JPS591679A - エツチング液の制御管理方法 - Google Patents
エツチング液の制御管理方法Info
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- JPS591679A JPS591679A JP10924782A JP10924782A JPS591679A JP S591679 A JPS591679 A JP S591679A JP 10924782 A JP10924782 A JP 10924782A JP 10924782 A JP10924782 A JP 10924782A JP S591679 A JPS591679 A JP S591679A
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- etching
- hydrochloric acid
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- etching solution
- solution
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は塩化銅エツチング液の制御管理方法に関し、銅
張り積層板などを能率よくかつ精度高くエツチングを行
なうことができる様にエツチング液を効果的に制御、管
理する方法に係る。
張り積層板などを能率よくかつ精度高くエツチングを行
なうことができる様にエツチング液を効果的に制御、管
理する方法に係る。
従来、銅及び銅合金をエツチングする際、エツチング液
として塩化第二銅溶液が使用されることはよ（知られて
いる。該エツチング液によりエツチングを行う際、エツ
チング速度の急激な変化を起させることなく、エツチン
グ液の液組成濃度を一定に保って、エツチング速度の急
激な変化を起させないようにすることが重要である。こ
のエツチング速度を急激に変化させる因子は、液中の塩
化第一銅濃度、塩化第二銅濃度、塩酸濃度及び過酸化水
素濃度である。
として塩化第二銅溶液が使用されることはよ（知られて
いる。該エツチング液によりエツチングを行う際、エツ
チング速度の急激な変化を起させることなく、エツチン
グ液の液組成濃度を一定に保って、エツチング速度の急
激な変化を起させないようにすることが重要である。こ
のエツチング速度を急激に変化させる因子は、液中の塩
化第一銅濃度、塩化第二銅濃度、塩酸濃度及び過酸化水
素濃度である。
従来、これらの濃度を制御する方法として、塩化第一銅
の濃度は、ＯＦ２計、定電位電解計、比色計で検出し、
過酸化水素及び再生理論量の塩酸を過酸化水素補充量と
比例させて直接エツチング槽又は再生槽のエツ＋７１ｆ
ｉｃ補充Ｌ、また、塩化第二銅の濃度は比重計で検出し
、水または塩酸を補充することにより一般に制御されて
いた。この様に従来は液中の塩化第−銅及び塩化第二銅
の濃度のみを検出する方法で制御、管理されていた。
の濃度は、ＯＦ２計、定電位電解計、比色計で検出し、
過酸化水素及び再生理論量の塩酸を過酸化水素補充量と
比例させて直接エツチング槽又は再生槽のエツ＋７１ｆ
ｉｃ補充Ｌ、また、塩化第二銅の濃度は比重計で検出し
、水または塩酸を補充することにより一般に制御されて
いた。この様に従来は液中の塩化第−銅及び塩化第二銅
の濃度のみを検出する方法で制御、管理されていた。
しかしながらこの様な制御、管理方法ではエツチング液
中の塩酸濃度が直接検出されず、補充される過酸化水素
と塩酸とのバランスがくずれ易く、一定した塩酸濃度が
得難く、このため一定の精度を保ってエツチングするこ
とが出来短い欠点があった。特に近年、−エツチング速
度を高め、生産性を上げる必要から遊離塩酸濃度を２〜
６モル／１程度の高塩酸濃度として使用さ＃Ｌることか
多い。たとえばプリント回路基板等の処理量、回路パタ
ーンの密度などが変動すると副反応の空気酸化による塩
酸の消費割合が変化し、浴の塩酸濃度が変化するためで
、たとえば高濃ル塩酸浴では、塩酸が２．５モル／看か
ら４．５モル／看まで変動するとエツチング速度は２８
μｍ／分から５０μｍ／分まで変動する。このように塩
酸濃度の変化によるエツチング速度のバラツキが激しく
、大きな問題となって来ている。
中の塩酸濃度が直接検出されず、補充される過酸化水素
