JPS59148347A - 半導体装置の配線金属の形成方法 - Google Patents
半導体装置の配線金属の形成方法Info
- Publication number
- JPS59148347A JPS59148347A JP2230683A JP2230683A JPS59148347A JP S59148347 A JPS59148347 A JP S59148347A JP 2230683 A JP2230683 A JP 2230683A JP 2230683 A JP2230683 A JP 2230683A JP S59148347 A JPS59148347 A JP S59148347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring metal
- layer
- wiring
- semiconductor device
- layer wiring
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、多層金属配線金有する集積回路製造工程にお
いて、配線金属のパターン形成後の熱処理により、配線
形状を傾斜化し、第一層、第二層配線の交差する断差部
における第二層配線の断線全防止した、半導体装置の配
線金属の形成方法に関する。
いて、配線金属のパターン形成後の熱処理により、配線
形状を傾斜化し、第一層、第二層配線の交差する断差部
における第二層配線の断線全防止した、半導体装置の配
線金属の形成方法に関する。
近年、集積回路の素子寸法の微細化にともないレジスト
パターンに対する忠実性の良いドライエツチングを用い
ることによる併置を現れてきた。
パターンに対する忠実性の良いドライエツチングを用い
ることによる併置を現れてきた。
すなわち、レジストパターン忠実性が向上した反面、交
差する第二層配線が急峻な断差によって断線しやすいと
いう欠点がある。以下、図面を用いてこれを説明する。
差する第二層配線が急峻な断差によって断線しやすいと
いう欠点がある。以下、図面を用いてこれを説明する。
＄１図の、１．９に、素子を構成する拡散層を含むシリ
コン基板１の上に、ｃｖＤ法等を用論で形成した絶縁層
２を介しで、第一層配線バクーン３を形成する。必要に
応じで、酸化膜２ｖＣは拡散層と電気的接ｆｆ１ｆｆｉ
取るためのコンタクトホール４ｆｒ、つくり、この部分
では第一層配線パターン５は拡散層に接触している。配
線パターン３お工び、コンタクトホール４の形成には既
知のフォトリングラフィ技術、ドライエツチング技術を
用いる。
コン基板１の上に、ｃｖＤ法等を用論で形成した絶縁層
２を介しで、第一層配線バクーン３を形成する。必要に
応じで、酸化膜２ｖＣは拡散層と電気的接ｆｆ１ｆｆｉ
取るためのコンタクトホール４ｆｒ、つくり、この部分
では第一層配線パターン５は拡散層に接触している。配
線パターン３お工び、コンタクトホール４の形成には既
知のフォトリングラフィ技術、ドライエツチング技術を
用いる。
次に、第２図のように、第一層、第二層配線の中間絶縁
層５１ｃＣ３ＶＤ法等を用いで形成した後。
層５１ｃＣ３ＶＤ法等を用いで形成した後。
第一層配線バクーンと同様にして、第二層配線パターン
６を形成する。第２図には示していないが必要に応じて
、第二層配線と第一層配線’ｚ′ｆｃは拡散層を電気的
に接続するコンタクトホールを形成する。
６を形成する。第２図には示していないが必要に応じて
、第二層配線と第一層配線’ｚ′ｆｃは拡散層を電気的
に接続するコンタクトホールを形成する。
以上の従来法においては、第２図を見でわかるように、
ドライエツチングによって形成し７を第一層配線パター
ン６の急峻な断差ＶＣおいて、中間絶縁・層５．第二層
配線パターン６にくびれが生じ、この部分で第二層配線
の＃線が起こりやすい。
ドライエツチングによって形成し７を第一層配線パター
ン６の急峻な断差ＶＣおいて、中間絶縁・層５．第二層
配線パターン６にくびれが生じ、この部分で第二層配線
の＃線が起こりやすい。
本発明は、上記の問題全改善するためになされたもので
ある。以下、図面を用いて本発明を詳細Ｋｆｉ５１ＢＡ
する。
ある。以下、図面を用いて本発明を詳細Ｋｆｉ５１ＢＡ
する。
フォトリソグラフィ技術、ドライエツチング技術を用い
て、第一層配線パターンを形成する。
て、第一層配線パターンを形成する。
次に、赤外線またにレーザーによる急速熱処理全行な９
ことにより、第６図に示すように、第一層配線金属７の
断面形状を傾斜化する。この後、第４図のように中間絶
縁層８．第二層配線９を形成する。第一層配線７が傾斜
化しているため、断差部にかいても中間絶縁層８．第二
層配線９にはくびれは発生せず、断線がおこりにくい。
ことにより、第６図に示すように、第一層配線金属７の
断面形状を傾斜化する。この後、第４図のように中間絶
縁層８．第二層配線９を形成する。第一層配線７が傾斜
化しているため、断差部にかいても中間絶縁層８．第二
層配線９にはくびれは発生せず、断線がおこりにくい。
熱処理の時間及び温度は配線金属の材質によって異なる
が、５重量パーセントのシリコンを含むアルミニウムの
場合、６００℃、３秒の赤外線熱処理によって、傾斜断
面形状が得られる。他の材料についでも、温度９時間を
変えて傾斜化できる。
が、５重量パーセントのシリコンを含むアルミニウムの
場合、６００℃、３秒の赤外線熱処理によって、傾斜断
面形状が得られる。他の材料についでも、温度９時間を
変えて傾斜化できる。
なお、今１での説明では、説明の都合により。
二層配線の場合について説明したが、二層以上の配線金
属層を形成する半導体装置の製造工程についても、同様
に適用できることは言９″！！でもない。
属層を形成する半導体装置の製造工程についても、同様
に適用できることは言９″！！でもない。
第１図と第２図は従来の配線金属形成方法の工程順を示
す断面図。 第３図と第４図は本発明の配線金属形成方法の工程順を
示す断面図である。 １・・・・・・素子となる拡散層を含むシリコン基板２
・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・コンタクトホール ５．８・・・・・・中間絶縁層 ６．９・・・・・・第二層配線 よ 上山
願人 株式会社 第二稍工舎 代理人弁理士最上 務
す断面図。 第３図と第４図は本発明の配線金属形成方法の工程順を
示す断面図である。 １・・・・・・素子となる拡散層を含むシリコン基板２
・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・コンタクトホール ５．８・・・・・・中間絶縁層 ６．９・・・・・・第二層配線 よ 上山
願人 株式会社 第二稍工舎 代理人弁理士最上 務
Claims (1)
- 配線金属パターンをドライエツチング［、Ｊ：つて −
形成しｆｃ後、急速熱処理全行な９ことによジ前記配線
金属の断面形状を傾斜化させることを特徴とす弓る半導
体装置の配線金属の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230683A JPS59148347A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 半導体装置の配線金属の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230683A JPS59148347A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 半導体装置の配線金属の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148347A true JPS59148347A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12079053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2230683A Pending JPS59148347A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 半導体装置の配線金属の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148347A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233483A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路 |
| JPS6236846A (ja) * | 1985-06-24 | 1987-02-17 | アメリカ合衆国 | 金属層の平坦化方法 |
| JPH02104647A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 | Univ Waseda | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP2230683A patent/JPS59148347A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236846A (ja) * | 1985-06-24 | 1987-02-17 | アメリカ合衆国 | 金属層の平坦化方法 |
| JPS6233483A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路 |
| JPH02104647A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 | Univ Waseda | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |
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