JPS591492A - 置換フエナリンから成る導電性系及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 豪 本発明は、元素周期系の第■、■又は夏廁族の元素の金
属陽イオンを１，９−置換ツェナリンと反応させて金属
キレート錯体とし、該金属キレート錯体を酸化して導電
性系にすることにより、Ｉ　Ｘ　１０−”Ω−’ｍ−１
よりも大きな導１１率を有する空気安定性の導電性系を
製造する方法に関する。

更に、本発明は上記方法で製造した生成物及びその使用
に関する。

本発明方法では、遷移金属Ｍｅｎｅを１，９−置換ツェ
ナリンと反応させて準−次元重合体構造を有する遷移金
属キレート錯体とし、該キレート化合物を酸化する。

金属有機Ｍ−８′体を直接的金属−金属交換作用又は金
属−リガント−金属結合で準−次元的導電性系に変換す
ることは既に公知である〔ハルナック（Ｍ、　Ｈａｒｎ
ａｃｋ　）著、”　Ｎａｃｈｒ、　Ｃｈｅｍ、　Ｔｅｃ
ｈｎ、　Ｌａｂ、）”第２８巻（９）　、６３２頁（１
９８０年）参照〕。

遷移金属陽イオンの公知重合体の例はテトラシアノ白金
（Ｉｔ）錯塩であり、該錯塩はｐｔ　−ｐｔ接触を有す
るいわゆるカラム状構造で結晶する〔“Ａｎｇｅｒ、　
Ｃｈｅｍ、　”第８１巻、１０頁（１９６４年）参照〕
。

この錯体の部分的酸化により混合原子価の重合体が生成
する。更に、テトラアザポルフィン、フタロシアニン、
ジメチルグリオキシム、ジフェニルグリオキシム、ジチ
オアセテート及びその他の金属キレート形成のために適
当な有機化合物との遷移金属キレートが既に公知である
〔ミラー（Ｊ、Ｓ。

Ｍｉｌｌｅｒ）及びエプスタイン（Ａ、Ｊ、　Ｅｐａｔ
ｅｌｎ　）著、Ａｎｎｄｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｎｅｗ　Ｙ
ｏｒｋ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　５ｃｉｅｎｃｅｓの５
ｙｎｔｈｅｓｉｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏ
ｆ　Ｌｏｗ−Ｄｉｒｎ＊ｎｍｌｏｎａ１Ｍａｎｍ１ｏｎ
ａ１”第３１３巻、９頁以降、２５頁以降、５９４頁以
降及び６３３頁以降、ニューヨーク１９７８年〕。刊行
文刊の“Ｚ、　Ｎａｔｕｒｆｏｒｅｈｕｎｇ”第８部（
１９７３年〕、第２８　（３−４）巻、１６４〜１６７
頁には、極性化可能な芳香族リガンドを有する平面構造
のジカルボニルロジウム（リー及び−イリジウム（１）
錯体が記載され、この場合には特に９−ヒドロキシ−１
−７エナリノンとのロジウム（Ｉ）錯体も記載されてい
る。しかしながら、この場合には置換ツェナリンのキレ
ート錯体も特記されておらず、該錯体が空気安定性の導
電性系を製造するために適当であることも言及されてい
ない。

更に、例えば平面構造でありかつ板片状で結晶するビス
（ジンエニルグリオ鹸シート）　Ｎ１　（Ｔｉ）錯体な
沃素で酸化することにより導電性化合物のビス（ジフェ
ニルグリオキシメート）Ｎし１に転化することができる
ことも公知である。後者の化合物は出発化合物に比較し
て１０８倍の導電性上昇、すなわち１０−”〜１０−”
Ω−１薗−五への上昇を示す〔“Ｉｎｏｒｇ、　Ｎｕｃ
ｌ、　Ｃｈ＠ｗ、　Ｌｅｔｔ、　”　＠　１０巻、４６
７頁（１９７４年プ〕。この型の化合物においては、沃
化物陰イオンは錯体盤の間の溝内に盤方向にありかつ芳
香族基によって包囲された電合体鎖な形成する。

