JPS59130451A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS59130451A JPS59130451A JP58216183A JP21618383A JPS59130451A JP S59130451 A JPS59130451 A JP S59130451A JP 58216183 A JP58216183 A JP 58216183A JP 21618383 A JP21618383 A JP 21618383A JP S59130451 A JPS59130451 A JP S59130451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- semiconductor element
- dam
- electrode lead
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子素子の樹脂封止方法に用いるリードフレ
ームに関するものである。
ームに関するものである。
従来半導体素子の封止方法としては、金属容器又は、セ
ラミック容器等があるが、安価で、形成が容易な樹脂封
止による方法が多く採用されてきた。この樹脂封止によ
る方法では、第１図に示すようなリードフレームが用い
られる。このリードフレームは半導体素子を支持する支
持部５、外枠２、この外枠２に連結された電極引出し用
リード４、樹脂モールド時の、樹脂流出を防止するため
のダム３、及び各リード４及びダム３を支、持する外枠
１、からなる構造を有する。そして上記支持部に半導体
素子ペーレットを固着し、このペレット上の電極と、上
記リードとを接続した状態で、樹脂封止される。
ラミック容器等があるが、安価で、形成が容易な樹脂封
止による方法が多く採用されてきた。この樹脂封止によ
る方法では、第１図に示すようなリードフレームが用い
られる。このリードフレームは半導体素子を支持する支
持部５、外枠２、この外枠２に連結された電極引出し用
リード４、樹脂モールド時の、樹脂流出を防止するため
のダム３、及び各リード４及びダム３を支、持する外枠
１、からなる構造を有する。そして上記支持部に半導体
素子ペーレットを固着し、このペレット上の電極と、上
記リードとを接続した状態で、樹脂封止される。
しかし、この方法では、以下のような問題が生じること
がわかった。すなわち、リードフレームの熱膨張係数α
１とレジンの熱膨張係数α２とが異なる（α２〉α１
）ために樹脂モールド後の冷却時、レジンとリードフレ
ーム間に応力が加わることによって”すき間”が生じ、
そこから水分等が侵入して、耐湿性が劣化するというこ
とである。
がわかった。すなわち、リードフレームの熱膨張係数α
１とレジンの熱膨張係数α２とが異なる（α２〉α１
）ために樹脂モールド後の冷却時、レジンとリードフレ
ーム間に応力が加わることによって”すき間”が生じ、
そこから水分等が侵入して、耐湿性が劣化するというこ
とである。
さらに詳述すると、樹脂モールド時フレームは約１７０
Ｃに加熱されるためリード及び外枠は、１α当り△Ｔ×
α（△Ｔ＝１７０ｔ：’−室温）だけ伸ばされ、この状
態で樹脂がモールドされる。上記リードの材料として、
コバールや銅及びリン青銅が、封止用樹脂としては、エ
ポキシ樹脂シリコン樹脂等を用いることができるその時
、樹脂がリードに固着し、又リードの熱膨張係数α１、
（コバールの場合４．９ Ｘ １０−’ ／ｌ：ｌ’
）はレジンの熱膨張係数α２（エポキシ樹脂の場合２０
〜４ｏｘ１ｏ−Ｖｃ）より小さいためモールド後室温ま
で冷却された時、リードには、単位長さ当り△Ｔ（α２
−α、）だけ余分に収縮させようとする力が働（、しか
し、各リードは外枠に接続しているため、リードとレジ
ン間でお互いに引張り合う力が生じる。つまり、リード
はレジンによる収縮力にさからおうとする。
Ｃに加熱されるためリード及び外枠は、１α当り△Ｔ×
α（△Ｔ＝１７０ｔ：’−室温）だけ伸ばされ、この状
態で樹脂がモールドされる。上記リードの材料として、
コバールや銅及びリン青銅が、封止用樹脂としては、エ
ポキシ樹脂シリコン樹脂等を用いることができるその時
、樹脂がリードに固着し、又リードの熱膨張係数α１、
（コバールの場合４．９ Ｘ １０−’ ／ｌ：ｌ’
）はレジンの熱膨張係数α２（エポキシ樹脂の場合２０
〜４ｏｘ１ｏ−Ｖｃ）より小さいためモールド後室温ま
で冷却された時、リードには、単位長さ当り△Ｔ（α２
−α、）だけ余分に収縮させようとする力が働（、しか
