JPS59150094A - 円盤状回転式メツキ装置 - Google Patents
円盤状回転式メツキ装置Info
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- JPS59150094A JPS59150094A JP2344683A JP2344683A JPS59150094A JP S59150094 A JPS59150094 A JP S59150094A JP 2344683 A JP2344683 A JP 2344683A JP 2344683 A JP2344683 A JP 2344683A JP S59150094 A JPS59150094 A JP S59150094A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はティスフレコード周器型の製造などに用いられ
る円盤状回転式メッキ装置の改良に関するものである。
る円盤状回転式メッキ装置の改良に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、円盤状回転式メッキは、電解液の入った電解槽中
で円盤状被メッキ物を陰極とし、破メッキ部分に相対応
する位置に陽極を設置し、陰極を回転させながら陰陽極
間に電圧を印加して円盤状被メッキ物に所要の金属を析
出させるのが常である。この場合1円盤状回転陰極と相
対応する陽極が、円盤状回転陰極の各部分の電流密度が
崎しくなる様特殊な形状を成し、かつ不溶解性の陽極を
使用する場合を除き、通常の円盤状回転式メッキによる
場合は、円盤状被メツキ物各部の電びIL密度に差異を
生じ1円盤状回メッキ物各部の析出量及び析出物の内部
応力に差異を生じる。特に陰陽極を接近させ、単位面積
当たり大電流を通電する高各部分の析出量と析出物の内
部比、力を均一にするため、陰極又は陽極若しくは陰、
陽両極にマスキングを施したり、更に補助陰惨を使用し
たシすることが試みられたが、倒れの場合も陰、陽極l
i4]の距離の増加を必要とし、陰、陽極を近接させる
高速度回転式メッキに相反する結果となり、更に消費電
力の増加と設備の大型化及び町加電圧片!犬によって必
然的に伴う人体への電撃対策等、種々の問題を生じ、一
般的に実施されていないのが現状である。
で円盤状被メッキ物を陰極とし、破メッキ部分に相対応
する位置に陽極を設置し、陰極を回転させながら陰陽極
間に電圧を印加して円盤状被メッキ物に所要の金属を析
出させるのが常である。この場合1円盤状回転陰極と相
対応する陽極が、円盤状回転陰極の各部分の電流密度が
崎しくなる様特殊な形状を成し、かつ不溶解性の陽極を
使用する場合を除き、通常の円盤状回転式メッキによる
場合は、円盤状被メツキ物各部の電びIL密度に差異を
生じ1円盤状回メッキ物各部の析出量及び析出物の内部
応力に差異を生じる。特に陰陽極を接近させ、単位面積
当たり大電流を通電する高各部分の析出量と析出物の内
部比、力を均一にするため、陰極又は陽極若しくは陰、
陽両極にマスキングを施したり、更に補助陰惨を使用し
たシすることが試みられたが、倒れの場合も陰、陽極l
i4]の距離の増加を必要とし、陰、陽極を近接させる
高速度回転式メッキに相反する結果となり、更に消費電
力の増加と設備の大型化及び町加電圧片!犬によって必
然的に伴う人体への電撃対策等、種々の問題を生じ、一
般的に実施されていないのが現状である。
一方、円盤状回転陰極と相対応する陽極が円盤状回転陰
極の各部分の電流衿度が等しくなる様。
極の各部分の電流衿度が等しくなる様。
特殊々形状をなし、かつ不@解性陽極を使用する場合は
、円盤状被メツキ物各部の析出量と析出物の内部応力を
均一とすることば可能である。しかし、陽極が不浴解性
であるため、電解液中への今風イオンの補給は金属塩類
によって行う必女があり、壕だ電解液中の有機添加剤か
陽極酸化を受けることにより電解液組成に制ネ勺を受け
、この方法も一般的に実施されていないのが現状である
。
、円盤状被メツキ物各部の析出量と析出物の内部応力を
均一とすることば可能である。しかし、陽極が不浴解性
であるため、電解液中への今風イオンの補給は金属塩類
によって行う必女があり、壕だ電解液中の有機添加剤か
陽極酸化を受けることにより電解液組成に制ネ勺を受け
、この方法も一般的に実施されていないのが現状である
。
以下、従来例としてディスクレコード用母型の製造に現
