JPS59143155A - ガラス・マスク - Google Patents
ガラス・マスクInfo
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- JPS59143155A JPS59143155A JP58018448A JP1844883A JPS59143155A JP S59143155 A JPS59143155 A JP S59143155A JP 58018448 A JP58018448 A JP 58018448A JP 1844883 A JP1844883 A JP 1844883A JP S59143155 A JPS59143155 A JP S59143155A
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス・マスクの構造に関する。
従来、ガラス・マスクは、代表的な例として、石英基板
に、ｒ、ゐマスフケ示すと、第１図の如き構造の石英マ
スフケ用いていた。すなわち、石英基板１の一生面には
クロム膜２が図形状に形成されていた。該例はクロム膜
２を通酵のホト・リゾグラフィー技術により図形状にレ
ジストヲ残し、該レジスト會マスクとして下地クロム膜
Ｋｌ浴Ｍでウェット・エツチングし、クロム膜七図形状
に形成しｆｃものである。
に、ｒ、ゐマスフケ示すと、第１図の如き構造の石英マ
スフケ用いていた。すなわち、石英基板１の一生面には
クロム膜２が図形状に形成されていた。該例はクロム膜
２を通酵のホト・リゾグラフィー技術により図形状にレ
ジストヲ残し、該レジスト會マスクとして下地クロム膜
Ｋｌ浴Ｍでウェット・エツチングし、クロム膜七図形状
に形成しｆｃものである。
し〃為し、上記私へ１図の別の場合には、ウェット・エ
ツチング時のエツチングのバラツキが大きく、クロム膜
のエツチング後の巾寸法がバラツクという欠点があり、
最近は、第２図に示す如く、活性塩素イオン素をクロム
膜に当てて、エツチングする、いわゆるドライ・エツチ
ングに＝９マスク製這會行なう方法により、石英基板１
１の一生面に図形状にクロム膜１２全形戊する方法が用
いられているが、該方法によれば、クロム膜１２のエツ
チングによる巾寸法のバラツキは小さくなるが、塩素イ
オン等の衝突により、基板１１がエツチングされ、基板
１１のサイド・エッチ都１３が形成され、該サイド・エ
ッチ都１５に於て、露光時に光の散乱が緬９、図形の精
度良い転写が行なえないという欠点があった。
ツチング時のエツチングのバラツキが大きく、クロム膜
のエツチング後の巾寸法がバラツクという欠点があり、
最近は、第２図に示す如く、活性塩素イオン素をクロム
膜に当てて、エツチングする、いわゆるドライ・エツチ
ングに＝９マスク製這會行なう方法により、石英基板１
１の一生面に図形状にクロム膜１２全形戊する方法が用
いられているが、該方法によれば、クロム膜１２のエツ
チングによる巾寸法のバラツキは小さくなるが、塩素イ
オン等の衝突により、基板１１がエツチングされ、基板
１１のサイド・エッチ都１３が形成され、該サイド・エ
ッチ都１５に於て、露光時に光の散乱が緬９、図形の精
度良い転写が行なえないという欠点があった。
本発明は、か刀）る従来技術の欠点葡なくし、図形状膜
の巾寸法ノ１）バラツキの少ない、刀・つ、露光時の光
散乱に、ｒ、ゐ転写図形の鞘度劣化のないガラス・マス
クを提供することを目的とする。
の巾寸法ノ１）バラツキの少ない、刀・つ、露光時の光
散乱に、ｒ、ゐ転写図形の鞘度劣化のないガラス・マス
クを提供することを目的とする。
上記目的を達成するための、不発明の基本的な構成に、
カラス・マスクに於て、ガラス平板基体上の一王面に、
基体エツチング阻止能を有する、Ａ区、ｏ３等の膜が形
成され、該膜上に図形状膜が形成されて成ゐことを特徴
とすな。
カラス・マスクに於て、ガラス平板基体上の一王面に、
基体エツチング阻止能を有する、Ａ区、ｏ３等の膜が形
成され、該膜上に図形状膜が形成されて成ゐことを特徴
とすな。
以下、実施例により不発明全詳述する。
第６は、本発明の一爽施ｖｕを示す、石英マスクの−ｒ
面図である。
面図である。
石英平板基板２１の一生向上にエリ、化学蒸着法等によ
りＡｆｌｚＯｓ膜２６が１ミクロン厚程髪形成され、該
ＡＲ２０３膜２６上に図形状にクロム膜２２が形成され
て成る。クロム膜は真空蒸着法により形成され通′帛の
ホトリゾ・グラフィ技術と、ドライ・エツチング法にＪ
、９図形状に形成さｆゐ。
りＡｆｌｚＯｓ膜２６が１ミクロン厚程髪形成され、該
ＡＲ２０３膜２６上に図形状にクロム膜２２が形成され
て成る。クロム膜は真空蒸着法により形成され通′帛の
ホトリゾ・グラフィ技術と、ドライ・エツチング法にＪ
、９図形状に形成さｆゐ。
上記の如く、Ａμ２０３膜が形成された石英マスク基板
上に図形状膜が形成されゐことにＬ！７、図形状クロム
族のドライ・エツチング時に、ＡＥ□０３膜がドライ・
エツチングに対する阻止能全頁し、基板石英にサイド・
エッチ部全形ＦＪＸ、することが無く、露光時の光の散
乱も発生せず、刀）つ図形状膜がドライ・エツチングで
形成されるため、極めてバラツキが少なく、鞘伎の高い
転写図形が得られるという効果がある。
上に図形状膜が形成されゐことにＬ！７、図形状クロム
族のドライ・エツチング時に、ＡＥ□０３膜がドライ・
エツチングに対する阻止能全頁し、基板石英にサイド・
エッチ部全形ＦＪＸ、することが無く、露光時の光の散
乱も発生せず、刀）つ図形状膜がドライ・エツチングで
形成されるため、極めてバラツキが少なく、鞘伎の高い
転写図形が得られるという効果がある。
本発明は石英マスクのみならず、他のカラス・マスクに
適用されることはいう葦でもない。
適用されることはいう葦でもない。
第１図及び第２図は従来のガラス・マスクの実施例？示
すマスクの断面図２．第３図は不発明によるガラス・マ
スクの一実施例を示すマスクの断面図であり。 １．１１．２１・・・平板ガラス基体、２．１２．２２
・・・図形状膜 １６・・・サイド・エッチ部 ２６・・・エツチング阻止膜 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 啓
すマスクの断面図２．第３図は不発明によるガラス・マ
スクの一実施例を示すマスクの断面図であり。 １．１１．２１・・・平板ガラス基体、２．１２．２２
・・・図形状膜 １６・・・サイド・エッチ部 ２６・・・エツチング阻止膜 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 啓
Claims (2)
- （１） カラス平板基体上の一生面に基体エツチング
阻止龍ケＭすゐｊ換が形成され、該膜上に図形状膜が形
成されて成ることを特徴とするガラス・マスク。 - （２）基体エツチング阻止能會有する膜としてＡＲ２０
３膜會肩する特許請求範囲第１項記載のガラス・マスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018448A JPS59143155A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018448A JPS59143155A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143155A true JPS59143155A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11971902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018448A Pending JPS59143155A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009291259A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Micron:Kk | 歯科用ハンドピース検査装置 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58018448A patent/JPS59143155A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009291259A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Micron:Kk | 歯科用ハンドピース検査装置 |
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