JPS59181535A - ネガレジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents
ネガレジストのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59181535A JPS59181535A JP58053673A JP5367383A JPS59181535A JP S59181535 A JPS59181535 A JP S59181535A JP 58053673 A JP58053673 A JP 58053673A JP 5367383 A JP5367383 A JP 5367383A JP S59181535 A JPS59181535 A JP S59181535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet rays
- pattern
- resist
- lmr
- dry etching
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体、磁気バブル累子あるいは九比、用部
品等の製造に好適な微細ネガレノストのパターン形成方
法に関するものである。
品等の製造に好適な微細ネガレノストのパターン形成方
法に関するものである。
（従来技術）
近年半導体集積回路等に関して高集積化への要求は益々
高まって４．・す、これに伴ないリソグラフィの分野で
は従来の元（％に紫外線）に変って電子線、Ｘ線又は遠
紫外線等波長の短かい光源が使用されてきた。
高まって４．・す、これに伴ないリソグラフィの分野で
は従来の元（％に紫外線）に変って電子線、Ｘ線又は遠
紫外線等波長の短かい光源が使用されてきた。
米のフォトリングラフィの延長上の技術で！ながら容易
にザブミクロンの転写ｋ ”Ｔ Ｉ正ならしめるもので
おり、今後の微細加工に大いに期待できるものとされて
いる。
にザブミクロンの転写ｋ ”Ｔ Ｉ正ならしめるもので
おり、今後の微細加工に大いに期待できるものとされて
いる。
かかる遠紫外ｉ １Ｊソグラフイに用いるレノストに対
しては、遠紫外領域に昼感度であり、しかもが１像力及
び１ｌｊｌ熱性が高くかつ耐ドライエツチング性に優れ
ていることが要求される。
しては、遠紫外領域に昼感度であり、しかもが１像力及
び１ｌｊｌ熱性が高くかつ耐ドライエツチング性に優れ
ていることが要求される。
ところでポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと略
す）はかかる遠紫外線用レノストとして艮く昶られたも
のであり、即ちコンホーマブルマスクを用いた密着路光
により０．２μｍ以下の優れた解像力を有している。し
かし他方このＰＭＭＡはその感度が低くしかもドライエ
ツチング耐性も十分と（才云えない。
す）はかかる遠紫外線用レノストとして艮く昶られたも
のであり、即ちコンホーマブルマスクを用いた密着路光
により０．２μｍ以下の優れた解像力を有している。し
かし他方このＰＭＭＡはその感度が低くしかもドライエ
ツチング耐性も十分と（才云えない。
遠紫外線用レジストとして他にメタクリル酸エステル瓜
合体やメタクリル酸エステルの共重合体も同様に知られ
ているが、これらも上記と同様にドライエツチング耐性
に関して残されγこ問題がある。
合体やメタクリル酸エステルの共重合体も同様に知られ
ているが、これらも上記と同様にドライエツチング耐性
に関して残されγこ問題がある。
そして又、ビニルフェノールとシアノドジフェニルスル
フォンかうｆｉるレノスト（以下ＭＲ８と１１１ｉ’、
す）は直感）ｆでかつドライエツチング１酎性も良好で
特性金准しているが十分な耐熱性を壱するものではない
という欠点がｂつ１こ。
フォンかうｆｉるレノスト（以下ＭＲ８と１１１ｉ’、
す）は直感）ｆでかつドライエツチング１酎性も良好で
特性金准しているが十分な耐熱性を壱するものではない
という欠点がｂつ１こ。
（発明の目的）
即ち遠紫外線に対して筒感度かつ高解像性であり、更に