し、各リードは外枠に接続しているため、リードとレジ
ン間でお互いに引張り合う力が生じる。つまり、リード
はレジンによる収縮力にさからおうとする。
その結果リードとレジンの間に部分的なし・ガｋが起き
レジンとリード間にすき間が生じるのである。
レジンとリード間にすき間が生じるのである。
本発明は上述したような従来の欠点を解消するために考
えられたものでありその目的は、耐湿性の向上した、改
良した樹脂封止方法を提供することである。
えられたものでありその目的は、耐湿性の向上した、改
良した樹脂封止方法を提供することである。
上記の目的を達成する本発明の基本的な構成は電極引出
し用リード及び半導体素子支持部（タブ）を外枠には連
結せずダム部のみで支持する構造のリードフレームを用
意し、これに半導体素子を固着して、電極引出し用リー
ドと半導体素子とを電気的に接続し樹脂封止することを
特徴とするものである。
し用リード及び半導体素子支持部（タブ）を外枠には連
結せずダム部のみで支持する構造のリードフレームを用
意し、これに半導体素子を固着して、電極引出し用リー
ドと半導体素子とを電気的に接続し樹脂封止することを
特徴とするものである。
以下本発明を実−流側にそりて具体的に説明する。
第２図は、本発明によるリードフレームの構造を示すも
のである。１は外枠（フレーム）で、その幅は約３．０
ｍｍ、その間隔は約１９から２０ｍｒｎである。２は、
外枠１を支持するための別の外枠で。
のである。１は外枠（フレーム）で、その幅は約３．０
ｍｍ、その間隔は約１９から２０ｍｒｎである。２は、
外枠１を支持するための別の外枠で。
その幅は、約１．０闘間隔は、約１９市。３は、レジン
流れ防止のための枠（通常ダムと呼ぶ）、幅は約ｎ、４
闘、間隔は約８．０７１１１１．４は、電極引出し用リ
ードで幅は、約０．４から０．５闘、５は、半導体支持
部（タブ）で、たて、よこそれぞれ約２．０朋程度であ
る。
流れ防止のための枠（通常ダムと呼ぶ）、幅は約ｎ、４
闘、間隔は約８．０７１１１１．４は、電極引出し用リ
ードで幅は、約０．４から０．５闘、５は、半導体支持
部（タブ）で、たて、よこそれぞれ約２．０朋程度であ
る。
次に上記リードフレームを用いて、半導体素子−を組み
立てる場合を、第３図を参照して説明する。
立てる場合を、第３図を参照して説明する。
第３図ａに示すように一枚の金属板（コバール、銅ある
いは燐青銅）を打抜き半導体素子の支持部５、電極引出
し用リード４、ダム部３．外枠１゜２を持ったリードフ
レームを用意する。この時本発明に従い、電極引出し用
リード４及び支持部５はダム部３のみで支持され外枠１
，２には連結されていない。次に第３図すに示すように
半導体素子ベレットを固着する。さらに第３図Ｃに示し
たように電極引出し用リード４と半導体素子の電極とを
ワイヤボンディングし、約１７００に加熱して、第３図
ｄのようにエポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の熱硬化性
樹脂でモールドする。次に「ダム」を機械的に切断して
、（図示せず）上記電極引出し用リードと、半導体素子
支持部とを外部引出し用リードとして形成する。
いは燐青銅）を打抜き半導体素子の支持部５、電極引出
し用リード４、ダム部３．外枠１゜２を持ったリードフ
レームを用意する。この時本発明に従い、電極引出し用
リード４及び支持部５はダム部３のみで支持され外枠１
，２には連結されていない。次に第３図すに示すように
半導体素子ベレットを固着する。さらに第３図Ｃに示し
たように電極引出し用リード４と半導体素子の電極とを
ワイヤボンディングし、約１７００に加熱して、第３図
ｄのようにエポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の熱硬化性
樹脂でモールドする。次に「ダム」を機械的に切断して
、（図示せず）上記電極引出し用リードと、半導体素子
支持部とを外部引出し用リードとして形成する。
本発明によると目的が達成できる理由として、樹脂モー
ルド後の冷却時熱膨張係数の違いによりリードがレジン
によって引っ張られてもリードは外枠に連結していない
ためレジンと共に収縮し、その力はダム部で緩和される
。つまりダムの湾曲によってリードに加えられる力が吸
収されるためレジンとリード間には「ノ・ガレ」は生じ
ない。
ルド後の冷却時熱膨張係数の違いによりリードがレジン
によって引っ張られてもリードは外枠に連結していない
ためレジンと共に収縮し、その力はダム部で緩和される
