JPS5914634A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
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- JPS5914634A JPS5914634A JP57124047A JP12404782A JPS5914634A JP S5914634 A JPS5914634 A JP S5914634A JP 57124047 A JP57124047 A JP 57124047A JP 12404782 A JP12404782 A JP 12404782A JP S5914634 A JPS5914634 A JP S5914634A
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- substrate heating
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- heating apparatus
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＯＶＤの基板加熱装置において、その
内部にヒータと冷却用の管を配管し、加熱と冷却の橙能
を備えるととｋより、プラズマ放電中においても基板の
温度制御の高精度化をはかった基板加熱装置Ｋ１１ｌす
る。
内部にヒータと冷却用の管を配管し、加熱と冷却の橙能
を備えるととｋより、プラズマ放電中においても基板の
温度制御の高精度化をはかった基板加熱装置Ｋ１１ｌす
る。
近’ｆ−，アモルファスシリコン（以下ではα−８ｉと
かく）、シリコン酸化膜、およびシリコン窒化膜等をは
じめとして多くの薄膜がプラズマＯＶＤ法で作られるよ
うになりて−た。
かく）、シリコン酸化膜、およびシリコン窒化膜等をは
じめとして多くの薄膜がプラズマＯＶＤ法で作られるよ
うになりて−た。
プラズマａｖｎ法によって上記のような材料の成膜を行
なう場合、通常１５０〜６５０℃の基板加熱ａ−８ｔを
用いた感光ドラムの作製方法を例としてプラズマＯＶＤ
法による成膜の概要ならびに基板加熱の方法について説
明する。
なう場合、通常１５０〜６５０℃の基板加熱ａ−８ｔを
用いた感光ドラムの作製方法を例としてプラズマＯＶＤ
法による成膜の概要ならびに基板加熱の方法について説
明する。
第１図は感光ドラム作製用プラズマｏｖＤＩＩｔｆｔの
模式図である。同図にお の基材、１０２は石英チャンノく一１１０３Ｆｉ高周波
コイル、１０４は高周波発振器、１０５は参ト気用のポ
ンプ、１０６はシャフト、１０７は七−夕である。第１
必の装置を用いてα・′Ｂイの感光ドラムを次の方法で
作製する。
模式図である。同図にお の基材、１０２は石英チャンノく一１１０３Ｆｉ高周波
コイル、１０４は高周波発振器、１０５は参ト気用のポ
ンプ、１０６はシャフト、１０７は七−夕である。第１
必の装置を用いてα・′Ｂイの感光ドラムを次の方法で
作製する。
排気用ポンプによりてチャン／（−１０２の中を約ｌＸ
１Ｇ＝丁ｏｒｒ、まで排気しながら、円筒上の基材の温
度を２３０〜２５０℃に保つ。基材の加熱は後述の基板
加熱装置内に取り付けられた加熱用ヒータによって行な
う。ヒータの温度が所定の温度に達したところで、矢印
Ａの方向にモノシラン（８４Ｈ，）アルゴン（Ａｒ）、
ジポラン（Ｂ、Ｈ，）の混合ガスをチャンバ内の圧力が
約ＩＴＯｒ？’、になるように導入する。また、モノシ
ランに対するジポランの流量比は約１×１０′である。
１Ｇ＝丁ｏｒｒ、まで排気しながら、円筒上の基材の温
度を２３０〜２５０℃に保つ。基材の加熱は後述の基板
加熱装置内に取り付けられた加熱用ヒータによって行な
う。ヒータの温度が所定の温度に達したところで、矢印
Ａの方向にモノシラン（８４Ｈ，）アルゴン（Ａｒ）、
ジポラン（Ｂ、Ｈ，）の混合ガスをチャンバ内の圧力が
約ＩＴＯｒ？’、になるように導入する。また、モノシ
ランに対するジポランの流量比は約１×１０′である。
この状態で、高周波発振器１０４によってチャンバー内
に高周波放電を起こすと、導入ガスが分解して基材１０
１の表面上にα−８ｉの膜が形成される。