ドライエツチング１酎性及び耐熱性の高いしバスト拐イ
・斗、更（こかかる目的に適合するレノスト・やターン
の形成方法の確立が’ｊ！Ｉｉ ＜望まれ−Ｃいるのが
実情である。
ドライエツチング１酎性及び耐熱性の高いしバスト拐イ
・斗、更（こかかる目的に適合するレノスト・やターン
の形成方法の確立が’ｊ！Ｉｉ ＜望まれ−Ｃいるのが
実情である。
ここに本発明者等（ま上記安来に応するべく鋭意研究を
重ねた結果、蹟４反上にキノンジアットを含有する重合
体の皮Ｂｐを形成しこれに遠紫外線を照射し、酢酸エス
テル又はアル、−ルケトンを含有する浴液で状像するこ
とにより、上述の耐ドライエツチング性及び耐熱性を著
しく改善し腑像力の良いレノストパターンを商感度で形
成することができることを児出しこの発明に到達したの
である。
重ねた結果、蹟４反上にキノンジアットを含有する重合
体の皮Ｂｐを形成しこれに遠紫外線を照射し、酢酸エス
テル又はアル、−ルケトンを含有する浴液で状像するこ
とにより、上述の耐ドライエツチング性及び耐熱性を著
しく改善し腑像力の良いレノストパターンを商感度で形
成することができることを児出しこの発明に到達したの
である。
（発明の構成）
即ち本発明は、基板上にキノンノアノドを含廟する重合
体による皮膜を形成し、波長１８０〜３００ｎｍの遠紫
外線を照射し、次Ｑこ自Ｙ酸エステル又はアルキルケト
ンを含有する浴液で現イオすることを特徴とするネガレ
ノストの・やターンノヒＪ或方法である。
体による皮膜を形成し、波長１８０〜３００ｎｍの遠紫
外線を照射し、次Ｑこ自Ｙ酸エステル又はアルキルケト
ンを含有する浴液で現イオすることを特徴とするネガレ
ノストの・やターンノヒＪ或方法である。
この発明においてレジスト材料としてＩｉ ４１ ｉこ
後記実施例にも示したように、ノ４？ラック４σｊ月旨
のナフトキノン−１，２−ノアジト−−Ｓ−スルフ」−
ンｊ亥エステル（以下ＬＭＲと略す）が好う産（こ用い
られる。そしてキノンジアジド基としてベンゾキノンジ
アジド及びナフトキノンノアシト”等カー児」ら才ｔで
居ｐこれら（はいづれも本発明に使用して１司様の目的
を達成し得る。
後記実施例にも示したように、ノ４？ラック４σｊ月旨
のナフトキノン−１，２−ノアジト−−Ｓ−スルフ」−
ンｊ亥エステル（以下ＬＭＲと略す）が好う産（こ用い
られる。そしてキノンジアジド基としてベンゾキノンジ
アジド及びナフトキノンノアシト”等カー児」ら才ｔで
居ｐこれら（はいづれも本発明に使用して１司様の目的
を達成し得る。
上記ＬＭＲは遠紫外線に対してＰ Ｍ Ｍ Ａの１０千
音以上の感度をＭＬ、しかもサブミクロンの１凸画〃；
可能であり、しかもドライエツチング耐ｇ、Ｏこ優れて
おり、約２００”０のベーキング温度でも〕七ターンに
ダレが発生しない。しかも現像時’ ｒＷＪ ｋ ４Ｑ
くすることにより」゛−バーハングの形状を得ること
ができ、即ち上記Ｌ Ｍ Ｒは遠紫外線リノグシフイに
よりドライエツチング用レジストとして又リフトオフ用
レジストとして適切に利用できるものである。
音以上の感度をＭＬ、しかもサブミクロンの１凸画〃；
可能であり、しかもドライエツチング耐ｇ、Ｏこ優れて
おり、約２００”０のベーキング温度でも〕七ターンに
ダレが発生しない。しかも現像時’ ｒＷＪ ｋ ４Ｑ
くすることにより」゛−バーハングの形状を得ること
ができ、即ち上記Ｌ Ｍ Ｒは遠紫外線リノグシフイに
よりドライエツチング用レジストとして又リフトオフ用
レジストとして適切に利用できるものである。
このように本発明が遠紫外線によりイ・ガのレノスト・
Ｐターンｆ６：良好に形成できる理由として（ば次の様
に考えられる。Ｌ ｉＶｆ Ｒは後記比較例；３からも
’、！Ｉ４らかなように、城外線照射によυキノンジア
ットがインデンカルボン酸に変化し、公知のＡ Ｚ ｂ
ｔ像液で７Ｊ？）型・セターンが形成てれる。しかしこ
の光照射反応では酢酸エステルを現像液としても・臂タ
ーニング形成ができない。
Ｐターンｆ６：良好に形成できる理由として（ば次の様
に考えられる。Ｌ ｉＶｆ Ｒは後記比較例；３からも
