JPS59146013A - 光学装置 - Google Patents
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- JPS59146013A JPS59146013A JP58251812A JP25181283A JPS59146013A JP S59146013 A JPS59146013 A JP S59146013A JP 58251812 A JP58251812 A JP 58251812A JP 25181283 A JP25181283 A JP 25181283A JP S59146013 A JPS59146013 A JP S59146013A
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- G02B27/0955—Lenses
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体接合面内とこれに垂直な面内とでは発
振光束の収束点が異なり非点収差となる半導体レーザを
光源とする例えば光ピツクアップ等の光学装置に関し、
殊に、前記半導体レーザから導出される光束を屈折等さ
せて光ディスクの読取面に結像させ、その読取面に記録
された情報を読取るように構成されたオーディオ、ビデ
オ等の光ディスクプレヤの前記光ピツクアップに適用し
て最適なものである。
振光束の収束点が異なり非点収差となる半導体レーザを
光源とする例えば光ピツクアップ等の光学装置に関し、
殊に、前記半導体レーザから導出される光束を屈折等さ
せて光ディスクの読取面に結像させ、その読取面に記録
された情報を読取るように構成されたオーディオ、ビデ
オ等の光ディスクプレヤの前記光ピツクアップに適用し
て最適なものである。
背景技術とその問題点
例えば、ダブルへテロ接合半導体レーザの一種であるゲ
イン・ガイディング型の半導体レーザは、同種のインデ
ックス・ガイディング型の半導体レーザによく見られる
読取面等からの戻り光束による自己結合効果に起因する
ノイズレベルの増加はない。このために、殊に、高いＳ
ｌＮ比が要求されるビデオ光ディスクブレヤの光ピツク
アップでの光源として価値を見直されつつある。これは
、ゲイン−ガイディング型の半導体レーザが縦多モード
発振のため、インデックス・ガイディング型の半導体レ
ーザのような縦単一モード発振の半導体レーザに比べ、
戻り光束による発振が乱されにくいという本質的な性質
によるものである。しかしながら、光学的特性の観点か
ら見ると、第１図（イ）、（ロ）に示される如くに、ゲ
イン・ガイディング型の半導体レーザ（１）の発振光束
のモードウェストは、半）、）体接合面（Ｘ −Ｙ Ｑ
１＋面）内とこれに垂直なｍｉ（Ｘ −Ｚ Ｍ面）内と
では異なっている。すなわぢ、飛直面（Ｘ −Ｚ ’ｊ
ａｉ１面）内では、鏡面（２）に一致するＡ点であるの
に対し、接合面（： Ｘ −Ｙ ＠面）内では、若干半
導体１／−ザの活性層（３）つまり鏡面（２）より奥の
共振器内に入ったＢ点となる。ｌ、だが・つて、半導体
レーザ（Ｘ−Ｙ軸面）内とこれに飛直な面（Ｘ−Ｚ軸面
）内とでは発振光束の収束点が胃、なり、光学上でいう
表ころの非点１Ｆ差（ΔＺ）となっている。
イン・ガイディング型の半導体レーザは、同種のインデ
ックス・ガイディング型の半導体レーザによく見られる
読取面等からの戻り光束による自己結合効果に起因する
ノイズレベルの増加はない。このために、殊に、高いＳ
ｌＮ比が要求されるビデオ光ディスクブレヤの光ピツク
アップでの光源として価値を見直されつつある。これは
、ゲイン−ガイディング型の半導体レーザが縦多モード
発振のため、インデックス・ガイディング型の半導体レ
ーザのような縦単一モード発振の半導体レーザに比べ、
戻り光束による発振が乱されにくいという本質的な性質
によるものである。しかしながら、光学的特性の観点か
ら見ると、第１図（イ）、（ロ）に示される如くに、ゲ
イン・ガイディング型の半導体レーザ（１）の発振光束
のモードウェストは、半）、）体接合面（Ｘ −Ｙ Ｑ
１＋面）内とこれに垂直なｍｉ（Ｘ −Ｚ Ｍ面）内と
では異なっている。すなわぢ、飛直面（Ｘ −Ｚ ’ｊ
