JPS5917775A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPS5917775A JPS5917775A JP57126952A JP12695282A JPS5917775A JP S5917775 A JPS5917775 A JP S5917775A JP 57126952 A JP57126952 A JP 57126952A JP 12695282 A JP12695282 A JP 12695282A JP S5917775 A JPS5917775 A JP S5917775A
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- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換機能及び信号蓄積機能を有する固体素
子を平面マトリックス状に配置し、各固体素子を単一絵
素に対応させて撮像面を形成して、との撮像面を順次走
査することにより撮像面における映像情報を電気信号に
変換する撮像装置に関するものである。
子を平面マトリックス状に配置し、各固体素子を単一絵
素に対応させて撮像面を形成して、との撮像面を順次走
査することにより撮像面における映像情報を電気信号に
変換する撮像装置に関するものである。
近年、Ｓｉ基板を用いたＭＯＳイメージセンサ。
ＣＣＤ 、ＢＢＤイメージセンサ等の固体撮像装置が研
究され、一部は商品化されている。Ｓｉ を用いた固体
撮像装置は、強い光があたり励起されたキャリアが単一
絵素のポテンシャルの井戸の３１１こえると隣の絵素に
あふれ出す、いわゆるプルミ〜ング現象が問題点して残
っている。
究され、一部は商品化されている。Ｓｉ を用いた固体
撮像装置は、強い光があたり励起されたキャリアが単一
絵素のポテンシャルの井戸の３１１こえると隣の絵素に
あふれ出す、いわゆるプルミ〜ング現象が問題点して残
っている。
最近、Ｔ 、Ｍ、Ｇｅ＆ｒｙ （Ｂｅｌ ｌ Ｓｙｓｔ
ｅｍ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ Ｖｏｌ、５
８ Ｐ、４６７）にて強誘電体のｉ圧の動きにともなう
微小領域の電流によって光電変換さノしたイメージを走
査する固体撮像装置を提案している。この撮像装置はＳ
ｉ単結晶を用いた撮像装置とはスイッチングの原理が全
く異なり、前述したブルーミンクの心配はない。また複
雑な電極構成はいらない。しかし、この提案の構成のイ
メージセンサは各画素のスイッチング速度か遅く、現在
見つかっている最も適した誘電体を用いてもプレビジョ
ン画像のような高速の撮像装置としてｄ、使えない。
ｅｍ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ Ｖｏｌ、５
８ Ｐ、４６７）にて強誘電体のｉ圧の動きにともなう
微小領域の電流によって光電変換さノしたイメージを走
査する固体撮像装置を提案している。この撮像装置はＳ
ｉ単結晶を用いた撮像装置とはスイッチングの原理が全
く異なり、前述したブルーミンクの心配はない。また複
雑な電極構成はいらない。しかし、この提案の構成のイ
メージセンサは各画素のスイッチング速度か遅く、現在
見つかっている最も適した誘電体を用いてもプレビジョ
ン画像のような高速の撮像装置としてｄ、使えない。
本発明は、このような欠点を補いテレビジョン画像でも
撮像できる高速の撮像装置を提供するものである。
撮像できる高速の撮像装置を提供するものである。
捷ず、第１図で強訴電体の磁圧の動きを説明する。第１
図のごとく、両側に電極１，２を形成している強誘電体
３を考える。下向きの自発分極のる状態において、上部
に正の電界を印加することにより下向きの磁圧の領域４
が広がり、それにともない誘導、電流が電極２から電極
１に流れる。この誘導電流Ｉは Ｉ ＝２Ｐ − ５ｄｔ （１） ここで、Ｐｓ：自発分極 Ｓ ：下向きの自発分極の面積 であられされる。
図のごとく、両側に電極１，２を形成している強誘電体
３を考える。下向きの自発分極のる状態において、上部