’、！Ｉ４らかなように、城外線照射によυキノンジア
ットがインデンカルボン酸に変化し、公知のＡ Ｚ ｂ
ｔ像液で７Ｊ？）型・セターンが形成てれる。しかしこ
の光照射反応では酢酸エステルを現像液としても・臂タ
ーニング形成ができない。
即ちこの場合遠紫外線での反応は通常の紫外線１１ｉ、
（、射による反応とは全く異なるのである。
（、射による反応とは全く異なるのである。
本発明における遠紫外線の照射部のレジストが構造昭二
化し計数ニスデル等に不溶化してパターン化するもので
め９、即ちネガレジストでありながら架橋反応によらな
いためパターンの膨潤がなく粕果的に著しいｆ＝％ ｊ
９’Ｘ像力を示すものと考えられる。
化し計数ニスデル等に不溶化してパターン化するもので
め９、即ちネガレジストでありながら架橋反応によらな
いためパターンの膨潤がなく粕果的に著しいｆ＝％ ｊ
９’Ｘ像力を示すものと考えられる。
父上記現像時間を長くすることによジオ−・マーハング
形状を得ることができるのは、該■贋〜１Ｒは遠紫外領
域に大きな吸収をもつため光が深くｒで透過せず、即ち
第１図に示ｑた椋に表出１層のみが不溶化することにな
υ、現像を行うと４２，３図の様に現像されオーバー現
像によりオーパーツ・ングの形状をイ尋ることができる
のである。面図において１はマスク、２はＬ Ｍ Ｒ層
、：３は基板、２ａは反応領域である。
形状を得ることができるのは、該■贋〜１Ｒは遠紫外領
域に大きな吸収をもつため光が深くｒで透過せず、即ち
第１図に示ｑた椋に表出１層のみが不溶化することにな
υ、現像を行うと４２，３図の様に現像されオーバー現
像によりオーパーツ・ングの形状をイ尋ることができる
のである。面図において１はマスク、２はＬ Ｍ Ｒ層
、：３は基板、２ａは反応領域である。
次にＬ Ｍ Ｒはキノンノアノドとノボラックがスルフ
ォン酸で結合されているものであり、例えば比較例４よ
ジ遠紫外線での構造変化はノボラックの反応ではなくキ
ノンノアノド基の反応によるものと考えられる。即ち本
発明で用いうる重合体としてはキノンジアジド基金有し
、しかも１作酸エステル又はアルキルケトンに溶加する
ものである必要がある。
ォン酸で結合されているものであり、例えば比較例４よ
ジ遠紫外線での構造変化はノボラックの反応ではなくキ
ノンノアノド基の反応によるものと考えられる。即ち本
発明で用いうる重合体としてはキノンジアジド基金有し
、しかも１作酸エステル又はアルキルケトンに溶加する
ものである必要がある。
（実施例）
以下実施例によりこの発明を具体的に訣１明する。
実施例
ＬＭＲをメチルーヒルソルプアセテートに溶解し、スピ
ンコーティング法によシリコン基板上に０．５μｍの厚
さに塗布した。６０℃で３０分ベーギングを行った後、
５００ＷのＸｅ−Ｈｒランプによシ密７１ｉｒ露Ｘｌを
１０秒間行った。露光後インアミルアセテートで２０秒
ｍ１現像しｆこところ０．５μｍのラインアンドスペー
スの不Ｉのレジストパターンが得られた。
ンコーティング法によシリコン基板上に０．５μｍの厚
さに塗布した。６０℃で３０分ベーギングを行った後、
５００ＷのＸｅ−Ｈｒランプによシ密７１ｉｒ露Ｘｌを
１０秒間行った。露光後インアミルアセテートで２０秒
ｍ１現像しｆこところ０．５μｍのラインアンドスペー
スの不Ｉのレジストパターンが得られた。
実施例２
実施例１でイ４４られたレノストパターン’ｅ２００”
ｃで二′３０分加ｐＨ，シて走弄型電子顕微鏡（ＳＥＭ
と略す）にて親展したところ、レジストパターンにはブ
レ等の変形は全く見られず加熱ＭｉＪのパターンと同等
であった。
ｃで二′３０分加ｐＨ，シて走弄型電子顕微鏡（ＳＥＭ
と略す）にて親展したところ、レジストパターンにはブ
レ等の変形は全く見られず加熱ＭｉＪのパターンと同等
であった。
実施例：３
実施例１と同様にして露光を行いインアミルアセテート
で１３０秒現像しｆこ。現像したパターンをＳＥＭにて
ｊ視襲したところｉＺターンの断面はオーバーハング形
状トｆｉつてい１こ。
で１３０秒現像しｆこ。現像したパターンをＳＥＭにて
ｊ視襲したところｉＺターンの断面はオーバーハング形
状トｆｉつてい１こ。