ａｉ１面）内では、鏡面（２）に一致するＡ点であるの
に対し、接合面（： Ｘ −Ｙ ＠面）内では、若干半
導体１／−ザの活性層（３）つまり鏡面（２）より奥の
共振器内に入ったＢ点となる。ｌ、だが・つて、半導体
レーザ（Ｘ−Ｙ軸面）内とこれに飛直な面（Ｘ−Ｚ軸面
）内とでは発振光束の収束点が胃、なり、光学上でいう
表ころの非点１Ｆ差（ΔＺ）となっている。
もし、このｌｉの半導体ｔｉ・−ザを光ディスクブレヤ
の）１−ピンクアップでの）′（，源として使用し、レ
ンズ等でもって屈折等させて光ディスクの読取部に結像
させるさ、非点収差により読取スポットが歪み、偏平な
縦、Ｆ蚤もしくけ横長のスポットとなる。
の）１−ピンクアップでの）′（，源として使用し、レ
ンズ等でもって屈折等させて光ディスクの読取部に結像
させるさ、非点収差により読取スポットが歪み、偏平な
縦、Ｆ蚤もしくけ横長のスポットとなる。
故に、隣接トラックにまたがる等に起因して、所要の光
学系のＯＴ Ｆ （０，ｐｔｉｅａｌ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ ）特性が得られなくなるという
間９ａ点が生ずる。
学系のＯＴ Ｆ （０，ｐｔｉｅａｌ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ ）特性が得られなくなるという
間９ａ点が生ずる。
従来は、この問題点を解決すべく次のような手段がとら
れていた。その１つは、 （、） 半導体レーザから導出された発散状聾の）Ｙ
二車のうち中心付近の狭い角変部分だけを取出して読取
りに使用し、非点収差による波面の乱れを小さくする手
段 である。この手段では、実用トは、どの稈度の開口数の
コリメータレンズでもって対′物しンズ（こ光束を導く
かにより、非点収差にもとづく影響が異なる。このため
、前述のように中心付近の狭い角度部分だけ取出せば、
光の利用効率は下がるが、波面の乱れは小さくなる。し
たがって、ディジタルオーディオ光ディスク（Ｄ Ａ
Ｉ） ）ブレヤの光ビックアンプのような高いＳｌＮ比
を要しないものであれば、所要のＯＴ Ｆ ％ ＋！：
がイ１）られる。
れていた。その１つは、 （、） 半導体レーザから導出された発散状聾の）Ｙ
二車のうち中心付近の狭い角変部分だけを取出して読取
りに使用し、非点収差による波面の乱れを小さくする手
段 である。この手段では、実用トは、どの稈度の開口数の
コリメータレンズでもって対′物しンズ（こ光束を導く
かにより、非点収差にもとづく影響が異なる。このため
、前述のように中心付近の狭い角度部分だけ取出せば、
光の利用効率は下がるが、波面の乱れは小さくなる。し
たがって、ディジタルオーディオ光ディスク（Ｄ Ａ
Ｉ） ）ブレヤの光ビックアンプのような高いＳｌＮ比
を要しないものであれば、所要のＯＴ Ｆ ％ ＋！：
がイ１）られる。
すなわち、ＤＡＤプレヤのガ；ピックアンプとしては、
高いＳ／Ｎ比を聾し７ないため所要の）“自強度はそれ
程必要吉しない。このため、比イｘイ灼小さい例えば０
．１３ＮＡの開１１数のコリメータレンズで足りるので
、例え非点収差２５μノア１の半導体レーザを光源とし
て用いても、波面の乱れはＲＭＳ値で０．０５６［：λ
〕と十分回折限界内にあり、特に支障はない。
高いＳ／Ｎ比を聾し７ないため所要の）“自強度はそれ
程必要吉しない。このため、比イｘイ灼小さい例えば０
．１３ＮＡの開１１数のコリメータレンズで足りるので
、例え非点収差２５μノア１の半導体レーザを光源とし
て用いても、波面の乱れはＲＭＳ値で０．０５６［：λ
〕と十分回折限界内にあり、特に支障はない。
しかしながら、ビデオ光ディスクプレヤの光ピツクアッ
プ等のように高いＳ／Ｎ比を必要とするものには、この
手段によれば半導体レーザから導出される光束の利用効
率が悪いため、レーザ出力を１９加させねばならず、半
導体レーザの寿命を短かくするさいう欠点を生ずること
になる。
プ等のように高いＳ／Ｎ比を必要とするものには、この
手段によれば半導体レーザから導出される光束の利用効
率が悪いため、レーザ出力を１９加させねばならず、半
導体レーザの寿命を短かくするさいう欠点を生ずること
になる。
さもなければ、高いＳ／Ｎ比を必要とするビデオ有光デ