と塩酸とのバランスがくずれ易く、一定した塩酸濃度が
得難く、このため一定の精度を保ってエツチングするこ
とが出来短い欠点があった。特に近年、−エツチング速
度を高め、生産性を上げる必要から遊離塩酸濃度を２〜
６モル／１程度の高塩酸濃度として使用さ＃Ｌることか
多い。たとえばプリント回路基板等の処理量、回路パタ
ーンの密度などが変動すると副反応の空気酸化による塩
酸の消費割合が変化し、浴の塩酸濃度が変化するためで
、たとえば高濃ル塩酸浴では、塩酸が２．５モル／看か
ら４．５モル／看まで変動するとエツチング速度は２８
μｍ／分から５０μｍ／分まで変動する。このように塩
酸濃度の変化によるエツチング速度のバラツキが激しく
、大きな問題となって来ている。
本発明者らは、上記した如きのエツチング速度のバラツ
キをなくシ、精度よくエツチングするためにエツチング
液の液組成濃度の管理制御方法について種々検討を重ね
、エツチング液中の塩酸濃度を直接検出し、これにより
液組成の濃度を管理制御する方法を見出した。
キをなくシ、精度よくエツチングするためにエツチング
液の液組成濃度の管理制御方法について種々検討を重ね
、エツチング液中の塩酸濃度を直接検出し、これにより
液組成の濃度を管理制御する方法を見出した。
すなわち、本発明は、塩化銅エツチング液に塩酸及び過
酸化水素を添加して再生するｔこ踪し、エツチング槽、
検出槽、杓生槽等を備えたエツチング装置からエツチン
グ液の一部を系外に抜き出し該液を水またはアルカリ水
で稀釈し、該液の塩酸濃度を連続的又は間欠的に検知し
、予め設定された塩酸濃度範囲に対応してエツチング装
置の一部に水または塩酸を補充し、エツチング液中の塩
酸濃度を制御することを特徴とするエツチング液の制御
管理方法である。
酸化水素を添加して再生するｔこ踪し、エツチング槽、
検出槽、杓生槽等を備えたエツチング装置からエツチン
グ液の一部を系外に抜き出し該液を水またはアルカリ水
で稀釈し、該液の塩酸濃度を連続的又は間欠的に検知し
、予め設定された塩酸濃度範囲に対応してエツチング装
置の一部に水または塩酸を補充し、エツチング液中の塩
酸濃度を制御することを特徴とするエツチング液の制御
管理方法である。
本発明の方法ｔこより、エツチング液中の塩酸濃度のバ
ラツキが少なくなり過酸化水素と塩酸とのバランスを一
定に保持することができ、安定したエツチングを長期間
にわたって行なうことができる。
ラツキが少なくなり過酸化水素と塩酸とのバランスを一
定に保持することができ、安定したエツチングを長期間
にわたって行なうことができる。
本発明方法においてＤＨ計の指示により応答、制御する
場合は、通猟エツチング液中のＨＣｐ濃度が１〜６モル
／４であること及びｐＨ計の特ｆ１を考慮してぷ釈倍率
は２〜２００倍、好ましくは５〜１００倍である。これ
によって測定治中のｐＨを±０．０３以内ｔこ粘さえ、
またサンプリング誤差を±５％以内におさえる事ができ
、エツチング液中のＨＣ−ｅＩ１１度を設定値の±５％
以内で管理することが可能である。
場合は、通猟エツチング液中のＨＣｐ濃度が１〜６モル
／４であること及びｐＨ計の特ｆ１を考慮してぷ釈倍率
は２〜２００倍、好ましくは５〜１００倍である。これ
によって測定治中のｐＨを±０．０３以内ｔこ粘さえ、
またサンプリング誤差を±５％以内におさえる事ができ
、エツチング液中のＨＣ−ｅＩ１１度を設定値の±５％
以内で管理することが可能である。
一方滴定法ｔこよる場合は、回分操作によるアルカリの
サンプリング誤差及び滴定誤差の総和を±５９６＃こお
さえてエツチング液中のＨＣ−ｇ 濃度を設定値の±５
％以内で管理することができ温度に設定して行っても適
用することが出来るが、検出液の温度変化による誤差を
減少させるためには温度補償電極や恒温槽を用いる事に
より一定の温度条件として測定することが好ましい。滴
定法には、たとえばｐＨ計を用いる電位差滴定、又はサ
ーミスタを用いる温度滴定などが適用できる。
サンプリング誤差及び滴定誤差の総和を±５９６＃こお
さえてエツチング液中のＨＣ−ｇ 濃度を設定値の±５
％以内で管理することができ温度に設定して行っても適
用することが出来るが、検出液の温度変化による誤差を
減少させるためには温度補償電極や恒温槽を用いる事に
より一定の温度条件として測定することが好ましい。滴
定法には、たとえばｐＨ計を用いる電位差滴定、又はサ