在一般的に使用されている円盤状回転式メッキ装置につ
いて図面に基づいて説明する。
在一般的に使用されている円盤状回転式メッキ装置につ
いて図面に基づいて説明する。
ディスクレコード用母型の製造は、アルミニラ製円盤に
樹脂コーティングを施した母材にディスク録音機(カッ
ティングマシン)によりオーディオ信号を記録し、オー
ディオ信号記録済原盤1を得る。このオーディオ信号記
録済原盤1に無電解メッキ、真空蒸着、スパッタリング
等によりニッケル、銀、銅等の金属を300〜3000
人厚さにコーティングし導電性被膜2を付力する。次に
前記導電性被膜2を付与されたオーディオ信号記録済原
盤1に0.2〜○、Bmm厚のニッケルメッキ(電鋳)
を行ない1次に第2図に示すように、オーディオ信号記
録済原盤1と導電性被膜2との境界より剥離し、導電性
被膜2に0.2〜0.8am厚のニッケルメッキされた
ニッケル原盤、即ち金属マスター3を得る。ディスクレ
コードは、この金属マスター3を使用し、@脂族型か可
能であるか、通常は第3図に示すように、金属マスター
3の前記被膜2の表面に重クロム酸塩溶、牧への浸漬、
アルブミン等の有機物溶液中への浸漬、又は陽極電解ス
トライクによる酸化膜の生成等によりザー4)を析出さ
く、第4図に示すように金属マスター3の被膜2′と金
属マサ−4の境界よりi!lJ rlし金属マザー4を
得る。更に第5図に示すように前記金属マザー4の表面
に上記と同様の不価J態化処理を施し、この処理面4′
上にニッケルメッキにより0.2〜0 、3 rrrm
J9−のニッケル5を析出させ、第6図のように金属
マザー4の境界より剥離しニノケルスクンパ−5を得る
。
樹脂コーティングを施した母材にディスク録音機(カッ
ティングマシン)によりオーディオ信号を記録し、オー
ディオ信号記録済原盤1を得る。このオーディオ信号記
録済原盤1に無電解メッキ、真空蒸着、スパッタリング
等によりニッケル、銀、銅等の金属を300〜3000
人厚さにコーティングし導電性被膜2を付力する。次に
前記導電性被膜2を付与されたオーディオ信号記録済原
盤1に0.2〜○、Bmm厚のニッケルメッキ(電鋳)
を行ない1次に第2図に示すように、オーディオ信号記
録済原盤1と導電性被膜2との境界より剥離し、導電性
被膜2に0.2〜0.8am厚のニッケルメッキされた
ニッケル原盤、即ち金属マスター3を得る。ディスクレ
コードは、この金属マスター3を使用し、@脂族型か可
能であるか、通常は第3図に示すように、金属マスター
3の前記被膜2の表面に重クロム酸塩溶、牧への浸漬、
アルブミン等の有機物溶液中への浸漬、又は陽極電解ス
トライクによる酸化膜の生成等によりザー4)を析出さ
く、第4図に示すように金属マスター3の被膜2′と金
属マサ−4の境界よりi!lJ rlし金属マザー4を
得る。更に第5図に示すように前記金属マザー4の表面
に上記と同様の不価J態化処理を施し、この処理面4′
上にニッケルメッキにより0.2〜0 、3 rrrm
J9−のニッケル5を析出させ、第6図のように金属
マザー4の境界より剥離しニノケルスクンパ−5を得る
。
以上のように、ディスクレコード用母型の製造において
、ニッケルメッキ(電鋳)は製造工程の骨格をなすもの
で、第7図に従来の代表的な円盤状回転式メッキ装置を
示す。
、ニッケルメッキ(電鋳)は製造工程の骨格をなすもの
で、第7図に従来の代表的な円盤状回転式メッキ装置を
示す。
この円盤状回転式メッキ装置は、電解槽10、直流電源
11、陽極12、円盤状回転陰極13゜隔壁14、電解
液入口15、電解液排出口16よりなる。電解槽10は
ステンレス鋼製容器の内面にゴムライニング17を施し
たものである。円盤状回転陰極13は給電刷子18によ
り直流電源11を介して陽極12に接続され、モーター
19によって回転し、かつ円盤回転軸中央のポル)20
はティスクレコ−1・用母型であるオーディオ信号記録
済原盤1や金属マスター3.金属マザー4をナツト21
により保持できるように表っている。円盤状回転陰極1
3は底面中央部に円形状の布製隔膜22を持つ合成樹脂
製隔壁14により形成される陰極室23に、また陽極1
2は電解槽10と合成樹脂製隔壁14により形成される
陽極室24にそれぞれセットされ、電解液(は1PLj
W Nk人口15よシ陰極呈23に入り、オーバーフロ
ーの後陽極室24へ入る。陽極室24の電解液面は陰極
室23の電解液面よりイち位のA’tiE造であるが、
