JPS649745B2 - - Google Patents
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- JPS649745B2 JPS649745B2 JP58017747A JP1774783A JPS649745B2 JP S649745 B2 JPS649745 B2 JP S649745B2 JP 58017747 A JP58017747 A JP 58017747A JP 1774783 A JP1774783 A JP 1774783A JP S649745 B2 JPS649745 B2 JP S649745B2
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- Japan
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- electrode layer
- photoelectric conversion
- layer
- optical semiconductor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は光エネルギを直接電気エネルギに変換
する光起電力装置の製造方法に関する。
する光起電力装置の製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起
電力装置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主た
るエネルギ資源としているために、エネルギ資源
の枯渇が問題となる中で脚光を浴びている。
電力装置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主た
るエネルギ資源としているために、エネルギ資源
の枯渇が問題となる中で脚光を浴びている。
第１図は斯かる光起電力装置を示し、１はガラ
ス・透光性プラスチツク等の絶縁基板、２ａ，２
ｂ，２ｃは該絶縁基板１の一主面に並設された第
１〜第３の光電変換領域で、該変換領域２ａ，２
ｂ，２ｃの各々は、絶縁基板１側から酸化スズ
（SnO2）、酸化インジウムスズ（In2O3−SnO2）
等の透明酸化電極材の第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃと、例えば光入射側からPIN接合を有するアモ
ルフアスシリコン等の薄膜状光半導体層４ａ，４
ｂ，４ｃと、該光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃとオ
ーミツク接触するアルミニウムAl等の第２電極
層５ａ，５ｂ，５ｃと、を順次重畳せしめた積層
構造を成している。更に、上記並設された第１〜
第３の光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃは第２図に
その要部を拡大して示す如く、右隣りの光半導体
層４ｂ，４ｃ下面から絶縁基板１上に露出した第
１電極層３ｂ，３ｃの露出部３b′，３c′に、左隣
りの光半導体層４ａ，４ｂ上面から延出して来た
第２電極層５ａ，５ｂの延長部５a′，５b′が直接
結合し、従つて第１〜第３の光電変換領域２ａ，
２ｂ，２ｃは電気的に直列接続される。
ス・透光性プラスチツク等の絶縁基板、２ａ，２
ｂ，２ｃは該絶縁基板１の一主面に並設された第
１〜第３の光電変換領域で、該変換領域２ａ，２
ｂ，２ｃの各々は、絶縁基板１側から酸化スズ
（SnO2）、酸化インジウムスズ（In2O3−SnO2）
等の透明酸化電極材の第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃと、例えば光入射側からPIN接合を有するアモ
ルフアスシリコン等の薄膜状光半導体層４ａ，４
ｂ，４ｃと、該光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃとオ
ーミツク接触するアルミニウムAl等の第２電極
層５ａ，５ｂ，５ｃと、を順次重畳せしめた積層
構造を成している。更に、上記並設された第１〜
第３の光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃは第２図に
その要部を拡大して示す如く、右隣りの光半導体
層４ｂ，４ｃ下面から絶縁基板１上に露出した第
１電極層３ｂ，３ｃの露出部３b′，３c′に、左隣
りの光半導体層４ａ，４ｂ上面から延出して来た
第２電極層５ａ，５ｂの延長部５a′，５b′が直接
結合し、従つて第１〜第３の光電変換領域２ａ，
２ｂ，２ｃは電気的に直列接続される。
この様な装置に於いて、光利用効率を左右する
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する第１〜第３
の光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃの総面積の占め
る割合いである。然るに各光電変換領域２ａ，２