ィスクブレヤの光ピンクアンプ等の光源２二するには、
現在の半導体レーザが導出される光束の発散角から考え
て、例えば０．２ Ｎ Ａ以上の開［］数のコリメータ
レンズでもって結像させる必要があるからである。しか
しこの場合は、２５μｍの非点収差による波面の乱れは
ＲＭＳ値で０．１３〔λ〕 となり、０ＴＦｅ性を著し
く劣化させ、所要のＯＴＦ特性が得らイ１なくな−って
しまう。
ィスクブレヤの光ピンクアンプ等の光源２二するには、
現在の半導体レーザが導出される光束の発散角から考え
て、例えば０．２ Ｎ Ａ以上の開［］数のコリメータ
レンズでもって結像させる必要があるからである。しか
しこの場合は、２５μｍの非点収差による波面の乱れは
ＲＭＳ値で０．１３〔λ〕 となり、０ＴＦｅ性を著し
く劣化させ、所要のＯＴＦ特性が得らイ１なくな−って
しまう。
因みに、回折限界内々して許容される波面乱れのＲＭ
Ｓ値は、０．０７λ（Ｍａｒｅｃｂａｌ Ｃｒ１ｔｅｒ
ｉｏｎ ）である。逆にこれを満足するために必要なレ
ーづ“の非点収差は、コリメータレンズの開口数を０．
２ＮＡとずれは ’Ｉ、 ３ ｐ ｍということになる
。なお、現在のゲイン嗜ガイディング型の半導体し、−
（）”の非点収差を考えると、２５ ｔｉ ｒｙ＋程度
である。したがって、ビデオ光ディスクプレヤの光ピツ
クアップ等のような高いＳ／Ｎ比、つまり光強度の強い
ものが必要とされる場合には、何らかの非点収差の補正
を斐することとなる。
Ｓ値は、０．０７λ（Ｍａｒｅｃｂａｌ Ｃｒ１ｔｅｒ
ｉｏｎ ）である。逆にこれを満足するために必要なレ
ーづ“の非点収差は、コリメータレンズの開口数を０．
２ＮＡとずれは ’Ｉ、 ３ ｐ ｍということになる
。なお、現在のゲイン嗜ガイディング型の半導体し、−
（）”の非点収差を考えると、２５ ｔｉ ｒｙ＋程度
である。したがって、ビデオ光ディスクプレヤの光ピツ
クアップ等のような高いＳ／Ｎ比、つまり光強度の強い
ものが必要とされる場合には、何らかの非点収差の補正
を斐することとなる。
別の手段として、
（ｂ） 円筒レンズ等のような方向により、＋ワー（
結合力）の異なる光学素子でもって非点収差を補正する
手段 が用いられている。しかしながらこれによる場合、光学
素子のパワーを方向によって異ならせるがために、光学
素子面つまりレンズ面が球面とならずに変形曲面となっ
てしまう。したがって、その面形成が極めて困難である
という欠点を生ずる。また、パワーがありかつパワーが
方向によって異なることも相俟って、光学素子の光軸に
対する角度位置のｆ（１１、光軸方向における位ｆ６６
、非点収差に対するパワーの方向性の位置を訓１駐して
やらねばならず、光学を子の位置調整が帷しいという欠
点をも生ずる。
結合力）の異なる光学素子でもって非点収差を補正する
手段 が用いられている。しかしながらこれによる場合、光学
素子のパワーを方向によって異ならせるがために、光学
素子面つまりレンズ面が球面とならずに変形曲面となっ
てしまう。したがって、その面形成が極めて困難である
という欠点を生ずる。また、パワーがありかつパワーが
方向によって異なることも相俟って、光学素子の光軸に
対する角度位置のｆ（１１、光軸方向における位ｆ６６
、非点収差に対するパワーの方向性の位置を訓１駐して
やらねばならず、光学を子の位置調整が帷しいという欠
点をも生ずる。
発明の目的
本発明は、このよ・うな実情に鑑みで発明されたもので
あって、その目的とするところは、非点収差々なる半導
１体レーザを用いて、例え高いＳ／Ｎ１（二が要求され
て光強度を要するものでも、面形成がｒ１易で位置調整
の簡単な光学翠（により、しかもその光学素子が容易に
装置に側み込まねて、所要のＯＴ Ｆ ｔｒｐ５ｙがレ
ーザ出力を増加させることなく得られる光学装置を＋７
供することにある。
あって、その目的とするところは、非点収差々なる半導
１体レーザを用いて、例え高いＳ／Ｎ１（二が要求され
て光強度を要するものでも、面形成がｒ１易で位置調整
の簡単な光学翠（により、しかもその光学素子が容易に
装置に側み込まねて、所要のＯＴ Ｆ ｔｒｐ５ｙがレ
ーザ出力を増加させることなく得られる光学装置を＋７
供することにある。
発明の概要
