JPS59165468A - 太陽電池用窓枠材の製造方法 - Google Patents
太陽電池用窓枠材の製造方法Info
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- JPS59165468A JPS59165468A JP58039471A JP3947183A JPS59165468A JP S59165468 A JPS59165468 A JP S59165468A JP 58039471 A JP58039471 A JP 58039471A JP 3947183 A JP3947183 A JP 3947183A JP S59165468 A JPS59165468 A JP S59165468A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池用窓枠材の製造方法、特には非晶質シ
リフン太ＰｖＪ電池用の窓枠材の製造方法に関するもの
である。
リフン太ＰｖＪ電池用の窓枠材の製造方法に関するもの
である。
シリコン太陽電池については近時単結晶シリコンに代え
て非晶質シリコンを使用したものが開発され、ショット
キーバリヤー型−ｐｌｎ型、 ＭＩＳ型−へテロ接合型
のものなどの研究が行なわれているが、このｐｉｎ型太
陽電池についてはそのｐ型またはｎ型の非晶質シリフン
はキャリヤー寿命が短かく、また光の吸収係数がｉ層Ｃ
二比べて大きいことから、光を照射する側に位置する脂
、すなわち窓枠材であるｐ層での光の吸収ロスが太きい
という問題点があり、この改良のため（１七のｎ層側か
ら光を照射するという方法も試みられているがこれもｐ
層での光の吸収ロスが若干有利とされる程度であり、光
の吸収ロスがあるという不利は解決されていない。
て非晶質シリコンを使用したものが開発され、ショット
キーバリヤー型−ｐｌｎ型、 ＭＩＳ型−へテロ接合型
のものなどの研究が行なわれているが、このｐｉｎ型太
陽電池についてはそのｐ型またはｎ型の非晶質シリフン
はキャリヤー寿命が短かく、また光の吸収係数がｉ層Ｃ
二比べて大きいことから、光を照射する側に位置する脂
、すなわち窓枠材であるｐ層での光の吸収ロスが太きい
という問題点があり、この改良のため（１七のｎ層側か
ら光を照射するという方法も試みられているがこれもｐ
層での光の吸収ロスが若干有利とされる程度であり、光
の吸収ロスがあるという不利は解決されていない。
七のため、この非晶質シリコンに代えてシラン−フッ化
シランまたはそれらの誘導体と炭化水素化合物、フッ化
炭化水素化合物、アルキルシラン−フッ化アルキルシラ
ンまたはそれらの誘導体との混合ガスをプラズマ気相沈
積法（以下０．ＶＤ法とい５）で処理して得た非晶質Ｓ
ｉ ＯをＰＨ３またＩ−Ｘ はＢ２Ｈ６でドーグした薄膜をｐ１ｎ得合光電累子のｐ
ＪＶｉＩまたはｎ層の少なくとも一方に用いることによ
って−ｐ型で７．２％、ｎ型で７．３ ％の変換効率を
示す太陽電池を得るという方法が提案されている（４￥
−開昭５７−１２６１７５号公報参照）。しかし、この
方法には、始発材として使用されるシラン（ＳｉＨ）が
空気中で発火性をもつ取扱いの難しいもので、その廃棄
ガス処理にも問題をもつものであり、これはまたフッ化
シラン（ＳｉＦｍＨ）と共に工業的に高価格のものであ
るとい−ｍ う不利な点があり、この方法（：はさら（ユこれらのガ
スと炭素源としての炭化水素化合物との混合モル比の選
定、保持が必要とされるとＩ、Ｎ’ｌ難点力１ある。
シランまたはそれらの誘導体と炭化水素化合物、フッ化
炭化水素化合物、アルキルシラン−フッ化アルキルシラ
ンまたはそれらの誘導体との混合ガスをプラズマ気相沈
