JPS59143376A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS59143376A JPS59143376A JP58017747A JP1774783A JPS59143376A JP S59143376 A JPS59143376 A JP S59143376A JP 58017747 A JP58017747 A JP 58017747A JP 1774783 A JP1774783 A JP 1774783A JP S59143376 A JPS59143376 A JP S59143376A
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- JP
- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は光エネルギな直接゛嘔気エネルギに質則する光
起電力装置に関する・ （（ロ）従来技術 元エネルギを直接嘔気エネルギＶＣ変換する光起電力装
置、所用太陽−也は無尽蔵な太陽光を主之るエネルギ資
源としているために、エネルギ資源の枯渇が問題となる
甲で脚光を浴ている。
起電力装置に関する・ （（ロ）従来技術 元エネルギを直接嘔気エネルギＶＣ変換する光起電力装
置、所用太陽−也は無尽蔵な太陽光を主之るエネルギ資
源としているために、エネルギ資源の枯渇が問題となる
甲で脚光を浴ている。
第１図は所る元ｄ′−刀装置を示し、（］）はガラス・
透光性プラスチック等の絶縁基板、（２ａ）（２ｂ）（
２０）は該絶縁基板（１）の−主面に並設された第１〜
第６の光Ｉ冠斐換鎖板で、該ｙ換ｉｆ４ ｊ或（２ａ
） （２ｂ ） （２ｃ 、） （／Ｊ各ｚＬｉ、絶＆
Ｊ ４ Ｆｌｙ、 １１１１１１１から酸化スズ（Ｓ
ｎ Ｏ２） 、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２０？ｌ−８
ｎＯ２）４！ｌｉ；ノミ明ｊ唆化７＝４ ｉｔ 利ノ第
１電極ＩＭ（５ａ）（５ｂ）（５０，）と、ｆｌｌ ｔ
ハ光入射側からＰＩＮ接合を有するアモルファスシ薄 りコン等の、Ｖ状元半導体！曽（４ａ）（４ｂ）（４Ｃ
〕と、該光半導体Ｉｎ（４ａ）（４ｂ）（４０）とオー
ミンク接触するアルミニウムＡｊ等の第２箪極層（５ａ
、）（５ｂ）Ｃ５０）と、Ｙ １１１１１次貞畳セーし
めた積層横這を成している。更に、上記並設されたＮＳ
１〜第６の光箪変換叫」成（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）
は第２図にその要部を拡大して示す如く、右隣りの光半
導体層（４ｂ）（４０）Ｆ面から絶縁基ｌ１ｌＩｙ、（
ｌｊ上に露出した第１嘔極層（５ｂ）（６０）の露出品
（３ｂ’） （３０’） ＶＣ，左隣りの元半纏体層（
４ａ）（４ｂ）上面から延出して来た第２−極層（５ａ
）（５ｂ）の延長部（５ａ’）（５ｂ’）がｒＩ！接結
合し、イ（ｆｉ ’ テ！１ｆ５１〜”Ｋｌ ６）光−
父挾唄域（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）はＬ％Ｕｃｆｆｉ列
接続される。
透光性プラスチック等の絶縁基板、（２ａ）（２ｂ）（
２０）は該絶縁基板（１）の−主面に並設された第１〜
第６の光Ｉ冠斐換鎖板で、該ｙ換ｉｆ４ ｊ或（２ａ
） （２ｂ ） （２ｃ 、） （／Ｊ各ｚＬｉ、絶＆
Ｊ ４ Ｆｌｙ、 １１１１１１１から酸化スズ（Ｓ