。つまりダムの湾曲によってリードに加えられる力が吸
収されるためレジンとリード間には「ノ・ガレ」は生じ
ない。
尚ダム部は、樹脂モールド後の冷却時、樹脂によってリ
ードに加えられる収縮力を吸収できる（収縮力によりダ
ム部が湾曲する）程度に細いものがよい。
ードに加えられる収縮力を吸収できる（収縮力によりダ
ム部が湾曲する）程度に細いものがよい。
上記した実施例のほかに１本発明は下記のような実施態
様をもつことができる。
様をもつことができる。
（１）使用するリードフレームのダム端部の形状を第５
図ａからｅに示したような構造とする。
図ａからｅに示したような構造とする。
このような構造にすれば、リードに直角な方向の力も弱
められる。
められる。
（２）ダムを、第６図に示したように、外枠２に接続す
る。
る。
本発明は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法全搬に
適用できる。
適用できる。
図面の説明
第１図は従来のリードフレーム構造を示すものである。
第２図は、本発明のリードフレームの構造を示ムを用い
て半導体素子を樹脂封止する方法を示す。
て半導体素子を樹脂封止する方法を示す。
第４図は、本発明のリードフレームによって樹脂封止さ
れた、半導体素子の断面図を示す。
れた、半導体素子の断面図を示す。
第５図（ａ）から（ｄｌ及び第６図は、本発明に従った
リードフレームのその他の実施態様を示す。
リードフレームのその他の実施態様を示す。
１・・・外枠、２・・・外枠、３・・・ダム、４・・・
電極引出し用リード、５・・・半導体素子支持部、６・
・・封止用樹脂。
電極引出し用リード、５・・・半導体素子支持部、６・
・・封止用樹脂。
第 １ 図
第 ３ 図
第 ３ 図
第 ３ 図
第 ３ 図
（６１）
第 ５ 図
（ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、はぼ平行に配列された２本の第１の外枠と、それを
支持する複数の第２の外枠と、上記第２の外枠間に位置
して素子の一表面を支持するための支持部を有するタブ
リードと、一端が上記支持部に向かって放射状に伸び上
記支持部、上記第１及び第２の外枠から離間している複
数の電極引出し用リードと、上記電極引出し用リードを
互いに連結すると共Ｋ、上記第１又は第２の外枠に連結
されている連結部材とを有するリードフレーム。 ２、連結部材の少なく共一端が屈曲して、第１又は第２
の外枠と連結している特許請求の範囲第１項記載のリー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216183A JPS59130451A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216183A JPS59130451A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13833576A Division JPS5363979A (en) | 1976-11-19 | 1976-11-19 | Sealing method of semiconductor element and lead frame used for the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59130451A true JPS59130451A (ja) | 1984-07-27 |
| JPS617747B2 JPS617747B2 (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=16684587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216183A Granted JPS59130451A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130451A (ja) |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58216183A patent/JPS59130451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS617747B2 (ja) | 1986-03-08 |
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