JPS59171302A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPS59171302A JPS59171302A JP58046212A JP4621283A JPS59171302A JP S59171302 A JPS59171302 A JP S59171302A JP 58046212 A JP58046212 A JP 58046212A JP 4621283 A JP4621283 A JP 4621283A JP S59171302 A JPS59171302 A JP S59171302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- low frequency
- oscillation
- frequency region
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は無線通信装置に使用する低雑音の発振器に関す
るものである。
るものである。
従来例の構成とその問題点
近年、自動上電話をはじめとして移動無線装置に対する
多チャネル化の要求が高１す、これにともない従来の水
晶発振回路にかわって高純度の従って低雑音の５０発振
器を用いた周波数シンセザ２ヘージ イザが用いられるようになった。
多チャネル化の要求が高１す、これにともない従来の水
晶発振回路にかわって高純度の従って低雑音の５０発振
器を用いた周波数シンセザ２ヘージ イザが用いられるようになった。
第１図は従来のＬＣ発振器を示しでいる。第１図におい
て、１は電源人力、２はバイパスコンデンサであり、３
，４．５はバイアス抵抗、６は能動素子と１７での発振
用トランジスタである。７は発振用コイル、８，９．１
０は発振用コンデンサであり、前記発振用トランジスタ
、発振用コイル。
て、１は電源人力、２はバイパスコンデンサであり、３
，４．５はバイアス抵抗、６は能動素子と１７での発振
用トランジスタである。７は発振用コイル、８，９．１
０は発振用コンデンサであり、前記発振用トランジスタ
、発振用コイル。
発振用コンデンサで、コｌ／クタ接地タラップ発振回路
を構成している。１１は出力用の結合コンデンサ、１２
は出力端子である。
を構成している。１１は出力用の結合コンデンサ、１２
は出力端子である。
との従来の発振器では、共振回路のＱが高々数１００で
あるだめ、発振用トランジスタ６およびバイアス抵抗３
、４． 、５で発生する雑音成分を共振回路で除去で
きないため、水晶発振回路に比較Ｉ〜でギヤリア近傍の
ノイズが非常に大きいという欠点があり、無線装置に使
用した場合、近接するチャネルに妨害を与える一因とな
っていた。
あるだめ、発振用トランジスタ６およびバイアス抵抗３
、４． 、５で発生する雑音成分を共振回路で除去で
きないため、水晶発振回路に比較Ｉ〜でギヤリア近傍の
ノイズが非常に大きいという欠点があり、無線装置に使
用した場合、近接するチャネルに妨害を与える一因とな
っていた。
発明の目的
本発明は、上記欠点を除去するものであり、Ｃ，＃ （
キャリアレベルとノイズレベルの比）＠３・・−ジ 性の改善により、低雑音化を図り近接チャネル妨害特性
を向上させることを目的とするものである。
キャリアレベルとノイズレベルの比）＠３・・−ジ 性の改善により、低雑音化を図り近接チャネル妨害特性
を向上させることを目的とするものである。
発明の構成
本発明は高Ｃ／Ｎ特性を達成するために、発振用リアク
タンス素子（ＬＣ直列共振回路）と並列に、発振周波数
領域では十分にインピダンスが高く、低周波領域では十
分にインビダンスが低い素子を接続し、抵抗及び能動素
子から発生する低周波ノイズをショート状態とするよう
に構成したことを特徴とするものである。
タンス素子（ＬＣ直列共振回路）と並列に、発振周波数
領域では十分にインピダンスが高く、低周波領域では十
分にインビダンスが低い素子を接続し、抵抗及び能動素
子から発生する低周波ノイズをショート状態とするよう
に構成したことを特徴とするものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例について説明する。第２図は本発