実施例４
実施例１と同様にしてＬ ＩＶＩ Ｒによる皮膜ヲが板
上に形成し、酸素グラズマを用いた場合のドライエツチ
ング耐性を検ｄ・１シた。エツチング装置は平行平板型
を用い、出力密度０．０８′ｗ／、０□ガス流Ｃｎｔゝ −ｉ ２０’ ｃｃＭ、ガス圧力５０ｐａで１５分エツ
チングを行ったところエツチング量は５０ｎｍであった
。比較のためｋこＰＭＭＡ ’に用いた外は同じ条件で
行つｆこところエツチング量は２００ｎｍＴ６つた。
上に形成し、酸素グラズマを用いた場合のドライエツチ
ング耐性を検ｄ・１シた。エツチング装置は平行平板型
を用い、出力密度０．０８′ｗ／、０□ガス流Ｃｎｔゝ −ｉ ２０’ ｃｃＭ、ガス圧力５０ｐａで１５分エツ
チングを行ったところエツチング量は５０ｎｍであった
。比較のためｋこＰＭＭＡ ’に用いた外は同じ条件で
行つｆこところエツチング量は２００ｎｍＴ６つた。
比較例１
実施例１と同様にＬ Ｍ Ｒの露光を行い、ＡＺ−１３
５０Ｊ専用現像液を用いて６０秒現像しｆこところパタ
ーンは形成されなかった。
５０Ｊ専用現像液を用いて６０秒現像しｆこところパタ
ーンは形成されなかった。
比較例２
ＰＭＭＡをシリコン基板上に０．５μｍ厚にてコーティ
ングを行い１８０℃で３０分シリベークした後、実施例
１と同様の装置で６０秒、１２０秒それぞれ′Ｍ元し、
ＭＩＢＫｒ現像したところ１２０秒ではノ９ターニング
ができたが６０秒ではノ七ターニングができなかった。
ングを行い１８０℃で３０分シリベークした後、実施例
１と同様の装置で６０秒、１２０秒それぞれ′Ｍ元し、
ＭＩＢＫｒ現像したところ１２０秒ではノ９ターニング
ができたが６０秒ではノ七ターニングができなかった。
比較例３
実施例１と同様にして形成したＬ Ｍ Ｒに２５０Ｗの
水銀ランｆ ｔ−、有するマスクアライナで３０秒間蕗
光行、ＡＺ−１３５０Ｊ現像液で現像しｆこところｉＩ
５ノア！１２の／ｅターンが得られ１こ。又ｒ＋ｉ酸イ
ソアミルで現隊し１こところ全１０］／６解して・！タ
ーニングができなかつｆこ。
水銀ランｆ ｔ−、有するマスクアライナで３０秒間蕗
光行、ＡＺ−１３５０Ｊ現像液で現像しｆこところｉＩ
５ノア！１２の／ｅターンが得られ１こ。又ｒ＋ｉ酸イ
ソアミルで現隊し１こところ全１０］／６解して・！タ
ーニングができなかつｆこ。
実施例５
実施例１と同様にして露光したＬ ＭＲをメチルイソア
ミルケトンで２０秒現像したところ０．５μｍのレノス
ト・Ｐターンが得られた。
ミルケトンで２０秒現像したところ０．５μｍのレノス
ト・Ｐターンが得られた。
実施例６
実り喝例１と同１）■−にして路光したＬＭＲ全ｎ−プ
ロピルアセテート及びソクロヘキサン５：２の混合浴液
で現像しｆこところ０．５μｍのレジストパターンが得
られ１こ。
ロピルアセテート及びソクロヘキサン５：２の混合浴液
で現像しｆこところ０．５μｍのレジストパターンが得
られ１こ。
実施例７
実施例１と同様にして蕗光しｆこＬ Ｍ Ｒをイソゾロ
ビルアセテート及びイングロビルアルコール５：１の混
合浴液で現像し１こところ０．５μｍのレジス） ｔＲ
ターンカ得うレ１こ。
ビルアセテート及びイングロビルアルコール５：１の混
合浴液で現像し１こところ０．５μｍのレジス） ｔＲ
ターンカ得うレ１こ。
比較例４
ノボラック何月旨をメチルセルソルノ゛アーヒテートに
溶解し、これを基板上に０．５１ｔｒｎ厚（こ塗イｌＴ
ｔ、ｆこ。
溶解し、これを基板上に０．５１ｔｒｎ厚（こ塗イｌＴ
ｔ、ｆこ。
１００°Ｃで３０分シリベーク抜実施例１と同様り）装
置を用い：３０秒蕗秒分光った。その佐イソアミルアセ
テートで現像しγこところ・七ターンＩま形成されなか
つ１こ。
置を用い：３０秒蕗秒分光った。その佐イソアミルアセ
テートで現像しγこところ・七ターンＩま形成されなか
つ１こ。
（発明の効果）
本発明は以上の記載から明らかなように遠紫外線を用い
・ｉｔドライエツチング性及び耐熱性Ｏこ優ｉｔた′Ｍ
敗力のよいパターンを筒感度にＪｌｌ（画でき、又現像
時間ケ長くすることによりオー・ぐ−）・ングのレジス
トパターンを形成できるので、筒剖ｊ隻化−４６導体部
