ
カゲルを充填したクロマトグラフイ一にかける。テトラ
ヒドロフラン(65)−ベンゼン(35)を溶出剤に用
いて未反応のアンドロスト一4−エン一3,17−ジオ
ンと17α−(3−ヒドロキシプロピル)−17β−ヒ
ドロキシアンドロスト一4−エン一3オンを分離すると
、アンドロスト一4−エン一3,17−ジオン0.21
5!9(0.0008モル)および17α一(3−ヒド
ロキシプロピル)−17β−ヒドロキシアンドロスト一
4−エン一3−オンが2.849得られる。後者をテト
ラヒドロフランから再結晶すると2.279(0.00
657モル)の精製結晶が得られる。融点166.5〜
168.0℃ 収率81(Ff)実施例 2200m1
の四ツロフラスコに金属リチウムの小片0.60gおよ
び乾燥エーテル35m1を加え、−15℃に冷却する。
アセトアルデヒド−3−ブロモプロピル=エチル=アセ
タール7.0g(0.033モル)および乾燥エーテル
15m1からなる溶液を攪拌しながら滴下する。滴下終
了後1.5時間攪拌する。実施例1で合成した3−エト
キシアンドロスタ一3,5−ジエン一17−オン2,6
09(0.0083モル)をテトラヒドロフラン50m
1に溶解し、これを撹拌しながらフラスコ中に滴下する
。
タール7.0g(0.033モル)および乾燥エーテル
15m1からなる溶液を攪拌しながら滴下する。滴下終
了後1.5時間攪拌する。実施例1で合成した3−エト
キシアンドロスタ一3,5−ジエン一17−オン2,6
09(0.0083モル)をテトラヒドロフラン50m
1に溶解し、これを撹拌しながらフラスコ中に滴下する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アンドロスト−4−エン−3,17−ジオンの3−
アセタール、3−ジチオアセタール、3−モノチオアセ
タール、3−エナミンまたは3−エノールエーテルと下
記一般式( I )▲数式、化学式、表等があります▼(
I )(上記式中でR_1は水素原子またはアルキル基
、R_2およびR_3はアルキル基を表わす。 )で表わされる有機リチウム誘導体を反応させて得られ
る下記一般式(II)▲数式、化学式、表等があります▼
(II)(上記式中でXはアセタール残基、ジチオアセタ
ール残基、モノチオアセタール残基、エナミン残基、ま
たはエノールエーテル残基を表わし、R_1R_2、R
_3は上記一般式( I )中におけると同じ意義を有す
る。 )で表わされる17β−ヒドロキシステロイド誘導体を
酸性条件下に分解することを特徴とする17α−(3−
ヒドロキシプロピル)−17β−ヒドロキシアンドロス
ト−4−エン−3−オンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6837675A JPS591277B2 (ja) | 1975-06-06 | 1975-06-06 | 17 アルフア− −(3− ヒドロキシプロピル )−17 ベ−タ− − ヒドロキシアンドロスト−4− エン −3− オンノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6837675A JPS591277B2 (ja) | 1975-06-06 | 1975-06-06 | 17 アルフア− −(3− ヒドロキシプロピル )−17 ベ−タ− − ヒドロキシアンドロスト−4− エン −3− オンノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51143654A JPS51143654A (en) | 1976-12-10 |
| JPS591277B2 true JPS591277B2 (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=13371955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6837675A Expired JPS591277B2 (ja) | 1975-06-06 | 1975-06-06 | 17 アルフア− −(3− ヒドロキシプロピル )−17 ベ−タ− − ヒドロキシアンドロスト−4− エン −3− オンノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591277B2 (ja) |
-
1975
- 1975-06-06 JP JP6837675A patent/JPS591277B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51143654A (en) | 1976-12-10 |
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