JPS59143031A - 真空遮断器用接触子材料としての銅・クロム溶融合金の製造方法 - Google Patents

真空遮断器用接触子材料としての銅・クロム溶融合金の製造方法

Info

Publication number
JPS59143031A
JPS59143031A JP59014986A JP1498684A JPS59143031A JP S59143031 A JPS59143031 A JP S59143031A JP 59014986 A JP59014986 A JP 59014986A JP 1498684 A JP1498684 A JP 1498684A JP S59143031 A JPS59143031 A JP S59143031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chromium
manufacturing
raw material
copper
molten
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59014986A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0471970B2 (ja
Inventor
ハインリツヒ・ヘスラー
ライナー・ミユラー
ホルスト・キツペンベルク
ノルベルト・プレルス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6189662&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS59143031(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens Corp filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Publication of JPS59143031A publication Critical patent/JPS59143031A/ja
Publication of JPH0471970B2 publication Critical patent/JPH0471970B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
    • H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
    • H01H1/0206—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches containing as major components Cu and Cr
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/24—After-treatment of workpieces or articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
    • H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
    • H01H33/66—Vacuum switches
    • H01H33/668—Means for obtaining or monitoring the vacuum
    • H01H33/6683—Means for obtaining or monitoring the vacuum by gettering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の・り3する技術分析〕 本発明(・、t、欠陥部およ0.空孔かなく均一なマク
0組織を持ち、少なくとも25質量係で多くとも60質
量係のりUム含自3dを・何するiiH+・r″a t
。
溶融合金を製造するため、溶融工程のプこめの原伺不、
を合金j残分のイ[i]およびクロムから1′1′−9
、それからこの原料′*4を溶融合金化のために溶解す
る、工1p断屯流10 k A以上の真空遮断器用接触
子(4料と1〜で適する銅・クロム溶融合金の製造方法
に関する。
〔従来技術とその問題点〕
遮断m流10 k A以りの真空遮断器用の接触子材料
は、許容遮断電流容量のほかに別の要求をなお満たさな
ければならない。接触子材料は、発生する損失熱がJ断
器バルブの許容できない加熱をひき起こすことなく、数
千アンペアの高い連続許容電流に削えなければならない
。溶着傾向は、軽く且つ騒音の少ない作動のために低く
なければならない。接触子消耗は少なくとも100回の
短絡遮断と10,000回の定格電流遮断が保証される
ように小さくなければならず、その場合銹電性の根拠か
ら接触子は平滑面状の消耗状態を示さねばならない。接
触子材料の組織形成と組成は、裁断電流の分布ができる
だけ狭く葵て、最頻値が千Aより高くないようにされな
ければならない。最後に、アークによる接触子材料の溶
解および蒸発の際に遮断室を1.0−4mbar以上の
限界圧力上昇1ユ導くようなガス分量を遊離することが
ないことが保証されなければならない。
公知のように真空遮断器用の接触子材料とじては、基4
.tEとしてクロムおよび銅を含む粉末冶金によってつ
くられた焼結・溶浸材料が使用される。
製造は特に純粋な原材料から保護ガス中および/または
真空中で行わね、る。高真空条件のもとての製造の場合
にさえ、クロムの反応性に基づく障害領域および欠陥部
が組織にあられれる。溶浸工程の際にはこの欠陥部が組
織の個々の粒子面上の滴れ欠陥に導く。理想的な組織か
らのそのようなずれは、接触子音−Lのアークの点弧お
よび運動状態に影響を及は’L、1だ電流遮断性能およ
び耐圧を害する。
この障害となる組織欠陥は一般に用いられる金属粉末、