明の一実施例を示し、第２図において、１３はインダク
タンス素子としての高周波チョークコイル、１４は低周
波領域まで十分にインピダンスが低い低周波バイパス素
子としてのバイパスコンデンサであり、このチョークコ
イル１３とバイパスコンデンサ１４は直列に接続されて
おり、高周波領域では十分にインピダンスが高く、低周
波領域では十分にインピダンスが低い回路を構成してい
る。他の第１図と同様な符号は同一の構成要素を表わす
。
明の一実施例を示し、第２図において、１３はインダク
タンス素子としての高周波チョークコイル、１４は低周
波領域まで十分にインピダンスが低い低周波バイパス素
子としてのバイパスコンデンサであり、このチョークコ
イル１３とバイパスコンデンサ１４は直列に接続されて
おり、高周波領域では十分にインピダンスが高く、低周
波領域では十分にインピダンスが低い回路を構成してい
る。他の第１図と同様な符号は同一の構成要素を表わす
。
次に上記実施例の動作について説明する。チョークコイ
ル１３とバイパスコンデンサ１４を直列に接続した回路
を発振用コンデンサ８とトランジスタ６の接続点ａとア
ース間に挿入することにより、バイアス抵抗３，４で発
生するノイズにより発振回路が変調をうけるのをさける
と同時に、等測的に低周波領域でトランジスタ６のコレ
クタからベースに負帰還をかけることができ、これによ
りＣ／Ｎ特性を向上させることができる。
ル１３とバイパスコンデンサ１４を直列に接続した回路
を発振用コンデンサ８とトランジスタ６の接続点ａとア
ース間に挿入することにより、バイアス抵抗３，４で発
生するノイズにより発振回路が変調をうけるのをさける
と同時に、等測的に低周波領域でトランジスタ６のコレ
クタからベースに負帰還をかけることができ、これによ
りＣ／Ｎ特性を向上させることができる。
第３図に、第２図の実施例の等価回路を示す。
なお、第２図に示した構成で、コンデンサ１４の値は音
声帯域、例えば１ｋＨ２で十分低いインピーダンス（数
十オーム以下）に、またチョークコイル１３は発振周波
数で十分高いインピーダンス（数十キロオーム）を呈す
るようにそれぞれ選ぶと良い。
声帯域、例えば１ｋＨ２で十分低いインピーダンス（数
十オーム以下）に、またチョークコイル１３は発振周波
数で十分高いインピーダンス（数十キロオーム）を呈す
るようにそれぞれ選ぶと良い。
次に電圧制御発振器（ＶＣＯ）に適用した実施例を述べ
る。第４図は本発明を適用したＶＣＯの６ページ 一例であシ、１６は周波数制御用の電圧端子、１６は高
周波バイパスコンデンサ、１７は端子１６に入力する電
圧で制御される逆バイアス電圧で電極間容量が変化する
バラクタダイオード、１８はバラクタダイオード１７に
周波数制御電圧を与えるだめのチョークコイルである。
る。第４図は本発明を適用したＶＣＯの６ページ 一例であシ、１６は周波数制御用の電圧端子、１６は高
周波バイパスコンデンサ、１７は端子１６に入力する電
圧で制御される逆バイアス電圧で電極間容量が変化する
バラクタダイオード、１８はバラクタダイオード１７に
周波数制御電圧を与えるだめのチョークコイルである。
第６図に本発明を適用したＶＣＯと従来の発振回路を適
用したＶＣＯのＣ／Ｎ特性の実測例を示す。この例では
２００ＭＨ２帯のＶＣＯに本発明を適用し、チョークコ
イル１３として６０μＨ（２００ＭＨｚで６５にΩ）、
コンデンサ１４として１ｏμＦ（ＩＫＨｚで１６オーム
）を用いた場合、Ｃ／Ｎ特性が約８ｄＢ改善されること
を示している。
用したＶＣＯのＣ／Ｎ特性の実測例を示す。この例では
２００ＭＨ２帯のＶＣＯに本発明を適用し、チョークコ
イル１３として６０μＨ（２００ＭＨｚで６５にΩ）、
コンデンサ１４として１ｏμＦ（ＩＫＨｚで１６オーム
）を用いた場合、Ｃ／Ｎ特性が約８ｄＢ改善されること
を示している。
尚、ノイズレベルはキャリアから２５ＫＨ２離調点でバ
ンド１６ＫＨ２で評価した。第６図中実線は発振周波特
性、一点鎖線はＣ／Ｎ特性を示す。
ンド１６ＫＨ２で評価した。第６図中実線は発振周波特
性、一点鎖線はＣ／Ｎ特性を示す。
尚、本発明はＬＣ発振器のみならず水晶発振器に適用し
ても効果のあることは明白である。
ても効果のあることは明白である。
発明の効果
６ページ
本発明によれば、従来に比較してＣ／Ｎ％性を大幅に改