ーミスタを用いる温度滴定などが適用できる。
希釈する液は水又はアルカリ水を用いる。アルカリ水は
カセイソーダ、カセイカリ、炭酸ソーダ等の０．０１〜
ｉ ｏ ｏ ｆ／４３の水溶液の一定濃度液が用いられ
る。
カセイソーダ、カセイカリ、炭酸ソーダ等の０．０１〜
ｉ ｏ ｏ ｆ／４３の水溶液の一定濃度液が用いられ
る。
アルカリ水溶液を用いると希釈計量槽やポンプ等の装置
が小型化でき、また希釈倍率も２〜５０倍と低倍率にす
ることができて、サンプリング誤差及び測定誤差を小さ
くすることができるＯ 滴定に用いるアルカリは、カセイソーダ、カセイカリ、
炭酸ソーダ等の１０〜２００ ｆｌ／−８の水溶液の一
定濃度液が用いられる。
が小型化でき、また希釈倍率も２〜５０倍と低倍率にす
ることができて、サンプリング誤差及び測定誤差を小さ
くすることができるＯ 滴定に用いるアルカリは、カセイソーダ、カセイカリ、
炭酸ソーダ等の１０〜２００ ｆｌ／−８の水溶液の一
定濃度液が用いられる。
エツチング液の塩酸濃度を検出する場所は、エツチング
槽から排出され、再生槽−こ入るまで、あるいは再生槽
からエツチング槽重こ入るまでのいずれの場所でもよい
。エツチング液の老化状態を適格に検出するにはエツチ
ング槽から排出されて来る液を検出するのが好ましく、
エツチングに好適な塩酸濃度を微調整する場合は再生槽
からエツチング槽に入るまでの過程で検出するのが好ま
しい。エツチング槽から排出され再生槽に入るまでの液
の濃度を検出する場合は連続的ｔこ行なえるが、再生槽
からエツチング槽に入るまでの過程で検出する場合は検
出すべき液中１こ過酸化水素が相当に含まれ−ているこ
とがら気泡が発生し、サンプリング誤差が生じ易いので
、たとえば３０ｐｐｍ を超える過酸化水素が存在す
る場合は間欠的に検出する様１こするのが好ましい。
槽から排出され、再生槽−こ入るまで、あるいは再生槽
からエツチング槽重こ入るまでのいずれの場所でもよい
。エツチング液の老化状態を適格に検出するにはエツチ
ング槽から排出されて来る液を検出するのが好ましく、
エツチングに好適な塩酸濃度を微調整する場合は再生槽
からエツチング槽に入るまでの過程で検出するのが好ま
しい。エツチング槽から排出され再生槽に入るまでの液
の濃度を検出する場合は連続的ｔこ行なえるが、再生槽
からエツチング槽に入るまでの過程で検出する場合は検
出すべき液中１こ過酸化水素が相当に含まれ−ているこ
とがら気泡が発生し、サンプリング誤差が生じ易いので
、たとえば３０ｐｐｍ を超える過酸化水素が存在す
る場合は間欠的に検出する様１こするのが好ましい。
また温度滴定を行なう場合ｔこけエツチング槽と再生槽
の中間のエツチング槽から排出される液を検出する。補
充用の塩酸を話加する場所もエツチング装置のいずれで
もよいが、一般的には再生槽あるいｔまエツチング槽に
添加される。
の中間のエツチング槽から排出される液を検出する。補
充用の塩酸を話加する場所もエツチング装置のいずれで
もよいが、一般的には再生槽あるいｔまエツチング槽に
添加される。
本発明の方法を実施する場合、具体的には、ｐＨ値又は
電位値の指示又は滴定値に応答して自動的に塩酸槽から
エツチング液に塩酸が所定音添加される杼に、電磁弁、
室部ポンプ、タイマーｊｃどを作動させる方式がとられ
るなど自動なお本発明の方法は、従来のＯＲＰ計や、定
電位電解計、比色計で塩化第１銅濃度を検知して、過酸
化水素を補充する際ｔこ過酸化水素補充量と比例させて
一定量の塩酸を補充せしめる方法に加えて本発明の方法
により微調察知の塩酸と水を補充せしめることができる
。また過酸化水素の補充をＯＲＰ計や定電位電解計、比
色計で行い、塩酸の補充は別に本発明の方法で行うこと
も可能である。
電位値の指示又は滴定値に応答して自動的に塩酸槽から
エツチング液に塩酸が所定音添加される杼に、電磁弁、
室部ポンプ、タイマーｊｃどを作動させる方式がとられ
るなど自動なお本発明の方法は、従来のＯＲＰ計や、定
電位電解計、比色計で塩化第１銅濃度を検知して、過酸
化水素を補充する際ｔこ過酸化水素補充量と比例させて
一定量の塩酸を補充せしめる方法に加えて本発明の方法
により微調察知の塩酸と水を補充せしめることができる
。また過酸化水素の補充をＯＲＰ計や定電位電解計、比
色計で行い、塩酸の補充は別に本発明の方法で行うこと