に高周波放電を起こすと、導入ガスが分解して基材１０
１の表面上にα−８ｉの膜が形成される。
膜厚の均一性を得るためにシャフト１０６を通してモー
タ１０７で基材を回転する。回転速度Ｆｉ１分間に約１
０回転である。
タ１０７で基材を回転する。回転速度Ｆｉ１分間に約１
０回転である。
第２図は基板加熱装置にドラム用の基材をセットした状
態の外観と断面構造とを模式的に示しＡ図である。
態の外観と断面構造とを模式的に示しＡ図である。
第２図において、２０１αと２０１ｂけ感光ドラムの基
材で２０１ａはその外観図、２０１ｂけ断面図である。
材で２０１ａはその外観図、２０１ｂけ断面図である。
また２０２α、２０２ｂおよび２０３ ｔ−を基板加熱
！！２置を示しておシ２０２αはカバーの外観図、２０
２る。
！！２置を示しておシ２０２αはカバーの外観図、２０
２る。
竿２図の２０２α、２０２ｂおよび２０３で表わされる
基板加熱装置に円筒状の基材２０１αをセットし加熱し
なかも基材表面上にａ−ｓｉをデポジションする。
基板加熱装置に円筒状の基材２０１αをセットし加熱し
なかも基材表面上にａ−ｓｉをデポジションする。
上聞の説、明では感光ドラムを例にとって説明したので
、円柱状の基板加熱装置に円筒状の基材をセットしてい
る。一方、平面状の基板加熱装置に平面基板を接触させ
てセットし、プラズマ（’ Ｖ Ｄによるデポジション
を行なう場合もしげしばあるが原理的には同じである。
、円柱状の基板加熱装置に円筒状の基材をセットしてい
る。一方、平面状の基板加熱装置に平面基板を接触させ
てセットし、プラズマ（’ Ｖ Ｄによるデポジション
を行なう場合もしげしばあるが原理的には同じである。
第２図に示し基板加熱装置、あるいは平板状の基板加熱
装置を用いて、加熱をしながらプラズマＯＶＤによるデ
ポジションを行なう場合、従来の基板加熱装置には大舞
な欠点が存在する。それはプラズマ放電中における基板
の温度制御が難しいことである。
装置を用いて、加熱をしながらプラズマＯＶＤによるデ
ポジションを行なう場合、従来の基板加熱装置には大舞
な欠点が存在する。それはプラズマ放電中における基板
の温度制御が難しいことである。
ある一定の温度、たとえば２００℃に基板を加熱してお
いて、プラズマ放電を開始した場合でもプラズマ自体が
エネルギーを持っているので温度が上昇して一定に僅て
ないことである。
いて、プラズマ放電を開始した場合でもプラズマ自体が
エネルギーを持っているので温度が上昇して一定に僅て
ないことである。
とくに第２図に示した感光ドラム用の円筒基材を用いて
第１図の装νでα−８ｉのデポジションを行なう場合、
温度の上昇は大舞い。その理由の一つけ、高周波電極１
０３が基材の周囲を囲んでおりプラズマがとじこめられ
密度が上がふこと、もう一つＦｉ１０時間以上をかけた
長時間のデボジン１ンを要するためである。
第１図の装νでα−８ｉのデポジションを行なう場合、
温度の上昇は大舞い。その理由の一つけ、高周波電極１
０３が基材の周囲を囲んでおりプラズマがとじこめられ
密度が上がふこと、もう一つＦｉ１０時間以上をかけた
長時間のデボジン１ンを要するためである。
したがって、着干高周波パワーの強い場合には当初２０
０℃まで加熱し、プラズマ放電開始と同時に基板加熱装
置のヒータをオフにしてもプラズマのエネルギーによっ
て基材の温度は上昇し１ＪＱ１０分間ＭＩＣは２５０℃
以上に：ｓする場合もある。
０℃まで加熱し、プラズマ放電開始と同時に基板加熱装
置のヒータをオフにしてもプラズマのエネルギーによっ
て基材の温度は上昇し１ＪＱ１０分間ＭＩＣは２５０℃
以上に：ｓする場合もある。
プラズマＣＶＤＫよって作製する膜の特性は。
デボレフ１フ時の温度に影響される場合が多く、感光体
用のａ−Ｂｉ膜をデポジションする場合にも２５０℃以
上の温度になると膜中の水素の脱離が生じ、帯電性能が
劣ることがわかっている。
用のａ−Ｂｉ膜をデポジションする場合にも２５０℃以
上の温度になると膜中の水素の脱離が生じ、帯電性能が
劣ることがわかっている。
それにもかかわらず従来の基板加装装置では温度上昇が
激しく、得られた膜に所望の１！！！件が得られないと
いう欠点を有していた。