本発明にかかる光学装置は、冒頭にｈ己したものに１３
いて、前記半導体レーザを覆い被せるキャップの前記半
導体レーザから導出される光束が通過する窓（こ、所定
板厚の透明もシ、＜は半透明の平行平面板をその法線ベ
タ１ルが光軸に対して前記半導１体レーザの半導体ヂ合
面内で所定角度傾くようにして少なくとも１枚設け、前
記導出光束の非点収差を補正するように構成したことを
特徴とするものである。
いて、前記半導体レーザを覆い被せるキャップの前記半
導体レーザから導出される光束が通過する窓（こ、所定
板厚の透明もシ、＜は半透明の平行平面板をその法線ベ
タ１ルが光軸に対して前記半導１体レーザの半導体ヂ合
面内で所定角度傾くようにして少なくとも１枚設け、前
記導出光束の非点収差を補正するように構成したことを
特徴とするものである。
これにより、面形成が容易で位置調整の簡、中な光学素
子である平行平面板により、しかもその平行平面板が半
導体レーザのキャンプの窓に設けられることで容易に精
度良く装置に組み込まれて、所要のＯＴＦ特性がレーザ
出力を増加させることなく得られる。
子である平行平面板により、しかもその平行平面板が半
導体レーザのキャンプの窓に設けられることで容易に精
度良く装置に組み込まれて、所要のＯＴＦ特性がレーザ
出力を増加させることなく得られる。
実施例
以下本発明を光ビックアンプに適用した一実施例につき
その絞り光学系のみを取出し図面を参照しつつ説明する
。
その絞り光学系のみを取出し図面を参照しつつ説明する
。
第２図は半導体レーザの半導体接合面内を光軸にそった
断面を示し、第３図は半導体レーザの半導体接合面に垂
直な面内を光軸にそった断面を示している。なお、図中
示されている座標軸は第１図に合わぜである。
断面を示し、第３図は半導体レーザの半導体接合面に垂
直な面内を光軸にそった断面を示している。なお、図中
示されている座標軸は第１図に合わぜである。
光源である半導体レーザ（１）は、ダブルへテロ接合半
導体レーザの一種であるゲイン・ガイディング到である
。この半導体レーザ（１）は、前述のよ゛うに、発振光
束の収束点が半導体接合面（Ｘ−Ｙ軸面）内ではＱ面（
２）より若干奥の共振器内に入り、これに垂直な而（ｘ
−ｚ ！ｌｈ面）内では鏡面（２）に一致し、非点収
差となるものである。
導体レーザの一種であるゲイン・ガイディング到である
。この半導体レーザ（１）は、前述のよ゛うに、発振光
束の収束点が半導体接合面（Ｘ−Ｙ軸面）内ではＱ面（
２）より若干奥の共振器内に入り、これに垂直な而（ｘ
−ｚ ！ｌｈ面）内では鏡面（２）に一致し、非点収
差となるものである。
この半導体レーザ（１）から導出される光束の光路の光
軸上をとは、出射光束が平行な光束となるように屈折さ
せるため正こ、その焦点を半導体レーザ（１）の鏡面（
２）に位置させる所要の開口数のコリメータレンズ（４
）が設けられている。しかして、半導体レーザ（１）と
コリメータレンズ（４）との間の発散状態の光束の光路
中で、半導体レーザ（１）を覆い被せるギャップ（ＣＡ
Ｐ ）の半導体レーザ（１）から導出される光束が通過
する窓■には、光束透過可能な一枚の所定板厚ｔの平行
平面ガラス（５）が設けられている。そして、この平行
平面ガラス（５）（ま、図示される如くにその法線ベク
トルが光軸に対して半導体レーザ（１）の半導体接合面
（Ｘ−Ｙ軸面）内で所定角［Ｕｐ傾＜ようにして設けら
れている。これにより、半導体レーザ（１）から導出さ
れる光束の非点収差が補正されている。（なお、板ｆｆ
ｔおよび角度Ｕｌ等に゛ついては後述す′る。）また、
コリメータレンズ（４）からの平行光束を受けてビデオ
光ディスク等の読取面（６）に結像させるようｌこ屈折
させるためｔこ、読取面（６）にその焦点を位置させる
対物レンズ（力が光軸上に設けられている。この結像に
より、読取面（６）に記録されたものを読取ることとな
る。
軸上をとは、出射光束が平行な光束となるように屈折さ
せるため正こ、その焦点を半導体レーザ（１）の鏡面（
２）に位置させる所要の開口数のコリメータレンズ（４
）が設けられている。しかして、半導体レーザ（１）と
コリメータレンズ（４）との間の発散状態の光束の光路
中で、半導体レーザ（１）を覆い被せるギャップ（ＣＡ