ｎ Ｏ２） 、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２０？ｌ−８
ｎＯ２）４！ｌｉ；ノミ明ｊ唆化７＝４ ｉｔ 利ノ第
１電極ＩＭ（５ａ）（５ｂ）（５０，）と、ｆｌｌ ｔ
ハ光入射側からＰＩＮ接合を有するアモルファスシ薄 りコン等の、Ｖ状元半導体！曽（４ａ）（４ｂ）（４Ｃ
〕と、該光半導体Ｉｎ（４ａ）（４ｂ）（４０）とオー
ミンク接触するアルミニウムＡｊ等の第２箪極層（５ａ
、）（５ｂ）Ｃ５０）と、Ｙ １１１１１次貞畳セーし
めた積層横這を成している。更に、上記並設されたＮＳ
１〜第６の光箪変換叫」成（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）
は第２図にその要部を拡大して示す如く、右隣りの光半
導体層（４ｂ）（４０）Ｆ面から絶縁基ｌ１ｌＩｙ、（
ｌｊ上に露出した第１嘔極層（５ｂ）（６０）の露出品
（３ｂ’） （３０’） ＶＣ，左隣りの元半纏体層（
４ａ）（４ｂ）上面から延出して来た第２−極層（５ａ
）（５ｂ）の延長部（５ａ’）（５ｂ’）がｒＩ！接結
合し、イ（ｆｉ ’ テ！１ｆ５１〜”Ｋｌ ６）光−
父挾唄域（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）はＬ％Ｕｃｆｆｉ列
接続される。
この様な装置に於いて、光利用効率を左方する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）ＶＣ対し
、実際に発電に寄弓する第１〜９Ａ５の光’ｉ４’Ｒ換
饋域（頭載ａ ） （２ｂ） （２０） ｃＤｂ面袖の
占める゛副台いである。然るに各光電変挨頭載（２ａ）
（２ｂ）（２ｃ）ｃｏｌｉＪ接１’Ｊ隔ｒｅ然ａ＞ｃ存
在する分離ｔｉｌｌ域は上記面１１４割合いを低トさせ
る。
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）ＶＣ対し
、実際に発電に寄弓する第１〜９Ａ５の光’ｉ４’Ｒ換
饋域（頭載ａ ） （２ｂ） （２０） ｃＤｂ面袖の
占める゛副台いである。然るに各光電変挨頭載（２ａ）
（２ｂ）（２ｃ）ｃｏｌｉＪ接１’Ｊ隔ｒｅ然ａ＞ｃ存
在する分離ｔｉｌｌ域は上記面１１４割合いを低トさせ
る。
従って、光利用効率を向上させるためには谷光屯変ＰＡ
ｍＪＪ戊（２ａ）（２ｂ）（２０）のＭｍｌ”ｌｌ’Ｍ
である分離Ｍ４械２小さくしかければならない。
ｍＪＪ戊（２ａ）（２ｂ）（２０）のＭｍｌ”ｌｌ’Ｍ
である分離Ｍ４械２小さくしかければならない。
ルする間隔縮小は各層の加１．粕１廷で決まり、従って
、４１１庄・加工性に優れている写真蝕刻技術が有望で
ある。この技術によるル合、基板（１）全面への第１゛
屯撤層の被着工Ａ呈と、フォトレジスト及びエツチング
による各個別の第１電極層（５ａ）（５ｂ）Ｃ５０）の
分離、即ち各第１電極層１ａ）（５ｂ）（５ｃ）の隣接
間隔部分の除去工程と、を順次経た後、同様の被着工程
及び除去工程を光半導体層（４ａ）（４ｂ）（４０）並
び１ｃ−１ｓ２電偵層（５ａ）（５ｂ）（５０）ＩＣつ
いても各々再度縁り返し行なうことになる。
、４１１庄・加工性に優れている写真蝕刻技術が有望で
ある。この技術によるル合、基板（１）全面への第１゛
屯撤層の被着工Ａ呈と、フォトレジスト及びエツチング
による各個別の第１電極層（５ａ）（５ｂ）Ｃ５０）の
分離、即ち各第１電極層１ａ）（５ｂ）（５ｃ）の隣接