積法（以下０．ＶＤ法とい５）で処理して得た非晶質Ｓ
ｉ ＯをＰＨ３またＩ−Ｘ はＢ２Ｈ６でドーグした薄膜をｐ１ｎ得合光電累子のｐ
ＪＶｉＩまたはｎ層の少なくとも一方に用いることによ
って−ｐ型で７．２％、ｎ型で７．３ ％の変換効率を
示す太陽電池を得るという方法が提案されている（４￥
−開昭５７−１２６１７５号公報参照）。しかし、この
方法には、始発材として使用されるシラン（ＳｉＨ）が
空気中で発火性をもつ取扱いの難しいもので、その廃棄
ガス処理にも問題をもつものであり、これはまたフッ化
シラン（ＳｉＦｍＨ）と共に工業的に高価格のものであ
るとい−ｍ う不利な点があり、この方法（：はさら（ユこれらのガ
スと炭素源としての炭化水素化合物との混合モル比の選
定、保持が必要とされるとＩ、Ｎ’ｌ難点力１ある。
本発明はこのような不利を解決した非晶質５ｌｘＯ薄膜
をもつ太陽電池用窓枠材の製造方法Ｃニ−Ｘ 関するものであり、これは非晶質シリコン光電素子のｐ
層またはｎ層の少なくとも一方を１分子中Ｃ二少なくと
も１ケのＥ Ｓ ｉ Ｈ結合をもつ有機けり）素化合物
のプラズマＯＶＤ法で得た式Ｓ ｉＸＯ，−エ（Ｘは０
．２〜０．８）で示される非晶質炭化げし）累としてな
ることを特徴とするものである。
をもつ太陽電池用窓枠材の製造方法Ｃニ−Ｘ 関するものであり、これは非晶質シリコン光電素子のｐ
層またはｎ層の少なくとも一方を１分子中Ｃ二少なくと
も１ケのＥ Ｓ ｉ Ｈ結合をもつ有機けり）素化合物
のプラズマＯＶＤ法で得た式Ｓ ｉＸＯ，−エ（Ｘは０
．２〜０．８）で示される非晶質炭化げし）累としてな
ることを特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らはさきＣ二分子中にＳｉ
Ｘ結合（Ｘはハロゲン原子または酸素原子）を含まない
有機けい素化合物またはこの有機はし）素化合物と炭化
水素化合物とをプラズマＯＶＤ法で処理して基体上１ｍ
非晶質の炭化けい素被覆を行なうという方法を開発した
（特願昭５７−２２８５０４号）が、このようにして形
成させた非晶質炭化けい素被膜についてさらに検討を行
なったとごろ、このグラズマＯＶＤ法処理に当ってこの
有機けい素化合物にＰＨ３，Ｂ２Ｈ６などのドーグ剤を
含有させればｐ型またはｎ型にドーグされた式Ｓｉ Ｏ
で示される炭化けい素薄膜を容易に得るＸ １．、−
Ｘ ことができ、これを光電素子のｐ層またはｎ層とすれば
転換効率の高い太陽電池を工業的（二容易に、かつ安価
（二製造できることを見出し、これらの反応条件など≦
二ついても検討を行ない本発明を完成させた。
Ｘ結合（Ｘはハロゲン原子または酸素原子）を含まない
有機けい素化合物またはこの有機はし）素化合物と炭化
水素化合物とをプラズマＯＶＤ法で処理して基体上１ｍ
非晶質の炭化けい素被覆を行なうという方法を開発した
（特願昭５７−２２８５０４号）が、このようにして形
成させた非晶質炭化けい素被膜についてさらに検討を行
なったとごろ、このグラズマＯＶＤ法処理に当ってこの
有機けい素化合物にＰＨ３，Ｂ２Ｈ６などのドーグ剤を
含有させればｐ型またはｎ型にドーグされた式Ｓｉ Ｏ
で示される炭化けい素薄膜を容易に得るＸ １．、−
Ｘ ことができ、これを光電素子のｐ層またはｎ層とすれば
転換効率の高い太陽電池を工業的（二容易に、かつ安価
（二製造できることを見出し、これらの反応条件など≦
二ついても検討を行ない本発明を完成させた。
本発明を実施するにあたっては例えば基体物質（ガラス
阪等）上にＳｎＯ等の透明電極をつけその上に分子中に
少なくとも１ケのＨ８１−Ｈ結合を有する有機けい素化
合物および所足のドーグ材をプラズマ気相沈積法でｐや