別の公知の導電性重合体、例えば沃素で酸化されたポリ
アセチレンは、厳密な空気遮断下に製造されかつ取扱わ
れねばならないという欠点を有する。該重合体は空気と
接触すると極めて急速に酸素を受容し、その際にその導
電率はｌ／１０〜１／１０２に低下する。

ツェナリンと反応させて金属キレート錯体とし、次いで
該錯体をＡｓＦ５、ＳｂＦ５　、Ｓ　ｂｃ１４　、　Ｃ
ｌ３、Ｂｒ２又は■２等の無機酸化剤で酸化して所望の
１合体にすることにより、１０−３Ω−’ｏｉｍ””よ
りも大きな導電率を有する空気安定性の導電性１合体を
製造する方法が開示された。

本発明の課題は、空気安定である。　１ｘｌＯ−３Ｔｈ
１俵−１よりも大きな導電率を有する新規の導を性系を
簡単に製造することができる別法を提供することであつ
１こ。該系は既に粉末として、高次の単結晶と釦結噛ミ
して初め℃はなく１０−”Ω−１薗−！よりも大きな導
電率を有すべきでありかつそノｔにより電子工業におい
ての通用性及び通用分野を明らかに改善すべきである。

この課題は、本発明により冒頭に記載した方法において
、１，９−置換ツェナリンの遷移金属キレート錯体を有
機電子受容体で酸化することにより解決される。

従って、本発明の対象は、元素周期系の第■、■又はＩ
Ｑ族の元素の金属陽イオンを一般式（■）：〔式中、Ｘ
＝Ｏ１ＮＨ，Ｓ、Ｓｏ又はＴｏ及びＹ−−ＯＨ，−８Ｈ
１−ＮＨｇを表わす〕で示される１、９−置換ツェナリ
ンと反応させて金属キレート錯体とし、該金属キレート
錯体を酸化して導電性系にすることにより、１０−ｓΩ
−１薗−１よりも大きな導電率を有する空気安定性の導
電性系を製造する方法である。該方法は酸化剤として有
機電子受容体を使用することを特徴とする。

空気安定性の導電性系としては、空気雰囲気内で０〜１
００℃の温度で少な（とも２０日間分屏せずかつ安定の
ままである、重合体構造及びｌＸｌ０−３Ω−１偏−１
よりも大きな導電率を有するものであると理解されるも
のである。この導電率は３０℃でΩ−１６ｎ　−１で測
定され、該測定自体はベック（Ｆ。

ＢｅＣｋ　　）著、　　”　　Ｂｅｒｉｃｈｔａ　　Ｂ
ｕｎａｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ　　。

ｐｈｙｍｌｋａ目ｓ　ｃ　ｈ　ｅ　Ｃｈ　ｅ　ｍ　１　
ｅ”第６８巻、５５８〜５６７頁（１９６４年）に記載
の方法に基づいて行なう。

本発明方法では、まず周期系の第■、■又はＩ砥 ―族の元素の金属陽イオンを１，９−置換ツェナリンと
反応させて金属キレート錯体にする。

このためには、例えばＭｎ、　Ｔｅ　、Ｒｅ　、Ｆｓ　
、Ｒｕ。

Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｌ　、Ｐｄ％Ｐｔ、Ｃｕ又
はＡｇ、有利にはＦｓ、Ｎ１％Ｐｄ、Ｐｔ又はＣｕの金
属陽イオンから出発し、該金属陽イオンは塩の形、例え
ばノ・ロゲン化物、ハロゲノ錯体、硫酸塩、硝酸塩、燐
酸塩、過塩素酸塩、トリフルオルメタンスルホン酸塩又
は酢酸塩の形で使用する。この種の適当な塩は、例えば
酢酸マンガン、硫酸鉄（Ｉｔ）、酢酸コノくルト（ｎ）
、酢酸ニッケル（■）、塩化ノ（ラジウムＣＵ）又はテ
トラクロル白金（１１）＃力洸すウムである。特に適当
なものは、酢酸ニッケル（Ｉｔ）又はパラジウム塩であ
る。

