JPS5918789B2 - バブル素子用マ−ジ素子 - Google Patents
バブル素子用マ−ジ素子Info
- Publication number
- JPS5918789B2 JPS5918789B2 JP57214778A JP21477882A JPS5918789B2 JP S5918789 B2 JPS5918789 B2 JP S5918789B2 JP 57214778 A JP57214778 A JP 57214778A JP 21477882 A JP21477882 A JP 21477882A JP S5918789 B2 JPS5918789 B2 JP S5918789B2
- Authority
- JP
- Japan
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- bubble
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- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、イオン注入型コンテイギユアスーデイスク・
バブル素子に係り、更に具体的に云えば、間隙に関する
許容度の大きいマージ素子に係る。
バブル素子に係り、更に具体的に云えば、間隙に関する
許容度の大きいマージ素子に係る。
先行技術イオン注入型コンテイギユアスーデイスク・バ
ブル素子に於けるマージ・ゲートは、2つのバブル・デ
ータの流れを単一の共通の流れに結合するために用いら
れ得る。
ブル素子に於けるマージ・ゲートは、2つのバブル・デ
ータの流れを単一の共通の流れに結合するために用いら
れ得る。
例えば、1つの検出器が記憶ループから又は直接に発生
器からのバブルを感知し得る様に、上記検出器に導かれ
るトラック上にマージ・ゲートが配置され得る。従来技
術に於て、イオン注入型コンテイギユアスーデイスク・
バブル素子は、BellSystemTechnica
lJournal)第59巻、第229頁乃至第257
頁(1980年2月刊)に於てNelson等により、
又本明細書の第1図に示されている如く、米国特許第4
276614号の明細書に於て記載されている。
器からのバブルを感知し得る様に、上記検出器に導かれ
るトラック上にマージ・ゲートが配置され得る。従来技
術に於て、イオン注入型コンテイギユアスーデイスク・
バブル素子は、BellSystemTechnica
lJournal)第59巻、第229頁乃至第257
頁(1980年2月刊)に於てNelson等により、
又本明細書の第1図に示されている如く、米国特許第4
276614号の明細書に於て記載されている。
反時計方向の面内回転磁界を加えられたとき、それらの
バブルは、極めて良好な入力転送トラック12及び極め
て不良な入力転送トラック14に沿つてマージ領域16
に転送され、更に極めて良好な出力転送トラック18に
沿つて転送される。このマージ・ゲートは2つの入力径
路間に於ける先端と先端との関係にJ 依存している。
又、このマージ・ゲートは、間隙に関して大きな許容度
を有さず、即ち10%以上のバイアス磁界範囲を有する
ためには間隙の幅がバブルの直径に近くなければならな
い。更に、このマージ・ゲートは、結晶方向の影響を受
け易い。門 結晶方向が900回転されると、バブルが
マージ素子を経ていずれの方向にも転送され得るので、
その素子はもはやマージ素子として働かない。イオン注
入型コンテイギユアスーデイスク・バブル素子用のもう
1つのマージ素子は、米国特許第4402060号明細
書に記載されている。このマージ素子は、第2入カトラ
ツクの尖頭(Cusp)部分に実質的に面してマージ領
域を形成する先端(Tlp)部分を有する第1入カトラ
ツクを含んでいる。
バブルは、極めて良好な入力転送トラック12及び極め
て不良な入力転送トラック14に沿つてマージ領域16
に転送され、更に極めて良好な出力転送トラック18に
沿つて転送される。このマージ・ゲートは2つの入力径
路間に於ける先端と先端との関係にJ 依存している。
又、このマージ・ゲートは、間隙に関して大きな許容度
を有さず、即ち10%以上のバイアス磁界範囲を有する
ためには間隙の幅がバブルの直径に近くなければならな
い。更に、このマージ・ゲートは、結晶方向の影響を受
け易い。門 結晶方向が900回転されると、バブルが
マージ素子を経ていずれの方向にも転送され得るので、