も可能である。
以上、未発明の方法によれば、塩化銅エツチング・液中
の塩化第二銅、塩化第一銅、及び過酸化水素濃度の影響
な受けることなく直接に塩酸濃度のみを精度よく検出、
制御し均一なエツチングを行わせることができる。
の塩化第二銅、塩化第一銅、及び過酸化水素濃度の影響
な受けることなく直接に塩酸濃度のみを精度よく検出、
制御し均一なエツチングを行わせることができる。
次に本発明の方法を実施例により説明する。
実施例 １
ＣｕＣ−ｇ２２モル／４、ＣｕＣ，８０、０１（−ル／
１３、Ｈ（１３モル／１３の組成からなるエツチング液
を循環使用し、再生槽を備えたスプレー型エツチングマ
シン（保有エツチング液ｔ３６ｏ４．循埠１１４００Ａ
／分）においてｐＨ電極（対照、補償も含む）、攪拌装
置及び希釈用液と原液挿入口を配した１０ＯａｔのｐＨ
測定槽に、エツチング液の循環路の一部ｔこ設けたバイ
パスから２＊／／ｍｉｎの流量でエツチング液を連続的
１こ抜き出し、希釈用水道水をｉ３０ｍｔ／ｍｉｎの流
ｔで同時に連続的にｐＨ測定槽に供給する。
１３、Ｈ（１３モル／１３の組成からなるエツチング液
を循環使用し、再生槽を備えたスプレー型エツチングマ
シン（保有エツチング液ｔ３６ｏ４．循埠１１４００Ａ
／分）においてｐＨ電極（対照、補償も含む）、攪拌装
置及び希釈用液と原液挿入口を配した１０ＯａｔのｐＨ
測定槽に、エツチング液の循環路の一部ｔこ設けたバイ
パスから２＊／／ｍｉｎの流量でエツチング液を連続的
１こ抜き出し、希釈用水道水をｉ３０ｍｔ／ｍｉｎの流
ｔで同時に連続的にｐＨ測定槽に供給する。
（なお運転前に電極の校正及び既知濃度のエツチング液
を流してｐＨ計の校正をしておいた）。
を流してｐＨ計の校正をしておいた）。
ｐＨ計の出力を液ｐＨとして１．３０±０．０２でコン
トロールされるようにｐＨメーターと補充液挿入電磁弁
が連動するようｔこした装置を用いて片面フェノール樹
脂銅張積層板（Ｃｕ箔３５μｍ１１）（計 ８００ｍ２
）のエツチングを５０℃±１℃、スプレー圧 １．３ｋ
Ｆ！％フンペアスピード ４ｍ／分で８−Ｈｒかけて行
なった。
トロールされるようにｐＨメーターと補充液挿入電磁弁
が連動するようｔこした装置を用いて片面フェノール樹
脂銅張積層板（Ｃｕ箔３５μｍ１１）（計 ８００ｍ２
）のエツチングを５０℃±１℃、スプレー圧 １．３ｋ
Ｆ！％フンペアスピード ４ｍ／分で８−Ｈｒかけて行
なった。
この結果ｐＨｆｌｉ”動は少なく均一なエツチング速度
が（（！られ、エツチング不良は全く起とらなかつた。
が（（！られ、エツチング不良は全く起とらなかつた。
この場合の液中の塩酸濃度及びｐＨの経時変化を第１図
に示す。
に示す。
なお比較のため従来方法による検出法での塩酸の濃度変
化を併記した。
化を併記した。
実施例 ２
実施例１と同様な組成のエツチング液を用いたエツチン
グマシンにおいて循環するエツチング液の一部を間欠的
に４紅／回抜き出し、これを１５０ｍｇの水で混合希釈
しｐＨを測定し、実施例１と同様に検知されたｐＨ指示
値に基づき塩酸又は水を供給する電磁弁を作動させ塩酸
または水を補充した。間欠的な抜き出しは１サイクル５
分で行なった。この制御方法１こよって実施例１と同一
条件で銅張積層板（計 ８０２１１１２）のエツチング
を８Ｈｒおこなったが廖酸濃度のバラツキは設定値の±
４９６であり、一定したエツチング仕上りが行なえた。
グマシンにおいて循環するエツチング液の一部を間欠的
に４紅／回抜き出し、これを１５０ｍｇの水で混合希釈
しｐＨを測定し、実施例１と同様に検知されたｐＨ指示
値に基づき塩酸又は水を供給する電磁弁を作動させ塩酸
または水を補充した。間欠的な抜き出しは１サイクル５
分で行なった。この制御方法１こよって実施例１と同一
条件で銅張積層板（計 ８０２１１１２）のエツチング
を８Ｈｒおこなったが廖酸濃度のバラツキは設定値の±
４９６であり、一定したエツチング仕上りが行なえた。
実施例 ３
実施例１と同一組成のエツチング液を用い、エツチング
槽、再生槽を備えエツチング液が循環するエツチングマ
シンにおいて循環スるエツチング液を間欠的に４＃ｊ／
回抜き出し、これに１ｓ ｏｍｔｒｒＮａＯＨ水を添加
混合、希釈しｐＨを測定した。ｐｌｌの設定値を４ 、
−０ （ＨＣ−ｇの中和点）としそれ以上の場合、補充
用水槽に設けた電磁弁を開口し、逆に４．０以下の場合