に正の電界を印加することにより下向きの磁圧の領域４
が広がり、それにともない誘導、電流が電極２から電極
１に流れる。この誘導電流Ｉは Ｉ ＝２Ｐ − ５ｄｔ （１） ここで、Ｐｓ：自発分極 Ｓ ：下向きの自発分極の面積 であられされる。
この下向きの磁圧の幅をＷにとじ込めて一定にし長きＬ
だけが変化するようにすると Ｌ Ｉ＝２ＰＷ−（２） ’ ｄｔ Ｉ−２ＰＷＶ （３）ここで
、■ミーは磁圧の境界の速度である。
だけが変化するようにすると Ｌ Ｉ＝２ＰＷ−（２） ’ ｄｔ Ｉ−２ＰＷＶ （３）ここで
、■ミーは磁圧の境界の速度である。
ｄｔ
この磁圧は印加電圧を加えていきある電界Ｅ、に達する
と電界Ｅに比例した速度で広がる。すなわち、上記条件
下で αは定数 となる。、この様子を第２図に示す。
と電界Ｅに比例した速度で広がる。すなわち、上記条件
下で αは定数 となる。、この様子を第２図に示す。
（３）式と（４）式より、電界ＥがＥｔ以上になると磁
区の境界の移動により誘導電流が流れる。電界Ｅと誘導
電流は 式（３）と式（４）から Ｉ＝２Ｐ、Ｗα（Ｅ−Ｅｔ）（Ｅ２Ｅｔ） （５
）１ ：（２ＰｓＷα／ｄ）（Ｖ−Ｖｔ） （
６）Ｉ ■Ｖ ここでｄは強誘電体の厚さ、 ｖｔミＥｔ／ｄ 第３図のように強誘電体３の一方の電極１をアース。
区の境界の移動により誘導電流が流れる。電界Ｅと誘導
電流は 式（３）と式（４）から Ｉ＝２Ｐ、Ｗα（Ｅ−Ｅｔ）（Ｅ２Ｅｔ） （５
）１ ：（２ＰｓＷα／ｄ）（Ｖ−Ｖｔ） （
６）Ｉ ■Ｖ ここでｄは強誘電体の厚さ、 ｖｔミＥｔ／ｄ 第３図のように強誘電体３の一方の電極１をアース。
他面の周辺部電極６を負に、中央の電極２を正の電圧を
加えると下向きの磁区４か速度■で右側へ移し、移動に
ともなって電極２から誘導電流か流れ込む。式（６）か
られかるように、この磁区の境界がまわりに比べて実効
的に低抵抗の領域を形成し、移動していくので、各所を
次々とスイッチングしていることになる。
加えると下向きの磁区４か速度■で右側へ移し、移動に
ともなって電極２から誘導電流か流れ込む。式（６）か
られかるように、この磁区の境界がまわりに比べて実効
的に低抵抗の領域を形成し、移動していくので、各所を
次々とスイッチングしていることになる。
したがって第４図に示す構成にすると１次元のイメージ
センサとすることができる。すなわち、強誘電体３の上
に光導電層７をっけ、ザンドイッテ型に電極１ 、透明
電極８を形成する。透明電極８から光のイメージ９によ
って光導電層７の抵抗の強弱パターンとなる。強誘電体
層３に加わる電圧ｖＦＥ、光導電層７にかかる電圧ｖｐ
ｏの和は、印加電圧■８であるから ｖａ＝ＶＦＥ十Ｖｐ０ （
７）光の強いところで■ｐｏは小さくなり、一定の電圧
ｖａを加えているとｖＦＥは相対的に大きくなり、磁区
の移動速度■が大きくなり式（６）より、誘導電流工が
流れる。
センサとすることができる。すなわち、強誘電体３の上
に光導電層７をっけ、ザンドイッテ型に電極１ 、透明
電極８を形成する。透明電極８から光のイメージ９によ
って光導電層７の抵抗の強弱パターンとなる。強誘電体
層３に加わる電圧ｖＦＥ、光導電層７にかかる電圧ｖｐ
ｏの和は、印加電圧■８であるから ｖａ＝ＶＦＥ十Ｖｐ０ （
７）光の強いところで■ｐｏは小さくなり、一定の電圧
ｖａを加えているとｖＦＥは相対的に大きくなり、磁区
の移動速度■が大きくなり式（６）より、誘導電流工が
流れる。
１■ΔＶ ｐ ｃ （ｓ）も
し、誘導電流工を一定とするようにフィードバックして
、磁区の移動速度を一定とすると、”ＦＥも一定、しだ
がって、 ΔＶ −Δ■ｐｃ 即ち、光パターンの変化が時系列でΔｖａ の変化とし
て変換されることになる。
し、誘導電流工を一定とするようにフィードバックして
、磁区の移動速度を一定とすると、”ＦＥも一定、しだ
がって、 ΔＶ −Δ■ｐｃ 即ち、光パターンの変化が時系列でΔｖａ の変化とし
て変換されることになる。
己れを複−数個の電極ラインを並べて２次元のイメージ
センサとすることができる。このイメージセンサの走査
電極の平面図を示したのか第５図である。／フトシ・シ