ｂ，２ｃの隣接間隔に必然的に存在する分離領域
は上記面積割合いを低下させる。
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する第１〜第３
の光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃの総面積の占め
る割合いである。然るに各光電変換領域２ａ，２
ｂ，２ｃの隣接間隔に必然的に存在する分離領域
は上記面積割合いを低下させる。
従つて、光利用効率を向上させるためには各光
電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃの隣接間隔である分
離領域を小さくしなければならない。
電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃの隣接間隔である分
離領域を小さくしなければならない。
斯る間隔縮小は各層の加工精度で決まり、従つ
て、細密加工性に優れている写真蝕刻技術が有望
である。この技術による場合、基板１全面への第
１電極層の被着工程と、フオトレジスト及びエツ
チングによる各個別の第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃの分離、即ち各第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃの
隣接間隔部分の除去工程と、を順次経た後、同様
の被着工程及び除去工程を光半導体層４ａ，４
ｂ，４ｃ並びに第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃにつ
いても各々再度繰り返し行なうことになる。
て、細密加工性に優れている写真蝕刻技術が有望
である。この技術による場合、基板１全面への第
１電極層の被着工程と、フオトレジスト及びエツ
チングによる各個別の第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃの分離、即ち各第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃの
隣接間隔部分の除去工程と、を順次経た後、同様
の被着工程及び除去工程を光半導体層４ａ，４
ｂ，４ｃ並びに第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃにつ
いても各々再度繰り返し行なうことになる。
(ハ) 発明が解決しようとする課題
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は水洗い等のウエ
ツトプロセスを含むために第２図に示す如く第１
電極層３ｂの露出部３b′の先端３b″と、左隣りの
光電変換領域２ａから延出した光半導体層４ａの
延出端４a′と、の間に微小な間隔δが形成される
と、該間隔δに上記光半導体層４ａの写真蝕刻工
程に於いて水、エツチヤント若しくはフオトレジ
スト等が僅かながらも残留することがあり、後工
程に於いて被着される第２電極層５ａの延長部５
a′と第１電極層３ｂの露出部３b′との結合界面に
上記水等の残留物が浸透する結果、上記延長部５
a′が露出部３b′から剥離する結合不良を招く危惧
を有していた。
ツトプロセスを含むために第２図に示す如く第１
電極層３ｂの露出部３b′の先端３b″と、左隣りの
光電変換領域２ａから延出した光半導体層４ａの
延出端４a′と、の間に微小な間隔δが形成される
と、該間隔δに上記光半導体層４ａの写真蝕刻工
程に於いて水、エツチヤント若しくはフオトレジ
スト等が僅かながらも残留することがあり、後工
程に於いて被着される第２電極層５ａの延長部５
a′と第１電極層３ｂの露出部３b′との結合界面に
上記水等の残留物が浸透する結果、上記延長部５
a′が露出部３b′から剥離する結合不良を招く危惧
を有していた。
更に、膜状を成す光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃ
にピンホールが形成されることがあり、次工程で
被着される第２電極層が斯るピンホールを介して
第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃに到達する結果、該
第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃは当該光電変換領域
２ａ，２ｂ，２ｃの光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃ
を挾んで対向する第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃと
電気的に短絡する事故を招いていた。また、第２
電極層５ａ，５ｂ，５ｃがオーミツク接触する光
半導体層４ａ，４ｂ，４ｃの接触面は上記写真蝕
刻技術によるフオトレジストの塗付・剥離及び水
洗いに於いてピンホールが形成されないまでも膜
質が劣化せしめられると共に、水洗いに使用した
