JPS59188183A - 光通信装置およびその製造方法 - Google Patents

光通信装置およびその製造方法

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JPS59188183A
JPS59188183A JP58060749A JP6074983A JPS59188183A JP S59188183 A JPS59188183 A JP S59188183A JP 58060749 A JP58060749 A JP 58060749A JP 6074983 A JP6074983 A JP 6074983A JP S59188183 A JPS59188183 A JP S59188183A
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JP
Japan
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inner end
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light
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JP58060749A
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Toyohiko Takahashi
高橋 豊彦
Atsushi Sasayama
佐々山 厚
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
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    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野] 本発明は光通信技術に適用して特に有効な技術1/ζ関
するもので、たとえば、光通信における発信側となる光
通信装置およびその製造方法に関する。
〔背穿枝術] 光子仏における発信側光通佃装飲の一つと[7て、本出
願人は第1図に示すような構造の光ファイバー伺し−ザ
ーダイオード装置ケ開発し、た。このレーザーダイオー
ド装置は、長方形4!、のステム1?基にして組み立て
られている。すなわち、ステム1は長方形金属板の一面
(上面)?切削7J+l T して中IJ刊、−にリン
グ状封止壁2ケ形成するとともに、とび)リング壮士j
止壁2の内倶晴さらに深く〈シ抜きかつそのJK面中央
部に台座部3ヶ形作っている。
そlて、この台座部3+にソルダー?介して固定したせ
ブマウント4−ヒにソルダーによって半導淋1/−ザー
素子5ヶ固定している。甘た、この半測体1/ −−リ
ー素子5のレーサー光ケ出射する一方の出射面に対面す
るステム1の一端周壁にはファイバ−ガイド67′Ii
W通固定されている。このファイバーガイド6けその中
央に光フアイバー7?!7内蔵11光フアイバー70内
端は半導体レーザー素子5の一方の出射面に対面し、レ
ーザー光を取り込むようにな−っている。
一方、半導体レーザー素子(【/−ザーチソプ)5の他
方の出射面に対面する側にリードステム8が配設さハて
いる1、このリードステム8は絶紬、性の本体9と、と
の本#、9の主面卦よび主面端から突出する2本の書′
由性から彦る補助リード10゜11と、からなっている
。一方の補助リード10の本体主面に位置する内端は幅
広のチ1、・ブ御付部12ケ形広し、このチップ取伺部
11にはレーサーチップ5から出射されるレーザー光ケ
受光する受光素子(受光チップ)13が固定きれている
また、この受光チップ13の電極と他方の補助リード1
1の内端とはワイヤ(導線)14を介して型側的に接続
されている。また、これら両補助リードi 0 、 i
 iの外端はステム1の周壁を貫通しかつガラスのよう
な絶縁体15,16?r介し、て固定される2本のリー
ド17.18の内端に溶、接等によって接続されている
。これらリード17.18は受光チップ13に生じる光
量ケミ気菌に検出した際の出力取り出し端子となる。
他方、ステム1の周壁には別に2本のリード1920が
取り付けられている。1本は直接ステム1に溶接によっ
て取り付けられ、サブマウント4ケ介してレーザーチッ
プ5の下部電極と等電位と々す、他の1本はステム1の
周壁ケ貫通し、ガラスのような絶縁体21?介して固定
され、内端はレーザーチップ5の上部■、極に一端を固
定されだワイヤ(導線)22の細端が固定されている。
したがって、これら1対のリード19.20に所定の電
圧を印加すると、レーサーチップ5内でレーザー発振が
起き、レーザー光がレーサーチップ5の両端の出射面か
ら発振これる。一方のレーザー光ハ光ファイバー7に取
り込まわて装置外部に++yり出され、他方のレーザー
光は受光チ、ツブ13に囮射はねる。
