JPS59135703A - 正特性磁器半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、加熱装置に用いて好都合な正特性磁器半導体
素子に関するものである。

従来のものは、正特性磁器半導体の相対向した面に電極
を付与した構造であり、線面の全域あるいはその面の中
央領域を上記電極が占めＣいるのが一般的である。

しかしながら、かかる従来例のものによれば、上記半導
体の形状が大型化になったときには、通電によって熱応
力の作用で半導体目角に割れを生じるという不具合があ
る。

そこで、本発明考は鋭意研究の結果、電極の付与領域を
半導体の中央領域とすることにより、半導体中央領域で
の過大な熱の発生を防いで半導体の熱分布を均一にし、
熱応力を緩和して上記の割れを防ぐようにしたものであ
る。

以下本発明を具体的実施例により説明する。第１図（ａ
ｌ、（ｂｌにおいて、１はチタン酸バリウムを主成分と
する公知組成の正特性磁器半導体であり、板状の形状を
有している。この半導体１の相対向する面には、その中
央部領域を除いて環状にオーミック電極２が４＝Ｊ与し
Ｃある。

この電極２は無電解ニッケルメッキで例えば形成してあ
り、半導体１の全面領域にニッケルメッキを施した後、
エソヂングにより不必要な部分を除くことで電掘２の形
状が得られる。

３はカバー電極であり、この電極３は上記オーミック電
極２の全体を覆うよ・）に半導体１の両面に形成しであ
る。このカバー電極３は、例えば銀ベースＩ・を塗布、
焼付Ｕることによって得られる。

第２図（ａｌ、（ｂｌは従来構造を示すもので、ごれは
半導体１の略全域に、無電解ニッケルメッキで形成しま
たオーミック電極２が付与してあり、かつ該オーミック
電極２を覆うように銀ペーストの塗布、焼イ・ｊｌＪに
よるカバー３が形成し２である。

へに、第１図（ａ）、（ｂｌの本発明実施例と、第２図
（ａ）、（ｂｌの従来例との性能比較実験について説明
する。第３図（δ）、（１））は各々本発明実施例、従
来例の試料を説明するもので、各図中の１５．２８．３
０は長さ寸法（単位；＋ｉ＋１）を表わしている。なお
、半導体１の肉厚は各々１．１　＋ｕである。また、Ａ
−ミノク電極２の材質はニッケル、カバー電極３の材質
は銀であり、その形成方法は上述したとおりである。

第３図（Ｃ１から明白なように、従来例（イ）のものは
印加電圧２０Ｖあたりから半導体に割れが発生しＣいる
。これに対し、本実施例（ロ）では約３５Ｖで割れが発
生しＣいる。従って、同一印加電圧では本実施例のもの
は割れを発生しないことがわかる。また、第３図ｔｃ＋
かられかるごとく、半導体に対する印加電圧を上げても
本実施例のものは割れ発生が低い。

第４図（ａ）、（ｂ）乃至第０図（ａ）、（＋３）は本
発明の他の実施例を示している。

なお、本発明は」二記した実施例に限定されず、以Ｆの
ごとく種々の変形が可能である。

（１）半導体１にはオーミック電極２を付与したが、非
オーミツク電極を付すしてもよい。この非オーミツク電
極の材質としては銀、金、パラジウノ５、銅などがあり
、これらを無電解メッキ、印刷焼付、溶射などの方法で
付り゛すればよい。