水が僅かながら残留し次工程で被着される第２電
極層５ａ，５ｂ，５ｃを腐食する危惧を有してい
た。
にピンホールが形成されることがあり、次工程で
被着される第２電極層が斯るピンホールを介して
第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃに到達する結果、該
第１電極層３ａ，３ｂ，３ｃは当該光電変換領域
２ａ，２ｂ，２ｃの光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃ
を挾んで対向する第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃと
電気的に短絡する事故を招いていた。また、第２
電極層５ａ，５ｂ，５ｃがオーミツク接触する光
半導体層４ａ，４ｂ，４ｃの接触面は上記写真蝕
刻技術によるフオトレジストの塗付・剥離及び水
洗いに於いてピンホールが形成されないまでも膜
質が劣化せしめられると共に、水洗いに使用した
水が僅かながら残留し次工程で被着される第２電
極層５ａ，５ｂ，５ｃを腐食する危惧を有してい
た。
本発明は斯る点に鑑みてなされたものであつ
て、その目的は、第２電極層の剥離事故、ピンホ
ールによる短絡事故、光半導体層の膜質劣化並び
に第２電極層の腐食を回避させる製造方法を提供
することにある。
て、その目的は、第２電極層の剥離事故、ピンホ
ールによる短絡事故、光半導体層の膜質劣化並び
に第２電極層の腐食を回避させる製造方法を提供
することにある。
(ニ) 課題を解決するための手段
本発明は、絶縁基板上に設けられた複数の光電
変換領域を互いに電気的に直列接続せしめる光起
電力装置の製造方法であつて、絶縁基板上の複数
の光電変換領域毎に第１電極層を分割形成する工
程と、分割された第１電極層に連続的に跨がる薄
膜状光半導体層並びに第２電極層を順次積層被着
する工程と、上記連続して被着した光半導体層並
びに第２電極層をその厚み方向に除去して複数の
光電変換領域毎に分割することにより、一方の光
電変換領域の光半導体層が他方の光電変換領域の
第１電極層の先端を覆う状態で各光電変換領域の
隣接間隔部に上記第１電極層の一部のみを露出す
る工程と、上記一方の光電変換領域の第１電極層
の露出部分と他方の光電変換領域の第２電極層と
を結合する結合電極層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする。
変換領域を互いに電気的に直列接続せしめる光起
電力装置の製造方法であつて、絶縁基板上の複数
の光電変換領域毎に第１電極層を分割形成する工
程と、分割された第１電極層に連続的に跨がる薄
膜状光半導体層並びに第２電極層を順次積層被着
する工程と、上記連続して被着した光半導体層並
びに第２電極層をその厚み方向に除去して複数の
光電変換領域毎に分割することにより、一方の光
電変換領域の光半導体層が他方の光電変換領域の
第１電極層の先端を覆う状態で各光電変換領域の
隣接間隔部に上記第１電極層の一部のみを露出す
る工程と、上記一方の光電変換領域の第１電極層
の露出部分と他方の光電変換領域の第２電極層と
を結合する結合電極層を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする。
(ホ) 作用
本発明によれば、光半導体層が隣接間隔部にお
ける従来の不所望な間隔を埋める働きをし、また
第２電極層が光半導体層の除去工程時の保護層と
して作用する。
ける従来の不所望な間隔を埋める働きをし、また
第２電極層が光半導体層の除去工程時の保護層と
して作用する。
(ヘ) 実施例
第３図は本発明の製造方法にて製造される光起
電力装置の要部拡大断面図であつて、第２図の従
来例と同様第１の光電変換領域２ａと第２の光電
変換領域２ｂとの隣接部に於ける接続箇所を示し
ている。斯る装置では、第２電極層５ｂの延長部
５b′は第１電極層３ｂの露出部３b′の先端３b″を
覆う光半導体層４ａと同一パターンを有し、光半
導体層４ａ及び第２電極層５ａのパターニング後
上記延長部５a′と露出部３b′とを橋絡すべく結合
電極層６ａが設けられている。
電力装置の要部拡大断面図であつて、第２図の従
来例と同様第１の光電変換領域２ａと第２の光電
変換領域２ｂとの隣接部に於ける接続箇所を示し
ている。斯る装置では、第２電極層５ｂの延長部
５b′は第１電極層３ｂの露出部３b′の先端３b″を
覆う光半導体層４ａと同一パターンを有し、光半
導体層４ａ及び第２電極層５ａのパターニング後
上記延長部５a′と露出部３b′とを橋絡すべく結合
電極層６ａが設けられている。
斯る構造の光起電力装置を製造すべく、本発明
によれば、基板１上に第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃを分割形成する工程と、分割形成された第１電
極層３ａ，３ｂ，３ｃに連続的に跨がつて薄膜状
光半導体層並びに第２電極層を順次積層被着する
工程と、連続して被着した光半導体層並びに第２