１．９−置換ツェナリン（ベリナ７テレンンとしては、
一般式（Ｉ）： 〔式中、Ｘ＝Ｏ１ＮＨ１Ｓ、Ｂｅ又はＴｏ及びＹ＝ＯＨ
１ＮＨｍ又はＳＨである〕で示されるものが該当する。

％に適当であるのは、Ｘ　＝　０　、　ＮＨ又はＳｌ特
に０である式（１）の化合物である。Ｘ＝Ｏ及びＹ　＝
　ＮＨ。

を有する化合物、すなわち９−アミノ−１−フエナリノ
ンが特に有利である。本発明で使用゛すべき式（りの７
エナリンは自体公知でありかつ刊行文献の“Ｊ、　Ｏｒ
ｇ、　Ｃｈｅｍ、　”第４４巻、１７０４頁（１９７９
年〕、”　Ｔａｔｒａｈｅｄｒｏｎ″第３４巻、　２１
４７頁（１９７８年）及び英国特許第１，３８８，４１
７号明細書に記載されている。これらは完全に平面状に
構成された奇数の芳香族ＣＩａ−炭化水素である。

金属塩と一般式ＣＩ）の１　、９−ｆ侠フエナリンとの
反応は溶液中で実施するのが有利である。この場合、金
属塩と置換ツェナリンは常法で相互に化学蓋論的比で、
すなわちキレート錯体中の金属陽イオンの配位価に相当
して反応させる。反応温度は一般に２０℃〜溶剤の沸点
の範囲にある。特に好ましくは、エタノール／水混合物
（容量比１：ｌ）中に金属塩を溶解しかつ引続き該溶液
をエタノール中に溶解したｔ侯フエナリンと混合する。

反応を促進するために、好ましくは溶剤例えばエタノー
ル／水混合物の沸点に加熱する。この場合、難溶性の金
属キレート錯体は溶液から析出しかつ高級アルコール、
有利にはｎ−ブタノールから再結晶させることにより精
製しかつ無水形で単離する。もう１つの特に有利な方法
によれば、夫々の１　、９−［換７エナリン１モルをエ
タノールに浴かし装入しておきかつ沸騰加熱して７９〜
８０℃の温度でエタノール／Ｈ２０（容量比１：１〕中
の酢酸ニッケル（Ｌ）又はｐａ　（Ｉｔ）塩半モルを滴
加する。

この場合には、尚純度及び収率で金属キレート錯体が析
出する。

第１工程で製造した金属キレート錯体の酸化は、本発明
では酸化前として有機電子受容体で実施する。この場合
、適当な酸化剤としては特にキノン、キノンメチド及び
ニトロ芳香族化付物が優扛ている０ 例えばパタイ（Ｓ、　Ｐａｔａｌ　）著“Ｔｈｅ　Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙｏｆ　Ｆｕｎｃｔｌｏｎａｌ　Ｇｒｏｕ
ｐａ”の第１部及び第２部の“Ｔｈａ　Ｃｈｅｍｌｓｔ
ｒｙ　ｏｆ　Ｑｕｌｎｏｌｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ”ジ
ョン・ウィリー出版社、ニューヨーク在（１９７４年）
に記載されているようなキノンには、特にベンゾキノン
、ナフトキノン−１，４、ナフトキノン−１，６、アン
トラキノン、多核キノン並びに非ベンゼン系キノンが属
する。