補充用塩酸槽の電磁弁を開口する様にした。この制御方
法ｔこよって銅張積層板（ｔ１８０１ｍ２ ）のエツチ
ングを８Ｈｒおこなったが塩酸濃度のバラツギは設定値
の±３９６以内であり一定したエツチングを行なうこと
ができた。
槽、再生槽を備えエツチング液が循環するエツチングマ
シンにおいて循環スるエツチング液を間欠的に４＃ｊ／
回抜き出し、これに１ｓ ｏｍｔｒｒＮａＯＨ水を添加
混合、希釈しｐＨを測定した。ｐｌｌの設定値を４ 、
−０ （ＨＣ−ｇの中和点）としそれ以上の場合、補充
用水槽に設けた電磁弁を開口し、逆に４．０以下の場合
補充用塩酸槽の電磁弁を開口する様にした。この制御方
法ｔこよって銅張積層板（ｔ１８０１ｍ２ ）のエツチ
ングを８Ｈｒおこなったが塩酸濃度のバラツギは設定値
の±３９６以内であり一定したエツチングを行なうこと
ができた。
実施例 ４
実施例１と同一組成のエツチング液からなり、実施例１
におけると同様のエツチングマシンにおいて間欠的にエ
ツチング液を５ ｔｎｌ抜き出し、％規定のＫＯＨ水溶
液を用い、サーミスタを用いた温度滴定装置で滴定した
。設定値以上の測定値になった時補充する水槽、の電磁
弁が開となる様に、逆に設定値以下になった時補充する
塩酸槽の電磁弁が開とｔ「る様シこした。この制御方法
を用いて、銅張ｔ＃層板（計 ８０２ｍ２）のエツチン
グを８Ｈｒおこなったが塩［１度のバラツキは設定値の
±５％以内であり一定したエツチングがおこなえた。
におけると同様のエツチングマシンにおいて間欠的にエ
ツチング液を５ ｔｎｌ抜き出し、％規定のＫＯＨ水溶
液を用い、サーミスタを用いた温度滴定装置で滴定した
。設定値以上の測定値になった時補充する水槽、の電磁
弁が開となる様に、逆に設定値以下になった時補充する
塩酸槽の電磁弁が開とｔ「る様シこした。この制御方法
を用いて、銅張ｔ＃層板（計 ８０２ｍ２）のエツチン
グを８Ｈｒおこなったが塩［１度のバラツキは設定値の
±５％以内であり一定したエツチングがおこなえた。
比較例 １
実施例１と同一組成からなるエツチング液を循環使用す
る従来のエツチングマシン（ＯＲＰ計及び比重計制御方
式）において実施例１と同一条件で−張り積層板（計
７９５ｍ２）のエツチングを８Ｈｒおこなった。
る従来のエツチングマシン（ＯＲＰ計及び比重計制御方
式）において実施例１と同一条件で−張り積層板（計
７９５ｍ２）のエツチングを８Ｈｒおこなった。
３Ｈｒ経過した所で塩酸濃度は２．６モル／刃となりエ
ツチング不足が生じ始めた。Ｈ２Ｏ２濃度検知による補
充液の過酸化水素と塩酸とのｆ比を１対２．４から１対
２．８へ変えてエツチングを行ったところ７Ｈｒ経過し
た所でオーバーエツチングが生じ始めた。８Ｈｒ運転後
の塩酸濃度を測定した所４．１モル／看もあった。
ツチング不足が生じ始めた。Ｈ２Ｏ２濃度検知による補
充液の過酸化水素と塩酸とのｆ比を１対２．４から１対
２．８へ変えてエツチングを行ったところ７Ｈｒ経過し
た所でオーバーエツチングが生じ始めた。８Ｈｒ運転後
の塩酸濃度を測定した所４．１モル／看もあった。
第１図は、エツチング液中の塩酸濃度及びｐＨの経時変
化を示す。１は本発明方誌により制御した場合の塩酸の
濃度変化を示ｔ１２は従来方法による場合の塩酸の濃度
変化を示す。 特￥［出願人 三菱瓦斯化学株式会社代表者 長野和
書 ＠ト＋嶽衆奄Ｃ蝉漬◆１呵霞璽
化を示す。１は本発明方誌により制御した場合の塩酸の
濃度変化を示ｔ１２は従来方法による場合の塩酸の濃度
変化を示す。 特￥［出願人 三菱瓦斯化学株式会社代表者 長野和
書 ＠ト＋嶽衆奄Ｃ蝉漬◆１呵霞璽
Claims (1)
- 塩化銅エツチング液に塩酸及−び過酸化水素を添加して
再生するに際し、エツチング槽、検出槽、再生槽等を備
えたエツチング装置からエツチング液の一部を系外に抜
き出し該液を水またはアルカリ水で稀釈し、該液の塩酸
濃度を連続的又は間欠的に検知し、予め設定された塩酸
濃度範囲に対応してエツチング装置の一部に水または塩
酸を補充し、エツチング液中の塩酸濃度を制御すること