間隔部分の除去工程と、を順次経た後、同様の被着工程
及び除去工程を光半導体層（４ａ）（４ｂ）（４０）並
び１ｃ−１ｓ２電偵層（５ａ）（５ｂ）（５０）ＩＣつ
いても各々再度縁り返し行なうことになる。
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は水沫い等のクエットプロ
セス？含むために第２図に示す如く第１電極層（３ｂ〕
の露出部（５ｂ’）の先端（６ｂ″）と、左隣りの光磁
変換頭載（２ａ〕から延出した光半導体層（４ａ〕の延
出端（４ａ’）と、の間に敞小な間隙δが形成されると
、該間１１ホδに上記光半導体層（４ａ〕の写真蝕刻工
程ｖｃ於いて水、エッチャント若しくはフォトレジスト
等が僅かながらも残留することがあり、抜工＆ｉＶＣ於
いて被着される第２電極層（５ａ）の延長部（５ａ ’
）’と第１磁轍層（５ｂ〕の露出部（５ｂ’）との結合
界面に上記水等の残笛物が浸透する結果、上記延長部（
ｓａ’）が露出部Ｃ５ｂ’）から剥離する結合不良を招
く危惧Ｐｒ：何していた。
セス？含むために第２図に示す如く第１電極層（３ｂ〕
の露出部（５ｂ’）の先端（６ｂ″）と、左隣りの光磁
変換頭載（２ａ〕から延出した光半導体層（４ａ〕の延
出端（４ａ’）と、の間に敞小な間隙δが形成されると
、該間１１ホδに上記光半導体層（４ａ〕の写真蝕刻工
程ｖｃ於いて水、エッチャント若しくはフォトレジスト
等が僅かながらも残留することがあり、抜工＆ｉＶＣ於
いて被着される第２電極層（５ａ）の延長部（５ａ ’
）’と第１磁轍層（５ｂ〕の露出部（５ｂ’）との結合
界面に上記水等の残笛物が浸透する結果、上記延長部（
ｓａ’）が露出部Ｃ５ｂ’）から剥離する結合不良を招
く危惧Ｐｒ：何していた。
（ハ） 発明の目的
本発明の目的は、互いに隣接せる光岨変換頭載を一気的
に接続せしめる電４１ｉＩｉ層の剥離を解消することに
よって祈る剥離を主因とする結合不良ご防止することに
ある。
に接続せしめる電４１ｉＩｉ層の剥離を解消することに
よって祈る剥離を主因とする結合不良ご防止することに
ある。
に） 発明の構成
Ａ友
本発す１光起′嘔力装置は、薄膜２元半導体１−が隣接
する光醸変換誼域の基板ｌ１ＩＩｖＣ設けられた第１嵯
出部とは上記露出部先端を覆う光半導体層を越えて峨気
的に接続された、構成にある。
する光醸変換誼域の基板ｌ１ＩＩｖＣ設けられた第１嵯
出部とは上記露出部先端を覆う光半導体層を越えて峨気
的に接続された、構成にある。
（ホ）実施例
第６図は本発明の要部拡大断面図であって、第２因の従
来例と同様第１の光′磁変挟唄域（２ａ）と第２の元“
屯愛換頭載（２ｂ〕との隣接部に於ける接続箇所を示し
ている。即ち、図中左側に位置する第１の元屯変洟頭載
（２ａ）から延出するが 薄膜２元半導体層（４ａ〕の延出端（４ａ’）に右隣り
の第２の元′屯父換頭載（２ｂ）から隣接部に露出した
第１電極層（３ｂ〕の露出部元端（３ｂ ”）を覆って
いる。更に、第１の光電質換哨岐（２ａ）？構成してい
る第２市極層（５ａ〕の延長部（５ａ′）は上記露出部
先端（５ｂ ″）ｋ ｉ＆っている光半導体層（４ａ〕
の延出端（４ａ’）を越えて第２の光電変換囲域（２ｂ
）を形成する第１電極層（３ｂ）の露出部（５ｂ’）に
１で延化し、両党電変換ｗ４域（２ａ）（２ｂ）に於い
て発生した光用″屯力を直列的に相加する。
来例と同様第１の光′磁変挟唄域（２ａ）と第２の元“
屯愛換頭載（２ｂ〕との隣接部に於ける接続箇所を示し