陰極室と陽極室の間に9間を持つものではない。従って
、電解槽中の陽極12と円盤状回転陰極13は電解液を
介して通電が可能である。陽極12にはペレット状ニッ
ケル25を充填したチタン製容器26が設けである。
11、陽極12、円盤状回転陰極13゜隔壁14、電解
液入口15、電解液排出口16よりなる。電解槽10は
ステンレス鋼製容器の内面にゴムライニング17を施し
たものである。円盤状回転陰極13は給電刷子18によ
り直流電源11を介して陽極12に接続され、モーター
19によって回転し、かつ円盤回転軸中央のポル)20
はティスクレコ−1・用母型であるオーディオ信号記録
済原盤1や金属マスター3.金属マザー4をナツト21
により保持できるように表っている。円盤状回転陰極1
3は底面中央部に円形状の布製隔膜22を持つ合成樹脂
製隔壁14により形成される陰極室23に、また陽極1
2は電解槽10と合成樹脂製隔壁14により形成される
陽極室24にそれぞれセットされ、電解液(は1PLj
W Nk人口15よシ陰極呈23に入り、オーバーフロ
ーの後陽極室24へ入る。陽極室24の電解液面は陰極
室23の電解液面よりイち位のA’tiE造であるが、
陰極室と陽極室の間に9間を持つものではない。従って
、電解槽中の陽極12と円盤状回転陰極13は電解液を
介して通電が可能である。陽極12にはペレット状ニッ
ケル25を充填したチタン製容器26が設けである。
27は電解液を循環さセるポンプ、28ば7L購液の貯
槽、29は陰、俊13に取りつける刊:型の周辺を押さ
えるリングである。30はモーター支持金具、31は上
蓋、32はモーター19の回転軸と陰極130回転軸3
3とを連結するカップリング、34は絶縁層である。3
5は回転Il!1II33に接触する給電刷子18を絶
縁材36に支持烙ぜるばねである。37は陽極支持台で
ある。
槽、29は陰、俊13に取りつける刊:型の周辺を押さ
えるリングである。30はモーター支持金具、31は上
蓋、32はモーター19の回転軸と陰極130回転軸3
3とを連結するカップリング、34は絶縁層である。3
5は回転Il!1II33に接触する給電刷子18を絶
縁材36に支持烙ぜるばねである。37は陽極支持台で
ある。
電74iHスルファミノ酸ニッケル、11う酸と少量の
界面活性剤(アンチピット剤)並びに塩化ニッケル等に
」:り構成されている。その配合例を次に示す。
界面活性剤(アンチピット剤)並びに塩化ニッケル等に
」:り構成されている。その配合例を次に示す。
スルファミン酸ニッケル 3501/βはう酸
30ノ/β塩化ニツケル
6ノ/β界m1活性剤
2QC,/2次に、ディスクレコード用母型製造におけ
るニッケルメッキ(電銑)の具体例として金属マザー4
よりニッケルスタンパ−5を製造する方法について説明
する。
30ノ/β塩化ニツケル
6ノ/β界m1活性剤
2QC,/2次に、ディスクレコード用母型製造におけ
るニッケルメッキ(電銑)の具体例として金属マザー4
よりニッケルスタンパ−5を製造する方法について説明
する。
ニッケルメッキに先立ち、前記配合例による電解液のp
Hを酸又はアルカリにより42±0.1に調整し、a温
を53°C±2°Cとする。循環ポンプ27によシミ解
液を電解液人口15より陰極室23へ供給L″PtPt
極室バーフローした電解液は陽極室24へ入り、陽極室
に過剰の電解液は貯槽28を経て循環ポンプ27に戻る
。このようにしてニッケルメッキの準備が完了する。
Hを酸又はアルカリにより42±0.1に調整し、a温
を53°C±2°Cとする。循環ポンプ27によシミ解
液を電解液人口15より陰極室23へ供給L″PtPt
極室バーフローした電解液は陽極室24へ入り、陽極室
に過剰の電解液は貯槽28を経て循環ポンプ27に戻る
。このようにしてニッケルメッキの準備が完了する。
前記金属マザー4は清浄化の後1重クロム酸カリ溶液へ
の浸漬により不働態化処理を施し充分に水洗した上1円
盤状回転式メッキ装置の円盤状回転陰極13の回転軸中
央のホル)20に金属マザー4の中心穴を挿入し2ナツ
ト21によって固定し、周辺部押えリング29によシ更
に強固に固定する。次にモーター19を起動し、円盤状
回転陰@13を回転させ、直ちに直流%源11により′
電圧を印加し電流を通じる。この電流は直径350m1
liの母型の場合、通電後5分間は30Aとし、以後1
40Aを通電し、総電流量140アンペア・時でニッケ