Ｖ利なベンゾキノンは、一般式（Ｉｌａ）及び（ｎｂ）
　：〔式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同じか又は
異なっていてよくかつＨ，ＣＦ、Ｃ１，Ｂｒ、Ｉ、　Ｃ
Ｎ、ＣＦ３、Ｃ，Ｆ、　、　ＯＨ、ＮＯ２、Ｃ０ＯＲ”
又はＯＲ’であり、該式中Ｒ５＝アルキル基（特に０１
〜８−アルキル、例えばＣＨ３−１Ｃ，Ｒ５−１Ｃ３Ｈ
７−又はｃ４ｎ・−）又はシクロアルキル基（特に０６
〜１２−シクロアルキル、例えばシクロアキルフ又はア
リール基（特にＣ−〜１２−アリール基、例えばフェニ
ル基）を表わす〕で示されるものである。この場合、化
合物の酸化価は、ｌ（ではない基Ｒ１〜Ｒ４が多くなる
程、一般に一層高くなる。特に基Ｒ”−Ｒ’がＣ１，Ｂ
ｒ％ＣＮ及汎久はＣＦ３を表わし、この場曾該基の一部
はＨであってもよい化合物が有利である。適当なベンゾ
キノンの例は、ｐ−ベンゾキノン、Ｏ−ベンジヤ／７、
ｐ−クロルアニル、ｐ−ブロムアニル及びｐ−ヨードア
ニルである。

適当なナフトキノンには、一般式（１）及び（■）：４ 〔式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記のものを表
わす〕で示されるものが属する。

アントラキノンとしては、特に一般式（Ｖ）：〔式中、
基Ｒ１〜Ｒ４は同様に前記のものを表わす〕で示される
ものが該当する。

米発明方法で酸化剤として使用することができ〔式中、
基Ｒ１〜Ｒ４は前記のものを表わす〕を有する。特に有
利には、基Ｒ１〜Ｒ４がメチル基である一般式（Ｖｌ）
の多核キノン、例えばテトラメチルジフェノキノンであ
る。

本発明で使用することができる非ベンゼン系キノンの例
としては、以下の一般式（■）〜（ＸＩＶ）で表わされ
る化合物が挙げられる： ０　　　　　　０ 上記式（■）中、Ｒ６はＣ，〜４−　アルキル基又はｃ
ａ　〜２２−シクローアルキル基、％Ｋ　ＣＨａ　−ｓ
　Ｃ２Ｈ５−又はＣａ　ｌ１１−である。

本発明方法における酸化剤としては、キノンの他に例え
ば同様に前記刊行文献″Ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉ　ａｔｒｙ
ｏ　ｆ　０ｕｉｎｏｉ　ｄ　Ｃ＋＋ｍｐｏｕｎｄｓ”　
に６己載されて（Ｓるようなベンゼン系及び／又は非ベ
ンゼン系キノンメチドも適当である。適当なキノンメチ
ドに関しては、パールスタイン（Ｊ、　Ｋ、Ｐｅｒｌａ
ｔｅｌｎ〕著“Ａｎｇａｗ。

Ｃｈｅｍｉｅ　”　ｐｇ　８９巻、５３４〜５４９頁（
１９７７年）にも記載されている。キノンメチドの代表
的物質トしては以下のものが挙げられる： ３Ｒ１ 式（ＸＸ［ＩＩ）及びＣＸＸＶ）中、基Ｒ１、Ｒ２及び
ｎ’ハｒじか又は異なっていてよくかつＨ，Ｆ、Ｃ１，
Ｂｒ。

Ｉ　、ＣＮ　、　ＣＦ３　、　Ｃ，Ｆ、　、　ＯＨ、Ｎ
ｏ、　、Ｃ０ＯＲ’又はＯＲ５を表わし、該式中Ｒ５は
アルキル基（特に０１〜８−アルキル、有利にはＣＨ３
−１Ｃ２’５−　ｓ　Ｃ３Ｒ７−又はｃ４Ｈ９−）、シ
クロアルキル基（％にＣ６１２−シクロアルキル、有利
にはＣａＨｌｔ　−）又はアリール基（特にフェニル）
を表わす。式（ＸＸＩＩＩ）及び（ＸＸＩＶ　）の化合
物のうちでは、基１１７％＋　Ｒ４が同じでありかつＨ
ｌＣｌ　、　Ｂｒ又はＣＮを表わすものが有利である。