特にクロムの外面上の安定しメこ残留酸化物の存在に原
因がある。
同様に遮断器バルブの故障に導き得る他の欠陥は、原材
料のクロム粒子の内部の不純物あるい(佳クロム粉末中
の非金属介在物に基つく。電解クロム粉末においては、
粒子の内部に時おりある電解質残渣が、テルミット法で
得られたクロム粉末の場合には、Al2O3あるいはア
ルミニウム・クロされた。通常の焼結、溶浸工程におい
ては骨格形成りロム粒子は僅かに溶けるだけであるから
、そのような不純物は遊離せず、適切な精製法によって
除去されるか又は少くともマクロ組織において危険のな
い濃度に薄められる。
真空遮断パルプの誘電機能に対しては、最初にあげた欠
陥タイプが決定的である。再帰電圧の作用のもとで、欠
陥部のためにゆるく結合した接触子材料粒子が組織から
分離して貫通破壊をひきおこす。第二の欠陥タイプはそ
れに対して局部的なガス遊離に基づく遮断失敗に導きう
る。簡単な評価でfd、J断動作の際に遮断器パルプ中
の許容できない圧力ピークを避けるために、確実さの根
拠から約1μ2以上のガスがアークから遊離されてはな
らないということが出てぐる。この量がアークから遮断
動作の間に捕えられ分解される含有酸化物の中に含まれ
るならば、特に大電流および対応する高いエネルギー密
度のアークにおける遮断容量を害する遊離されたガス量
を考慮しなければならない。
焼結・溶浸法によってつくられる銅・クロム基の接触子
材料の無数の変形の研究は、分解が約26μ7のガス量
を遊離するであろう30Q/1m  iでの粒径をもつ
酸化不純物を明らかにした。原料料粉末の篩分における
平均粒径の微小化は、小さくなる粒径がクロム骨格の溶
浸性を悪くし、従って最初に述べた欠陥タイプが頻繁に
あられれるだめ、非常に限定してのみ可能である。
それ故、粉末冶金で作られたクロム・銅を基にした接触
子材料を遮断器に用いる際にはある統計的な確率で機能
欠陥を計算に入れなければならないことから出発するこ
とがてきる。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は、と述のマクロ欠陥がなく、非金
属含有物および空孔部が太きぐとも50μmの寸法と0
5体積係以下の全含有量をもってせいぜい一様な微細分
布において含まれる、少なくとも25質量係以上で多く
とも60$質量係までのクロムをもつ銅・クロムを共に
しだ材料を製造することにある。
〔発明の構成〕
本発明によればこの目的は、溶融合金化のだめの原材料
の溶解の際に、瞬間的な溶融体積の少なくとも部分領域
において少なくとも2273にへ過熱し、次いで第一次
のCr析出もしくは分離があられれないような冷却速度
で溶融物を冷却することによって達成される。
基本的には上述の欠点は溶融合金化によって除去されt
や故ならこの場合溶浸欠陥によって生ずる障害部があら
れれることがなく、従って溶浸組織の中にゆるく結び込
まれた粒子が接触子面から離れる危険が除去されるから
である。しかし公知の鋳造法によっては25質量係以上
のクロム含有量をもつ銅・クロム溶融合金は接触子材料
に対して通常の寸法には製造することができなかった。
何故なら高い冷却速度においてさえ第一次のクロム析出
および分離が生ずるからである。すでにクロムの20質
量ヂ1でに、25質量係より上で分離効果の形成のもと
に著しく増大する組織不均一化が現れる。37質量係お
よびそれ以上の液相分離領域の近傍までのクロム濃度か
らは通常の鋳造方法によって遮断器接触子片(二対して
通常の寸法(直径50mm以上で高さ3mm以上)を決
して得ることができない。
しかし、この濃度領域は、真空遮断器用接触子材料とし
て使用するためには、通常の鋳造方法によって可能な1
5質量係のクロム分量では耐消耗性および耐溶着性に対
して満足すべき値を生じない材料を与えることがわかっ
たあとでは特に重要である。
従って、25質量係以上のクロム濃度を溶融冶金法によ
って得るだめの上述の困難によって、従来すべての高い
クロム含有材料は粉末冶金法で;製造される。
驚くべきことに、局部的に高いエネルギー密度を溶融材
料に供給する溶融法によって、25 ’!t%と60質
量係の間の高いクロム分量をもち、一様なりロム組織を
%+L銅マトリックス中に細かく分布して析出したクロ
ム樹枝状晶を含む合金を溶融冶金法でつくるととかてき
ることが分かった。
溶融合金化のだめの原材料の溶解に対しては、アーイ7
、電子線、レーザおよび高周波によるプラズマ溶融が特
に適していることか分かつプζ1、これらの方法のすべ
てに、実際の溶解過程がせいぜい数乎力+り/ヲーメー
タの溶融表面の局限された空間を、そして少なくとも5
kW/c、4のエイ・ルギー面通している。そのほかに
、エネルギー供給の場所が融体表ケ■jに対して相対的
に、局限された領域の均一な溶解はたしかに得られるが
しがし熱力学的平衡の調整が作用しないほど速く勅がさ
れなげればならない。
原材料は、粉末冶金法によって、例えば銅・クロム混合
粉末の圧縮および/−マたは焼結によって、あるいは焼
結されたクロム骨格の銅浴υによってつくられることが
有利である。原材料はクロ11粉末を充てんした銅套体
からなる複合イ2料として作ることもでさる。さらに、
クロム粉末で充てんされた穴を有する銅棒まだ+ri、
クロム粉末で被覆されだ銅棒から原材料を作ることが可
能である。
還元剤として原材料に高々1質量係−まての炭素を添加
することができる。接触子月利のゲッタ性能を高めるブ
之めに、原材料にジルコンあるいはヂクン金属と添加す
ることができる。l@融ふん囲気のだめの保護ガスとし
て不活性ガス、特にヘリウムおよびアルゴンか適してい
ることが分かった。
本発明に基づ〈、ノ5法によって、6o質量多−まての
クロ/・成分を細かく分かれた樹枝状晶の析出物の形で
一様に分布して含む銅・クロム祠料を製造することがで
きる。溶融帯域の局部的な高いエイ・ルギー供給によっ
て、場合によって生ずる酸化物の、あるいは他の非金属
の不純物は同時に溶解し、分解し、一部分蒸発し、その