スタ一部１Ｑは下向きの磁区を保持し７、ある特定の水
平ラインを選択する。７フトレジスタ一部１ｏによって
選択された信号読み（７３１，電極１１２の１水平ライ
ン上をシフトレジスタと同じ向きすなわち下向きの磁区
が走査される。
センサとすることができる。このイメージセンサの走査
電極の平面図を示したのか第５図である。／フトシ・シ
スタ一部１Ｑは下向きの磁区を保持し７、ある特定の水
平ラインを選択する。７フトレジスタ一部１ｏによって
選択された信号読み（７３１，電極１１２の１水平ライ
ン上をシフトレジスタと同じ向きすなわち下向きの磁区
が走査される。
この信号読み出し電極１１は、磁界が広がらないように
磁区とじ込め電極１２に負の電圧を印加している。この
ようにして１ラインの元パターンを読み出した後、シフ
トレジスタによって次の水平ラインを選択し、信号電流
を得る。このようにして２次元のイメージを時系列信号
に変換する。
磁区とじ込め電極１２に負の電圧を印加している。この
ようにして１ラインの元パターンを読み出した後、シフ
トレジスタによって次の水平ラインを選択し、信号電流
を得る。このようにして２次元のイメージを時系列信号
に変換する。
上記のイメージセンサの大きさの水平ラインの大きさは
最小約１０咽である。−力、強誘電体磁区の移動速度は
、最大で２ ｍ ／ｓｅｃであり、水平走、査に要する
時間は５ ｒＨ！ｌ＆ Ｔある一ＮＴＳＣのテレ１標準
力式の水平走査周期は約６０μ戴であり、通常のテレビ
用の撮像に１、使用できない。
最小約１０咽である。−力、強誘電体磁区の移動速度は
、最大で２ ｍ ／ｓｅｃであり、水平走、査に要する
時間は５ ｒＨ！ｌ＆ Ｔある一ＮＴＳＣのテレ１標準
力式の水平走査周期は約６０μ戴であり、通常のテレビ
用の撮像に１、使用できない。
本発明は、上記欠点に鑑み、標準テレビ方式の撮像に耐
えうる高速の撮像装置を提供するものである。
えうる高速の撮像装置を提供するものである。
以下本発明を実施例で説明する。
電界によって自発分極が移動する強誘電体例えばＣｄ２
（Ｍ２Ｏ３）３２０の下面に全面電極２１を形成し、対
向する而に４個の電極２２．２３，２４ 。
（Ｍ２Ｏ３）３２０の下面に全面電極２１を形成し、対
向する而に４個の電極２２．２３，２４ 。
２５を第６図ａ、第７図ａのように形成する。電極２２
は自発分極を保持する電位を与え、電極２３は電極２２
の自発分極の磁区を電極２３に伝達するトリガー電位を
与える電極であゃ、この電極２４は後述する光電変換膜
と接する電極である。第６図す、第７図すに示すように
電極２４を残して絶縁層２６を形成する。さらに電極２
４と接して電極２了を形成する。そして、第６図Ｃ，−
第７図Ｃに示すごとく高解度を有する光導電体２Ｂを形
成しさらに透明電極２９を形成する。電極２２〜２４を
囲む電極２５は常に電極２２の電圧と反対の極性の電圧
を与え自発分極の移動する範囲を１絵素内に限定するも
ので、磁区の移動範囲か電極２４のみで制御できれば電
極２６は必要ないが、通常ｉｊ：２６の存在する方が単
位絵素分の範囲を明確にするのに好都合である。
は自発分極を保持する電位を与え、電極２３は電極２２
の自発分極の磁区を電極２３に伝達するトリガー電位を
与える電極であゃ、この電極２４は後述する光電変換膜
と接する電極である。第６図す、第７図すに示すように
電極２４を残して絶縁層２６を形成する。さらに電極２
４と接して電極２了を形成する。そして、第６図Ｃ，−
第７図Ｃに示すごとく高解度を有する光導電体２Ｂを形
成しさらに透明電極２９を形成する。電極２２〜２４を
囲む電極２５は常に電極２２の電圧と反対の極性の電圧
を与え自発分極の移動する範囲を１絵素内に限定するも
ので、磁区の移動範囲か電極２４のみで制御できれば電
極２６は必要ないが、通常ｉｊ：２６の存在する方が単
位絵素分の範囲を明確にするのに好都合である。
このような第６図、第７図ＶＣ示す電極構成にし、下表
のような電位をａ、ｂ、ｃ、ｄと変化させると自発分極
は第８図ａ−ｄのように変化する。第８図ａ −ｄにお
いて破線に囲１れ／こ領域は電極２２による自発分極の
方向と同一の磁区を示す。