Ｐ ）の半導体レーザ（１）から導出される光束が通過
する窓■には、光束透過可能な一枚の所定板厚ｔの平行
平面ガラス（５）が設けられている。そして、この平行
平面ガラス（５）（ま、図示される如くにその法線ベク
トルが光軸に対して半導体レーザ（１）の半導体接合面
（Ｘ−Ｙ軸面）内で所定角［Ｕｐ傾＜ようにして設けら
れている。これにより、半導体レーザ（１）から導出さ
れる光束の非点収差が補正されている。（なお、板ｆｆ
ｔおよび角度Ｕｌ等に゛ついては後述す′る。）また、
コリメータレンズ（４）からの平行光束を受けてビデオ
光ディスク等の読取面（６）に結像させるようｌこ屈折
させるためｔこ、読取面（６）にその焦点を位置させる
対物レンズ（力が光軸上に設けられている。この結像に
より、読取面（６）に記録されたものを読取ることとな
る。
次に、前記平行平面ガラス（５）でもって非点収差を補
正する理由を第４図にもとづいて説明する。
正する理由を第４図にもとづいて説明する。
発散状態の場合も同様であるが、例えば図示するように
収束状態にある光束の光路（開口数ＮＡ＝ｓｉｎＵ ）
中に平行平面ガラス（５Ｙ（板＋ｙｔ’、屈折率Ｎ）を
光ｆｆ１１＋に対してＵｐ′傾けて位置させるとする。
収束状態にある光束の光路（開口数ＮＡ＝ｓｉｎＵ ）
中に平行平面ガラス（５Ｙ（板＋ｙｔ’、屈折率Ｎ）を
光ｆｆ１１＋に対してＵｐ′傾けて位置させるとする。
このとき発生する非点隔差へ（非点収差）は、例えばＷ
、Ｊ、Ｓｍ１ｔｈ ； Ｍｏｄｅｒｎ ０ｐｔｉｃａｌ
Ｆ’：ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ （Ｍ、Ｃ。
、Ｊ、Ｓｍ１ｔｈ ； Ｍｏｄｅｒｎ ０ｐｔｉｃａｌ
Ｆ’：ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ （Ｍ、Ｃ。
ＧｒａＷ−川１１ Ｎ、Ｙ、 １９６６ ） ｉコよ
れば、ン人ノヨウｉｃなる。
れば、ン人ノヨウｉｃなる。
なお、ｌｔ′は涜神・光軸を含む面（子午面）内での収
束点までのＰｆＷ 闇、ら′はこれに直交する面（球欠
面）での収束点までの距離である。
束点までのＰｆＷ 闇、ら′はこれに直交する面（球欠
面）での収束点までの距離である。
一方、球欠コマ猪−（球欠収差）は
である。
前記（１）（２）式によれば、所要の開口数、例えばＮ
Ａ ＝ｓｉｎＵ ＝ ０．２において、板厚ｔ′、傾き
角Ｕｐ′を選定することによって、半導体レーザｆｌ）
で生じる非点収差と回付で反対符号の非点収差を発生さ
せ、かつ、同時に発生するコマ収差を十分低レベルに抑
えることは可能であることがわかる。すなわち任意のＵ
、′〜Ｄに対して非点隔差量（非点収差）は、 Ａ、 ： ｉ、’ −１ｔ’ ＜ ｒｌとなる。
Ａ ＝ｓｉｎＵ ＝ ０．２において、板厚ｔ′、傾き
角Ｕｐ′を選定することによって、半導体レーザｆｌ）
で生じる非点収差と回付で反対符号の非点収差を発生さ
せ、かつ、同時に発生するコマ収差を十分低レベルに抑
えることは可能であることがわかる。すなわち任意のＵ
、′〜Ｄに対して非点隔差量（非点収差）は、 Ａ、 ： ｉ、’ −１ｔ’ ＜ ｒｌとなる。
したがって、子午面を半導体レーザ（１）の半導体接合
面にとれば、半導体レーザ（１）の非点収差は補正でき
る。
面にとれば、半導体レーザ（１）の非点収差は補正でき
る。
例えば、ｔ’＝ｏ、ｉ閂、Ｕｐ’ ＝ ４５°、Ｎ＝１
．５とすれば非点隔差量（非点収差）は、 Ａｓ：ｌｓ′−ｌｔ′＝−０，０２５（ｍｌ）−ｍ−２
５μｍとなる。現在のゲイン・ガイディング型の半導体
レーザ（１）の非点収差は前述のように２５μ〃１程度
であるので、これにより非壱、収差ツ）樗十分補正でき
ることは明らかである。しかもこのとき発生するコマ収
差は、波面１区差の１？、 Ｍ Ｓ値で約１１．０２（
λ〕で十分無視できるものである。
．５とすれば非点隔差量（非点収差）は、 Ａｓ：ｌｓ′−ｌｔ′＝−０，０２５（ｍｌ）−ｍ−２
５μｍとなる。現在のゲイン・ガイディング型の半導体
レーザ（１）の非点収差は前述のように２５μ〃１程度
であるので、これにより非壱、収差ツ）樗十分補正でき
ることは明らかである。しかもこのとき発生するコマ収