ルメッキか完了する。円盤状回転陰極13よシ前記今風
マザー4の固定を解除し、イー属マザー上にニノケルス
クンパー5を析出させた円盤を取り外す。水洗、乾燥の
後金風マザー4とニノケルスクンパー5の境界より両者
を分離しニノケルスクンパー5を得る。上丙己のように
して得られたニッケルスタンパ−5の同上・円上におけ
る肉1塁はマイクロメーターにて差を認められない。こ
れに対し直径方向の各部分には大きな差異がある。
の浸漬により不働態化処理を施し充分に水洗した上1円
盤状回転式メッキ装置の円盤状回転陰極13の回転軸中
央のホル)20に金属マザー4の中心穴を挿入し2ナツ
ト21によって固定し、周辺部押えリング29によシ更
に強固に固定する。次にモーター19を起動し、円盤状
回転陰@13を回転させ、直ちに直流%源11により′
電圧を印加し電流を通じる。この電流は直径350m1
liの母型の場合、通電後5分間は30Aとし、以後1
40Aを通電し、総電流量140アンペア・時でニッケ
ルメッキか完了する。円盤状回転陰極13よシ前記今風
マザー4の固定を解除し、イー属マザー上にニノケルス
クンパー5を析出させた円盤を取り外す。水洗、乾燥の
後金風マザー4とニノケルスクンパー5の境界より両者
を分離しニノケルスクンパー5を得る。上丙己のように
して得られたニッケルスタンパ−5の同上・円上におけ
る肉1塁はマイクロメーターにて差を認められない。こ
れに対し直径方向の各部分には大きな差異がある。
上記のようにして得たニッケルスタンパ−について、中
ノb部からの距離の異なる各位置での厚みを演1」足し
た結果を第1表に示す。なお、@試料はいずれも152
y−である。
ノb部からの距離の異なる各位置での厚みを演1」足し
た結果を第1表に示す。なお、@試料はいずれも152
y−である。
(以下余白)
第1表において、中心部付近に対し、周辺部付近の肉厚
が20〜40%増となるのは、周辺部に電流が集中する
ためであ−る。即ち電流の分布が一様でない結果である
。一般に、電解液の組成、電解条件(但し電流密度を除
く)が一定であるならば、析出物の内部応力は各電流密
度に対し各々−足の値を持つことが知られている。従っ
て上記電流の分布が一様で々いといつことは、析出物の
内部応力が均一でないということにほかならない。
が20〜40%増となるのは、周辺部に電流が集中する
ためであ−る。即ち電流の分布が一様でない結果である
。一般に、電解液の組成、電解条件(但し電流密度を除
く)が一定であるならば、析出物の内部応力は各電流密
度に対し各々−足の値を持つことが知られている。従っ
て上記電流の分布が一様で々いといつことは、析出物の
内部応力が均一でないということにほかならない。
上記の結果、ニッケルスタンパ−5は引っ張り応力の影
響により第8図のように周辺部がわん状にカールする。
響により第8図のように周辺部がわん状にカールする。
一方、ディスクレコードの製造は、オーディオ信号記録
済原盤1、金属マスター3、金蝿マザー4、ニノケルス
クンパー5を経て樹脂成型により製造される。即ち通常
3回のニッケルメッキ過程を経ている。この過程で析出
物の内部応力の影響によりニノケルスクンパー5の平面
性が損なわれ、ひいてはディスクレコードの平面性が失
われる。
済原盤1、金属マスター3、金蝿マザー4、ニノケルス
クンパー5を経て樹脂成型により製造される。即ち通常
3回のニッケルメッキ過程を経ている。この過程で析出
物の内部応力の影響によりニノケルスクンパー5の平面
性が損なわれ、ひいてはディスクレコードの平面性が失
われる。
ディスクレコードは見掛上平面性を保っているが、大小
様々のうねシを持ち、信号再生に障害を及ぼしている。
様々のうねシを持ち、信号再生に障害を及ぼしている。
一般に二ノ夛ルメッキ析出物の内部応力は、電解液に添
加剤を徐加すると改善されることが知られている。内部
応力全減少する添加剤としてサッカリン、スルフォン・
アミド・ベンゼン。
加剤を徐加すると改善されることが知られている。内部
応力全減少する添加剤としてサッカリン、スルフォン・
アミド・ベンゼン。
スルフォンアミドパラトルエン、1,3.6−fフタリ
ンスルフォン酸などの化合物がある。しかし、上記内部
応力を減少する添加剤の仲」れを取って見ても、各電流
密度において内部応力を等しくする゛ものでないことも
知られている。以上より内部応力を均一にし、かつ零近
傍に抑えるには、先ず電流の分布を一様とすることが必