又はｎ型のＳｉ Ｏでｉ−Ｘ 示される非晶質炭化けい累層を必要な厚さに蒸着し、こ
の上に１層として非晶質シリコン層−さらにｎ型または
ｐ型層としてドーグ材を含有する非晶シシリコン層また
は非晶質５１ｘＣ１−ｘ層をプラズマ気相性積法Ｃ二よ
りもうけ一最後Ｃニアルミ電極なオーム接触させて光電
素子を製造することができる。
阪等）上にＳｎＯ等の透明電極をつけその上に分子中に
少なくとも１ケのＨ８１−Ｈ結合を有する有機けい素化
合物および所足のドーグ材をプラズマ気相沈積法でｐや
又はｎ型のＳｉ Ｏでｉ−Ｘ 示される非晶質炭化けい累層を必要な厚さに蒸着し、こ
の上に１層として非晶質シリコン層−さらにｎ型または
ｐ型層としてドーグ材を含有する非晶シシリコン層また
は非晶質５１ｘＣ１−ｘ層をプラズマ気相性積法Ｃ二よ
りもうけ一最後Ｃニアルミ電極なオーム接触させて光電
素子を製造することができる。
本発明の目的である良質な非晶質の５１ｘＯ１−ｘ被膜
を蒸着成長させるためシーは、ここに使用する有機機け
い素化合物が１反応器中シニガス状で導入されるので、
これは揮発性のものとされるが、このものはその分子中
に少なくとも１ケの＝Ｈ３ｉＨ結合を含むものとするこ
とが必要であり−その分子中に分解性のわるいＳｉＸ結
合を含まないものとすることが望ましい。これらの有機
けい素化合物としては例えば一般式 Ｒ２ｎ＋２８ｉｎ
（ここミニＲは水素原子またはメチル基−エチル基−グ
ロピル基−フェニル基、ビニル基から選ばれる１価炭化
水素基−ｎは１〜３の正数）で示されるシランまたはポ
リシラン類−および一般式 １１ Ｒ３Ｓｉ÷Ｒ−３ｉ枯Ｒ（ここにＲは前記に同じ、Ｒ１
はメチレン基、エチレン基またはフェニレン基１ｍは１
〜２の正数）で示されるシルアルキレン化合物またはシ
リフェニレン化合物あるいは同一分子中にこの両者の主
骨格をもつ化合物などがあげられる。この有機けい素化
合物としては次式％式％ で示されるシラン、ポリシランが例示され、これらはそ
の１種または２種かあるいは２種以上の混合物として使
用される。これについてはメチルポリシラン類を３５０
℃以上で熱分解させて得られるメチルハイドロジエンシ
ラン類−または直接法と呼ばれているメチルポリシラン
類製造時に副／ＩＩＥすれるメチルクロロジシラン類の
還元により得られる一般式（ｃａ）ｓｉＨ（ここにｂ＝
ｉ〜３−３ａ ｂｅ ２ｂ＋１≧ａ≧１．２ｂ＋１≧０≧１、ａ 十ｃ ＝２
ｂ＋２）で示されるメチルハイドロジエンシラン類とす
ることがよく−これによれば工業的に安価に、しかもプ
ラズマＯＶＤ法で好ましい組成をもつ非晶質の５ＩＸＣ
１−Ｘを得ることができるという有利性が与えられる。
を蒸着成長させるためシーは、ここに使用する有機機け
い素化合物が１反応器中シニガス状で導入されるので、
これは揮発性のものとされるが、このものはその分子中
に少なくとも１ケの＝Ｈ３ｉＨ結合を含むものとするこ
とが必要であり−その分子中に分解性のわるいＳｉＸ結
合を含まないものとすることが望ましい。これらの有機
けい素化合物としては例えば一般式 Ｒ２ｎ＋２８ｉｎ
（ここミニＲは水素原子またはメチル基−エチル基−グ
ロピル基−フェニル基、ビニル基から選ばれる１価炭化
水素基−ｎは１〜３の正数）で示されるシランまたはポ
リシラン類−および一般式 １１ Ｒ３Ｓｉ÷Ｒ−３ｉ枯Ｒ（ここにＲは前記に同じ、Ｒ１
はメチレン基、エチレン基またはフェニレン基１ｍは１
〜２の正数）で示されるシルアルキレン化合物またはシ
リフェニレン化合物あるいは同一分子中にこの両者の主
骨格をもつ化合物などがあげられる。この有機けい素化