ている。即ち、図中左側に位置する第１の元屯変洟頭載
（２ａ）から延出するが 薄膜２元半導体層（４ａ〕の延出端（４ａ’）に右隣り
の第２の元′屯父換頭載（２ｂ）から隣接部に露出した
第１電極層（３ｂ〕の露出部元端（３ｂ ”）を覆って
いる。更に、第１の光電質換哨岐（２ａ）？構成してい
る第２市極層（５ａ〕の延長部（５ａ′）は上記露出部
先端（５ｂ ″）ｋ ｉ＆っている光半導体層（４ａ〕
の延出端（４ａ’）を越えて第２の光電変換囲域（２ｂ
）を形成する第１電極層（３ｂ）の露出部（５ｂ’）に
１で延化し、両党電変換ｗ４域（２ａ）（２ｂ）に於い
て発生した光用″屯力を直列的に相加する。
向、祈る構造は図示していない他の隣接部に於ける接続
箇所についても袂通である。
箇所についても袂通である。
この様ｖｃ第１電櫃層（３ｂ〕の露出部先端（５ｂ“）
を覆う光半導体層（４ａ）に、従来と同じく各床１’４
＋＋ｋＱｒｊ（３ａ） （？＋ｂ） （５０）上全面ｉ
ｃ被看形成後、細密加上件ＶＣ優れているウェットプロ
セスを含む写真蝕刻技術によりパターニングされる。こ
の際留意しなければならないことは、第１″−極層（５
ｂ〕の露出部先端（ｓ ｂ／／）を敗り光半導体層（４
ａ）が上記露出部先端（５ｂ”）と光半導体層（４ａ）
を越える第２゛嘔極層（５ａ）の延長部（５ａ’）と共
に、第１〜第６の光′嘔友挟頭載（２ａ）〜（２Ｃ）Ｋ
於いて光電ずる光起゛醒力と逆極性の起電力が生せしめ
る結果、光利用効率を減小せしめるために上記光半導体
層（４ａ）の彼演婦ｄを可及的に小さくしカければなら
ないことである。祈る仮波幅ｄの具体例としては、最大
Ｍｆ 谷幅が光電変１突ｉＭＪ）ｔ（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ〕の各有効幅の１／１０程度であり、最小許容幅は
写真蝕刻技術のバター二：ノグ精度を考慮して１μｔｎ
程度である。
を覆う光半導体層（４ａ）に、従来と同じく各床１’４
＋＋ｋＱｒｊ（３ａ） （？＋ｂ） （５０）上全面ｉ
ｃ被看形成後、細密加上件ＶＣ優れているウェットプロ
セスを含む写真蝕刻技術によりパターニングされる。こ
の際留意しなければならないことは、第１″−極層（５
ｂ〕の露出部先端（ｓ ｂ／／）を敗り光半導体層（４
ａ）が上記露出部先端（５ｂ”）と光半導体層（４ａ）
を越える第２゛嘔極層（５ａ）の延長部（５ａ’）と共
に、第１〜第６の光′嘔友挟頭載（２ａ）〜（２Ｃ）Ｋ
於いて光電ずる光起゛醒力と逆極性の起電力が生せしめ
る結果、光利用効率を減小せしめるために上記光半導体
層（４ａ）の彼演婦ｄを可及的に小さくしカければなら
ないことである。祈る仮波幅ｄの具体例としては、最大
Ｍｆ 谷幅が光電変１突ｉＭＪ）ｔ（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ〕の各有効幅の１／１０程度であり、最小許容幅は
写真蝕刻技術のバター二：ノグ精度を考慮して１μｔｎ
程度である。
不発り」者は本発明構造と従来構造とを対比するために
１万個の鷺産試作を施したところ、従来４５９６であワ
た歩留？本発明の実施によシ８５９６まで高められるこ
と？確認した。
１万個の鷺産試作を施したところ、従来４５９６であワ
た歩留？本発明の実施によシ８５９６まで高められるこ
と？確認した。
第４図は本発明の他の実施例要部？示し、第６図の元の
実施例と異なるところは第２嘔極ｊ−（５ａ）とｌ！Ａ
：ｌ妾セる第１−極層（５ｂ）のｉ山部（６ｂ’）との