結果同時に精製作用が起きる。蒸発しないで溶解するだ
けの不純物は、凝固の際に細かく分かれて遮断負荷に対
して危険でない桁の大きさで組織中に再び析出する。材
料は欠陥部がなく、まだ空孔がなぐ、銅マトリックスの
中に樹枝状晶のクロム析出物が良好に結び込捷れている
均一なマクロ組織を示す。非金属不純物の含有量は原材
料に対しで低められ、組織中に一様に小さな粒径で析出
する。
酸化不純物への還元作用を改善するだめに、保護ガスに
例えば水素ガスあるいは一酸化炭素ガスを添加してもよ
い。
〔発明の実施例〕
実施例を引用して本発明をなお詳しく説明する。
例1 65質量係の銅粉末と35質量係のクロム粉末との混合
粉末からF3Qmmの直径と50Qmmの長さをもつ素
材を静圧で3000barの圧力によって圧縮し、続い
て真空中で銅の融点のわずか下で、あるいは液相の形成
の場合は銅の融点の約50°C上で焼結する。焼結した
素材を、アーク溶解炉中の溶融電極として使用し、還元
剤として放気の水素あるいは一酸化炭素を混和してもよ
い保護ガスとしての一すウムのもとて溶解する。必要な
高いエネルギー密度を得るために、アーク電流は与えら
れたて」〆去にお゛いて少なくとも100OAでならな
ければならない。溶は落ちた電極材料は水冷式の網金型
中で凝同じ、その場合生ずる鋳塊は一ト方へ引き抜かれ
、溶融電極は上からつづいて導かれる。
例2 無酸素銅からなる肉厚の銅管を、鋼管の質量とクロム粉
末の質量が等しくなるようにクロム粉末で満たす。次い
で管を端部で閉じ、クロム粉末の断面縮小と繊密化のた
めに押出し工具中で細くする。この複合材をアーク炉中
の溶融電極として使用し、例1において記載した方法に
よって溶解する。
例3 クロムおよび銅粉末から焼結・溶浸法によって作られた
約50質量チのクロム含有量をもつクロム・銅素材を水
冷された調合型中に挿入し、真空中で電子線銃により数
ミリメートルの深さまで溶解する。インパルス駆動にお
いても作動できる電子線はその場合素材の1(二、後の
接触子の遮断表面全体が順次溶解されるがしかし同じ時
点には、熱力学的な平衡状態に達することがなく凝固が
急速に行われ得るような材料の小部分だけが常に溶融状
態にあるように連続的に又は段階的に導かれ・その結果
クロム樹枝状晶の細かく分かれた析出を持つ一様なマク
ロ組織が得られる。
例4 クロムおよび銅粉末から圧縮され、約45質量チのクロ
ム含有量をもつ素材を約1423にで焼結し、続いて残
留空孔溶浸のために液体鋼をもう一度浸透させる。この
素材から、最終的接触子寸法に対して僅かな余分を有す
る接触子円盤を作り出す。その接触子円盤を冷却された
回転板の上に置き、無電極の高周波プラズマトーチによ
り表面を約1111111の深さまで溶解し、支持板の
回転によりすべての接触子材料部分がプラズマ焔により
順次溶解される。表面の溶融凹凸を切削の後に接触子円
盤は遮断器バルブの中に直接挿入できる。
第1頁の続き 0発 明 者 ホルスト・キッペンベルクドイツ連邦共
和国へルツオーゲ ンアウラツハ・ズブ−テンシュ トラーセ24 (l  明 者 ノルベルト・プレルスドイツ連邦共和
国つエンデルシ ュタイン・ビールベーク1 155

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)欠陥部および空孔がなく均一なマクロ組織を持ち、
    少なくとも25質量チで多くとも60チのクロム含有量
    を有する銅・クロム溶融合金を製造するだめ、溶融工程
    のだめの原材料を合金成分の銅およびクロムから作り、
    それからこの原材料を溶融合金化のために溶解する方法
    において、溶融合金化のだめの原材料の溶解の際に瞬間
    的な溶融体積の少なくとも部分領域において少なくとも
    2273Kに過熱し、次いで第一次のクロム析出もしく
    は分離があられれないような冷却速度で溶融物を冷却す
    ることを特徴とする真空遮断器用接触子材料としての銅
    ・クロム溶融合金の製造方法。 2)原材料を保°護ガスふん囲気のもとてアーク溶解炉
    中で溶解することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の製造方法。 3)原材料を電子線を用いて溶解することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 4)原材料を保護ガスふん囲気のもとでレーザ光線を用
    いて溶解することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の製造方法。 5)原材料を保護ガスふん囲気のもとて高周波プラズマ
    を用いて溶解することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の製造方法。 6)原材料を銅・クロム混合粉末の圧縮および/まだは
    焼結による粉末冶金法によって作ることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の製
    造方法。 7)原材料を焼結クロム骨格の銅溶浸による粉末冶金法
    によって作ることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
    いし第5項のいずれかに記載の製造方法。 8)クロム粉末を充てんした銅套体からなる複合材料と
    して原材料を作ることを特徴とする特譜I請求の範囲第
    1項ないし第5項のいずれかに記載の装造方法。 9)クロム粉末で充て/しされた穴と何する銅棒から原
    材オ→を作ることを特徴とする特1;71’ j^求の
    範囲第1項ないし5第5項のいずれかに記載の製造方法
    。 10)クロム粉末て一被覆された釦j俸がら原オIン1
    を作ることを特徴とする特許請求の範[、’tl’jN
    項ないL第5項のいずitかに記載の銅・クロノ・溶融