合物としては次式％式％ で示されるシラン、ポリシランが例示され、これらはそ
の１種または２種かあるいは２種以上の混合物として使
用される。これについてはメチルポリシラン類を３５０
℃以上で熱分解させて得られるメチルハイドロジエンシ
ラン類−または直接法と呼ばれているメチルポリシラン
類製造時に副／ＩＩＥすれるメチルクロロジシラン類の
還元により得られる一般式（ｃａ）ｓｉＨ（ここにｂ＝
ｉ〜３−３ａ ｂｅ ２ｂ＋１≧ａ≧１．２ｂ＋１≧０≧１、ａ 十ｃ ＝２
ｂ＋２）で示されるメチルハイドロジエンシラン類とす
ることがよく−これによれば工業的に安価に、しかもプ
ラズマＯＶＤ法で好ましい組成をもつ非晶質の５ＩＸＣ
１−Ｘを得ることができるという有利性が与えられる。
これらの有機けい素化合物はプラズマ処理（＝よって５
１ｘＣ１−Ｘで示される炭化けい素となり、これが基体
物質表面に被着されるのであるが−このＸ値は０．２〜
０．８、好ましくは０．３〜０．７とすることがよい。
１ｘＣ１−Ｘで示される炭化けい素となり、これが基体
物質表面に被着されるのであるが−このＸ値は０．２〜
０．８、好ましくは０．３〜０．７とすることがよい。
なお、この５ＩＸＣ１−Ｘの被覆層は太陽電池用とし・
てｐ型層またはｎ型層、にドーグしたものとされるが、
これをｐ型層とする場合にはこの有機けい素化合物に周
期律表ｍｂ族元素の化合物−例えばＢ２Ｈ，がＳ”ｘＯ
ｏ−ｘの中Ｃ０，００１〜１０原子原子−好ましくは０
．００５〜２，０原子係含まれるように添加すればよく
、これをｎ型層とするためＣは周期律表ｖｂ族元素の化
合物例えばＰＨ３がＳｉ Ｏの中に０．００１−１０原
子係、好まし ｌ−Ｘ くは０．００５〜２．０原子チ含まれるように添加すれ
ばよい。
てｐ型層またはｎ型層、にドーグしたものとされるが、
これをｐ型層とする場合にはこの有機けい素化合物に周
期律表ｍｂ族元素の化合物−例えばＢ２Ｈ，がＳ”ｘＯ
ｏ−ｘの中Ｃ０，００１〜１０原子原子−好ましくは０
．００５〜２，０原子係含まれるように添加すればよく
、これをｎ型層とするためＣは周期律表ｖｂ族元素の化
合物例えばＰＨ３がＳｉ Ｏの中に０．００１−１０原
子係、好まし ｌ−Ｘ くは０．００５〜２．０原子チ含まれるように添加すれ
ばよい。
本発明の方法で製造されたＳｉ Ｏの被覆層をＩ−Ｘ
もつ基材は太陽電池の窓枠材として使用されるが−この
太陽電池は例えば添付の第１図−第２図５−示されてい
る。第１図に示されたものはガラス層１゜透明電極２−
ｐ型Ｓｉ Ｏ層３，１型Ｓ型層１゜Ｉ−Ｘ ｎ型Ｓ１層５−アルミニウム電極６とから構成されるｐ
型層から受光する太陽電池であり一再２図Ｃ二はステン
レス層１１−ｐ型Ｓ１層１２−１型Ｓｉ層１３．ｎ９ｓ
ｉａ 層１４．透明電極１５Ｉ−Ｘ で構成されるｎ型層から受光する太陽電池が例示されて
いる。なお−このｐ型またはｎ型にドーグした非晶質の
Ｓｉ Ｏをｐｉｎ 型併合光電累子のｉ−Ｘ 窓枠材として利用すれば、変換効率が大巾に改善される
ことはすでに提案されている通りである。
太陽電池は例えば添付の第１図−第２図５−示されてい
る。第１図に示されたものはガラス層１゜透明電極２−
ｐ型Ｓｉ Ｏ層３，１型Ｓ型層１゜Ｉ−Ｘ ｎ型Ｓ１層５−アルミニウム電極６とから構成されるｐ
型層から受光する太陽電池であり一再２図Ｃ二はステン
レス層１１−ｐ型Ｓ１層１２−１型Ｓｉ層１３．ｎ９ｓ
ｉａ 層１４．透明電極１５Ｉ−Ｘ で構成されるｎ型層から受光する太陽電池が例示されて
いる。なお−このｐ型またはｎ型にドーグした非晶質の
Ｓｉ Ｏをｐｉｎ 型併合光電累子のｉ−Ｘ 窓枠材として利用すれば、変換効率が大巾に改善される
ことはすでに提案されている通りである。
