JPS59196603A - 半導体移相器 - Google Patents
半導体移相器Info
- Publication number
- JPS59196603A JPS59196603A JP7096483A JP7096483A JPS59196603A JP S59196603 A JPS59196603 A JP S59196603A JP 7096483 A JP7096483 A JP 7096483A JP 7096483 A JP7096483 A JP 7096483A JP S59196603 A JPS59196603 A JP S59196603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- phase shifter
- source electrode
- line
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明ｔｒｉ、 シリコン、ＧａＡａなどの半導体基
板に構成した電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと略す
）をスイッチとして用い、同一の半導体基板に構成した
マイクロスト９ツブ組路の径路を切シ換えてマイクロ岐
の位相を変える半導体移相器に崗するものである。
板に構成した電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと略す
）をスイッチとして用い、同一の半導体基板に構成した
マイクロスト９ツブ組路の径路を切シ換えてマイクロ岐
の位相を変える半導体移相器に崗するものである。
オ１図に、従来の半導体移相器の構造例を示す。
図において、（１）は半導体基板、（２）は地導体、（
３）Ｆｉ（２１と共にマイクロストリップ線路を構成す
るストリップ導体、（４）は２個のＦＥＴからなるｉ−
１の５ＰＤＴスイツチ、（５）は同じく第２の５ＰＵＴ
スイツチ（６１＃：ｊＦＢＴのドレイン電極、（７）は
ＰＥＴのゲート電極ｆ８） ｔｒｉＦＥＴのソース電極
である。また、 ＦＢ’ｌ’のゲート電極（７）には
ゲートバイアス電圧を印加するため高インピーダンス線
路（９）および低インヒータ“ンス線路υＱから成るバ
イアス回路（ＩＩ）（ｉ：介して、バイアス端子０２）
からバイアス電圧が印加される。なお。
３）Ｆｉ（２１と共にマイクロストリップ線路を構成す
るストリップ導体、（４）は２個のＦＥＴからなるｉ−
１の５ＰＤＴスイツチ、（５）は同じく第２の５ＰＵＴ
スイツチ（６１＃：ｊＦＢＴのドレイン電極、（７）は
ＰＥＴのゲート電極ｆ８） ｔｒｉＦＥＴのソース電極
である。また、 ＦＢ’ｌ’のゲート電極（７）には
ゲートバイアス電圧を印加するため高インピーダンス線
路（９）および低インヒータ“ンス線路υＱから成るバ
イアス回路（ＩＩ）（ｉ：介して、バイアス端子０２）
からバイアス電圧が印加される。なお。
ＦＥＴのスイッチ動作のためには、 ＦＥＴのドレイ
ン電圧、ソース電圧は直流的に同電位とするためドレイ
ン電極、ソース電極を通常接地して用いるが。
ン電圧、ソース電圧は直流的に同電位とするためドレイ
ン電極、ソース電極を通常接地して用いるが。
図では、そのためのバイア２回路の図示は省略している
。
。
才・２図は、第１図に示した従来の半導体移相器の動作
説明のための因である。図中、０３）はマイクロストリ
プ線路の主線路、０４１は電気長θ１の３′１の分岐線
路、 ＵＳ＋は電気長θ２の第２の分岐想路である。今
、ドレイン電圧、ソース電圧を直流的に同電位たとえば
ＯＶにしたとすると、ゲート電圧をＯｖとピンチオフ電
圧に切り（％えることによジ。
説明のための因である。図中、０３）はマイクロストリ
プ線路の主線路、０４１は電気長θ１の３′１の分岐線
路、 ＵＳ＋は電気長θ２の第２の分岐想路である。今
、ドレイン電圧、ソース電圧を直流的に同電位たとえば
ＯＶにしたとすると、ゲート電圧をＯｖとピンチオフ電
圧に切り（％えることによジ。
ＦＥＴのドレイン電極（６）とソース電極（８）間はマ
イクロ岐がコ■過、遮断のスイッチ動作をする。したが
って、２個のＰＥＴをドレイン１ｉ′極を共通して配置
し、かつ、それぞれのゲートバイアス電圧を一方はＯＶ
他方はピンチオフ電圧とし、同時に互いに他方のバイア
ス電圧にバイアスを切シ換えるならば単極双投スイッチ
（以下５ＰＤＴスイツチと略すン力Ｉ償成できる。