    合金の製造方法。 11)原イオ料に高くとも1質量喝−までの炭素を還元
    (洛として添加することを特徴とする特許請求のQ41
    1[l ”)’、 6項ないし第10項のいずれツク・
    に記載の製造)5法。 J2)原材料にジルコンあるいはチタン金・:(の添加
    物を混合することを特徴とする特許請求の範囲第6項な
    いし第10項のいずれかに記載13)保護ガスとして不
    活性ガスを用いることを特徴とする特許請求の範囲第2
    項、第4項あるいは第5項のいずれかに記載の製造方法
    。 14)保護ガスに還元添加物として水素ガスあるいは一
    酸化炭素ガスをイ1加することを特徴とする特許請求の
    範υ(1第13項記載の・製造方法。
JP59014986A 1983-01-31 1984-01-30 真空遮断器用接触子材料としての銅・クロム溶融合金の製造方法 Granted JPS59143031A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833303170 DE3303170A1 (de) 1983-01-31 1983-01-31 Verfahren zum herstellen von kupfer-chrom-schmelzlegierungen als kontaktwerkstoff fuer vakuum-leistungsschalter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59143031A true JPS59143031A (ja) 1984-08-16
JPH0471970B2 JPH0471970B2 (ja) 1992-11-17

Family

ID=6189662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59014986A Granted JPS59143031A (ja) 1983-01-31 1984-01-30 真空遮断器用接触子材料としての銅・クロム溶融合金の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4537745A (ja)
EP (1) EP0115292B2 (ja)
JP (1) JPS59143031A (ja)
CA (1) CA1220630A (ja)
DE (2) DE3303170A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法
CN106521199A (zh) * 2016-12-15 2017-03-22 西京学院 一种移动式易熔合金加注回收系统及其使用方法
JP2019099919A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Deutschland GmbH&Co.KG 溶解冶金法による金属間化合物Nb3Snの製造方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189126A (ja) * 1984-03-07 1985-09-26 株式会社東芝 真空遮断器とその処理方法
US4736078A (en) * 1983-10-07 1988-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for processing vacuum switch and vacuum switch processed by the method
EP0172411B1 (de) * 1984-07-30 1988-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Vakuumschütz mit Kontaktstücken aus CuCr und Verfahren zur Herstellung dieser Kontaktstücke
US4677264A (en) * 1984-12-24 1987-06-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Contact material for vacuum circuit breaker
US4676827A (en) * 1985-03-27 1987-06-30 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Wire for bonding a semiconductor device and process for producing the same
DE3734424A1 (de) * 1986-10-17 1988-04-28 Battelle Institut E V Verfahren zur herstellung von dispersionsgehaerteten legierungen auf der basis von kupfer
EP0283536A1 (de) * 1987-03-24 1988-09-28 INOVAN GmbH & Co. KG Metalle und Bauelemente Verfahren zum Herstellen von Silber/MeO-Kontaktplättchen mit löt- oder schweissfähiger Unterseite
DE3864979D1 (de) * 1987-11-02 1991-10-24 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von schmelzwerkstoffen aus kupfer, chrom und wenigstens einer leichtverdampflichen komponente sowie abschmelzelektrode zur verwendung bei einem derartigen verfahren.