１妾続構造にある。即ち、上記第２′−極層（５ｂ〕の
延長部（５ｂ’）は上記露出部（Ｓｂ’Ｊの先端（５ｂ
”）を鏡う光半導体層（４ａ〕と同／（ターン１ａ：有
し、従ってこの状ＬＱ ｖＣＦいては互いに隣接する光
砿変換顧域（２ａ）（２ｂ）の′嘔気的な直列接続がな
されないので、上記第２心極層（５ａ）のパターニング
後上記延長部（５ａりと露出部（５ｂ’）と？橋絡すべ
く結合′磁極１−（６ａ）が設けられている。
実施例と異なるところは第２嘔極ｊ−（５ａ）とｌ！Ａ
：ｌ妾セる第１−極層（５ｂ）のｉ山部（６ｂ’）との
１妾続構造にある。即ち、上記第２′−極層（５ｂ〕の
延長部（５ｂ’）は上記露出部（Ｓｂ’Ｊの先端（５ｂ
”）を鏡う光半導体層（４ａ〕と同／（ターン１ａ：有
し、従ってこの状ＬＱ ｖＣＦいては互いに隣接する光
砿変換顧域（２ａ）（２ｂ）の′嘔気的な直列接続がな
されないので、上記第２心極層（５ａ）のパターニング
後上記延長部（５ａりと露出部（５ｂ’）と？橋絡すべ
く結合′磁極１−（６ａ）が設けられている。
祈る構造によると、光半導体層（４ａ）（４ｂ）（４０
）と第２’Ｍ碌ＩＭ（５ａ）（５ｂ）（５０）とは同一
のパターンを何するために、光半導体層（４ａ）（ａｂ
）（４０）（／Ｊパターニングを第２電極層（５ａ）（
５ｂ）（５ｃ）ｖ被着形成した後に施すことかでさ、第
２電極層（５ａ）（５ｂ）（５０）の被着形成に先立つ
光半導体層（４ａ）（ａｂ）（ａｃ）のパターニングの
１県発生することのあったピンホールによる第２電極層
（５ａ）（５ｂ）（５ｃ）と第１電極ＩＦｊ （５ａ
） （５ｂ）Ｃ５０）との短絡事故防止ＶＣ有益である
。
）と第２’Ｍ碌ＩＭ（５ａ）（５ｂ）（５０）とは同一
のパターンを何するために、光半導体層（４ａ）（ａｂ
）（４０）（／Ｊパターニングを第２電極層（５ａ）（
５ｂ）（５ｃ）ｖ被着形成した後に施すことかでさ、第
２電極層（５ａ）（５ｂ）（５０）の被着形成に先立つ
光半導体層（４ａ）（ａｂ）（ａｃ）のパターニングの
１県発生することのあったピンホールによる第２電極層
（５ａ）（５ｂ）（５ｃ）と第１電極ＩＦｊ （５ａ
） （５ｂ）Ｃ５０）との短絡事故防止ＶＣ有益である
。
更に上記結合電極層（６ａ）として第２′屯極層（５ａ
）（５ｂ）Ｃ５ｃ）の形戚利料（例えばＡＩりより耐湿
性に富む月利（例λ、ばＡｇ、Ｔｉ及びそれ等を少くと
も１種含む合金）を選択使用すれば、第１電極層（３ｂ
）の露出部（５ｂ’） との結合界面に於ける湿気を原
因とする接触抵抗の増加を抑圧することができる。
）（５ｂ）Ｃ５ｃ）の形戚利料（例えばＡＩりより耐湿
性に富む月利（例λ、ばＡｇ、Ｔｉ及びそれ等を少くと
も１種含む合金）を選択使用すれば、第１電極層（３ｂ
）の露出部（５ｂ’） との結合界面に於ける湿気を原
因とする接触抵抗の増加を抑圧することができる。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説り］からり］らかな如く、第１電′＃
！、層の露出部先端を隣接せる光電賀換頭域の光半導体
層で覆うと共に、該露出品先端／ａ−演う光半導体＋ｉ
を越えて当該光゛嘔変換頭載の第２市礒層と上記第１ｉ
：極層とを電気的に接続せしめたので、互いに隣接する
光′屯変換１０１１域の上記向心極層は強固に°献気的
ｌり機械的ＶＣ結合し、′−極１−の剥離を主因とする
結合不良の発生率’ａ’ １ｌｉｌｌ ａＥすることか
でさ、歩冒の同上な図ることができる。
！、層の露出部先端を隣接せる光電賀換頭域の光半導体