きらに、図示はしないが、リング状封止壁2の上端には
円板状のキャップが気密的に取り付けられる。甘た、ス
テム1の四隅には袋筒実装時に利用される1(y封孔2
3がそれぞれ設けられている。
しかし、このような技術においては、つぎのような問題
点が生ずるということが本発明者によってあきらかにさ
れfC6 (D、  リートステム8の補助リード10.11勿1
勾のり一ド17’ 、 1 Bの内端に接続する際0、
一方の補助リード11は途中で適邑に折り曲げてIJ−
ド17の内端に重ね合せ、その状魁で溶接固定し。
なければならない。寸た、この際、受光チップ13のレ
ーサーチップ5に対する位置決めも行なわなければなら
ない。このため、補助リード接続作業は面倒となり、作
業時間も多く掛り易く、作業性が悪い。
(2\ リードステム8は細t/−12本の補助リード
1011およびリード17.18によって支持されてい
るため、支持長が長くなり、装置全体に外力が加わると
、振動し易くなり、受光チップによるレーザー光強度検
出の安定性が悪く々って信頼度が低くなる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は受光素子の取り利は位僧精度ケ高め易く
かつ取り付は作業がし易い光通信装置の製造方法を提供
することによって、品質の優れた光通信装置を提供する
ことにある。
壕だ、本発明の弛の目的は振動に対し、ても安定して光
強度を検出することのできる光通信装置を提供する、こ
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添伺図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の櫃要〕
本願において開示される発明のうち代表的な(のの郭要
ゲ簡単に説明すれば、下記のとおりで其る。
すなわち、との実施例の光通儒装置はステムの中央部に
くり抜き部分會設けるとともに、このく9抜き部分下部
に主面(内面)に半導体レーザー素子?固定したステー
ジを嵌合固定し1、かつ前記くり抜き部分内に突出する
ようにリードをステムの周壁に判通固定して、そのリー
ドの内端に前記半導体レーザー素子から発光される1ノ
−ザー光ケ受光する受光素子を固定した構造となってい
て、その製造にあっ1は、ステムにステージを固定する
前にリードの端面に受光素子ケ固定しかつこの受光素子
の電極へのワイヤ張υ作業を終了しておくことによって
、受光素子の数個は會正硲かつ簡単に行なえ所期の目的
が達成できるとともに、受光素子?支持長が短かいリー
ドで保持することによって振動に苅しても安定したレー
ザー元強度の検出が達成できるようにしたものである。
〔実施例〕
第2図は本発明の一実施例によるレーザーダイオード装
置の要部ケ示す舶視図、第3図は第2図のm−■線に沿
う断面図、第4図は本発明の一実施例によるレーザーダ
イオード装置の製造方法ケ示す断面図である。
このレーザーダイオード装置は外観的には第1図に示す
装置(近似り一ている。すなわち、この装置も長方形状
のステム1を基にして組み立てられている。ステム1は
長方形金属板の一面(上面)?切削加工して中央部にリ
ング状制止壁2を形成している。リング状封止壁2の内
側はさらに深くくり抜かれるとともに、第3図に示すよ
うに、そのくり抜き部分の中央は下部が大径となる段伺
状の孔24が設けられている。そして、この段付状の孔
24にはこれに対応した段付金属円板状のステージ25
が気密的に嵌合固定されている。また、ステージ25の
略中央には半円状の台座部3が設けられていて、この上
にはソルダーによって固定されたサブマウント4を介し
て半導体レーザー素子(レーザーチップ)5がツルグー
によって固定ばれている。また、この半導体レーザー素
子5のレーザー光ケ出射する一方の出射面に対面するス
テム1の一端側壁にはファイバーガイド6が貫通固定こ
れている。このファイバーガイド6はその中心に光フア
イバー7ケ内蔵し、光ファイノ<−7の内端はレーザー
チップ5の一方の出射面に対面し1、レーザー光?取り
込むようになっている。
一方、レーザーチップ5の他方の出射面に対面するステ
ム周壁部分にはリード18が貫通し、ガラスのような絶
縁体16ケ介してステム1に固定さ才1ている。このリ
ード18の内端は板状の数個部26ケ形成し、このリー
ド内端面である数個部26面には受光素子(受光チ、ツ
ブ)13が固定さノ1ている。iた、このリード18の
側方にはステム周壁ケ貝通しかつ絶縁体15ケ介して同
定さ第1るリード17が配設され、このリード17の内
端と前記受光チップ13の上面に設けられた図示し。
ない電極とはワイヤ(導線)14で接続されている。し
たがって、これら1対のリード17 、18は受光チッ
プ13の出力取出端子ケ構成している。
他方、ステム1の周壁には別に2本のリード19.20
が取り付けられている。1本は直接ステム1に溶接によ