JP2768721B2 (ja) * 1989-03-01 1998-06-25 株式会社東芝 真空バルブ用接点材料
DE3915155A1 (de) * 1989-05-09 1990-12-20 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von schmelzwerkstoffen aus kupfer, chrom und wenigstens einer sauerstoffaffinen komponente sowie abschmelzelektrode zur verwendung bei einem derartigen verfahren
GB8921475D0 (en) * 1989-09-22 1989-11-08 Gen Electric Co Plc High current switch components
EP0538896A3 (en) * 1991-10-25 1993-11-18 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Process for forming contact material
US5557927A (en) * 1994-02-07 1996-09-24 Rockwell International Corporation Blanching resistant coating for copper alloy rocket engine main chamber lining
TW320728B (ja) * 1994-02-21 1997-11-21 Toshiba Co Ltd
AU2109795A (en) * 1994-03-18 1995-10-09 Sahm, Peter R. Casting materials
DE19650752C1 (de) * 1996-12-06 1998-03-05 Louis Renner Gmbh Kupfer-Chrom-Kontaktwerkstoff mit feinkörnig umgewandelter Oberfläche für elektrische Schaltkontakte und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19811816A1 (de) * 1997-03-24 1998-10-01 Fuji Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Elektrodenmaterials für Vakuum-Leistungsschalter
US6282262B1 (en) * 1999-11-10 2001-08-28 Varian Medical Systems, Inc. X-ray tube and method of manufacture
ATE506683T1 (de) * 2006-04-20 2011-05-15 Abb Technology Ag Verfahren zur herstellung eines kontaktstückes, sowie kontaktstück für nieder-, mittel,- hochspannungs- und generatorschaltgeräte
CN100374594C (zh) * 2006-04-28 2008-03-12 沈阳铜兴产业有限公司 Cu-Cr-Zr合金和Cu-Zr合金的非真空熔铸工艺
DE102006021772B4 (de) * 2006-05-10 2009-02-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Chrom-Kontakten für Vakuumschalter und zugehörige Schaltkontakte
EP1997574A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-03 ABB Technology AG Method for production of a contact piece for a switchgear assembly, as well as a contact piece itself
KR101290856B1 (ko) * 2008-09-30 2013-07-29 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 구리 또는 고순도 구리 합금 스퍼터링 타겟 및 동 스퍼터링 타겟의 제조 방법
WO2010038641A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3125441A (en) * 1964-03-17 Materials
US3615345A (en) * 1968-08-28 1971-10-26 Westinghouse Electric Corp Method for producing ultra-high purity metal
US3827883A (en) * 1972-10-24 1974-08-06 Mallory & Co Inc P R Electrical contact material
US3960554A (en) * 1974-06-03 1976-06-01 Westinghouse Electric Corporation Powdered metallurgical process for forming vacuum interrupter contacts
US4008081A (en) * 1975-06-24 1977-02-15 Westinghouse Electric Corporation Method of making vacuum interrupter contact materials
