JPS59183529A - 信号ゲ−ト回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は信号回路に直列にそう人したスイッチングダ
イオードによ如信号を断続する信号ダート回路において
、特にダイオードのストレー容量による信号漏洩が問題
となる高周波信号ダート回路の改良に関するものである
。

電気的に信号を断続する回路のうち最も簡単なものは信
号回路に直列にそう人したスイッチングダイオードに順
電流を流して導通し、逆バイアスを加えて遮断する方法
であって、その回路例を第１図に示す。図のＤは入カド
ランスＴ１と出カドランスＴ２の間に直列にそう人した
ダイオードであって、電源回路よｐ抵抗Ｒ１を通してＤ
に電流を流して導通状態としている。Ｒ１の接続点と信
号帰路間にそう人したＣ１は信号のパイノソス用である
。またＲ１の接続点と帰路間にコレクタＣとエミッタＥ
を接続したトランジスタＱの４−スＢに制御信号を加え
、Ｃ−Ｅ間をＯＮとするとＣの電位は０．５ｖ以下とな
るから、Ｄの出力側の逆バイアス回路Ｆの逆バイアス電
圧’ｉ　０．５　Ｖ以上としておけば、Ｄ　ｌ−１：　
ｒ断」とな多信号を遮断することになる。ところが、実
際にはＤには数ｐＦのストレー容量を含んでいるため、
高周波信号回路では信号の通り抜けがあシ、十分な減衰
が望めない。

これを補った回路が第２図であって、第１図のＤの代り
にＤｌ　・Ｄｌの２個のダイオードを直列とし、その接
続点と信号帰路の間にストレー容量の１０倍から１００
倍程度の容量のＣ２をそう人することによシ、「断」時
にはストレー容量とＣ２とでＴ形容量減衰回路を構成す
るから、第１図に比して通シ抜けを２０から４０７Ｊジ
ベル程度も抑圧することが出来るものである。ただし導
通時に信号回路と帰路の間に０２が並列となるため、多
少の信号損失がアシ、入出力のトランスとの異状共振を
生じないようにＣ２の容量設定には特別の注意が必要で
ある。

次に第３図に本発明の回路例を示して、その動作を説明
する。第３図において信号通過回路に直列にそう人され
、かつ導通方向を等しくする２個のダートダイオードＤ
１　・Ｄｌと、入力信号回路Ｔｌの２次側の低電位側と
正電源を結ぶ抵抗Ｒ１と、同じく信号帰路とを結ぶＣ１
と、制御用トランジスタＱについては構成、動作ともに
第２図と同じである。ただＱのエミッタＥは帰路に落ず
代シに負電源に結んであるのが相違している。またＤＩ
とＤｌの接続点のＣ２は抵抗Ｒ２全通して帰路に結び、
Ｃ，とＲＺの接続点とＱのコレクタＣの間に補助ダイオ
ードＤ３をそう人しであるのが特徴である。

第３図回路の動作は、制御トランジスタＱに制御信号が
加わらない状態ではＣ−Ｅ間はオフであシ、正電源よシ
Ｒ１・Ｔ１　・ＤＩ−Ｄｌ　　・Ｔ２を通って実線矢印
の方向に電流が流れ、Ｄｌ　・Ｄｌは導通している。こ
の時に補助ダイオードＤ３は逆バイアスされて非導通状
態である。

次にＱのＢにオン信号が加わるとＣ−Ｅ間はＯＮとなる
。ただ第２図と異るところはＥが負電位になっているの
で、Ｃとこれに接る回路の電位は帰路の電位よシマイナ
スになることである。これはＤｌ　・Ｄｌに逆バイアス
として作用するから、第２図の逆バイアス回路Ｆは不要
であシ、Ｔ２の１次側は直接に帰路に落すことができる
。またＣの電位が帰路電位よシマイナスに変ったため補
助ダイオードには順バイアスとなシ、Ｒ２・Ｄ３を通つ
て点線矢印の方向に電流が流れる。つ１すＤ３は導通状
態となる。このときＤｌ　・Ｄｌは非導通状態であって
信号を遮断する。