って取り伺けられ、サブマウント4を介してV−ザーチ
ップ5の下部電極と等電。
位となり、他の1本はステム1の同壁倉貫通し、ガラス
のような絶縁体21荀介して固定され、内端はレーザー
チップ5の上部電極に一端?固定されたワイヤ(導線)
22の他端が固定されている。
したがって、これら1苅のり一ド1920に所定の電圧
ヶ印加すると、レーザーチ3.Jプ5内でレーザー発振
が起き、レーザー光がレーザーチップ5の両端の出射面
から発振される。一方のレーザー光は光ファイバー7に
取り込まれて装置外部に取り出され、他方のレーザー光
は受光チップ13に照射これる。
ζらに、リング状封止壁2の上端には金属製のキャップ
27が気密的に取り付けられ、レーザーチップ5および
受光チップ13等を気密的に封止している。また、ステ
ム1の4隅には装置実装時に利JTIで第1る取付孔2
3がそれぞれ設けられている。
つぎに、第4図+a+〜icl k参照しながら、この
ような構造の光通信装置の製造方法、特に組立方法につ
いて説明する。組立に先立って同図IRIに示すように
、ファイバーガイド6および一部しか図示しないが4本
のリード17〜20(図では18のリードが示されてい
る。)ケ第2図に示すように固定したステム1?用、れ
する。この段階ではステージはステムに11ソり伺りら
れていかいため、ステム1の中央部はくり抜き部分で猶
辿状態となシ、段付孔、24が露出している。なお、フ
ァイバーガイド6は銀鑞28によってステム1に気密的
に固定謬れている。また、ファイバーガイド6の内端部
では光ファイバー7のコア(コア径はシングルモードフ
ァイバーの場合は7〜10μmφ、マルチモードファイ
バーの場合は50pmφ程度である。)のみがファイバ
ーガイド6の中心に沿って延在しているだけで、固定は
されていない。
つぎに、この同図talの状態でリード18の内部であ
る取付部26に受光素子(受光チップ)13ケ固定する
とともに、受光チップ13の電極と所定リード17の内
端と?ワイヤ14で接続する。
この接続作業時にはステム1ケ立てて取付部26の取付
面が上?向くようにして行なう。また、この作業時、ス
テム1の中央は抜けているので、受光チップ13または
ワイヤ?保持する図示しない一般のポンディングツール
はステム1に邪魔にされることなくボンディングができ
る。したがって、ボンディング作業は手動は勿論のこと
各半導体装置の組立に用いる自動ボンダーの適用も可能
となる。なお、このボンディング時に光ファイバー7が
邪魔となる場合が生じるならげ、光ファイバー7はファ
イバーツール6から抜いておいてボンディングケ行なっ
てもよい。
つぎに、同図iblに示すように、段付円板状のステー
ジ25?ステム1のくυ抜き部分下部の孔24に鋼材等
?用いて気密状態で嵌合固定する。ステージ25はその
上面中央に第2図で示すような半円形状の台船部3が形
成ツカている。そこで、この台座部3上にサブマウント
4ヶ介しゼ半導体レーザー素子(レーザーチップ)5′
にンルダー?用いて固定する。なお、ステム1にステー
ジ25ケ取り付ける除には、ステム1は関で示すように
横にし−ておく。つぎに、この状態でレーザーチップ5
の土部の電極と第2図に示すようなり一部19の内端ケ
ワイヤ(導#)22で電気的に接続する。
この際、1/−ザーチップ5は光、ファイバー7の光軸
と受光チ、ツブ13の中心ケ結ぶ線上に内部の光導波路
が一致するような位置ケ目標とし2て接続される。
つぎに、1対のリード19.20に所定の電圧ケ印加し
てV−ブーチップ5フ発光させ、との軟便で光ファイバ
ー7の光取り込み量が最大となる位iffに光ファイバ
ー7の内端部の位置を決定するとともに、ファイバーガ
イド6の内端部に利殖さ、+!:;i接合利2接合光2
8イバー7?固定しかつファイバーガイド内径部での%
j密性?保持はせる。
つぎに、ステム1のリング状封止壁2の」一部に円板状
のキャップ27を溶接あるいは接合材ケ用いて気密的に
取り付けてレーザーチップ5等ケ気密封止し、同図te
lに示すような光通信装置を製造する。
〔効果〕
(1)、本実施例によれば、受光素子は真直に延在する
リードの内端に固定する構造としたことにより、受光チ
ップ支持点からステムに支持される迄のリードの支持長
が第1図に示す構造のものに比較して短かくすることが
できるため、剛性が強くなり、装置に外力が加わっても
受光チ、2プ部分は振動し難くなる。この結果、V−ザ
ーチップから発振されたV−ザー光ケ常に安定して捕捉
することができ、V−ザー光強度のモニター信頼度が向
上する。
(2)、本実施例によれば、受光チップ固定およびワイ
ヤ接Mkする際、ステムの中央にはステージ?取シ付け
ない状態にしておくことにより、チップやワイヤの接続
作業空間會第1図の構造の装置組立時よりも大きくでき
る。この結果、受光チ、プ接続、ワイヤ接続の両ボンデ
ィングがし易くなり、作?4′Fが向上し作業時間が灼