更Ｋ、本発明方法で特に有利に酸化剤として使用するこ
とができる有機電子受容体には、例えばシリーズ編者パ
タイ（Ｓ、Ｐａｔａｉ　）　、”　Ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｌ
ａｔｒｙｏｆ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　Ｇｒｏｕｐｓ”
の“Ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆＮｊｔｒｏ　−
ａｎｄ　Ｎ１ｔｒｏｎｏ　−Ｇｒｏｕｐｓ　”第１部及
び第２部、インターサイエンス出版社、ニューヨーク在
（１９７０）に記載されているような公知のニトロ芳香
族化合物も属する。酸化剤として有利に使用されるニト
ロ芳香族化合物の例としては、式（ＸＩＫ）及び（ＸＸ
）の前記化合物の他に以下のものが挙げられる： 八０２　　　　　　　　　八〇Ｂ 酸化は好ましくは溶剤の存在下に有利には塩素化もしく
はクロルフルオル化不活性炭化水素中で実施する。この
ためには金属キレート錯体は適当な溶剤中に溶かした一
般に１．５〜ｌＯ倍モル過剰の有機電子受容体と＋４０
〜＋１００℃の温度で数時間ないし数日間反応させろ。

この反応は好ましくは塩素化もしくはクロル塩素化され
た不活性炭化水素中で沸点加熱して実施する。この際に
、重合体構造を有する突気安定の導電性系が析出する。

最大の導電性を達成するためには、酸化は不活性ガス雰
囲気下で実施するのが有利であり、この場合不活性ガヌ
としてはアルゴン又は窒素を使用するのが有利である。

不活性の導電性重合体系は、沢過により反応溶液から分
離し、塩素化もしくはクロルフルオル化炭化水素で洗浄
しかつ真空中で数時間乾燥する。

本発明方法では、まず一般式（１）の１　、９−を換フ
エナリンを周期系の第■、■又はＩ＃族の元素の金属イ
オン、有利にばＦａ％Ｎ１．　Ｐｄ　、　Ｐｔ　、又は
Ｃｕ、％に有利にはＮｌ又はＰｄの陽イオンと反応さ〔
式中、ｘ＝ｏ、Ｎｕ、Ｓ、Ｓｓ又ハＴｅ　、　ｙ’　＝
　−０−１−ＮＨ−又は−８−及びＭｅ＝前記種類の金
属、有利にはｘ＝ｏ、ＮＨ又はＳｌ特に０及びｙ’＝−
ｏ−又は−ＮＨ−１％Ｋ　−ＮＨ−を表わす〕で示され
るビス（キレート）金属錯体にする。次いで、金属キレ
ート錯体（１ａ）を有機電子受容体（ＯＥＡ　）で酸化
することにより、一般式（Ｉｂ）　：〔式中、ｘ、ｙ’
及びＭｅは前記のものを表わしかっｍは１〜５の整数を
表わす〕で示される基本構造を有する本発明の空気安定
性の導電性系が生成する。有利な化合物（Ｉｂ）は、ビ
ス＜９−−アミノ−ｘ−フエナリノエート）−Ｎｌ・０
ＥＡＩ　　、並びにビス（９−アミノ−１−７エナリノ
ネート）　−Ｐｄ−ＯＥ＾〜。

である。

前記操作法により、数桁の導電率上昇を達成することが
できる。金属キレート錯体（ｌａ　）の出発導電率は１
０−１１Ω−１薗−１である。一般式（Ｉｂ）の基本構
造を有する本発明の系は１０−３Ω″″ｌ薗−１よりも
大きな導電率を有しかつ空気に対して安定である。