のような電位をａ、ｂ、ｃ、ｄと変化させると自発分極
は第８図ａ−ｄのように変化する。第８図ａ −ｄにお
いて破線に囲１れ／こ領域は電極２２による自発分極の
方向と同一の磁区を示す。
表
状態ａからｂ（ｃするには電極２３を止にすることによ
り磁区が電極２４ｋまで広がり、電極２４に電源からの
電流が流れ込む。この電流の大きさｔｌ、２４の電圧と
直線関係がある。次に電極２４を負にすると、第８図Ｃ
の様に磁区は戻りはじめ逆向きの電流が流れる。さらに
時間が経過すると第８図ｄのようになシ磁区は電極２２
の近辺に６み限定され、第８図ａの状態に戻る。
り磁区が電極２４ｋまで広がり、電極２４に電源からの
電流が流れ込む。この電流の大きさｔｌ、２４の電圧と
直線関係がある。次に電極２４を負にすると、第８図Ｃ
の様に磁区は戻りはじめ逆向きの電流が流れる。さらに
時間が経過すると第８図ｄのようになシ磁区は電極２２
の近辺に６み限定され、第８図ａの状態に戻る。
第６．７．８図に示す構造は、イメージセンサの一絵素
として使用することができる。したかつて、この構造と
外部の走査手段を用いると、１ライン」二に並んだ多く
の絵素を同時に操作することができ、１ラインの走査速
度は第５図のごとく１ライン全体を走査するものに比べ
実効的に極めて速くすることができる。第６．７，８図
の構造を１絵素とした絵素数４８６Ｘ３８４のμインチ
（６４Ｘ４．８１ＫＩＪ）、ザイズの撮像装置において
は、１絵素長さは、１７．２μｍＸ１０μｍとなり、−
絵素における電極２４は約１０μｍの長さとなる。この
大きさの１絵素の走査時間は１０μ冠程度とすることが
でき、１ライン走査時間６０μ宴以下となりつる。した
かって第９図に模式的に示したように垂直走査回路３ｏ
によって選択される行選択線３１に一水平ラインの各絵
素の電極２３を接続し、透明電極２９は信号取り出し電
極として水平走査回路３３の列選択線３４に接続すれは
標準テレビ方式にも耐えうる撮像装置となる。第９図に
おいて、４ｏは第６図、第Ｔ図、第８図に示した単位絵
素部分を４くす。
として使用することができる。したかつて、この構造と
外部の走査手段を用いると、１ライン」二に並んだ多く
の絵素を同時に操作することができ、１ラインの走査速
度は第５図のごとく１ライン全体を走査するものに比べ
実効的に極めて速くすることができる。第６．７，８図
の構造を１絵素とした絵素数４８６Ｘ３８４のμインチ
（６４Ｘ４．８１ＫＩＪ）、ザイズの撮像装置において
は、１絵素長さは、１７．２μｍＸ１０μｍとなり、−
絵素における電極２４は約１０μｍの長さとなる。この
大きさの１絵素の走査時間は１０μ冠程度とすることが
でき、１ライン走査時間６０μ宴以下となりつる。した
かって第９図に模式的に示したように垂直走査回路３ｏ
によって選択される行選択線３１に一水平ラインの各絵
素の電極２３を接続し、透明電極２９は信号取り出し電
極として水平走査回路３３の列選択線３４に接続すれは
標準テレビ方式にも耐えうる撮像装置となる。第９図に
おいて、４ｏは第６図、第Ｔ図、第８図に示した単位絵
素部分を４くす。
以トー実施例を示す。
し実施例Ｉ〕
第６図の強誘電体２ｏにはＣｄ２（ＭｏＯ４）３ 。
２１〜２６の電極はＣｒを１０００人蒸着してパターン
形成した。絶縁物２６にはＰＳＧをメルトフローさせ、
段差緩和を行なった。絵素ごとにＭｏをパターン形成グ
することにより電極２７を形成し、光検出部となる光導
体２８は、（ＣｄｘＺｎ１−ｘＴｅ ）１−ｙ （Ｉ
ｎ２Ｔｅ３） ｙ（０（ｘ（１。
形成した。絶縁物２６にはＰＳＧをメルトフローさせ、
段差緩和を行なった。絵素ごとにＭｏをパターン形成グ
することにより電極２７を形成し、光検出部となる光導
体２８は、（ＣｄｘＺｎ１−ｘＴｅ ）１−ｙ （Ｉ
ｎ２Ｔｅ３） ｙ（０（ｘ（１。
０＜ｙ＜０．１）を３ μｍ形成後、連続して１０００
人のＺｎ５ｅを形成した。真空中で熱処理後、透明電極
２９としてはＩ ｎ ２０３を室温で反応性スパッタ法
で約１０００人形成゛したこのＩｎ Ｏは、信 ３ 号とり出し線として又は、列選択線として使った・二）
ストライブ化しである。電極２３は行選択線３１に接続