つぎに第３図は本発明で使用されるプラズマＣＶＤ装置
の一例を示したものであるが、図（二示されているグラ
ズマ反応器３１には−その内部に入力側′電極３２とア
ース電極３３が設置されており、これは糸外の真空ボン
ダ３４によってトラップ３６を経て１０トル以下の減圧
下に保持され、この系内の真空度はセンサー３６Ｃ：よ
ってピラニー真草計３７に記録される。アース電極３３
上には透明電極又は電極基板３８がセットされており。
の一例を示したものであるが、図（二示されているグラ
ズマ反応器３１には−その内部に入力側′電極３２とア
ース電極３３が設置されており、これは糸外の真空ボン
ダ３４によってトラップ３６を経て１０トル以下の減圧
下に保持され、この系内の真空度はセンサー３６Ｃ：よ
ってピラニー真草計３７に記録される。アース電極３３
上には透明電極又は電極基板３８がセットされており。
これは外部のヒーター電源３９によって加熱され−５０
〜５００℃好ましくは１００〜４００℃の所足温度よ＝
保持される。ついでｐ層−１層−ｎ層またはｎ層−１層
−ｐ層の順でシランまたは上記有機けい素化合物ガスが
必要に応じてドーグ剤および／またはＨ２＋ Ｈ＠ −
’Ａｒなどのキャリヤーガスと共（二溝入され−１０ト
ル以下好ましくは０．０５〜ｌトルのガス圧にそれぞれ
誌整した後−入力端電極３２（＝高周波電源４０からｌ
ＯＫＨｚ〜１００ＭＨｚ、 ５ Ｗ〜１００ＫＷの高
周波電力を印加して、系内に低温グラズマ発生させ、基
板上≦二ｐ層−ＩＪ曽−ｎ層またはｎ層−１冶−ｐ層曽
の順で非晶質Ｓ１層または非晶質Ｓ ｌ ｘＣｌ−ｘ
ｍを形成させればよい。
〜５００℃好ましくは１００〜４００℃の所足温度よ＝
保持される。ついでｐ層−１層−ｎ層またはｎ層−１層
−ｐ層の順でシランまたは上記有機けい素化合物ガスが
必要に応じてドーグ剤および／またはＨ２＋ Ｈ＠ −
’Ａｒなどのキャリヤーガスと共（二溝入され−１０ト
ル以下好ましくは０．０５〜ｌトルのガス圧にそれぞれ
誌整した後−入力端電極３２（＝高周波電源４０からｌ
ＯＫＨｚ〜１００ＭＨｚ、 ５ Ｗ〜１００ＫＷの高
周波電力を印加して、系内に低温グラズマ発生させ、基
板上≦二ｐ層−ＩＪ曽−ｎ層またはｎ層−１冶−ｐ層曽
の順で非晶質Ｓ１層または非晶質Ｓ ｌ ｘＣｌ−ｘ
ｍを形成させればよい。
要するに本発明の方法は、上ばＣ特殊な有機けい素化合
物のプラズマ処理で生成した５１ｘＣｉ−ｘ で示さ
れる非晶質の炭化けい素糸化合物の皮膜を形成させて太
陽電池用の窓枠材を製造するものであり、これによれば
始発材を取扱う上での危険性および製造時における種々
の条件設定などＣ１困難性を伴なわず、容易に太陽電池
窓枠材としての好ましい特性をもったものを−しかも安
価Ｃ１得ることができるし、この場合においてここζ二
使用する有機けい素化合物の種類、キャリヤーガスの種
類−量、プラズマ発生条件などを調整すれば常に均一組
成の５１ｘＣ１−Ｘ層を５〜５０Ａ／秒の成長速度で得
ることができる。
物のプラズマ処理で生成した５１ｘＣｉ−ｘ で示さ
れる非晶質の炭化けい素糸化合物の皮膜を形成させて太
陽電池用の窓枠材を製造するものであり、これによれば
始発材を取扱う上での危険性および製造時における種々
の条件設定などＣ１困難性を伴なわず、容易に太陽電池
窓枠材としての好ましい特性をもったものを−しかも安
価Ｃ１得ることができるし、この場合においてここζ二
使用する有機けい素化合物の種類、キャリヤーガスの種
類−量、プラズマ発生条件などを調整すれば常に均一組
成の５１ｘＣ１−Ｘ層を５〜５０Ａ／秒の成長速度で得
ることができる。
つぎ（二本発明方法の実施例をあげるが１例中における