本発明で製造される導電性重合体系はいわゆるｐ−導体
〔“Ｊ、　Ｃｈｅｍ、　Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ”、第４６
巻（２）、８２頁（１９６９年）参照〕であり、該生成
物はプラスチックの靜゛邂気妨止加工、太陽電池の製造
、光線の交換及び固定運びに電気及び磁気スイッチ及び
電気化学的貯蔵器の製造のために適当である。

次に実施例につき本発明の詳細な説明する。実施例中に
記載の「部」及び「％」は、他にことわりの無い限りＴ
Ｊ量に基づく、 実施例１ ａ）ビス（９−アミノ−１−フエナリノネート）Ｎｌ　
（ＩＩ）の製造 ９−アミノ−１−フエナリノン０．１モルをエタノール
７００ｔＩＬｔ中に浴かしかつ該溶液を沸騰加熱し１）
中の酢乳−＞＋ｉ　（ＴＪ）−４Ｈ，ＯＯ，０５％ルの
溶液を滴加した。即座に、エタノール中で不溶性のビス
（９−アミノ−１−７エナリノネー）　）　Ｎ１（ＩＩ
）・２Ｈ＊　０が形成された。該反応混合物を更に２時
間沸騰温度に保持し、次いで析出した物質を単離しかつ
真空中５０℃で脱水した。生成したビス（９−アミノ−
１−７エナリノネー）　）　Ｎ１（Ｉｆ）は暗紫色の物
質とし一〇８０〜９０％の収率で得られた。導電率は６
、ＯＸ　１０　”Ω−’ｏＩＭ−１でアッタ。

ｂ）ビス（９−アミノ−１−フェナリノネート）Ｎｉ（
１１）のクロルアニルでの酸化 ビス（９−アミノ−１−７エナリノネート〕Ｎ１（ＩＩ
）　１　ｆ　（２，２３ミリモル）及びクロルアニリル
２．２２　Ｆ　（１０，０ミリモル）をＣＣｌ２　２２
０　ｔＩｔｔ中で２０〜３０秒間還流煮沸した。室温に
冷却した後、不活性のビス（９−アミノ−１−フェノリ
ノネート）Ｎｉ・クロルアニリ。ｆｒｎ＝ｌ〜２）を分
離し、ＣＣｌ２　で洗浄しかつ高真空中５０℃で乾燥し
た。収率；１００％、導電率：　１．３　Ｘ　１ｏ”Ω
−’ＯＩＩ＆−’実施例２ 実施例１記載と同様に操作したが、但しこの場合には金
属キレート錯体を人造する際に酢酸ＮＩＱＮ）・４Ｈ２
０の代りに四じ量のＰｄＣｔ、・２アセトニトリルを使
用しかつ相応するｐｄ（ｎ）錯体（導電率：５×１０−
１１Ω−１６ｍ　−１）が得られた。この錯体な実施例
１ｂと同様にしてクロルアニルで酸化すると、導電率１
．８　ｘ　１０＋１Ω−１薗−五を有する空気安定性生
成物が得られた。

実施例３ 実施例２記載と同様に操作したが、但しこの場合にはｐ
ａ　（Ｉｆ　）キレート錯体を酸化するためにクロルア
ニルの代りにテトラメチルジフェノキノンを使用した。

得られた生成物は貯蔵安定でありかつ導［率２．９　Ｘ
　１０”Ω−１山−１を有していた。

実施例３に記載と同様に、但しテトラメチルジフェノキ
ノン、の代りに１，４−ナツタキノン又は前記一般式（
ＤＯｌＣＭ）、（Ｘ…）、Ｒ１〜Ｒ’＝Ｈの（ＸＸＩＩ
Ｉ）、Ｒ１〜Ｒ４＝　ＣＮ　１７）　（ＸＸｍ）又ハ（
ＸＸＪ（７）化合物を使用すると、導電率０．５　Ｘ　
１０−”〜３．５　Ｘ　１０＋１Ω−１−−１である空
気安定性の重合体系が得られる。