を特徴とするエツチング液の制御管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10924782A JPS591679A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | エツチング液の制御管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10924782A JPS591679A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | エツチング液の制御管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS591679A true JPS591679A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0158270B2 JPH0158270B2 (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=14505338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10924782A Granted JPS591679A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | エツチング液の制御管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591679A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144499U (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-24 | 株式会社タダノ | 屈伸機構の作動制御装置 |
| JPS6159300U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | ||
| JPS61217500A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | 新明和工業株式会社 | 作業車の作動制御装置 |
| JPS6462483A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-08 | Ibm | Regeneration of metal-containing acidic solution |
| JPH0665763A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-08 | Tsurumi Soda Co Ltd | エッチング廃液処理装置 |
| JPH08269747A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Nippon Aqua Kk | エッチング液の再生方法およびエッチング液 |
| JP2011522395A (ja) * | 2008-01-11 | 2011-07-28 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド | バイア内の導電性コア上に電着コーティングを有する回路ボードおよびその作製方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10924782A patent/JPS591679A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144499U (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-24 | 株式会社タダノ | 屈伸機構の作動制御装置 |
| JPS6159300U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | ||
| JPS61217500A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | 新明和工業株式会社 | 作業車の作動制御装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158270B2 (ja) | 1989-12-11 |
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