上記の動作をさらに良く理解するために、信号通過時の
等価回路を第４図（Ａ、）に示す。ＣＯはダイオードの
ストレー容量、ｒはダイオードの順方向抵抗である。ｒ
は１０オ一ム程度であり、Ｃ。

を３ｐＦとすれば、そのリアクタンスは１０　ＭＦ（ｚ
でも５０００オ一ム以上であるから、（Ｂ）のように簡
略化できる。この図からＲ２をｒの１００倍程度以上に
取ればＣ２の容量は損失や共振と無関係になることが理
解される。

信号遮断時の等価回路は第５図（Ａ）である。この状態
ではＤ３が導通しているため、Ｃ２はｒとＣ１を経て帰
路に落ちるが、Ｃ１はバイパス用で０２の１０倍以上の
容−量が普通であシ、Ｒ３もｒとＣ１のリアクタンスに
比してはるかに大きいから、簡略化回路は（Ｂ）のよう
になる。前記のようにＣ，のりアクタンスはｒに比して
はるかに大きいから、減衰効果においては第２図回路と
大差は無く、Ｃ２を必要なだけ大きくできる点において
優れている。

本発明の第３図回路を第２図と比較すると％　Ｒ２とＤ
３の増加は逆バイアス回路の省略によシ、はぼ相殺する
ことができ、正負の２電源はオペアンプ使用機器では常
用されているので、本発明回路の採用による費用の増加
は殆んど無いといってよい。

以上に述べたように、本発明によれば信号ダート回路に
おいて、信号通過時の損失や異状共振を生ずること無く
、信号遮断時には十分な減衰が得られる優れた効果を得
られるものであ、る。

なお本発明の回路は逆方向の信号に対しても全く同等の
効果を有するから、上記と入力と出力を逆接続とした信
号ダート回路に対しても、本発明は適用されるものであ
る。

また入カドランスと出カドランスの中点を信号帰路とし
たプツシ−プル接続の、平衡影信号ダート回路について
も、本発明は適用されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は信号ケ９−ト回路の従来回路例。 第３図は本発明による回路例、第４図は第３図の信号通
過時の等価回路図、第５図は第３図の信号遮断時の等価
回路図である。 Ｃｌ−Ｃ２・・・コンデンサ、Ｄ−ＤＩ−Ｄ２　　・Ｄ
３・・・ダイオード、Ｒ１・Ｒ２・・・抵抗、Ｑ・・・
制御トランジスタ。 特許請求人　八重洲無線株式会社 ￥１　＞’０ 寛　Ｚ　品

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 信号通過回路に直列にそう人され、かつ導通方向を等し
   くする２個のダートダイオードと、前記２個のダートダ
   イオードの接続点より、コンデンサと抵抗を通して信号
   帰路に接続する回路と、　　　　　　　　　　　　　　
   　　　　　　　　＼前記コンデンサと抵抗の接続点と信
   号入力回路または信号出力回路の低電位側との間にそう
   人した補助ダイオードと、 前記信号回路の低′龜位側と補助ダイオードの接続点と
   信号帰路との間にそう人したコンデンサＹ、前記信号回
   路の低電位側と補助ダイオードの接続点と正（または負
   ）電源との間にそう入した抵抗と、 前記信号回路の低電位側と補助ダイオードの接続点にコ
   レクタ金接続し、エミッタを負（または正）電源に接続
   し、ペースにゲート制御信号を加見られたトランジスタ とにより構成され、ゲートダイオードの導通時には補助
   ダイオードは非導通で６Ｄ、ダートダイオードの非導通
   時には補助ダイオードは導通する動作関係であることを
   特徴とする信号ケ°−ト回路。