電極層をその厚み方向に除去して複数の光半導体
層４ａ，４ｂ，４ｃ及び第２電極層５ａ，５ｂ，
５ｃに分割することによつて光電変換領域２ａの
光半導体層４ａが光電変換領域２ｂの第１電極層
３ｂの先端３b″を覆う状態で、第１電極層３ｂの
露出部３b′を露出する工程と、第１電極層３ｂの
露出部３b′と第２電極層５ａとを結合する結合電
極層６ａを形成する工程を含んでいる。
によれば、基板１上に第１電極層３ａ，３ｂ，３
ｃを分割形成する工程と、分割形成された第１電
極層３ａ，３ｂ，３ｃに連続的に跨がつて薄膜状
光半導体層並びに第２電極層を順次積層被着する
工程と、連続して被着した光半導体層並びに第２
電極層をその厚み方向に除去して複数の光半導体
層４ａ，４ｂ，４ｃ及び第２電極層５ａ，５ｂ，
５ｃに分割することによつて光電変換領域２ａの
光半導体層４ａが光電変換領域２ｂの第１電極層
３ｂの先端３b″を覆う状態で、第１電極層３ｂの
露出部３b′を露出する工程と、第１電極層３ｂの
露出部３b′と第２電極層５ａとを結合する結合電
極層６ａを形成する工程を含んでいる。
斯る製造方法によれば、第１電極層３ｂの露出
部３b′の先端３b″と光半導体層４ａの延出部４
a′との間には、従来のような微小な間隙が形成さ
れることがない。
部３b′の先端３b″と光半導体層４ａの延出部４
a′との間には、従来のような微小な間隙が形成さ
れることがない。
本発明者は本発明構造と従来構造とを対比する
ために１万個の量産試作を施したところ、従来45
％であつた歩留を本発明の実施により85％まで高
められることを確認した。
ために１万個の量産試作を施したところ、従来45
％であつた歩留を本発明の実施により85％まで高
められることを確認した。
また、光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃのパターニ
ングは第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃを被着形成し
た後に施すので、第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃの
被着形成に先立つ光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃの
パターニングの際発生することのあつたピンホー
ルによる第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃと第１電極
層３ａ，３ｂ，３ｃとの短絡事故防止に有益であ
る。
ングは第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃを被着形成し
た後に施すので、第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃの
被着形成に先立つ光半導体層４ａ，４ｂ，４ｃの
パターニングの際発生することのあつたピンホー
ルによる第２電極層５ａ，５ｂ，５ｃと第１電極
層３ａ，３ｂ，３ｃとの短絡事故防止に有益であ
る。
更に上記結合電極層６ａとして第２電極層５
ａ，５ｂ，５ｃの形成材料（例えばAl）より耐
湿性に富む材料（例えばAg、Ti及びそれ等を少
くとも１種含む合金）を選択使用すれば、第１電
極層３ｂの露出部３b′との結合界面に於ける湿気
を原因とする接触抵抗の増加を抑圧することがで
きる。
ａ，５ｂ，５ｃの形成材料（例えばAl）より耐
湿性に富む材料（例えばAg、Ti及びそれ等を少
くとも１種含む合金）を選択使用すれば、第１電
極層３ｂの露出部３b′との結合界面に於ける湿気
を原因とする接触抵抗の増加を抑圧することがで
きる。
なお、本発明において留意しなければならない
ことは、第１電極層３ｂの先端３b″を覆う光半導
体層４ａが第１電極層３ｂの先端３″、第２電極
層５ａの延長部５a′及び結合電極層６ａと共に、
第１〜第３の光電変換領域２ａ〜２ｃに於いて発
生する光起電力と逆極性の起電力を生ぜしめる結
果、光利用効率を縮小せしめるために上記光半導
体層４ａの被覆幅を可及的に小さくしなければな
らないことである。斯る被覆幅の具体例として
は、最大許容幅が光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃ
の各有効幅の1/10程度であり、最小許容幅は写真
蝕刻技術のパターニング精度を考慮して1μｍ程
度である。
ことは、第１電極層３ｂの先端３b″を覆う光半導
体層４ａが第１電極層３ｂの先端３″、第２電極
層５ａの延長部５a′及び結合電極層６ａと共に、
第１〜第３の光電変換領域２ａ〜２ｃに於いて発
生する光起電力と逆極性の起電力を生ぜしめる結
果、光利用効率を縮小せしめるために上記光半導
体層４ａの被覆幅を可及的に小さくしなければな
らないことである。斯る被覆幅の具体例として
は、最大許容幅が光電変換領域２ａ，２ｂ，２ｃ
の各有効幅の1/10程度であり、最小許容幅は写真
蝕刻技術のパターニング精度を考慮して1μｍ程
度である。