特許出願人　　バス７　ァクチェンゲビルシャフト代理
入弁針田代盗治 第１頁の続き ０発　明　者　フォルカー・ミュンヒ ドイツ連邦共和国６７００ルートヴ イヒスハーフエン・ルイトポル トシュトラーセ１１４ ０発　明　者　ゲルノート・ケーラー ドイツ連邦共和国６７００ルートヴ イヒスハーフエンφヴエルナー ・ヴ工−り３２ ０発　明　者　ペトル・ズイマク ドイツ連邦共和国６７００ルートヴ イヒスハーフエン・フイリプー シャイデマンーシュトラーセ１７ 手続補正書（自発） 昭和５８年８月８日 特許庁長官　殿 １、事件の表示 特願昭５８−７４１６８号 及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ４、代理人　〒１０３ ５、補正の対象 明細書の「′ｌ！許請求の範囲」及び「発明の詳細な説
明」の欄 ６、補正の内容 明細書中下記の補正を行う。

１、第１頁第４行乃至第４頁第４行の￥Ｆ許請求の範囲
を別紙の曲りに補正する。

２、第２１良第ｌＯ行乃至第１１行の「光巌」を「電磁
波」と補正する。

特許請求の範囲 （１１一般式（Ｉｂ）　： 〔式中、 Ｘ＝ｏ、Ｎ）ｉ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ Ｙ＋＝−Ｑ−１−８−又は−ＮＨ− Ｍｅ−元素周期系の第ｖｉ＋、ｖｔｕ又は１亜族の金属
ＯＥＡ二打機電子受容体 ｍ二１〜５の数 である〕で示される基本構造を有する空気安定性の導電
性系。

＋２１Ｘ＝Ｏ，Ｎ）ｉ又はＳ、特に０である。　特許請
求の範囲第１項記載の空気安定性の等電性系。

（３）　Ｙ’ニーＮＨ−である、特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の空気安定性の導電性系。

ｆ４１　Ｍｅ　＝　Ｆｅ、　Ｎｉ　、　Ｐｄ　％Ｐｔ又
はＣｕ、特にＮｉである、特許請求の範囲第１項〜第８
項のいずれか１項に記載の空気安定性の導電性系。

＋５１０ＥＡ−キノン、キノンメチド又はニトロ芳香族
化合物である、特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれ
か１項に記載の空気安定性の導電性系。

（６）元素周期系の第ｖｕ、ｖｍ又は■亜族の元素の金
属陽イオンを一般式（Ｉ）： 〔式中、ｘ＝ｏ、ＮＨ，Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ及びＹ＝−Ｏ
Ｈ，−８Ｈ又は−ＮＨ２を表わす〕で示される１、９−
置換ツェナリンと反応させて金属キレート錯体とし、該
金属キレート錯体をば化して導電性系にすることにより
、１０−”Ω−Ｉα−１よりも大きな導電率を有する空
気安定性の導電性系を製造する方法において、酸化剤と
して有機電子受容体な使用する、置換ツェナリンから成
る導′亀性系の製法。

（７）酸化剤としてキノンな使用する。特許請求の範囲
第６項記載の方法。

（８）酸化剤としてキノンメチドを特徴する特許請求の
範囲第６項記戦の方法。

（９）酸化剤としてニトロ芳香族化合物を特徴する特許
請求の範囲第６項記載の方法。

Ｑｌ金属キレート錯体す１．５〜１０倍モル過剰の有機
電子受容体と反応させる。特許請求の範囲第６項〜第９
項のいずれか１項に記載の方法。

αυ酸化な溶剤としての塩累化もしくはクロルフルオル
化不活性炭化水素中で＋４０〜＋１００℃の温度で実施
する、特許請求の範囲第６項〜第１０項のいずれか１項
に記載の方法。

０２金属陽イオンとしてＦｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、、Ｐｔ又は
Ｃ４イオンを特徴する特許請求の範囲第６項〜第１１項
のいずれか１項に記載の方法。