要である。封」ち@部分の電流密度を等しくし、かつ過
当な・応力減少剤を適量使用することが必要となる(ケ
れども、電鋳母型表面に流れる電流密度と百つものは、
@型の形状及び陽極の形状如伺でかなり変わるもの、で
あり、一様な電流密度で作業することは不可とされ、析
出物の内部応力が零になる様な電流密度の値がわかって
いてもその電流密度で一様に電着できない以上どうにも
ならないのが現状である。
ンスルフォン酸などの化合物がある。しかし、上記内部
応力を減少する添加剤の仲」れを取って見ても、各電流
密度において内部応力を等しくする゛ものでないことも
知られている。以上より内部応力を均一にし、かつ零近
傍に抑えるには、先ず電流の分布を一様とすることが必
要である。封」ち@部分の電流密度を等しくし、かつ過
当な・応力減少剤を適量使用することが必要となる(ケ
れども、電鋳母型表面に流れる電流密度と百つものは、
@型の形状及び陽極の形状如伺でかなり変わるもの、で
あり、一様な電流密度で作業することは不可とされ、析
出物の内部応力が零になる様な電流密度の値がわかって
いてもその電流密度で一様に電着できない以上どうにも
ならないのが現状である。
とは言うものの陰、陽極間の距離を円盤の直径の5倍以
上とすると電流密度全均一化し得るとの学説もあるが経
済的に困難である。又陽極もしくは陰極にじゃへい板を
設けるマスキング、補助陰極による過大電流の軽減等が
試みられてはいるか。
上とすると電流密度全均一化し得るとの学説もあるが経
済的に困難である。又陽極もしくは陰極にじゃへい板を
設けるマスキング、補助陰極による過大電流の軽減等が
試みられてはいるか。
定量的に制御することができず、期待する効果が得られ
ないのが実状である。
ないのが実状である。
発明の目的
本発明は、上記の様な不都合を解消するもので、特に陰
、陽極間を近接させ単位面積当たり大電流を通電する高
速度円盤状回転式ノブキにおいて、円盤状回転陰極の各
部分の電流密度を制御し、円盤状被メッキ物の各部分の
析出物の内部応力を均一とし、かつ被メッキ物の各部分
に所要の析出量を得る装置を提供することを目的とする
。゛−−−−−−−発明の構成 本づL明は、複数の陽極と111−の円盤状回転共通陰
極で構成される電解槽において、複数の陽極の各々をM
流電源を介して単一の円盤状回転共通陰極に接続し、各
々の陰、陽極間に直流電圧を印加し、各陰、陽極間の印
加電圧を各々制御することにより、各々の電流を制御し
、単一の円盤状回転共通陰極の複数の陽極の各々に相対
応する部分の析出量及び析出物の内部応力を11ilJ
m+するように構成したものである。
、陽極間を近接させ単位面積当たり大電流を通電する高
速度円盤状回転式ノブキにおいて、円盤状回転陰極の各
部分の電流密度を制御し、円盤状被メッキ物の各部分の
析出物の内部応力を均一とし、かつ被メッキ物の各部分
に所要の析出量を得る装置を提供することを目的とする
。゛−−−−−−−発明の構成 本づL明は、複数の陽極と111−の円盤状回転共通陰
極で構成される電解槽において、複数の陽極の各々をM
流電源を介して単一の円盤状回転共通陰極に接続し、各
々の陰、陽極間に直流電圧を印加し、各陰、陽極間の印
加電圧を各々制御することにより、各々の電流を制御し
、単一の円盤状回転共通陰極の複数の陽極の各々に相対
応する部分の析出量及び析出物の内部応力を11ilJ
m+するように構成したものである。
実施例の説明
以下1本発明をディスクレコード用母型の製造に使用す
る円盤状回転式メッキ装置に適用した実施例を図面に基
づいて順次説明する。
る円盤状回転式メッキ装置に適用した実施例を図面に基
づいて順次説明する。
なお本発明は、ディスクレコード用母型の製造に限らず
、コンパクトティスク、ビテオディスク。
、コンパクトティスク、ビテオディスク。
情報ティスフ用量型々どにも適用が可能てあり。
特に限定するものではない。
第9図は本発明による円盤状回転式メッキ装置を示す。
この円盤状回転式メッキ装置は陰極側は前記の従来例と
同様の構成である。38 、39 。
同様の構成である。38 、39 。
40は各々独立した直流電源、41,42.43は第1
0図のように三重のリング状に構成された陽極であり、
陽極は電気絶縁物」2よりなるリング状の隔離板44.
45によって隔離されている。
0図のように三重のリング状に構成された陽極であり、
陽極は電気絶縁物」2よりなるリング状の隔離板44.
