JPS59165433A - ウエハ検出装置 - Google Patents
ウエハ検出装置Info
- Publication number
- JPS59165433A JPS59165433A JP58039025A JP3902583A JPS59165433A JP S59165433 A JPS59165433 A JP S59165433A JP 58039025 A JP58039025 A JP 58039025A JP 3902583 A JP3902583 A JP 3902583A JP S59165433 A JPS59165433 A JP S59165433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ultrasonic
- detect
- detecting element
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置のウェハ検出装置に係り、特
に、ＳＯＳデバイス等の透明層のウェハに対して、ウェ
ハの位置を検出するのに好適なウェハ検出装置に関する
。
に、ＳＯＳデバイス等の透明層のウェハに対して、ウェ
ハの位置を検出するのに好適なウェハ検出装置に関する
。
一般に、半導体製造装置においては、ウェハがあること
を確認してからイオン打込み等を行い半導体の製造を行
っている。したがって、ウェハが所定の位置にあるか否
かを検出する必要がある。
を確認してからイオン打込み等を行い半導体の製造を行
っている。したがって、ウェハが所定の位置にあるか否
かを検出する必要がある。
従来のウェハ検出装置は、第１図に示す如き構成を有し
ている。すなわち、ウェハベース４に載置されているウ
ェハ３に対し、発光ダイオード１とホトセンサ２によつ
で、発光ダイオード１とホトセンサ２との間にウェハを
挿入して透過光９断続によって検出するものである。あ
るいは、第２図に示す如き構成を有するものである。す
なわち、発光ダイオード１とホトセンサ２をウェハ３に
対して同じ側にセットし、発光ダイオード１より発シタ
光がウェハ３に反射してホトセンサ２によってウェハ３
があるかないかを検出するものである。
ている。すなわち、ウェハベース４に載置されているウ
ェハ３に対し、発光ダイオード１とホトセンサ２によつ
で、発光ダイオード１とホトセンサ２との間にウェハを
挿入して透過光９断続によって検出するものである。あ
るいは、第２図に示す如き構成を有するものである。す
なわち、発光ダイオード１とホトセンサ２をウェハ３に
対して同じ側にセットし、発光ダイオード１より発シタ
光がウェハ３に反射してホトセンサ２によってウェハ３
があるかないかを検出するものである。
この・ような従来の装置は、いずれも、今までの半導体
ウェハを検出するには適していた。しかしながら、第３
図Ａに示す如き分光透過率特性を有するデバイス（ＳＯ
Ｓ）の場合は、発光ダイオードの発光波長に対し、光が
透過してしまうため、ウェハの有無を検出することがで
きない。したがって、従来の発光ダイオードとホトセン
サとを用いたウェハ検出装置としての役割を充分に果す
ことができないという欠点を有している。なお、第３図
Ｂはホトセンサーの分光感度特性である。
ウェハを検出するには適していた。しかしながら、第３
図Ａに示す如き分光透過率特性を有するデバイス（ＳＯ
Ｓ）の場合は、発光ダイオードの発光波長に対し、光が
透過してしまうため、ウェハの有無を検出することがで
きない。したがって、従来の発光ダイオードとホトセン
サとを用いたウェハ検出装置としての役割を充分に果す
ことができないという欠点を有している。なお、第３図
Ｂはホトセンサーの分光感度特性である。
本発明の目的は、分光透較率の高いｓｏｓデバイス等の
ウェハの有無を検出することのできるウェハ検出装置を
提供することにある。
ウェハの有無を検出することのできるウェハ検出装置を
提供することにある。
本発明は、超音波発振子と超音波検出素子とを用い、紫
外可視及び赤外領域にわたって透明な物質によって構成
される半導体ウェハの有無を検出することのできるウェ
ハ検出装置全提供することにある。
外可視及び赤外領域にわたって透明な物質によって構成
される半導体ウェハの有無を検出することのできるウェ
ハ検出装置全提供することにある。
以下、本発明の実施例について説明する。
第４図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、ウェハベース４の上にはウェハ３が載置さ
れる。このウェハ３は、通常自動的に載置される。ウェ
ハベース４の適宜箇所には、孔が設けられており、この
礼金はさみ、超音波発振子５と超音波検出素子６とが対
向して設けられている。すなわち、ウェハベース４の上
のウェハ３に対し、上下方向に対向させて、超音波発振
子５と超音波検出素子６が設置されている。ウェハ３が
ない場合には、超音波発振子５からの信号は超音波検出
素子６で直接検出されるが、ウェハ３が挿入された場合
には、超音波がウェハ３によってさえぎられて、超音波
検出素子６には、伝達されないため、ウェハ３の有無の
検出を行うことがで酋る。また、エツジの位置を検出す
ることによって位置の検出をも行うことができる。
れる。このウェハ３は、通常自動的に載置される。ウェ