(ト) 発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、第１電
極層の露出部先端を隣接せる光電変換領域の光半
導体層で覆うと共に、該露出部先端を覆う光半導
体層を越えて当該光電変換領域の第２電極層と上
記第１電極層とを結合電極層にて電気的に接続せ
しめたので、互いに隣接する光電変換領域の上記
両電極層は強固に電気的且つ機械的に結合し、電
極層の剥離を主因とする結合不良の発生率を抑圧
することができ、歩留の向上を図ることができ
る。
極層の露出部先端を隣接せる光電変換領域の光半
導体層で覆うと共に、該露出部先端を覆う光半導
体層を越えて当該光電変換領域の第２電極層と上
記第１電極層とを結合電極層にて電気的に接続せ
しめたので、互いに隣接する光電変換領域の上記
両電極層は強固に電気的且つ機械的に結合し、電
極層の剥離を主因とする結合不良の発生率を抑圧
することができ、歩留の向上を図ることができ
る。
更に、光電変換領域の各々を形成する光半導体
層を、第２電極層を被着形成後その厚み方向に除
去し複数の光電変換領域毎に分割せしめることに
よつて製造するので、上記第２電極層が光半導体
層の除去工程時の保護層として作用しピンホール
による短絡事故、膜質の劣化並びに腐食を招くこ
となく細密に加工することができ光利用効率を上
昇せしめることができる。
層を、第２電極層を被着形成後その厚み方向に除
去し複数の光電変換領域毎に分割せしめることに
よつて製造するので、上記第２電極層が光半導体
層の除去工程時の保護層として作用しピンホール
による短絡事故、膜質の劣化並びに腐食を招くこ
となく細密に加工することができ光利用効率を上
昇せしめることができる。
第１図は基本的な光起電力装置の一部を示す斜
視図、第２図は従来例の要部拡大断面図、第３図
は本発明の一実施例に於ける要部拡大断面図、を
夫々示している。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……第１・第
２・第３の光電変換領域、３ａ，３ｂ，３ｃ……
第１電極層、３b″……露出部先端、４ａ，４ｂ，
４ｃ……光半導体層、５ａ，５ｂ，５ｃ……第２
電極層、６ａ……結合電極層。
視図、第２図は従来例の要部拡大断面図、第３図
は本発明の一実施例に於ける要部拡大断面図、を
夫々示している。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……第１・第
２・第３の光電変換領域、３ａ，３ｂ，３ｃ……
第１電極層、３b″……露出部先端、４ａ，４ｂ，
４ｃ……光半導体層、５ａ，５ｂ，５ｃ……第２
電極層、６ａ……結合電極層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に設けられた複数の光電変換領域
を互いに電気的に直列接続せしめる光起電力装置
の製造方法であつて、 絶縁基板上の複数の光電変換領域毎に第１電極
層を分割形成する工程と、 分割された第１電極層に連続的に跨がる薄膜状
光半導体層並びに第２電極層を順次積層被着する
工程と、 上記連続して被着した光半導体層並びに第２電
極層をその厚み方向に除去して複数の光電変換領
域毎に分割することにより、一方の光電変換領域
の光半導体層が他方の光電変換領域の第１電極層
の先端を覆う状態で各光電変換領域の隣接間隔部
に上記第１電極層の一部のみを露出する工程と、 上記一方の光電変換領域の第２電極層と他方の
光電変換領域の第１電極層の露出部分とを結合す
る結合電極層を形成する工程と、 を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017747A JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017747A JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143376A JPS59143376A (ja) | 1984-08-16 |
| JPS649745B2 true JPS649745B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=11952334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017747A Granted JPS59143376A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143376A (ja) |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58017747A patent/JPS59143376A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59143376A (ja) | 1984-08-16 |
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