（２）オーミック電極２の材質としては、ニッケルの他
にアルミニウム、ススなどがある。こわらの付与方法は
上記（１）の非オーミツク電極の場合と・同じである。

（３）半導体の中央部領域を除く部位に電極を（カＪ−
リする方法としては、マスキング法でもよい。

（４）半導体の−・方の面にオーミック電極、他方の血
に非オーミツク電極を付り、形成してもよい。

（５）半導体の形状としては、前記第６図（ａｌのよう
に部分的に貫通孔１ａを有し°Ｃいるものでもよく、あ
るいはハニカム形状であってもよい。

以」二述べたごとく、本発明によれば、半導体の割れを
防ぐことができ、その実用上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａ）、（ｂｌは本発明の実施例を示すもので、
第１図（ａｌは平面図、第１図ｆｂｌは第１図（ａｌの
Ａ−Ａ断面図、第２図（ａｌ、（ｂｌは従来例を示すも
ので、第２図（ａｌは平面図、第２図（ｂｌは第２図（
ａ）のＥ−Ｅ断面図、第３図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は
本発明の詳細な説明に供する図であり、第３図（ａｌ、
（ｂｌは試料を示す平面図、第３図ｔａ）は特性図、第
４図（ａ）、（ｂ）乃至第６図（８１、ｔｂ＋は本発明
の他の実施例を示すもので、各図（ａｌは平面図、各図
（ｂ）は各図ｆａ）のＢ−Ｂ、Ｃ−Ｃ。 １）　−Ｄ断面図である。 ■・・・半導体、２・・・電極。 代理人弁理士　岡　部　　　隆 千　続　輔　ｊｌ−書（１″４発） 昭ＴＩＪ　５８　’ｌ−２月７［１ 特許ｎ且宮　殿 昭ｆｉｌ　５Ｂ　’Ｉ”ｌ　ＪＩ　Ｚ　４１’１例提出
の’ｌＨ’ｌ願（１、発明の名称 ｊｌｉ’ｔｋ性磁器≧１′、導体素子 ３禎正をする昔 事ｊｆ＋との関係　　特許出願人 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 （４２６）日本電装株式会社 代表者　戸ｉｌｌ憲吾 ４代　理　人 〒４４８　　愛知県刈谷市昭和町ＩＪ目１番地５補正の
対象 明細書の発明のｌｌ′ｆ細な説明の欄。 ６ｈｌｉ正の内容 （１）明細書の第２頁第１行乃至同頁第２行のｒ　７１
ｔ極の（−１’＋領領域・・・することにより、］を１
半導体の中央領域を除いて電極を付与することにより、
」に削正する。 （２）同書第２頁第１９行の「得られる。」を１−得ら
れるもので、非オーミツクである。」に訂正゛多る。 （３）同書第３頁第４行の１−カバー３」を「非オーミ
ツクなカバー電極３」に訂正する。 （４）同書第４頁第６行乃至同頁第７行の「半導体１に
は・・・付与してもよい。」を［半導体１にオーミック
電極単独、あるいは非オーミ・ツク電極単独を形成して
もよい。この場合、これら電極は、半導体１の中央領域
を除いて該半導体１に０惇することは勿論である。なお
、前述の第１図の実施例では非オーミツク電極３が半導
体１の中央領域までも付与しであるが、この第１図の実
施例のようにオーミック電極と非オーミツク電極との組
合せでは電流のほとんど全°Ｃがオーミック電極に流れ
るため、）１」−ミック電極をゝｌ’１体の中央領域に
付すし、゛（も差支えない。つまり、本発明では半導体
に１電流を流′４ための電極を゛ｌ′導体の中央領域を
除いて該３１′λダ体に付りずればよいの一ζある。、
−１（５）同書第４ｒ１第１６ｆｊの１−マスキング法
でもよい。」の後に次の文を追加する。 １−また、活性化ペース１法でもよい。これは、パラジ
ウムを含む活性化ベーストを、電極を付Ｉｊしたい）Ｙ
、導体部分に印刷焼付し、その後前記のごとく無電解Ｎ
ｉメッキをする方法゛Ｃある。これによると、ベースト
焼付部分に短時間でＮｉがメッキされる。−１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 正の抵抗温度特性を有した磁器半導体の相対向した面に
   電極を付与した正特性磁器半導体素子てあっ゛Ｃ１前記
   少なくとも一方の面の電極を、線面の中央領域を除い゛
   Ｃ付与し”Ｃ成る正特性磁器半導体素子。