DE2535184B2 (de) * 1975-08-06 1977-06-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen porenarm gesinterter fertigformteile auf der basis chrom-kupfer oder vanadium-kupfer
US4190753A (en) * 1978-04-13 1980-02-26 Westinghouse Electric Corp. High-density high-conductivity electrical contact material for vacuum interrupters and method of manufacture
JPS598015B2 (ja) * 1978-05-31 1984-02-22 三菱電機株式会社 真空しや断器用接点
JPS55152144A (en) * 1979-05-16 1980-11-27 Hitachi Chem Co Ltd Cast alloy for collecter ring
DD155861A3 (de) * 1979-12-08 1982-07-14 Hans Bohmeier Verfahren zur herstellung von schaltstuecke
CH661616A5 (de) * 1980-11-28 1987-07-31 V Elektrotech I V I Lenina Verfahren zur vorbehandlung der kontakte und elektroden elektrischer vakuumgeraete.
US4481030A (en) * 1983-06-01 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Tantalum-copper alloy and method for making

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法
CN106521199A (zh) * 2016-12-15 2017-03-22 西京学院 一种移动式易熔合金加注回收系统及其使用方法
JP2019099919A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Deutschland GmbH&Co.KG 溶解冶金法による金属間化合物Nb3Snの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4537745A (en) 1985-08-27
JPH0471970B2 (ja) 1992-11-17
DE3460258D1 (en) 1986-08-07
DE3303170A1 (de) 1984-08-02
EP0115292B1 (de) 1986-07-02
CA1220630A (en) 1987-04-21
EP0115292B2 (de) 1989-09-06
EP0115292A2 (de) 1984-08-08
EP0115292A3 (en) 1984-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4537745A (en) Method of producing copper-chromium fusion alloys as contact material for vacuum power switches
US5480472A (en) Method for forming an electrical contact material
Bomberger et al. The melting of titanium
CN1264143A (zh) 真空开关铜铬系触头材料的制造方法
JP2908073B2 (ja) 真空バルブ用接点合金の製造方法
JP2000219923A (ja) 粉末冶金により製造された複合材料、その製造方法及び電気接点材料
CN111593207B (zh) 一种低成本细晶CuCr触头材料的制备方法
JPH05101750A (ja) 電極材料の製造方法
JP2001158901A (ja) 電気接点及び電極用の合金並びにその製造方法
US4655825A (en) Metal powder and sponge and processes for the production thereof
Miao et al. Two new Cu-Cr alloy contact materials
JPS59163726A (ja) 真空しや断器
JPH10324934A (ja) 真空遮断器用電極材料の製造方法
CN111593224B (zh) 一种铜铬电弧熔炼用自耗电极棒的制备方法
Breig et al. Induction skull melting of titanium aluminides
JPH0554208B2 (ja)
JP2653461B2 (ja) 真空バルブ用接点材料の製造方法
CN115948667A (zh) 一种钨纳米颗粒强化CuCr合金及其制备方法
JPH0573813B2 (ja)
CN1086247C (zh) 真空断路器用电极材料的制造方法
JP2937620B2 (ja) 真空バルブ用接点合金の製造方法
JPH0682532B2 (ja) 真空バルブ用接点合金の製造方法
JPS62116736A (ja) 真空遮断器用電極の製造法
JP3627712B2 (ja) 真空遮断器及びそれに用いる真空バルブと電気接点
JP2000188045A (ja) 真空遮断器及びそれに用いる真空バルブとその電極

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term