Ｍｅはメチル基を示したものである。
Ｍｅはメチル基を示したものである。
実施例１
第３図Ｃ二示した装置を使用し−このアース電極上ｌ二
５ｎＱ２透明電極のついたガラス基板を固定してこれを
２５０℃に保ったのち一内圧を０．０５）ルにまで真空
排気し一ついでキャリヤーガスとしてＨ２／Ａｒ＝１／
１ （容量比）の混合ガスを導入し０．２トルとしてか
ら−ここにＢ／ＳｉＯが０．１原子俤となるようにした
ＢＥ を含むテトラメロ チルジシラン トルとした。
５ｎＱ２透明電極のついたガラス基板を固定してこれを
２５０℃に保ったのち一内圧を０．０５）ルにまで真空
排気し一ついでキャリヤーガスとしてＨ２／Ａｒ＝１／
１ （容量比）の混合ガスを導入し０．２トルとしてか
ら−ここにＢ／ＳｉＯが０．１原子俤となるようにした
ＢＥ を含むテトラメロ チルジシラン トルとした。
つぎに、この入力側電極に１３．５６ ＭＮ７．３０Ｗ
の四周ｌｌ電力を印加して系内にプラズマを発生させて
、このＳＱＯ□電極上にＢドーグされたｐ型の５ＩＸＣ
１−Ｘ層を１８０＾の厚さで成形し、この上ｌ二同様の
条件でＳｉＨ４のグラズマ処理ｌ二よるｉ型Ｓｉ層を６
０００１の厚さで、さらにその上にＰＨ３でドーグした
ｎ′型型土１層５ｏｏｉの厚さで堆積したのち、これに
アルミニウム層をＭＮさせて太陽電池を作り、これＣ二
ついての変換効率を測定したところ、これは６．７優の
値を示した。
の四周ｌｌ電力を印加して系内にプラズマを発生させて
、このＳＱＯ□電極上にＢドーグされたｐ型の５ＩＸＣ
１−Ｘ層を１８０＾の厚さで成形し、この上ｌ二同様の
条件でＳｉＨ４のグラズマ処理ｌ二よるｉ型Ｓｉ層を６
０００１の厚さで、さらにその上にＰＨ３でドーグした
ｎ′型型土１層５ｏｏｉの厚さで堆積したのち、これに
アルミニウム層をＭＮさせて太陽電池を作り、これＣ二
ついての変換効率を測定したところ、これは６．７優の
値を示した。
なお、この５ＩＸＣ１−Ｘ層のＸ値を測定するため一上
記の同じ条件で作成した５ｌＸｃ１−Ｘ層について電子
分光分析を行なったところ、このＸ値は０．３６であっ
た。
記の同じ条件で作成した５ｌＸｃ１−Ｘ層について電子
分光分析を行なったところ、このＸ値は０．３６であっ
た。
実施例２〜１０
実施例１と同様の装置を使用し一第１表に示したように
有機けい素化合物の種類、導入量−キャリヤーガスの組
成、８人量を変えて同様の条件下でプラズマ処理を行な
ってガラス−透明電極−ｐ型５ｉｘＯ１−−−ｉ型Ｓ１
層−ｎ型Ｓ１層−Ａｔ＊極からなる太陽電池を作り、そ
の特性をしらべたところ一第１表に併記したような結果
力を得られた。
有機けい素化合物の種類、導入量−キャリヤーガスの組
成、８人量を変えて同様の条件下でプラズマ処理を行な
ってガラス−透明電極−ｐ型５ｉｘＯ１−−−ｉ型Ｓ１
層−ｎ型Ｓ１層−Ａｔ＊極からなる太陽電池を作り、そ
の特性をしらべたところ一第１表に併記したような結果
力を得られた。
実施例１１
第３図に示した装置を使用し、このアース電極上ｌ二厚
さ１酬のステンレス板を固足して２００℃ｌ二加熱し一
内圧を０，１トルにまで真窄排気してからキャリヤーガ
スとしての８２／Ａｒ＝ｌ／１（容量比）のガスを導入
して内圧を０．２５）ルとし一ついでここにＢ２Ｈ６を
１モル係含有するＳｉＨ４ガスを導入して内圧を０．４
トルとした。
さ１酬のステンレス板を固足して２００℃ｌ二加熱し一
内圧を０，１トルにまで真窄排気してからキャリヤーガ
スとしての８２／Ａｒ＝ｌ／１（容量比）のガスを導入
して内圧を０．２５）ルとし一ついでここにＢ２Ｈ６を
１モル係含有するＳｉＨ４ガスを導入して内圧を０．４
トルとした。