善することができ、自動車電話等の多チヤネル無線シス
テムに利用して隣接チャネル妨害を軽減することができ
る等、その工業的価値はきわめて犬である。
善することができ、自動車電話等の多チヤネル無線シス
テムに利用して隣接チャネル妨害を軽減することができ
る等、その工業的価値はきわめて犬である。
第１図は従来のＬＣ発振器の回路図、第２図は本発明の
一実施例におけるＬＣ発振器の回路図、第３図は第２図
の実施例の等価回路図、第４図は本発明の他の実施例に
おける発振器の回路図、第６図は本発明と従来の発振器
を応じたＶＣＯのＣ／Ｎ特性の比較図である。 １・・・・・・電源入力、２・・・・・・バイパスコン
デンサ、３．４．５・・・・・・バイアス抵抗、６・・
・・・・トランジスタ、７・・・・・・発振用コイル、
８，９．１０・・・・・・発振用コンデンサ、１１・・
・・・・結合コンデンサ、１２・・・・・・出力端子、
１３・・・・・・チョークコイル、１４・・・・・・バ
イパスコンデンサ、１６・・・・・・周波数制御端子、
１６・・・・・・バイパスコンデンサ、１７・・・・・
・バラクタダイオード、１８・・・・・・チョークコイ
ル。 ＠１図 特開昭５９−１７１３０２ （３） 第５図 ヨレ１−１ニ２１′ Ｗｊ；”：１ｌｊｆＩ＋
一実施例におけるＬＣ発振器の回路図、第３図は第２図
の実施例の等価回路図、第４図は本発明の他の実施例に
おける発振器の回路図、第６図は本発明と従来の発振器
を応じたＶＣＯのＣ／Ｎ特性の比較図である。 １・・・・・・電源入力、２・・・・・・バイパスコン
デンサ、３．４．５・・・・・・バイアス抵抗、６・・
・・・・トランジスタ、７・・・・・・発振用コイル、
８，９．１０・・・・・・発振用コンデンサ、１１・・
・・・・結合コンデンサ、１２・・・・・・出力端子、
１３・・・・・・チョークコイル、１４・・・・・・バ
イパスコンデンサ、１６・・・・・・周波数制御端子、
１６・・・・・・バイパスコンデンサ、１７・・・・・
・バラクタダイオード、１８・・・・・・チョークコイ
ル。 ＠１図 特開昭５９−１７１３０２ （３） 第５図 ヨレ１−１ニ２１′ Ｗｊ；”：１ｌｊｆＩ＋
Claims (1)
- 能動素子の入力端子とアースの間にＬＣ直列共振回路を
設け、前ンＬＣ直列共振回路に並列に発振周波数で前記
ＬＣ直列共振回路に比較（〜十分インピーダンスの高い
インダクタンス素子と低周波領域で前記ＬＣ直列共振回
路に比較し十分低インピーダンスの低周波バイパス素子
の直列回路を設けてなる発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046212A JPS59171302A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046212A JPS59171302A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171302A true JPS59171302A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12740786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046212A Pending JPS59171302A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171302A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165411U (ja) * | 1980-05-09 | 1981-12-08 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58046212A patent/JPS59171302A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165411U (ja) * | 1980-05-09 | 1981-12-08 |
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