されている。なお、信号とり出し電極としては下部電極
２４をストライプ化して列選択線３４と接続してもよく
、この場合は透明電極２９を接地すればよい。
人のＺｎ５ｅを形成した。真空中で熱処理後、透明電極
２９としてはＩ ｎ ２０３を室温で反応性スパッタ法
で約１０００人形成゛したこのＩｎ Ｏは、信 ３ 号とり出し線として又は、列選択線として使った・二）
ストライブ化しである。電極２３は行選択線３１に接続
されている。なお、信号とり出し電極としては下部電極
２４をストライプ化して列選択線３４と接続してもよく
、この場合は透明電極２９を接地すればよい。
し実施例■〕
第１０図のように電極２２〜２６と反対側に光導電体２
８を形成した。２１をアースに接地しておく。このよう
にするとＸＹマトリックスの接続が容易となり、製造方
法が簡便化される１゜なお、実施例しＩ）、［Ｌ］
において、電極２２〜２６に対向する電極を２１として
共通の電極としているが、２２〜２５に対向してそれぞ
れに電気的に分離した電極を設けても良い。
８を形成した。２１をアースに接地しておく。このよう
にするとＸＹマトリックスの接続が容易となり、製造方
法が簡便化される１゜なお、実施例しＩ）、［Ｌ］
において、電極２２〜２６に対向する電極を２１として
共通の電極としているが、２２〜２５に対向してそれぞ
れに電気的に分離した電極を設けても良い。
ここで、光導電体は、Ｚｎ５ｅ−（ＣｄｘＺｎ１−、Ｔ
ｅ ）ｙ（Ｉ ｎ ２ Ｔｅ ａ ）の他に、非晶質Ｓ
ｅ＋非晶質５ｔ（Ｈ）等の撮像管に用いられている高解
像度の光導電体が良い。また、光導電体としては上記の
ような必ずしも可視領域に限定されるものではな（、Ｃ
ｄＨｇＴｅ 。
ｅ ）ｙ（Ｉ ｎ ２ Ｔｅ ａ ）の他に、非晶質Ｓ
ｅ＋非晶質５ｔ（Ｈ）等の撮像管に用いられている高解
像度の光導電体が良い。また、光導電体としては上記の
ような必ずしも可視領域に限定されるものではな（、Ｃ
ｄＨｇＴｅ 。
ＰｂＳ等赤外に感度をもつものでも良い。
また、１絵素の電極パターンは必ずしも第６゜７図ａの
ように限定されるものではなく、第１１図のようなもの
でも良い。この構成にすると電極２２にとじこめられた
磁区は、左石両１１１１Ｊに広がり、走査速度を約２倍
にすることが可能である。
ように限定されるものではなく、第１１図のようなもの
でも良い。この構成にすると電極２２にとじこめられた
磁区は、左石両１１１１Ｊに広がり、走査速度を約２倍
にすることが可能である。
さらに、本発明は１次元イメージセンサとして用いても
同様に高速化が可能である。
同様に高速化が可能である。
以上のように、本発明によれば強誘電体を用い光導電体
を光検出部とする単位絵素分の撮像素子を構成するもの
であり、単位絵素ごとに同時に多くの素子を駆動するこ
とが可能となり、ブルーミンク現象のない高速の撮像装
置を実現することができる。
を光検出部とする単位絵素分の撮像素子を構成するもの
であり、単位絵素ごとに同時に多くの素子を駆動するこ
とが可能となり、ブルーミンク現象のない高速の撮像装
置を実現することができる。
第１図は強誘電体の自発分極の自発分極の磁区誘電体上
め棲電極パターンの一構成例を示す図、第４図は従来例
のイメージセンサの原理図、第６図は第４図を用いた２
次元イメージセンサの構造図、第６図ａ −ｃは本発明
の強誘電体を用いた基本単位素子の一実施例の製造工程
図、第７図ａ〜Ｃに対応する平面図、第８図ａ−ｄは本
発明の素子の電極パターンによる磁区の動きを示す図、
第９図は本発明による２次元イメージセンサの概略構成
図、第１０図は本発明の基本単位の他の実施例の概略構
造図、第１１図は本発明の基本単位素子の電極ハターン
の他の例の平面図である。 ２ｏ・・・・・・強誘電体、２１〜２６・・山・電極、
２８・・・・・・光導電体、２９・・・・・・透明電極
、３ｏ・・・・・・垂直走査回路、３１・・・・・・行
選択線、３４・・・・・・列選択線、４０・・・・・・
単位絵素。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 印刀ｆ７曜ζｙト（吟−） 第５図 嘔Ｖ潮 第６図 第７図 第８図 第９図