差は、波面１区差の１？、 Ｍ Ｓ値で約１１．０２（
λ〕で十分無視できるものである。
なお、非点収差、コマ収差ともシこ平行平面板ガラス（
５）′の板厚ｔ′に比例し、傾き角Ｕ、’に対しては非
点収差はほぼ２乗、コマ収差は比例するがために、一定
の非点収差を発生する１７″は平行平面ガラス（！５Ｙ
の板、壓ｔ′を小さく傾き角ＬＴ、／を大きくして補正
したほうが、同時に発生するコマ収差を低く抑えること
ができる。
５）′の板厚ｔ′に比例し、傾き角Ｕ、’に対しては非
点収差はほぼ２乗、コマ収差は比例するがために、一定
の非点収差を発生する１７″は平行平面ガラス（！５Ｙ
の板、壓ｔ′を小さく傾き角ＬＴ、／を大きくして補正
したほうが、同時に発生するコマ収差を低く抑えること
ができる。
以上により、法線ベクトルを光軸に対して半導体レーザ
（１）の半導体レーザ（Ｘ−Ｙ軸面）内で所定角度Ｕｐ
傾けて設けられた所定板Ｖｙ、ｔの丁行平面ガラス（５
）でもって、半導体レーザ（１）の非点収差が補正さね
、イ１こ吉がわかる。
（１）の半導体レーザ（Ｘ−Ｙ軸面）内で所定角度Ｕｐ
傾けて設けられた所定板Ｖｙ、ｔの丁行平面ガラス（５
）でもって、半導体レーザ（１）の非点収差が補正さね
、イ１こ吉がわかる。
したがって、対物レンズ（７）屹より読取面（６）に結
（Ｑｊさ才する読取スポットは、平行平面ガラス（５）
による非点収差の補正によりほぼ円形状となり、隣接ト
ラックにまたがるこさはなく所要のＯＴＦ／％性が得ら
れる。
（Ｑｊさ才する読取スポットは、平行平面ガラス（５）
による非点収差の補正によりほぼ円形状となり、隣接ト
ラックにまたがるこさはなく所要のＯＴＦ／％性が得ら
れる。
本実施例では、非点収差の補正を平行平面ガラス（！”
ｉ）でもって行なったが、サファイヤ等で形成され、フ
ニ平行乎面板でもよく、要するに半導体レーザ（１）か
らの光束が透過可能な平行平面板でありさえずればよい
。
ｉ）でもって行なったが、サファイヤ等で形成され、フ
ニ平行乎面板でもよく、要するに半導体レーザ（１）か
らの光束が透過可能な平行平面板でありさえずればよい
。
また、本実施例では平行了面ガラス（５）を一枚吉した
が、ある非点収差を補正に要する板厚ｔがあれば非点収
差は補正できる。したがって、この板厚ｔを分割して、
平行平面ガラス（５）を２枚、３枚・・・・ 古して
設けてもよい。
が、ある非点収差を補正に要する板厚ｔがあれば非点収
差は補正できる。したがって、この板厚ｔを分割して、
平行平面ガラス（５）を２枚、３枚・・・・ 古して
設けてもよい。
更に、本実施例では、半導体レーザ（１）をダブルへテ
ロ接合半導体レーザのゲイン會ガイディンク型Ｊニジた
が、半導体接合面内とこれに垂直な面内とでは発擾光束
の収束点が鞘なり非点収差となる半導体レーザであれば
、本発明を適用できることはいうまでもない。
ロ接合半導体レーザのゲイン會ガイディンク型Ｊニジた
が、半導体接合面内とこれに垂直な面内とでは発擾光束
の収束点が鞘なり非点収差となる半導体レーザであれば
、本発明を適用できることはいうまでもない。
なお、平行平面ガラス（５）の法線ベクトルを光軸に対
して４５°（＝Ｕｐ）傾けて、半導体レーザ（１）と反
対側の面に蒸着膜をコーティングして半鳩違明鏡として
ビームスプリンタに兼用するこ吉も可能である。
して４５°（＝Ｕｐ）傾けて、半導体レーザ（１）と反
対側の面に蒸着膜をコーティングして半鳩違明鏡として
ビームスプリンタに兼用するこ吉も可能である。
応用例
本発明は、距離測定装置、物体運動測定装置、情報記録
装置（光学式オーディオ、ビデオのディスク原盤製造装
置等）、情報伝送装置等ζこ適用するこ吉ができる。
装置（光学式オーディオ、ビデオのディスク原盤製造装
置等）、情報伝送装置等ζこ適用するこ吉ができる。
発明の効果
本発明は、次の利点を有するものである。
平行平面板をその法線ベクトルが光軸に対して半導体レ
ーザの半導体接合面内で所定角度傾くようにして設ける
ことにより、非点収差となる半導体レーザを用いて、例
え高いＳ／Ｎ比が要求されて光強度を要するものでも、
所要のＯＴＦ特性がレーザ出力を増加させることなく得
られる。
ーザの半導体接合面内で所定角度傾くようにして設ける