品、磁気バブル素子の製造に利用できるものであシその
工業的価値は極めて太さい。
・ｉｔドライエツチング性及び耐熱性Ｏこ優ｉｔた′Ｍ
敗力のよいパターンを筒感度にＪｌｌ（画でき、又現像
時間ケ長くすることによりオー・ぐ−）・ングのレジス
トパターンを形成できるので、筒剖ｊ隻化−４６導体部
品、磁気バブル素子の製造に利用できるものであシその
工業的価値は極めて太さい。
第１図は本発明における、叱紫外線照射＋１’ｆの光の
反応４域を示す図、第２図及び、’Ｘｒ、３シ１は現［
象後のレジストパターンを示す図である。 １・・・マスク、２・・・ＬＭＲ層、３・・基板。 持詐庁長官 名杉和夫Ｌ・ン １ 事１’ｌの入牢 特願昭！１８−５３６７：（号 ２ 発明の名称 ＃）ｊムノストのパター７形ＩＡ ７５ ？１＜３？＋
ｌｉ ｉｌをＪろと 事ｆどｌどυ）１９Ｉ係 待ル′１出願人（０２！Ｔ
） ｌ＋ｌ＋電気」−業株式会社４ 代 １ｇ
人 ５ ？山 】１ の 文ｊ ％（持５′１請求の
範１ｉｆｔ、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明の瀾
及び図面 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り削正ずろ１、（
２） 明細前２頁５行［７）のとさズ］でら）ろ、５
．１を［ものとされている。１−記黴仲１加丁には−ζ
すｆング（こよる方法と、リ−ｉ ｉＡ゛ｉに」ろ方法
とがあり、先づ乙のエノーフーシグに１ろＩＪｌ、Ｉこ
の場合、１と削正−リろ、。 ′（３） 同３頁６行と７行間に下記を・加入する「
まｔ：、リフトズ７による方法の場合、！、リスト膜の
断面形状、耐熱性、溶方・ｖ性、密着性等に関しての厳
しい条件が請求されているっ例えば、リフトオフにより
８易にパターン形成が出来るためにはレノスｊ・成上（
こ被着さ）また被着層が！−レストの溶解と共に容易１
・二除去出来ろ乙とが必要であり、このノ：めにはパタ
ーン形成さＪまたレジスト膜の断面形状が２−バーハ、
グ形状となっている必要がある。 現状ではこのオーバーハング形状を形成するためしじス
トを多層構造とずろか又はボン形ホトしＪスト、例えば
、ＡＺ−１３５０Ｊ （Ｓｈ＋ｐｌｅｙ社製のホトレジ
ストの商品名）のクロルベノセノ処理が便用さＡ［てい
る。これらの処理（ｒ煩雑てあり、ス＋： −−−ｆ７
１−で劣り、また、１月現個も必ずし／＋ ｌ；ｌ−＜
ながっ／、： 、、 ｊｆｉｌ １ｉｉｌ ３自９？
ｒ” ｉ−”；いｊを［ｉ！ｌ！ｌ＜、現（蒙のみて」
記ｇ−バーハングを形成できる」と重圧する。 （５１ｂｉ１３Ｐｔ ］ ９〜２０ｉＩｒテきルコとｌ
／ｉ！ｊでさ、しかもその断面状はオーバーハングと
／１−、でいろこと」とＫＪ止−４ろ。 ｆ６１ １＋’ｔｌ ４匹２行１及イＪノ上１こ」を、
「基板）ｔこ重合度ＩＯ以下のレリゴマの、１とあ正す
る。。 （力 同４６９〜１０行１記実施例 スルフ４．、。 酸Ｅを削除し、同１シ「に［記実施例にも示したＪう（
ζ 重８度１０以ドの、ノボラ゛ツク樹脂のナフ：・キ
ノルー １，２−レアシト−５−スルー７オン酸」を加
入Ｊ゛る。 （８） 同４ 〔Ｌ２０行〜５頁１行「しかも現像
−得ろζどが」とあるを次の通り補正する。 １しかも現像ずろｔ！けて珂−バーハンゲの形状をＩＩ
）ろことが： （９） 同５０２０行〜６頁１行［結果的に 考え
ちれる。又上記現像時間を長くするごとにコリ］とあろ
を次の通り？１１１止する。 ）゛錆果的（こ著しい高解像力を小ずものと８えられる
。またり、 Ｍ ｌえは−（ｌ；ゴマてあり分子−ｈｔ
が小さし）ことも上記高解像力を示ずことに効果をｌＪ
＜１゜そして、１−記現（（」にＪす１ ［！Ｏ］ 同６頁５行〜７行に「不溶化すること
シーバーバッグ」とあろを次の通り？ｉｌｌ ＋Ｆ １
”る。 「不溶化することになり、現像全行うと第２図の様に現
像されノーバーハ、ゲー１ （１１） 同７頁８行「が得られた。」とあるを次の
通り補正する。 「が得られた。走査型電子題黴鏡（ＳＥ〜１と略す）に
より観察したところしレスト１ｆｆｉ向はオーバーハン