45によって隔離されている。
円盤状回転共通陰極13は軸33、給電刷子18、王台
のそれぞれ独立した直流電源38゜39.4Qを介して
前記三個の部分より構成される陽極 41,42.43
の陽極電極4’6,47゜48のそれぞれに電気的に接
続されており、モーター19によって回転可14ヒの構
造にしである。この円盤状回転共通陰極13は底面中央
部に円形状の布製隔膜22を持つ合成樹脂製、隔壁14
により形成される陰極室23に、まだ前記三個の部分よ
り構成する陽極41’、、 42 、43は電解槽10
と隔壁14により形成される陽極室24の陽極支持台3
7上にセットされ、電解液は電解液入口15より陰極室
23に入り、オーバーフローの後陽極室24へ入る。陽
極室24の電解液面は陰極室23の電解液面よシ低位の
構造であるが、陰極室と陽極室の間に空間を持つもので
はない。従って電解槽中の前記三個の部分より構成する
陽極41゜42.43のそれぞれと円盤状回転共通陰極
13は、電解液を介しそれぞれ通電が可能である。前記
三個の部分より構成する陽極41,42..43はそれ
ぞれ独立したドーナツ状チタンケース49にペレット状
ニッケル50を充り:ta bだもので、三重の構造に
しである。電7Qイ液はスルファミン酸ニッケル、はう
酸、少量の界、面活性掘(アンチビット剤)、応力減少
剤、塩化コバルト、並びに塩化ニッケルにて構成されて
いる。配合例を次に示す。
のそれぞれ独立した直流電源38゜39.4Qを介して
前記三個の部分より構成される陽極 41,42.43
の陽極電極4’6,47゜48のそれぞれに電気的に接
続されており、モーター19によって回転可14ヒの構
造にしである。この円盤状回転共通陰極13は底面中央
部に円形状の布製隔膜22を持つ合成樹脂製、隔壁14
により形成される陰極室23に、まだ前記三個の部分よ
り構成する陽極41’、、 42 、43は電解槽10
と隔壁14により形成される陽極室24の陽極支持台3
7上にセットされ、電解液は電解液入口15より陰極室
23に入り、オーバーフローの後陽極室24へ入る。陽
極室24の電解液面は陰極室23の電解液面よシ低位の
構造であるが、陰極室と陽極室の間に空間を持つもので
はない。従って電解槽中の前記三個の部分より構成する
陽極41゜42.43のそれぞれと円盤状回転共通陰極
13は、電解液を介しそれぞれ通電が可能である。前記
三個の部分より構成する陽極41,42..43はそれ
ぞれ独立したドーナツ状チタンケース49にペレット状
ニッケル50を充り:ta bだもので、三重の構造に
しである。電7Qイ液はスルファミン酸ニッケル、はう
酸、少量の界、面活性掘(アンチビット剤)、応力減少
剤、塩化コバルト、並びに塩化ニッケルにて構成されて
いる。配合例を次に示す。
例1
スルファミン酸ニッケル 55oy−/βはう酸
30ノ/f塩化ニツケル
6y−/β界面活性剤(アンチビット剤
) 2CC,76例2 スルフアミノ酸ニッケル 350ノ/βはう酸
30 !?/β塩化コバルト
30y−/β応力減少剤 12t
/β界面活性剤(アンチヒツト剤)、2CC,/β次に
本発明によるティスフレコード回器型の製造におけるニ
ッケルメッキの具体例として。
30ノ/f塩化ニツケル
6y−/β界面活性剤(アンチビット剤
) 2CC,76例2 スルフアミノ酸ニッケル 350ノ/βはう酸
30 !?/β塩化コバルト
30y−/β応力減少剤 12t
/β界面活性剤(アンチヒツト剤)、2CC,/β次に
本発明によるティスフレコード回器型の製造におけるニ
ッケルメッキの具体例として。
上記金属マザー4よりニッケルスタンパ−5金製造する
に除し、上記電m液配合例1及び配合例2によるニッケ
ルメッキについて説明する。
に除し、上記電m液配合例1及び配合例2によるニッケ
ルメッキについて説明する。
ニッケルメッキに先立ち、前記配合例による電解液のp
Hを酸又はアルカリによシ4゜2±0.1に調整し、液
温を53℃±2℃とする。循環ポンプ27によシ亀解液
を電解液人口15よシ陰極室23へ供給する。陰極室で
オーバーフローした電解液は陽極室24へ入シ、陽極室
に過剰の電解液は貯槽28を経て循環ポンプ27へ戻る
。以上のようにしてニッケルメッキの準備が完了する。
Hを酸又はアルカリによシ4゜2±0.1に調整し、液
温を53℃±2℃とする。循環ポンプ27によシ亀解液
を電解液人口15よシ陰極室23へ供給する。陰極室で
オーバーフローした電解液は陽極室24へ入シ、陽極室
に過剰の電解液は貯槽28を経て循環ポンプ27へ戻る
。以上のようにしてニッケルメッキの準備が完了する。
金属マザー4は、清浄化の後重クロム酸カリ溶液への浸
漬により前記同様不働態化処理を施し。
漬により前記同様不働態化処理を施し。
充分に水洗する。そして円盤状回転式メッキ装置の円盤
状回転共通陰極13の回転II!1l133中央のボル
ト20に金属マザー4の中心穴−&Th人し、ナツト2
1によって固定し、更に周辺部押えリンク29により強
固に固定する。次にモーター19をち 起動し、共通陰極13を回転し、直に直流電源38.3
9.40により電圧を印加し電流を通じる。電流は直径
350胴の母型の場合、通電後5分間は総電流を3OA
とし、それぞれの割合は電源38 : 39 :4o=
o、s : 1 : 1.1である。5分経過後直流電
源を昇圧し、総電流を140Aとする。直流電源のそれ
ぞれの割合は電源38:39: 40=0.7 : 1
ニー1.1である。総電流量140A時にてニッケルメ
ッキか完了する。ニッケルメッキ完了後、円盤状回転共
通陰極より金属マザー4の固定を解除し、金属マザー4
上にニッケルスタンパ−5を析出させた円盤を取り外す
。水洗乾燥の後、金属マザー4とニノケルスクンパー5
の境界より両者を分離し、ニノケルスクンパー5を得る
。上記のようにして得られたニノケルスクンパー5の同
上・田土における肉厚はマイクロメーターにて差を認め
られない。一方、直径方向の各辿j定点での肉厚は基準
肉厚に対し±3係以内であっ( た。各群」定点で肉厚を第2表に示す。表においてハ 試料B−1〜B−5は配合例1の電解液による結果、試
料B−6〜B −1’Oは配合例2の電)0イ液による
結果を示している。また、各試料の重量はいずれも15