（１３１，９−置換ツェナリンとして９−アミノ−１−
フエナリノンを特徴する特許請求の範囲第６項〜第１２
項のいずれか１項に記載の方法。

α４空気安定性の導″〕性系による電子工業において太
陽ず池の製造、電磁波の変換及び固定、電気及び磁気ス
イッチの製造並びに電気化学的貯蔵器の製造法。

α１空気安定性の導電性系によるプラスチックの静電気
防止加工方法。

−１０５５−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式（Ｉｂ）　： 〔式中、 Ｘ＝Ｏ１洲、Ｓ、Ｓｅ又はＴ。 Ｍ６＝元素周期系の第■、■又はＩｆｉ族の金属ＯＥＡ
   　＝有機電子受容体 ｍ　＝　１〜５の数 である〕で示される基本構造を有する空気安定性の導電
   性系。 （２）　Ｘ　＝　０１ＮＨ又はＳ、％に０である、特許
   請求の範囲第１項記載の空気安定性の導電性系。 （３）　Ｙ’　＝−ＮＨ−である、特許請求の範囲第１
   項又は第２項記載の空気安定性の導電性系。 （４）　Ｍｅ　＝　Ｆｅ、Ｎ１、Ｐｄ、Ｐｔ又はＣｕ、
   特ＫＮｌである、特許請求の範囲第１項〜第３項のいず
   れか１項に記載の空気安定性の導電性系。 （５）　０ＫＡ−キノン、キノンメチド又はニトロ芳香
   族化合物である、特許請求の範囲第１項〜第４項のいず
   れか１項に記載の空気安定性の導電性系。 択 （６）元素周期系の第■、■又は１＠族の元素の金Ｉ属
   陽イオンを一般式（■）： 〔式中、Ｘ＝Ｏ１ＮＨ，Ｓ、　Ｓｅ又はＴｏ及びＹ＝−
   ０Ｈ１−ＳＨ又は−ＮＨｇを表わす〕で示される１゜９
   −置換ツェナリンと反応させて゛金属キレート錯体とし
   、該金属キレート錯体を酸化して導電性系にすることに
   より、１０−ｓΩ−’ｍ””　　よりも大きな導電率を
   有する空気安定性の導電性系を製造する方法において、
   酸化剤として有機電子受容体を使用する、置換ツェナリ
   ンから成る導電性系の製法。 （７）酸化剤としてキノンを使用する、４１ｉＦ許請求
   の範囲第６項記載の方法。 （８）酸化剤としてキノンメチドを特徴する特許請求の
   範囲第６項記載の方法。 （９）　！化剤としてニトロ芳香族化合物を特徴する特
   許請求の範囲第６項記載の方法。 αＱ金属キレート錯体を１．５〜１０倍モル過剰の有４
   ！ｉ！電子受容体と反応させる、特許請求の範囲１ｌｃ
   ６項〜第９項のいずれか１項に記載の方法。 ０℃酸化を溶剤としての塩素化もしくはクロルフルオル
   化不活性炭化水素中で＋４０〜＋ｌｏｏ℃の温度で実施
   する、特許請求の範囲第６項〜第ｉｏ項のいずれか１項
   に記載の方法。 （６）金属陽イオンとしてＦａ、Ｎｌ、Ｐｄ％Ｐｔ又は
   Ｃｕ陽イオンを特徴する特許請求の範囲第６項〜第１１
   項のいずれか１項に記載の方法。 （１１１，９−を換フェナリンとして９−アミノ−１−
   ７エナリ〉ンを特徴する特許請求の範囲第６項〜第１２
   項のいずれか１項に記載の方法。 ０４空気安定性の導電性系による電子工業において太陽
   電池の製造、光線の変換及び固定、電気及び磁気スイッ
   チの製造並びに電気化学的貯蔵器の製造法。 （至）空気安定性の導電性系によるプラスチックの静電
   気防止加工方法。