JPS59145542A - 大規模集積回路 - Google Patents

大規模集積回路

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Publication number
JPS59145542A
JPS59145542A JP58020036A JP2003683A JPS59145542A JP S59145542 A JPS59145542 A JP S59145542A JP 58020036 A JP58020036 A JP 58020036A JP 2003683 A JP2003683 A JP 2003683A JP S59145542 A JPS59145542 A JP S59145542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
output
circuit
section
electrode pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58020036A
Other languages
English (en)
Inventor
Setsuya Kengaku
見学 節哉
Moriyuki Chimura
盛幸 千村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP58020036A priority Critical patent/JPS59145542A/ja
Publication of JPS59145542A publication Critical patent/JPS59145542A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits
    • H10D84/998Input and output buffer/driver structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分!I!]’            。
14本発明は大規模集積回路(以下、LS、Iと軸体す
る)、とりわけ、マスク・スライス方式LSIの入出力
端子部構造に関するものである。
従来例の構成とその問題点 LSI装置では、半導体チップ上に、トランジスタ等か
らなるユニット・セルを1行m列のアレイ状に配置した
り、あるいはPLA(プロクラマプルロジノクアレイ)
構成の回路を配置したうえで、パッケージの型式、種類
、とくに、そのリードビンの数やコム形状等に対応させ
て、半導体チップ上の入出力端子部構造が決められてい
た。しだがりて、従来のLSIにおけるチップ上の端子
部は、パッケージのリートビン及び配置に対応させて、
入力用、出力用あるいは入出力共用のいずれかに選択さ
れて設けられ、構造的にも、第1図の要部平面図で示さ
れるように、たとえは、入出力共用回路部1、入出力電
極パッド部2および接続用配線部3で構成されていた。
シカし、マスク・スライス方式LSIでは、同じ半導体
チップをリードビン数の異なるパッケージに組み込むこ
とも必要になり、寸だ、リードビン数が同じであっても
入出力リードビン配置が異なるパッケージに組み込むこ
とも可能なような配置構造が求められる。したがって、
この場合、従来のように、入出力回路部、入出力電極パ
ッド部および接続用配線部が一体的な構成の入出力端子
部構造では不都合を来す。
発明の目的 本発明は、マスク・スライス方式LSIに適しプ(入出
力端子部構成を提供するものである。
発明の構成 本発明は、互いに電気的に隔離されたトフンシヌタ等か
う成るユニット・セルラn 行m 列のアレイ状に配置
した構成の回路および/もしくはPLA構成の回路を独
立あるいは一体に形成するとともに、入出力端子部を構
成する入出力回路部、入出力電極パット部および接続用
配線部の各部がそれぞわに分離され、前記入出力回路部
と前記入出力電極バンド部との接続を選択可能に構成さ
れた大規模集積回路であり、これにより、パッケージの
ビン数や配置に適合させた入出力端子部を構成すること
が可能である。
実施例の説明 第2図は本発明実施例の平面図で、構成上の主要部のみ
を示したものである。すなわち、本実施例は、半導体チ
ップの周辺域に設けられる入出力端子部を、入出力回路
部1、入出力電極パット部2および接続用配線部3のそ
れぞれに分離形成したものである。しかして、各部は独
立のセルで構成し、必要に応じて、各部を選択的に組合
わせて配線接続を行なう。さらに詳しくビえは、LSI
チップの最外部に入出力電極パッド部2を多数並へて配
置し、次に、その内側に、接続用配線の領域3を設け、
ここを接続用配線部とする。そして、入出力回路部1は
上記接続用配線部3の内側に多数並べて配置する。この
場合、入出力回路部1ば、入力用回路、出力用回路ある
いは入出力兼用回路のいずれかの回路構成となして、L
SIの所望の内部回路に対応できるように設泪される。
第3図は、前述の第2図の円囲部拡大図であり、入出力
回路部1と入出力電極パッド部2とが自在な接続用配線
群部3によって接続されていることを示している。なお
、入出力回路部1、入出力電極パッド部2および接続用
配線部3のそれぞれをセル構成になすことによって、設
計、組合せの便宜がはかれる。
捷/ζ、入出力回路部1のセルは、使用する入出力用パ
ッドに合わせて、その近くのものを選択することもでき
るし、あるいは前記n行目列のアレイ状にセルを配置し
た構成の回路およびPLA構成の回路で作られた内部回
路に近いところのものを選択することも可能である。さ
らに、入出力電極パッド部2は、チップレイアウト上か
らみて、可能な限り密に配置しておくことにより、応用
が広げられる。
発明の効果 本発明によれば、単位形状の入出力回路部、入出力電極
パッド部ならびに接続用配線部をI、SIチップ周辺に
規則的に多数並べて配置したので、パッケージのビン数
、配列に応じて、その接続配線を自在に選択することが
でき、マスク・スライス方式LSIの設計、ならびに組
立ての自由度が格段に向」ニする。すなわち、本発明に
よれば、/<ノケージのビン数や形状に応じて、入出力
端子部のセルの配置を変えたり、あるいは、入出力/く
ラドの配置を移動させるなどの設計変更が不必要になり
、種々のパッケージに対して、それぞれ、最適の入出力
端子部を形成することが可能になり、実用性大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例のLSIの入出力端子部平面図、第2図
は本発明実施例のLSI入出力端子部平面図、第3図は
その要部拡大平面図であるQl・・・・入出力回路部、
2・・・・入出力電極パッド部、3・・・・・接続用配
線部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互いに電気的に隔離されたトランジスタ等から成ルユニ
    ソト・セルを1行m列のアレイ状に配置した構成の回路
    および/もしくはPLA構成の回路を独立あるいは一体
    に形成するとともに、入出力端子部を構成する入出力回
    路部、入出力電極パッド部および接続用配線部の各部が
    それぞれに分離され、前記入出力回路部と前記入出力電
    極パッド部との接続を選択可能に構成された大規模集積
    回路。
JP58020036A 1983-02-09 1983-02-09 大規模集積回路 Pending JPS59145542A (ja)

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