2y−である。
状回転共通陰極13の回転II!1l133中央のボル
ト20に金属マザー4の中心穴−&Th人し、ナツト2
1によって固定し、更に周辺部押えリンク29により強
固に固定する。次にモーター19をち 起動し、共通陰極13を回転し、直に直流電源38.3
9.40により電圧を印加し電流を通じる。電流は直径
350胴の母型の場合、通電後5分間は総電流を3OA
とし、それぞれの割合は電源38 : 39 :4o=
o、s : 1 : 1.1である。5分経過後直流電
源を昇圧し、総電流を140Aとする。直流電源のそれ
ぞれの割合は電源38:39: 40=0.7 : 1
ニー1.1である。総電流量140A時にてニッケルメ
ッキか完了する。ニッケルメッキ完了後、円盤状回転共
通陰極より金属マザー4の固定を解除し、金属マザー4
上にニッケルスタンパ−5を析出させた円盤を取り外す
。水洗乾燥の後、金属マザー4とニノケルスクンパー5
の境界より両者を分離し、ニノケルスクンパー5を得る
。上記のようにして得られたニノケルスクンパー5の同
上・田土における肉厚はマイクロメーターにて差を認め
られない。一方、直径方向の各辿j定点での肉厚は基準
肉厚に対し±3係以内であっ( た。各群」定点で肉厚を第2表に示す。表においてハ 試料B−1〜B−5は配合例1の電解液による結果、試
料B−6〜B −1’Oは配合例2の電)0イ液による
結果を示している。また、各試料の重量はいずれも15
2y−である。
発明の効果
以上のように1本発明のメッキ装置は、複数の陽極と単
一の円盤状回転共通陰極で構成される電解槽において、
複数の各陽極を各々の電源を介して単一の円盤状回転共
通陰極に接続したので、各々の陰、陽画極間に直流電圧
を印加し、各陰21場両極間の印加電圧を各々制御し、
単一の円盤状回転共通陰惨の複数の陽極に相対応する部
分の%光密度を各々制往]することにより、容易に均一
な陰極電流密度を得ることかでき1円盤状被メッキ物各
部分の析出量及び析出物の内部応力をjli:4御する
ことかてきた。また配合例2の上記電解液中には301
/lの塩化コバルトを含有し、析出物(はニッケルとコ
バルトの合金となり、析出9勿中のコバルト含有量は2
7重量%で、ビッカース硬度はnv470を示した。一
方、上記配合例1、川」ちコバルトイオンを含有しない
電解液よりの析出物は従来又は本発明による円盤状回転
式メッキ方法による倒れの試料もビッカース硬度HV2
00を越えなかった。このようにニッケルとコバルトの
合金析出物は、硬度かIS〈、従ってi鞘乃耗性が要求
される成形母型としては理想に近いものの一つである。
一の円盤状回転共通陰極で構成される電解槽において、
複数の各陽極を各々の電源を介して単一の円盤状回転共
通陰極に接続したので、各々の陰、陽画極間に直流電圧
を印加し、各陰21場両極間の印加電圧を各々制御し、
単一の円盤状回転共通陰惨の複数の陽極に相対応する部
分の%光密度を各々制往]することにより、容易に均一
な陰極電流密度を得ることかでき1円盤状被メッキ物各
部分の析出量及び析出物の内部応力をjli:4御する
ことかてきた。また配合例2の上記電解液中には301
/lの塩化コバルトを含有し、析出物(はニッケルとコ
バルトの合金となり、析出9勿中のコバルト含有量は2
7重量%で、ビッカース硬度はnv470を示した。一
方、上記配合例1、川」ちコバルトイオンを含有しない
電解液よりの析出物は従来又は本発明による円盤状回転
式メッキ方法による倒れの試料もビッカース硬度HV2
00を越えなかった。このようにニッケルとコバルトの
合金析出物は、硬度かIS〈、従ってi鞘乃耗性が要求
される成形母型としては理想に近いものの一つである。
このようなニッケル・コバルト合金メッキは、陰極電流
密度の変化に敏感で、僅かな陰極電流密度の変化で急激
な応力変動を生じ、均一な陰極電流密度隻を得られない
場合は、特に型破りに適用することは不可であったが1
本発明は陰極電流密度を容易に均一化することができる
ため、前記第2表のようにコバルト・ニッケル合金析出
物を得ることができる。陰極電流密度を均一となし得る
こと(は、即ち記載例以外の1例えは電解液中への有機
化合物の徐加によるニッケル析出物の改質等を可能とす
るものである。
密度の変化に敏感で、僅かな陰極電流密度の変化で急激
な応力変動を生じ、均一な陰極電流密度隻を得られない
場合は、特に型破りに適用することは不可であったが1
本発明は陰極電流密度を容易に均一化することができる
ため、前記第2表のようにコバルト・ニッケル合金析出
物を得ることができる。陰極電流密度を均一となし得る
こと(は、即ち記載例以外の1例えは電解液中への有機
化合物の徐加によるニッケル析出物の改質等を可能とす
るものである。
第1図〜第6図はオーティオ信号記録済原盤からニッケ
ルスタンパ−1を得る工程を示す図、第7図は従来の代
表的な円盤状回転式メッキ装置の縦断面図、第8図は周
辺部がわん状にカールしたニッケルスタンパ−を示す断
面図、第9図は本発明による円盤状回転式メッキ装置の
実施例を示す縦断面図、第10図は第9図x−x’線断
血図、第11図はそのチタン製陽極の縦断回正l相図、
第12図は同縦断面側面図である。 10・・・・・電解槽、13・・・・・・円盤状回転陰
極、38〜40・・・・・電源、41,42.43・・
・・・・陽極。 49・・・・・・容器、50・・・・・ベレット状ニッ
ケル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 、9 第4図 、? 第5図 第7図 tq 第8図 第9図 Q 第10図 第11図
ルスタンパ−1を得る工程を示す図、第7図は従来の代
表的な円盤状回転式メッキ装置の縦断面図、第8図は周
辺部がわん状にカールしたニッケルスタンパ−を示す断
面図、第9図は本発明による円盤状回転式メッキ装置の
実施例を示す縦断面図、第10図は第9図x−x’線断
血図、第11図はそのチタン製陽極の縦断回正l相図、
第12図は同縦断面側面図である。 10・・・・・電解槽、13・・・・・・円盤状回転陰
極、38〜40・・・・・電源、41,42.43・・
・・・・陽極。 49・・・・・・容器、50・・・・・ベレット状ニッ