グ形状となっていた。−４１ （１２１間７頁１８〜１９行に「オーバーハングなって
いた。」とあるを次の通り補止ずろ。 １オーバーハング形状が実施例ｊより大きくなっていた
。」 （１３１同１０頁１２行を１￥＋ｊ除し同所に「現像に
よりＡ バーハンゲの：を加入シーる。 図と３４’ ＋Ｅ−４ろ１゜ ２、特許請求の範囲
反応４域を示す図、第２図及び、’Ｘｒ、３シ１は現［
象後のレジストパターンを示す図である。 １・・・マスク、２・・・ＬＭＲ層、３・・基板。 持詐庁長官 名杉和夫Ｌ・ン １ 事１’ｌの入牢 特願昭！１８−５３６７：（号 ２ 発明の名称 ＃）ｊムノストのパター７形ＩＡ ７５ ？１＜３？＋
ｌｉ ｉｌをＪろと 事ｆどｌどυ）１９Ｉ係 待ル′１出願人（０２！Ｔ
） ｌ＋ｌ＋電気」−業株式会社４ 代 １ｇ
人 ５ ？山 】１ の 文ｊ ％（持５′１請求の
範１ｉｆｔ、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明の瀾
及び図面 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り削正ずろ１、（
２） 明細前２頁５行［７）のとさズ］でら）ろ、５
．１を［ものとされている。１−記黴仲１加丁には−ζ
すｆング（こよる方法と、リ−ｉ ｉＡ゛ｉに」ろ方法
とがあり、先づ乙のエノーフーシグに１ろＩＪｌ、Ｉこ
の場合、１と削正−リろ、。 ′（３） 同３頁６行と７行間に下記を・加入する「
まｔ：、リフトズ７による方法の場合、！、リスト膜の
断面形状、耐熱性、溶方・ｖ性、密着性等に関しての厳
しい条件が請求されているっ例えば、リフトオフにより
８易にパターン形成が出来るためにはレノスｊ・成上（
こ被着さ）また被着層が！−レストの溶解と共に容易１
・二除去出来ろ乙とが必要であり、このノ：めにはパタ
ーン形成さＪまたレジスト膜の断面形状が２−バーハ、
グ形状となっている必要がある。 現状ではこのオーバーハング形状を形成するためしじス
トを多層構造とずろか又はボン形ホトしＪスト、例えば
、ＡＺ−１３５０Ｊ （Ｓｈ＋ｐｌｅｙ社製のホトレジ
ストの商品名）のクロルベノセノ処理が便用さＡ［てい
る。これらの処理（ｒ煩雑てあり、ス＋： −−−ｆ７
１−で劣り、また、１月現個も必ずし／＋ ｌ；ｌ−＜
ながっ／、： 、、 ｊｆｉｌ １ｉｉｌ ３自９？
ｒ” ｉ−”；いｊを［ｉ！ｌ！ｌ＜、現（蒙のみて」
記ｇ−バーハングを形成できる」と重圧する。 （５１ｂｉ１３Ｐｔ ］ ９〜２０ｉＩｒテきルコとｌ
／ｉ！ｊでさ、しかもその断面状はオーバーハングと
／１−、でいろこと」とＫＪ止−４ろ。 ｆ６１ １＋’ｔｌ ４匹２行１及イＪノ上１こ」を、
「基板）ｔこ重合度ＩＯ以下のレリゴマの、１とあ正す
る。。 （力 同４６９〜１０行１記実施例 スルフ４．、。 酸Ｅを削除し、同１シ「に［記実施例にも示したＪう（
ζ 重８度１０以ドの、ノボラ゛ツク樹脂のナフ：・キ
ノルー １，２−レアシト−５−スルー７オン酸」を加
入Ｊ゛る。 （８） 同４ 〔Ｌ２０行〜５頁１行「しかも現像
−得ろζどが」とあるを次の通り補正する。 １しかも現像ずろｔ！けて珂−バーハンゲの形状をＩＩ
）ろことが： （９） 同５０２０行〜６頁１行［結果的に 考え
ちれる。又上記現像時間を長くするごとにコリ］とあろ
を次の通り？１１１止する。 ）゛錆果的（こ著しい高解像力を小ずものと８えられる
。またり、 Ｍ ｌえは−（ｌ；ゴマてあり分子−ｈｔ
が小さし）ことも上記高解像力を示ずことに効果をｌＪ
＜１゜そして、１−記現（（」にＪす１ ［！Ｏ］ 同６頁５行〜７行に「不溶化すること
シーバーバッグ」とあろを次の通り？ｉｌｌ ＋Ｆ １
”る。 「不溶化することになり、現像全行うと第２図の様に現
像されノーバーハ、ゲー１ （１１） 同７頁８行「が得られた。」とあるを次の
通り補正する。 「が得られた。走査型電子題黴鏡（ＳＥ〜１と略す）に
より観察したところしレスト１ｆｆｉ向はオーバーハン
グ形状となっていた。−４１ （１２１間７頁１８〜１９行に「オーバーハングなって