その素子はもはやマージ素子として働かない。イオン注
入型コンテイギユアスーデイスク・バブル素子用のもう
1つのマージ素子は、米国特許第4402060号明細
書に記載されている。このマージ素子は、第2入カトラ
ツクの尖頭(Cusp)部分に実質的に面してマージ領
域を形成する先端(Tlp)部分を有する第1入カトラ
ツクを含んでいる。
出力トラツクが上記マージ領域に関連している。一好実
施例に於ては、上記マージ素子は受動素子であつて、導
体を有していない〇もう1−?の実施例に於ては、上記
マージ素子は能動素子であり、導体を有している。本発
明の要旨 本発明の目的は、間隙に関する許容度が大きく、結晶方
向によつて影響され難い、改良されたコンテイギユアス
ーデイスク・バブル素子用マージ素子を提供することで
ある。
施例に於ては、上記マージ素子は受動素子であつて、導
体を有していない〇もう1−?の実施例に於ては、上記
マージ素子は能動素子であり、導体を有している。本発
明の要旨 本発明の目的は、間隙に関する許容度が大きく、結晶方
向によつて影響され難い、改良されたコンテイギユアス
ーデイスク・バブル素子用マージ素子を提供することで
ある。
上記及び他の目的は、第2入カトラツクの端部に実質的
に面してマージ領域を形成する端部を有する第1入カト
ラツクを含む、本発明による、間隙に関する許容度の大
きいマージ素子によつて達成される。
に面してマージ領域を形成する端部を有する第1入カト
ラツクを含む、本発明による、間隙に関する許容度の大
きいマージ素子によつて達成される。
第1入カトラツクの端部に於ける直線状縁端領域は、該
縁端領域が面している第2入力トラツクの端部に於ける
直線状縁端領域と異なる長さを有する。その1実施例に
於ては、上記直線状縁端領域は、バブルが第1入カトラ
ツク上を転送されている方向に対して垂直である。もう
1つの実施例に於ては、上記直線状縁端領域は、バブル
が第1入カトラツク上を転送されている方向に対して平
行である0この間隙に関する許容度の大きいマージ素子
は、間隙がバブルの直径の2倍以上であることを可能に
し、その様な場合で.も10?のバイアス磁界範囲を与
える。又、このマージ素子は、結晶方向によつて影響さ
れ難い。本発明の好実施例 第2図に示されている如く、マージ素子20は、(結晶
方向28を有するバブル・ドメイン支持材料(図示せず
)中に、イオン注入領域26によつて包囲されている2
つの非イオン注入領域22及び24を含む。
縁端領域が面している第2入力トラツクの端部に於ける
直線状縁端領域と異なる長さを有する。その1実施例に
於ては、上記直線状縁端領域は、バブルが第1入カトラ
ツク上を転送されている方向に対して垂直である。もう
1つの実施例に於ては、上記直線状縁端領域は、バブル
が第1入カトラツク上を転送されている方向に対して平
行である0この間隙に関する許容度の大きいマージ素子
は、間隙がバブルの直径の2倍以上であることを可能に
し、その様な場合で.も10?のバイアス磁界範囲を与
える。又、このマージ素子は、結晶方向によつて影響さ
れ難い。本発明の好実施例 第2図に示されている如く、マージ素子20は、(結晶
方向28を有するバブル・ドメイン支持材料(図示せず
)中に、イオン注入領域26によつて包囲されている2
つの非イオン注入領域22及び24を含む。
第1図に示されている従来技術に於ける、1つの極めて
良好な入力転送トラツク12zと、1つの極めて不良な
入力転送トラツク14と、1つの極めて良好な出力転送
トラツク18との組合せと異なり、本発明に於ては、結
晶方向28によつて、両入力転送トラツク30及び32
並びに出力転送トラツク34はすべて、良好な転送トラ
ツクである。入力転送トラツク30は、入力転送トラツ
ク32の端部38に実質的に面してマージ領域を形成す
る端部36を有している。端部36は、入力転送トラツ
ク30を出力転送トラツク34に接続させる直線状縁端
領域40を有している。直線状縁端領域40は或る所与
の長さを有している0端部38は、直線状縁端領域40
に平行な直線状縁端領域42を有している。直線状縁端
領域42の長さは、直線状縁端領域40の長さよりも長
い。マージ機能を得るために、2つの直線状縁端領域4
0及び42の長さは互いに異なつている必要がある。
良好な入力転送トラツク12zと、1つの極めて不良な
入力転送トラツク14と、1つの極めて良好な出力転送
トラツク18との組合せと異なり、本発明に於ては、結
晶方向28によつて、両入力転送トラツク30及び32