激しく、得られた膜に所望の１！！！件が得られないと
いう欠点を有していた。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは基板加熱装置において精度の良い温度制
御を行なうことにある。
とするところは基板加熱装置において精度の良い温度制
御を行なうことにある。
第３図は本発明の外観と断面を模式的に示したものであ
る。同図において３０１αおよび３０１６Ｆｉ感光ドラ
ムの基材で３０１αは外観を３０１ｂ＃′ｉ断面を表わ
している。また３０２αは基板加熱装量カバーの外観、
３０２ ｂ １−を基板加熱装置カバーの断面である。
る。同図において３０１αおよび３０１６Ｆｉ感光ドラ
ムの基材で３０１αは外観を３０１ｂ＃′ｉ断面を表わ
している。また３０２αは基板加熱装量カバーの外観、
３０２ ｂ １−を基板加熱装置カバーの断面である。
ζらに、 ３Ｑ３ ａ、、 ５０５．ｂ 、 ３０
３ Ｃ・・・・・・・・・・は基板加熱の為のヒータ、
３０４α、５Ｏ４ｂ、・・・・・・・・・は基板冷却の
為の冷媒を流す管である。
３ Ｃ・・・・・・・・・・は基板加熱の為のヒータ、
３０４α、５Ｏ４ｂ、・・・・・・・・・は基板冷却の
為の冷媒を流す管である。
一つの実施例をもって、本発明の説明を行なう感光ドラ
ムの外径は８０ｗｎφ、長さは５００ｍ５＋で基材の厚
ζＩｄ５ｗａである。したがって、基板加熱装置のカバ
ーの外径は７４ｔｍφであシ、加熱ヒータはシース型の
ものを約２０１１１１のピヅチでカバーに接して巻いた
。まえ、冷媒を流す管は内在的５ ｍｍの銅パイプを２
０順のピッチでヒータ同様カバーに接して巻いた。
ムの外径は８０ｗｎφ、長さは５００ｍ５＋で基材の厚
ζＩｄ５ｗａである。したがって、基板加熱装置のカバ
ーの外径は７４ｔｍφであシ、加熱ヒータはシース型の
ものを約２０１１１１のピヅチでカバーに接して巻いた
。まえ、冷媒を流す管は内在的５ ｍｍの銅パイプを２
０順のピッチでヒータ同様カバーに接して巻いた。
この基板加熱装置を用いて、ｎ、−ｓｉの感光ドラムを
作製した。最初に１空に排気しながらヒータによ−てア
ルミ基材の温度を２００℃に上げ、反応ガスをチャンバ
ー内に導入して、高周波放電を開始すると同時にヒータ
をオフにした。さらに冷媒用の管に約７０℃の水を１１
／ｍｉｎ程度流した。なお高周波電力ＦｉＯ，８Ｋ Ｗ
であふ。この状態で約８時間デポジションを行なったが
基材の温度は２０５℃まで上昇しただけであった。この
値は従来の方法で２５０℃くらいに上昇したのに比べれ
ば非常に少ないものであり、温度制御の精度は非常に向
上した。
作製した。最初に１空に排気しながらヒータによ−てア
ルミ基材の温度を２００℃に上げ、反応ガスをチャンバ
ー内に導入して、高周波放電を開始すると同時にヒータ
をオフにした。さらに冷媒用の管に約７０℃の水を１１
／ｍｉｎ程度流した。なお高周波電力ＦｉＯ，８Ｋ Ｗ
であふ。この状態で約８時間デポジションを行なったが
基材の温度は２０５℃まで上昇しただけであった。この
値は従来の方法で２５０℃くらいに上昇したのに比べれ
ば非常に少ないものであり、温度制御の精度は非常に向
上した。
実験によると、高周波電力を大きくすると基材の温度上
昇も大舞くなるが、冷媒の温度を下げることによ抄、デ
ポジション中の温度をほぼ一定に保ちうることか確認さ
れた。
昇も大舞くなるが、冷媒の温度を下げることによ抄、デ
ポジション中の温度をほぼ一定に保ちうることか確認さ
れた。
また冷媒は水だけでなく有機液体を用いても同様の効果
が得られる。
が得られる。
上述のように本発明の基板加熱装置を用いることＫより
、デポジション中の基板の温度を一定に保つことがで禽
、得られたドラムの感光特性も良好であった。このよう
に本発明の効果は大き１ハものであり、また、その原理
はスパッタや蒸着、そしてＯＶＤ装置における平板タイ
プの基板加熱にも使用できその利用範囲はきわめて広い
ものである。
、デポジション中の基板の温度を一定に保つことがで禽
、得られたドラムの感光特性も良好であった。このよう
に本発明の効果は大き１ハものであり、また、その原理
はスパッタや蒸着、そしてＯＶＤ装置における平板タイ