ハベース４の適宜箇所には、孔が設けられており、この
礼金はさみ、超音波発振子５と超音波検出素子６とが対
向して設けられている。すなわち、ウェハベース４の上
のウェハ３に対し、上下方向に対向させて、超音波発振
子５と超音波検出素子６が設置されている。ウェハ３が
ない場合には、超音波発振子５からの信号は超音波検出
素子６で直接検出されるが、ウェハ３が挿入された場合
には、超音波がウェハ３によってさえぎられて、超音波
検出素子６には、伝達されないため、ウェハ３の有無の
検出を行うことがで酋る。また、エツジの位置を検出す
ることによって位置の検出をも行うことができる。
したがって、本実施例によれは、非筆触でウェハの位置
検出を行っているウェハ搬送部のカセット部及び、ウェ
ハのオリエンテーションフラット位置検出部において、
Ｓ ＯＳ （Ｓ ｉ／、１ｃｏｎ ０ｎＳａｐｐｈｉｒ
ｅ ）デバイスのような紫外可視、赤外領域で分光透過
率特性の高い物質に対しても、非接触でウェハの有無及
び位置検出を行うことができる。
検出を行っているウェハ搬送部のカセット部及び、ウェ
ハのオリエンテーションフラット位置検出部において、
Ｓ ＯＳ （Ｓ ｉ／、１ｃｏｎ ０ｎＳａｐｐｈｉｒ
ｅ ）デバイスのような紫外可視、赤外領域で分光透過
率特性の高い物質に対しても、非接触でウェハの有無及
び位置検出を行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、分光透過率の高
いＳＯＳデバイス等のウエノ・の有無を検出することが
できる。
いＳＯＳデバイス等のウエノ・の有無を検出することが
できる。
第１図は従来の透過形の光検出法によるウェハ検出装置
の構成図、第２図は従来の反射形の光検出法によるウェ
ハ検出装置の構成図、第３図はＳＯＳデバイスの分光透
過率特性とホトセンサの分光感度特性を示す図、第４図
は本発明の実施例を示す構成図である。 ３・・・ウェハ、４・・・ウェハベース、５・・・超音
波発振子１ｍ 第ＺｆＺＪ 静４ｍ
の構成図、第２図は従来の反射形の光検出法によるウェ
ハ検出装置の構成図、第３図はＳＯＳデバイスの分光透
過率特性とホトセンサの分光感度特性を示す図、第４図
は本発明の実施例を示す構成図である。 ３・・・ウェハ、４・・・ウェハベース、５・・・超音
波発振子１ｍ 第ＺｆＺＪ 静４ｍ
Claims (1)
- １、 ウェハ搬送手段によって自動的にウェハベース上
にウェハを搬送するものにおいて、上記ウェハベースに
設けられた孔を介してウェハ全はさむ′ように超音波発
振子と超音波検出素子を対向させて設け、前記超音波発
振子と超音波検出素子との間に挿入されるウェハの有無
を検出することを特徴とするウェハ検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039025A JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039025A JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165433A true JPS59165433A (ja) | 1984-09-18 |
Family
ID=12541564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039025A Pending JPS59165433A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | ウエハ検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313344A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Teru Saamuko Kk | ウェハカウンタ及びウェハカウント方法 |
| JPH0312947A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハのプリアライメント方法 |
| JP2022035849A (ja) * | 2020-08-21 | 2022-03-04 | 株式会社東京精密 | ワーク在荷検出装置 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58039025A patent/JPS59165433A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313344A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Teru Saamuko Kk | ウェハカウンタ及びウェハカウント方法 |
| JPH0312947A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハのプリアライメント方法 |
| JP2022035849A (ja) * | 2020-08-21 | 2022-03-04 | 株式会社東京精密 | ワーク在荷検出装置 |
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