ケル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 、9 第4図 、? 第5図 第7図 tq 第8図 第9図 Q 第10図 第11図
Claims (1)
- 複数の陽極と単一の円盤状回転共通陰極で構成される電
解槽を(7firえ、複数の各陽イタを各々の電源を介
して単一の円盤状回転陰極陰、悌に接続して各隅、陽極
間に印加する直流電圧を各々制御するように構成した円
盤状回転式メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2344683A JPS59150094A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 円盤状回転式メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2344683A JPS59150094A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 円盤状回転式メツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150094A true JPS59150094A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12110726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2344683A Pending JPS59150094A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 円盤状回転式メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150094A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7090751B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-08-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7147760B2 (en) | 1998-07-10 | 2006-12-12 | Semitool, Inc. | Electroplating apparatus with segmented anode array |
| US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7267749B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-11 | Semitool, Inc. | Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow |
| US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7794573B2 (en) | 2003-12-05 | 2010-09-14 | Semitool, Inc. | Systems and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| JP2018188734A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | ユニゾン・インダストリーズ,エルエルシー | 異なる材料特性を有する部品 |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP2344683A patent/JPS59150094A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7147760B2 (en) | 1998-07-10 | 2006-12-12 | Semitool, Inc. | Electroplating apparatus with segmented anode array |
| US7357850B2 (en) * | 1998-07-10 | 2008-04-15 | Semitool, Inc. | Electroplating apparatus with segmented anode array |
| US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7267749B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-11 | Semitool, Inc. | Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow |
| US7090751B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-08-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7794573B2 (en) | 2003-12-05 | 2010-09-14 | Semitool, Inc. | Systems and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| JP2018188734A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | ユニゾン・インダストリーズ,エルエルシー | 異なる材料特性を有する部品 |
| US11091848B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-08-17 | Unison Industries, Llc | Component with differing material properties |
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