JPS59162014A - セラミツクス製切断用受台 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、単結晶ウェハーを切断する際に用いる受台に
関するものである。

従来単結晶ウェハーを切断する方法としてはスクライバ
による方法とダイサによる方法とが知られている。前者
は荷重をかけたダイヤモンド・カッタを用いてウェハー
の上面にかき傷を作った後、加圧によりウェハーを割る
方法であるが、ウェハー厚が４００μｍ以上になると割
るのが困難となる。他方、後者はウェハー厚が４００μ
ｍ以上となっても厚さの故゛の支障は無く、ウェハー厚
が厚くなる近年の傾向とともにこのダイサ法の重要度が
増してきた。ダイサ法の一般的方法は、素焼セラミック
ス又はガラスからなる受台ｌの上にワックス等の接着剤
２によってポリイミド系のフィルム３を接着し、更にま
た接着剤４によってその上にシリコンウェハー５を接着
した後、ダイヤモンドホイールを用いて所定の大きさに
切断する方法が知られている。この場合ポリイミド系フ
ィルムをシリコンウェハーと受台との間に介在させてい
るのは次の理由による。すなわち素焼セラミックスから
なる受台を用いる場合はフィルムを介在させずに直接シ
リコンウェハーを接着した状態で切断を行うと、切断が
進行するにつれてダイヤ刃の先端が受台に接近し遂には
接触するがこれを繰り返すとダイヤ刃の摩耗損失が大き
くなること及びシリコンウェハーと素焼セラミックスと
の接着性が悪いので切断中にシリコンウェハー小片がは
がれることのためである。またガラスからなる受台をフ
ィルムを介在させずに同様に用いる場合は、シリコンウ
ェハーとの接着性は良いが、切断中にガラスが破損する
ためである。従って従来の切断方法にはポリイミド系フ
ィルムが不可欠であるが、従来法にはこのフィルムが高
価であるにもかかわらず一度しり）使用できずしかも工
程の簡略化を阻害する欠点を有していた。

発明者等は上記の欠点を克服するために鋭意研究した結
果、受台の材質として機械加工可能なフン素雲母セラミ
ックスを用いることによって、フィルムを介在させる必
要がなく簡略な工程により廉価に単結晶ウェハーを切断
できることを見い出したのである。

本発明は上記の知見にもとづいて得られたもので、その
要旨とするところは第２図に示す如く、単結晶ウェハー
６を切断する際に用いる受台７において、該受台７がフ
ッ素雲母セラミックス焼結体からなることを特徴とする
セラミックス製切断用受台に存する。

本発明受台は、機械加工性に優れたフッ素雲母セラミッ
クス焼結体からなっているので、使用中ダイヤ刃との接
触が繰り返されてもダイヤ刃の摩耗損失は少なく、また
受台表面を使用後に研磨することによって前回使用時に
生じた刻線を消滅させ再使用を可能にするという利点を
有している。

本発明受台は製作時の成形性及び焼結性を考慮すれば粒
度３μｍ以下のフン素雲母（Ａ）（以下（Ａ）と略称）
を主成分とする成形体をフッ素含有量１〜１０重量％の
耐火粉末中で埋め焼きすることによって製造される焼結
体（Ｂ）（以下（Ｂ）と略称）からなるものが望ましい
。又、焼結性及び機械的強度を向上させるために上記（
Ｂ）に焼結助剤や強化剤を添加含有させている以外は（
Ｂ）と同一の条件によって製造される焼結体からなる受
台も利用可能である。焼結助剤及び強化剤を添加含有さ
せた例を挙げれば、（Ａ）に対しフッ化物混合物５〜６
０重量％添加含有させたもの（Ｃ）（以下（Ｃ）と略称
）、（Ａ）に対しフッ化物混合物１０〜５０重量％と二
硫化タングステン０．５〜３５重量％添加含有させたも
の（Ｄ）（以下（Ｄ）と略称）、（Ａ）に対しアルカリ
金属、亜鉛及び／又はアルカリ土類金属の酸化物−リン
酸系フリット１０〜５０重量％添加含有させたもの（Ｅ
）（以下（Ｅ）と略称）及び（Ａ）に対しフッ化物混合
物１０〜３０重量％と炭素粉末０．５〜２５重量％添加
含有させたもの（Ｆ）（以下（Ｆ）と略称）がある。こ
れら（Ｂ）、　　（Ｃ）。

（Ｄ）、　　（Ｅ）及び（Ｆ）はそれぞれ特開昭５５−
１３６１７１号公報［フッ素雲母セラミックス焼結体の
製造法」、特開昭５６−１７９８１号公報［フッ素雲母
セラミックス焼結体の製造法」、特開昭５６−３７２７
０号公報［フッ素雲母セラ昭５６−６９２７２号公報「
フッ素雲母セラミックス焼結体の製造法」に開示されて
いる。