ことにより、非点収差となる半導体レーザを用いて、例
え高いＳ／Ｎ比が要求されて光強度を要するものでも、
所要のＯＴＦ特性がレーザ出力を増加させることなく得
られる。
そして、非点収差を補正する光学素子が平行平面板であ
るためをと、その面形成は極めて容易ζこできる。また
、パワー（結合力）を有さないために、前記の如くその
法線ベクトルを光軸ｌこ対して半導体レーザの半導体接
合面内で傾けて位置させる角度位置調整のみでたり、簡
単に位置調整ができる。
るためをと、その面形成は極めて容易ζこできる。また
、パワー（結合力）を有さないために、前記の如くその
法線ベクトルを光軸ｌこ対して半導体レーザの半導体接
合面内で傾けて位置させる角度位置調整のみでたり、簡
単に位置調整ができる。
しかも、平行平面板が半導体レーザのギャップの窓に設
けられることで特に装置に支持部等を設けることなく容
易に、また半導体レーザのステム等を基準とするこ吉で
正確に装置に絹み込むことができる。
けられることで特に装置に支持部等を設けることなく容
易に、また半導体レーザのステム等を基準とするこ吉で
正確に装置に絹み込むことができる。
第１図（イ）（ロ）はゲイン・ガイディング型の半導体
レーザの非点収差を説明する図、第２図は本発明を適用
した一例の光ピツクアップの絞り光学系における半導体
レーザの半導体接合面内を光軸にそ−っだ断面図、第６
図は第２図の半導体レーザの半導体レーザに垂直な面内
を光軸にそった断面図、第４図は平行平面ガラスによる
非点収差の補正を説明する図である。 なお図面に用いられている符号において、（１）
・ ・半導体し・−ザ （５）・・ 平行平面ガラス である。 代 理 人 士 屋 勝常 包
芳 男 杉浦俊ｙ（ ｔ ｉ” りｔ’ｉ ／！ ｆ’、：４
レーザの非点収差を説明する図、第２図は本発明を適用
した一例の光ピツクアップの絞り光学系における半導体
レーザの半導体接合面内を光軸にそ−っだ断面図、第６
図は第２図の半導体レーザの半導体レーザに垂直な面内
を光軸にそった断面図、第４図は平行平面ガラスによる
非点収差の補正を説明する図である。 なお図面に用いられている符号において、（１）
・ ・半導体し・−ザ （５）・・ 平行平面ガラス である。 代 理 人 士 屋 勝常 包
芳 男 杉浦俊ｙ（ ｔ ｉ” りｔ’ｉ ／！ ｆ’、：４
Claims (1)
- 半導体接合面内とこれに垂直な面内とでは発振光束の収
束点が異なり非点収差となる半導体レーザを光源とする
光学装置において、前記半導体レーザを覆い被せるキャ
ンプの前記半導体レーザから導出される光束が通過する
窓に、所定板厚の透明もしくは半透明の平行平面板をそ
の法腺ベクトルが光軸に対して前記半導体レーザの半導
体接合面内で所定角度傾くようにして少なくとも１枚設
け、前記導出光束の非点収差を補正するように構成した
ことを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251812A JPS59146013A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251812A JPS59146013A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光学装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025522A Division JPS58143443A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 半導体レ−ザを用いた光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146013A true JPS59146013A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0536767B2 JPH0536767B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=17228284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251812A Granted JPS59146013A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146013A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251046A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Nec Home Electronics Ltd | 光記録再生装置用光ヘツド |
| JPS637528A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-13 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6310338A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| US5495492A (en) * | 1992-08-11 | 1996-02-27 | Sony Corporation | Semiconductor laser having an active layer with a fan-shaped stripe with curved end surfaces |
| US5633761A (en) * | 1992-07-10 | 1997-05-27 | Fujitsu Limited | Laser diode module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645815U (ja) * | 1979-09-14 | 1981-04-24 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58251812A patent/JPS59146013A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645815U (ja) * | 1979-09-14 | 1981-04-24 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251046A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Nec Home Electronics Ltd | 光記録再生装置用光ヘツド |
| JPS637528A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-13 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| JPS6310338A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
| US5633761A (en) * | 1992-07-10 | 1997-05-27 | Fujitsu Limited | Laser diode module |
| US5659432A (en) * | 1992-07-10 | 1997-08-19 | Fujitsu Limited | Laser diode module |
| US5689378A (en) * | 1992-07-10 | 1997-11-18 | Fujitsu Limited | Laser diode module |
| US5495492A (en) * | 1992-08-11 | 1996-02-27 | Sony Corporation | Semiconductor laser having an active layer with a fan-shaped stripe with curved end surfaces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536767B2 (ja) | 1993-05-31 |
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