並びに出力転送トラツク34はすべて、良好な転送トラ
ツクである。入力転送トラツク30は、入力転送トラツ
ク32の端部38に実質的に面してマージ領域を形成す
る端部36を有している。端部36は、入力転送トラツ
ク30を出力転送トラツク34に接続させる直線状縁端
領域40を有している。直線状縁端領域40は或る所与
の長さを有している0端部38は、直線状縁端領域40
に平行な直線状縁端領域42を有している。直線状縁端
領域42の長さは、直線状縁端領域40の長さよりも長
い。マージ機能を得るために、2つの直線状縁端領域4
0及び42の長さは互いに異なつている必要がある。
それらの直線状縁端領域が互いに異なる長さを有してい
るとき、縁端領域40及び42の間の領域は、バブルの
転送のための単方向性の径路となる0直線状縁端領域4
0及び42が同一の長さを有している場合には、それら
の縁端領域の間の領域は、第1図の場合と同様に、両方
向のバブルの転送を可能にする。回転方向が逆転された
場合には、マージ領域を経てバブルが転送される方向も
逆転され、即ちバブルはマージ領域を経てマージ領域か
ら出力転送トラツク30に沿つて転送される。
るとき、縁端領域40及び42の間の領域は、バブルの
転送のための単方向性の径路となる0直線状縁端領域4
0及び42が同一の長さを有している場合には、それら
の縁端領域の間の領域は、第1図の場合と同様に、両方
向のバブルの転送を可能にする。回転方向が逆転された
場合には、マージ領域を経てバブルが転送される方向も
逆転され、即ちバブルはマージ領域を経てマージ領域か
ら出力転送トラツク30に沿つて転送される。
実施例
第2図に示されている型のマージ素子のテストが単一層
のバブル・フイルム上に於て行われた。
のバブル・フイルム上に於て行われた。
そのテストは、500e及び400kHzの駆動磁界で
開始/停止動作を用いて行われた。直線状縁端領域42
が3ミクロンの長さを有しそして領域40及び42の間
のチヤネル幅が2ミクロンであるマージ素子に於て、1
1%のバイアス磁界マージンが得られた。上記マージン
の下限に於ては、バブルは直線状縁端領域40及び42
の間のマージ領域に入らない。上記マージンの上限に於
ては、バブルはマージ領域に入るときに崩壊し、これは
マージ領域の開孔によりマージ領域に於ける縁端領域の
親和力が低下する結果である。このマージ素子の中間の
バイアスは、同一試料の18平方ミクロンのマイナ・ル
ープの場合に極めて近い。上記実施例に於けるデータは
、マージ機能が、専ら第2図に示されている素子の形状
を用いることによつて達成され、第1図に示されている
素子が適切な動作を行うために必要とされていた結晶方
向の効果を用いていないことを示している。しかしなが
ら、第2図の素子は又、結晶方向の効果を利用する様に
も配向され得る。第3図は、マージ・ゲートのもう1つ
の設計を示している。
開始/停止動作を用いて行われた。直線状縁端領域42
が3ミクロンの長さを有しそして領域40及び42の間
のチヤネル幅が2ミクロンであるマージ素子に於て、1
1%のバイアス磁界マージンが得られた。上記マージン
の下限に於ては、バブルは直線状縁端領域40及び42
の間のマージ領域に入らない。上記マージンの上限に於
ては、バブルはマージ領域に入るときに崩壊し、これは
マージ領域の開孔によりマージ領域に於ける縁端領域の
親和力が低下する結果である。このマージ素子の中間の
バイアスは、同一試料の18平方ミクロンのマイナ・ル
ープの場合に極めて近い。上記実施例に於けるデータは
、マージ機能が、専ら第2図に示されている素子の形状
を用いることによつて達成され、第1図に示されている
素子が適切な動作を行うために必要とされていた結晶方
向の効果を用いていないことを示している。しかしなが
ら、第2図の素子は又、結晶方向の効果を利用する様に
も配向され得る。第3図は、マージ・ゲートのもう1つ
の設計を示している。
この設計を用いた場合には、直線状縁端領域40A及び
42Aは入力転送トラツク46及び48の方向に平行で
ある。概して、この型のマージ・ゲートは他の配向を用
いても動作するO
42Aは入力転送トラツク46及び48の方向に平行で
ある。概して、この型のマージ・ゲートは他の配向を用
いても動作するO
第1図は従来技術によるマージ素子の上面図、第2図は
本発明の一実施例によるマージ素子の上面図、第3図は
本発明のもう1つの実施例によるマージ素子の上面図で