め棲電極パターンの一構成例を示す図、第４図は従来例
のイメージセンサの原理図、第６図は第４図を用いた２
次元イメージセンサの構造図、第６図ａ −ｃは本発明
の強誘電体を用いた基本単位素子の一実施例の製造工程
図、第７図ａ〜Ｃに対応する平面図、第８図ａ−ｄは本
発明の素子の電極パターンによる磁区の動きを示す図、
第９図は本発明による２次元イメージセンサの概略構成
図、第１０図は本発明の基本単位の他の実施例の概略構
造図、第１１図は本発明の基本単位素子の電極ハターン
の他の例の平面図である。 ２ｏ・・・・・・強誘電体、２１〜２６・・山・電極、
２８・・・・・・光導電体、２９・・・・・・透明電極
、３ｏ・・・・・・垂直走査回路、３１・・・・・・行
選択線、３４・・・・・・列選択線、４０・・・・・・
単位絵素。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 印刀ｆ７曜ζｙト（吟−） 第５図 嘔Ｖ潮 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (3)
- （１）強誘電体の一生面上に、自発分極を保持する第１
の電極と、信号をとり出すための第２の電極と、前記第
１．第２の電極の間に自発分極の磁区の動きを制御する
第３の電極とを有し、前記第１゜第２．第３の電極に強
誘電体を介して対向する第４の電極を有し、前記第２又
は第４の電極と電気的に結合した光導電体と前記光導電
体上に透光性の第５の電極を有し、前記光導電体を光検
出部とする固体素子を単一絵素に対応させて複数個配置
し、前記各絵素の固体素子の前記第３の電極に前記磁■
を移動させる電圧を印加することを特徴とする撮像装置
。 - （２）単一絵素において、第１．第２．第３の電極を゛
囲む第６の電極を有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の撮像装置。 - （３）固体素子を２次元マトリックス状に配置し、この
マトリックス配置において行ごとに前記固体素子の第３
の電極を共通接続して行選択線を得、列ごと１で前記固
体素子の第２電極又は第６の電極を共通接続して列選択
を得、かつ前記第２または第５の電極から出力を取り出
し手段を用いて各絵素における映像信号を順次取シ出す
ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126952A JPS5917775A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126952A JPS5917775A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917775A true JPS5917775A (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=14947951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126952A Pending JPS5917775A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240543A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Kawasaki Kiko Kk | マイクロ波による水分測定方法 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126952A patent/JPS5917775A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240543A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Kawasaki Kiko Kk | マイクロ波による水分測定方法 |
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