プの基板加熱にも使用できその利用範囲はきわめて広い
ものである。
第１図は感光ドラム作製用のプラズマ０ＶＤ装置の模式
図、第２図は基板加熱装置にドラム用の基拐をセ・ノド
した状態の外観と断面構造とを模式的に示した図、そし
て第３図は本発明の外観と断面を模式的に示した図であ
る。 １０１・・・・・・感光ドラム基材 １０２・・・・・・石英チャンバー １０３・・・・・・高周波コイル １０４・・・・・・高周波発振器 １０５・・・・・・排気用のポンプ １０６・・・・・・シャフト １０７・・・・・・モータ ３０１α〜ｂ・・・・・・感光ドラム基材３０２α〜ｂ
・・・・・・基板加熱ｉｔカバー３０３ｃＬＡ−ｃ・・
・・・・ヒータ ３０４ａ−ｂ・・・・・・冷媒を流す管板 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図 築２Ｆ！」 第３図
図、第２図は基板加熱装置にドラム用の基拐をセ・ノド
した状態の外観と断面構造とを模式的に示した図、そし
て第３図は本発明の外観と断面を模式的に示した図であ
る。 １０１・・・・・・感光ドラム基材 １０２・・・・・・石英チャンバー １０３・・・・・・高周波コイル １０４・・・・・・高周波発振器 １０５・・・・・・排気用のポンプ １０６・・・・・・シャフト １０７・・・・・・モータ ３０１α〜ｂ・・・・・・感光ドラム基材３０２α〜ｂ
・・・・・・基板加熱ｉｔカバー３０３ｃＬＡ−ｃ・・
・・・・ヒータ ３０４ａ−ｂ・・・・・・冷媒を流す管板 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図 築２Ｆ！」 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）プラズマＯＶＤの基板加熱装置において、その内部
にヒータと冷却用の管とを儒えたことを特徴とする基板
加熱装置。 ２） 基板加熱装ｆが円筒状をなし、紋円筒の内側に接
してヒータ並びに冷却用の配管を配量したことを特徴と
する特許請求範囲第１項記載の基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124047A JPS5914634A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124047A JPS5914634A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914634A true JPS5914634A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14875673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124047A Pending JPS5914634A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914634A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661387A3 (en) * | 1993-12-30 | 1996-12-18 | Saint Gobain Norton Ind Cerami | Device and method for applying a material to a rotating surface. |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124047A patent/JPS5914634A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661387A3 (en) * | 1993-12-30 | 1996-12-18 | Saint Gobain Norton Ind Cerami | Device and method for applying a material to a rotating surface. |
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