いた。」とあるを次の通り補止ずろ。 １オーバーハング形状が実施例ｊより大きくなっていた
。」 （１３１同１０頁１２行を１￥＋ｊ除し同所に「現像に
よりＡ バーハンゲの：を加入シーる。 図と３４’ ＋Ｅ−４ろ１゜ ２、特許請求の範囲
Claims (1)
- 基板上にキノンジアジドを含有する重合体による皮膜を
形成し、波長１８０〜３００ｎｍの遠紫外線を照射し、
次に酢酸エステル又（まアルキルケトンを含有する溶液
で現像することを特徴とするネガレノストの）？ターン
ル成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053673A JPS59181535A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
| US06/594,481 US4609615A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| DE8484302145T DE3466741D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| EP84302145A EP0124265B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| CA000450963A CA1214679A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Process for forming pattern with negative resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053673A JPS59181535A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181535A true JPS59181535A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0334053B2 JPH0334053B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=12949343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053673A Granted JPS59181535A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181535A (ja) |
Cited By (5)
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1983
- 1983-03-31 JP JP58053673A patent/JPS59181535A/ja active Granted
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| US9760003B2 (en) | 2010-05-25 | 2017-09-12 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition |
| WO2012114963A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | Jsr株式会社 | ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
| JPWO2012114963A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-07-07 | Jsr株式会社 | ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334053B2 (ja) | 1991-05-21 |
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