縮これる。また、本’J′Mli例ではリードと補助リ
ードとの接続等の作業が小袋となることから、作業rI
間の矧縮が図ハる。
(3)、r′I′11記(2)に示したように、接続作
業空間が広く、ヂ、フ紮保持するボンディングツールの
動きが自由であるため、受光チップの取付位置も高精度
に行なぐるようになり、レーザーチップから発光される
1/−ザー光ケ適格に受光できるようになる。
(4)、本実施例によれば、レーザーチップはス密的に
封市されているた、め、酸化等がし難くなり、素子劣化
し難くなる。この女め、レーザー発振寿命が長く々る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨ケ逸説しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ギャップによって封止されるステム部分に温
度検出用のベルチェ素子ケ内蔵させて間接的にレーザー
チップの温度検出を行ない、この検出情報に基いてレー
ザー発振r制#するようにしてもよい。また、このよう
な光通個装値な・この光逆個装置?制御する回路系?実
装したハイブリッド基板に取り付けることにより、光通
信装置1タゲ芒らに使い易くすることもできる。
〔利用分野〕
用土の説明では主として本発明者によってなされた発明
奮その背景となった利用分野である光通信技術に適用し
fCC会合ついて説明し、たが、それに限定はれるもの
ではない。すなわち、牛導体し−ザー寧子およびこの素
子から発光される【/−ザー光強度ケ検出する受光素子
ゲ糾み込んだ発光装値には少なくとも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本出願人の開発によるレーザーダイオード装備
の要部?示す疹視図、 第2図は本発明の一実施例によるレーザーダイオード装
置の要部ケ示す争1視図、 オード装置の製造方法ケ示す断面図である。 1・・・ステム、2・・・リング状封止壁、3・・台座
部、4・・・ザブマウント、5・・・半導体レーザー素
子、6・・・ファイバーガイド、7・・・光ファイバー
、8・・・リードステム、9・・・本体、10.11・
・・補助リード、12・・チップ数個部、13・・・受
光素子、14・・・ワイヤ、15.16・・・絶縁体、
17〜2o・・・リード、21・・・絶縁体、22・・
・ワイヤ、23・・・取付孔、24・・・孔、25・・
・ステージ、26・・・取H部、27・・ギャップ、2
8・・銀釧、29・・・接合材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l 中央部がくり抜かわたステムと、このステムのくり
    抜き部分に嵌合固定されたステージと、このステージの
    上面に固定でれた半導体レーザー素子と、前記ステムに
    支持されかつ内端?前記半導体レーザー素子の一方の出
    射面に月面させた光ファイバーと、前記ステムに支持さ
    れ内端面に受光素子が固定されたリードと、を有し、か
    つ前記受光素子は前記半導体レーザー素子の他方の出射
    面に交1面し、ていることケ特徴とする光通信装置。 2、前記半導体レーザー素子はり密約に封止されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光通信装
    置。 3、中央部がくり抜かれたステムと、このステムのくり
    払き部分に嵌合固定されたステージと、このステージの
    上面に固定された半導体レーザー素子と、@11記ステ
    ムに支持されかつ内端ケ前記半導体レーザー素子の一方
    の出射面に月面はせた光ファイバーと、前記ステムに支
    持され内端面に受光#子が固定さhたリードと、r有(
    、かつ肖11記受光繁子は前記半導体レーザー素子の(
    IIJ方の出射面に文・1面[2てなる光通信装置の製
    造方法であって、前記ステージ?ステムに嵌合固定する
    前に所定リードの内端面に受光素子ケ固定(かつこの受
    光素子の電極と仙の所定リードの内端と勿ワイヤで電気
    的に接続することを特徴とする光通信装置の卯、り進方
    法。
JP58060749A 1983-04-08 1983-04-08 光通信装置およびその製造方法 Pending JPS59188183A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019153570A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
US10581220B2 (en) 2018-03-01 2020-03-03 Nichia Corporation Light emitting module

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