以下実施例および比較例によって説明する。

実施例 粒径３μｍ以下のフッ素金雲母（Ｋ　Ｍ　ｇ　Ｊ　Ａ　
１−ｓ　１３　ｏｌｏ　Ｆ、　）粉末８０重量部に焼結
助剤として四種のフン化物が表に示されるモル比で配合
さ成形し埋め焼きにて焼成することによってフッ素金雲
母焼結体を製作した。

表 埋め焼きは、粒径１０μｍ以下の耐火粉末アルミナ９４
重量部、フン化アルミニウム３重量部及びフッ化カリウ
ム３重量部からなる混合粉床中温度１０５０℃、保持時
間４時間の条件で行った。

得られたフッ素金雲母焼結体を１３０Φ×３１１の形状
にスライス加工し、これを受台７とし、該受台７を温度
１５０℃に設定したヒータブロック上に積載し、ワック
ス８にて直径４１ｎｃｈｓ厚さ５００μｍのシリコンウ
ェハー６を受台表面に接着した後、５０μｍ巾のダイヤ
刃を用いてシリコンウェハーを５寵四方に切断した。

切断中、シリコンウェハーの剥離や欠けは全く生じなか
った。切断後のシリコンチップと受台との接着強度をブ
ツシュゲージ法によって測定したところ、シリコンチッ
プ２０枚についての平均値が９　、４　ｋｇ　／　ＣＩ
＋！であった。

次に受台を再びヒータブロック上に積載し、ワックスを
熔かしてシリコンウェハーをはがした後、受台表面をダ
イヤ刃によって生じた刻線がな（なるまで平面研磨し、
これを新たに受台として上記の切断操作を行ったが何等
支障なく前回と同様にシリコンウェハーを切断すること
ができた。

比較例１ 実施例の受台と同一形状のガラス板１を温度１５０℃に
設定したヒータブロック上に積載し、ワックス２にてガ
ラス板表面にポリイミド系フィルム３を接着し更にその
上にワックス４にて直径４ｉｎｃ）＋のシリコンウェハ
ー５を接着した後、５０μｍ　１１のダイヤ刃を用いて
シリコンウェハーを５■宵四方に切断した。　切断中、
シリコンウェハーの剥離や欠けは生じなかったが、ポリ
イミド系フィルムも同様に切断されていたので、同じガ
ラス板を再使用する場合は新しく別のフィルムを用いる
必要があった。また切断後のシリコンチップと受台との
接着強度を実施例と同様に測定したところ、５．２　ｋ
ｇ／−であった。

比較例２ 受台が素焼セラミックス板である以外は実施例と同一条
件で切断を行ったが、切断中、シリコンウェハー小片が
はがれた。

上記実施例では被切断試料としてシリコンウェハーのみ
示したが、本発明受台の利用範囲はこれに限定されるこ
とはなく、ガリウムウェハー、砒素ウェハー等、従来の
切断方法で切断される各種の単結晶ウェハーの切断に利
用可能である。

させることなく簡略な工程でしかも廉価に単結晶ウェハ
ーを切断できるので、本発明は今後のエレクトロニクス
技術分野にきわめて有用なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はウェハーを従来の受台に接着した状態を示す縦
断面図、第２図はウェハーを本発明受台に接着した状態
を示す縦断面図である。 第１図 手続補正書（自発） 特許庁長官　　　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年　特許願　第３６３５２号 ２、発明の名称 セラミックス製切断用受台 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　　　郵便番号　４６７−９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 ４、補正の対象 明細書中、特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の
欄。 ５、補正の内容 別紙の通り １、明細書第１頁、特許請求の範囲を下記に訂正しまず
。 （１）　単結晶ウェハーを切断する際に用いる受台にお
いて、該受台がフッ素雲母セラミックス焼結体からなる
ことを特徴とするセラミックス製切断用受台。 （２）　単結晶がケイ素、ガリウム又はガリウム砒素で
ある特許請求の範囲第１項記載のセラミックス製切断用
受台。 ２、同第８頁、第１２行目〜１３行目中、「砒素ウェハ
ー等、」を「ガリウム砒素ウェハー等、」に訂正します
。 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）単結晶ウェハーを切断する際に用いる受台におい
   て、該受台がフッ素雲母セラミックス焼結体からなるこ
   とを特徴とするセラミックス製切断用受台。
2. （２）単結晶がケイ素、ガリウム又は砒素である特許請
   求の範囲第１項記載のセラミックス製切断用受台。