ある。 12・・・・・・極めて良好な入力転送トラツク、14
・・・・・・極めて不良な入力転送トラツク、16・・
・・・・マージ領域、18・・・・・・極めて良好な出
力転送トラツク、20・・・・・・マージ素子、22,
24・・・・・・非イオン注入領域、26・・・・・・
イオン注入領域、28・・・・・・結晶方向、30,3
2,46,48・・・・・・入力転送トラツク、34・
・・・・・出力転送トラツク、36,38・・・・・・
端部、40,40A,42,42A・・・・・・直線状
縁端領域。
本発明の一実施例によるマージ素子の上面図、第3図は
本発明のもう1つの実施例によるマージ素子の上面図で
ある。 12・・・・・・極めて良好な入力転送トラツク、14
・・・・・・極めて不良な入力転送トラツク、16・・
・・・・マージ領域、18・・・・・・極めて良好な出
力転送トラツク、20・・・・・・マージ素子、22,
24・・・・・・非イオン注入領域、26・・・・・・
イオン注入領域、28・・・・・・結晶方向、30,3
2,46,48・・・・・・入力転送トラツク、34・
・・・・・出力転送トラツク、36,38・・・・・・
端部、40,40A,42,42A・・・・・・直線状
縁端領域。
Claims (1)
- 1 イオン注入コンテイギユアス・ディスク型の第1及
び第2のバブル転送トラックを含むバブル素子用マージ
素子であつて、上記第1のバブル転送トラックがその端
部に第1の長さの直線状縁端領域を有しており、上記第
2のバブル転送トラックがその端部に上記第1の長さよ
りも長い第2の長さの直線状縁端領域を有しており、上
記第1及び第2のバブル転送トラックの上記直線状縁端
領域が相互に対面することによつてマージ・チャネルを
形成する様上記第1及び第2のバブル転送トラックが配
置されており、上記第1及び第2のバブル転送トラック
の上記端部の形状が上記マージ・チャネルの中央線に関
して非対称である事を特徴とするバブル素子用マージ素
子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/351,814 US4414649A (en) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | Gap tolerant merge element for contiguous-disk bubble devices |
| US351814 | 2003-01-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147881A JPS58147881A (ja) | 1983-09-02 |
| JPS5918789B2 true JPS5918789B2 (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=23382520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214778A Expired JPS5918789B2 (ja) | 1982-02-24 | 1982-12-09 | バブル素子用マ−ジ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4414649A (ja) |
| JP (1) | JPS5918789B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4276614A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Ion-implanted magnetic bubble memory with merge port |
-
1982
- 1982-02-24 US US06/351,814 patent/US4414649A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-09 JP JP57214778A patent/JPS5918789B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147881A (ja) | 1983-09-02 |
| US4414649A (en) | 1983-11-08 |
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