層で覆うと共に、該露出品先端／ａ−演う光半導体＋ｉ
を越えて当該光゛嘔変換頭載の第２市礒層と上記第１ｉ
：極層とを電気的に接続せしめたので、互いに隣接する
光′屯変換１０１１域の上記向心極層は強固に°献気的
ｌり機械的ＶＣ結合し、′−極１−の剥離を主因とする
結合不良の発生率’ａ’ １ｌｉｌｌ ａＥすることか
でさ、歩冒の同上な図ることができる。
第１図＃ま基本的な光起′岨力装置の一部を示す斜視図
、、第２図は従来例の要部拡大断面図、第６図は本発明
の一実施例に於ける要部拡大断面図、第４図は本発明の
他の実施例に於ける要部拡大断面図、？夫々示している
。 ｔｌ−Ｓ板、（２ａ）（２ｂ）Ｃ２ｃ）−９＋ｓｔ ・
第２・第６の光電変換頭載、（５ａ）（！１ｂ）（５０
）・・・第１電極層、（６ｂ″）・・・露出部先端、（
４ａ ） （４ｂ ） （４ｃ ）−・・光半導体層、
（５ａ）（５ｂ）（５ｃ）＝・第２電極層、（６ａ ）
−・・結合＃ｉ蝋層。
、、第２図は従来例の要部拡大断面図、第６図は本発明
の一実施例に於ける要部拡大断面図、第４図は本発明の
他の実施例に於ける要部拡大断面図、？夫々示している
。 ｔｌ−Ｓ板、（２ａ）（２ｂ）Ｃ２ｃ）−９＋ｓｔ ・
第２・第６の光電変換頭載、（５ａ）（！１ｂ）（５０
）・・・第１電極層、（６ｂ″）・・・露出部先端、（
４ａ ） （４ｂ ） （４ｃ ）−・・光半導体層、
（５ａ）（５ｂ）（５ｃ）＝・第２電極層、（６ａ ）
−・・結合＃ｉ蝋層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌｌ 薄膜状光学専体層？挟んで対向する第１電極
層及び第２電極層を含む光電変換領域を複数個同一基板
上に配置した光起電力装置に於いて、上狭。 記薄膜、光半導体層は瞬接する光電変換領域の基板る頭
載の第１電極層露出部とは上記蕗出部先端を覆う光半導
体層を越えて電気的に接続されていることを特徴とした
元起′屯力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017747A JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017747A JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143376A true JPS59143376A (ja) | 1984-08-16 |
| JPS649745B2 JPS649745B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=11952334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017747A Granted JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143376A (ja) |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58017747A patent/JPS59143376A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649745B2 (ja) | 1989-02-20 |
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