つぎｌ二、この入力側電極に１３．５４３ ＭＨｚ、５
０Ｗの高周波電力を印加して系内Ｃニグラズマを発生さ
せて、このステンレス板上ζ二約２０ＯＡのｐ型Ｓ１層
を作ってから−この上にドーグしていないＳｉＨ４の導
入Ｃ：よって１型Ｓ１層５０００λを堆積させ−さら（
二この上Ｃ二ＰＨ４を１．０モル含有すな導入し同様に
処理してｚ５ｏＸのｎ坐ＳｉｘＣ１−ｘ層を形成させた
のち、これにＩＴＯ膜を電子ビーム蒸着で付着させて太
陽電池を作り、この変換効率を測定したところ−これは
７．１％の値を示した。
０Ｗの高周波電力を印加して系内Ｃニグラズマを発生さ
せて、このステンレス板上ζ二約２０ＯＡのｐ型Ｓ１層
を作ってから−この上にドーグしていないＳｉＨ４の導
入Ｃ：よって１型Ｓ１層５０００λを堆積させ−さら（
二この上Ｃ二ＰＨ４を１．０モル含有すな導入し同様に
処理してｚ５ｏＸのｎ坐ＳｉｘＣ１−ｘ層を形成させた
のち、これにＩＴＯ膜を電子ビーム蒸着で付着させて太
陽電池を作り、この変換効率を測定したところ−これは
７．１％の値を示した。
なお−この５ｉＸＯ，−についてのＸ値を実施例１と同
様Ｃ二して測定したところ、これは０，５６であった。
様Ｃ二して測定したところ、これは０，５６であった。
実施例１２〜１７
実施例１１における有機けい素化合物の柿類。
導入量、キャリヤーガスの組成、導入量を第２表のよう
に変え一同様Ｃ二処理してステンレス板−ｐ型Ｓｉｌ曽
−１型８１層−ｎ型５ｉＸＯ，−１層−透明電極層から
なる太陽電池を作り−これらの変換効率をしらべたとこ
ろ一第２ｆｉｌ＝併記したとおりの結果が得られた。
に変え一同様Ｃ二処理してステンレス板−ｐ型Ｓｉｌ曽
−１型８１層−ｎ型５ｉＸＯ，−１層−透明電極層から
なる太陽電池を作り−これらの変換効率をしらべたとこ
ろ一第２ｆｉｌ＝併記したとおりの結果が得られた。
第１図、第２図は本発明方法で作った５ＩＸＣ１−Ｘ層
を有する太陽電池の縦断面要因で、第１図はｐ型層を受
光面とするもの一第２図はｎ型層を受光面とするもので
あり一第３図は本発明方法を実施するためのグラズマ反
応装置の縦断面要因を示したものである。 １・・・ガラス層、 ２’−１５・・・透明電極層、３
−、型５ｉＸＣ１□層−４−１３−ｉ型ｓ１層。 ５・・・ｎ型８ｉ層、６−Ｉ＋・・・電極層、１２・・
’ｐ型型土１層−１４−ｎ型５ｉｘＯ，−Ｘ層−３１・
・・プラズマ反応器−３２・・・真空ボンダ、３８・・
・基体−３９・・−ヒーター。 ４０・・・高周波電源、 ４．ｔ、、４４−４６・・・
容器。 特許出願人 信越化学工業株式会社
を有する太陽電池の縦断面要因で、第１図はｐ型層を受
光面とするもの一第２図はｎ型層を受光面とするもので
あり一第３図は本発明方法を実施するためのグラズマ反
応装置の縦断面要因を示したものである。 １・・・ガラス層、 ２’−１５・・・透明電極層、３
−、型５ｉＸＣ１□層−４−１３−ｉ型ｓ１層。 ５・・・ｎ型８ｉ層、６−Ｉ＋・・・電極層、１２・・
’ｐ型型土１層−１４−ｎ型５ｉｘＯ，−Ｘ層−３１・
・・プラズマ反応器−３２・・・真空ボンダ、３８・・
・基体−３９・・−ヒーター。 ４０・・・高周波電源、 ４．ｔ、、４４−４６・・・
容器。 特許出願人 信越化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非晶質シリコン光電素子のｐ層、ｎ層の少なくとも
一方を１分子中（１少なくとも１グの”５ＳｉＨ結合を
もつ有機けい素化合物のプラズマ気相沈積法で得た式
５ｉｎ（ここにＸＸしＸ は０．２〜０．８）で示される非晶質炭化けい素として
なることを特徴とする太陽電池用窓枠材の製造方法 ２、有機けい素化合物が一般式（ＯＨ３）ａＳｉｂＨｏ
（ここにｂ＝１〜ｌ ２ｂ＋１≧ａ≧１−２ｂ＋１≧Ｃ
≧１ ＋ ａ＋ｃ＝２ ｂ＋２ ）で示されるメチルハ
イドロジエンシランである特許請求の範囲第１項記載の
太陽電池用窓枠材の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039471A JPS59165468A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 太陽電池用窓枠材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039471A JPS59165468A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 太陽電池用窓枠材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165468A true JPS59165468A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH0572739B2 JPH0572739B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=12553976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039471A Granted JPS59165468A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 太陽電池用窓枠材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113482A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2001291883A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Tdk Corp | 光起電力素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3041659U (ja) * | 1997-03-19 | 1997-09-22 | わかばプランニング株式会社 | メールオーダー封筒セット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892217A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
-
1983
- 1983-03-10 JP JP58039471A patent/JPS59165468A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892217A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113482A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2001291883A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Tdk Corp | 光起電力素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572739B2 (ja) | 1993-10-12 |
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