イクロ岐がコ■過、遮断のスイッチ動作をする。したが
って、２個のＰＥＴをドレイン１ｉ′極を共通して配置
し、かつ、それぞれのゲートバイアス電圧を一方はＯＶ
他方はピンチオフ電圧とし、同時に互いに他方のバイア
ス電圧にバイアスを切シ換えるならば単極双投スイッチ
（以下５ＰＤＴスイツチと略すン力Ｉ償成できる。
第２図において、主線路ｆ１３１を伝搬する電１ｇ！は
第１ （ｙ） ５ＰＤＴ ス（ｙ チ（４Ｊ、 ’：Ａ
’ Ｉ（７）分岐線路（１４１，７２の５ＰＤＴスイツ
チ（５）を通過していく。ここで２両５ＰＤＴスイツチ
を切り換え、電波伝搬径路を第２の分岐線路（１５１側
に切シ換えると、篭岐の位相は径路の電気長の差Δθ（
＝＝６２−０１）だけ遅れることにな夛移相器が構成さ
れる。
第１ （ｙ） ５ＰＤＴ ス（ｙ チ（４Ｊ、 ’：Ａ
’ Ｉ（７）分岐線路（１４１，７２の５ＰＤＴスイツ
チ（５）を通過していく。ここで２両５ＰＤＴスイツチ
を切り換え、電波伝搬径路を第２の分岐線路（１５１側
に切シ換えると、篭岐の位相は径路の電気長の差Δθ（
＝＝６２−０１）だけ遅れることにな夛移相器が構成さ
れる。
この半導体移相器は、オ・１および第２の分岐線路１１
４Ｊ ａ５）の長さの差で移相量が決まるため、ストリ
ップ導体（３）の寸法を正確に工作することにより肯度
良い移相量特性が得られる。しかし、伝搬径路の切シ換
えに必要な２個の、’１ＰＤＴスイッチを゛電波が通過
するため挿入損失が大きいという欠点かあった。
４Ｊ ａ５）の長さの差で移相量が決まるため、ストリ
ップ導体（３）の寸法を正確に工作することにより肯度
良い移相量特性が得られる。しかし、伝搬径路の切シ換
えに必要な２個の、’１ＰＤＴスイッチを゛電波が通過
するため挿入損失が大きいという欠点かあった。
この発明は、この間Ｍを解決するため２本のマイクロス
ト９ツグａ路間に直列にＦＥＴスイッチ全接続し、・か
つＰＥＴのソース電極とドレイン電極間を概略１／２岐
長の長ざのマイクロスト９ツグ＋Ｗｉ［から成る分岐線
路で接続し、さらに分岐線路の中間にソース電極を接地
したＦＥＴスイッチのドレイン電極を接続し、低損失な
１８０’移相器を得ようとするもので、以下図面につい
て詳細に説明する。
ト９ツグａ路間に直列にＦＥＴスイッチ全接続し、・か
つＰＥＴのソース電極とドレイン電極間を概略１／２岐
長の長ざのマイクロスト９ツグ＋Ｗｉ［から成る分岐線
路で接続し、さらに分岐線路の中間にソース電極を接地
したＦＥＴスイッチのドレイン電極を接続し、低損失な
１８０’移相器を得ようとするもので、以下図面につい
て詳細に説明する。
オ・３図に、この発明の一実施１＋！Ｉｆｆ：示す。Ｆ
ＥＴで構成した第１の単極単投スイッチａ６）（以下５
ＰＳＴスイツチと略称する）のドレイン電極（６）、ソ
ース電極（８）それぞれに、入出力マイクロストリップ
線路を構成するス）９ラグ尊体（３）が接続され、かつ
。
ＥＴで構成した第１の単極単投スイッチａ６）（以下５
ＰＳＴスイツチと略称する）のドレイン電極（６）、ソ
ース電極（８）それぞれに、入出力マイクロストリップ
線路を構成するス）９ラグ尊体（３）が接続され、かつ
。
上記ドレイン電極（６）、ソース電極（８）を、概略Ｉ
Ａ岐長の長さのマイクロスト９ツグ線路を構成するスト
リップ環体（３）で接続し、さらに、上記ストリップ導
体（３）の概略中間位置に、ソース電極（８］を。
Ａ岐長の長さのマイクロスト９ツグ線路を構成するスト
リップ環体（３）で接続し、さらに、上記ストリップ導
体（３）の概略中間位置に、ソース電極（８］を。
バイアホール（図示せず）等で接地した第２の８ＰＳＴ
スイツチａ７１のドレイン電極を接続した構成である。
スイツチａ７１のドレイン電極を接続した構成である。
第４図は、この発明の動作説明の図である。
５ＰＳＴスイツチ（１６）の両電極には、入出力線路と
なる主線路（ｌａｌおよびｘ７２枝長の長さを有する分
岐線路ＱＩＵが接続され２分岐線路ｑ樺の概略中間位置
に一方の電極を接地した５ＰＳＴスイツチａηが接続さ
れている。
なる主線路（ｌａｌおよびｘ７２枝長の長さを有する分
岐線路ＱＩＵが接続され２分岐線路ｑ樺の概略中間位置
に一方の電極を接地した５ＰＳＴスイツチａηが接続さ
れている。
第４図（ａ）でｉｉ、、 ＰＥＴのゲートバイアスが
ピンチオフ電圧に設定され、 ５ＰＳＴスイツチ（１
ω、ａηは遮断状態となっている。そのため、主線路０
３）を伝搬する電波は分岐線路０〜を径由して伝搬する
ようになる。
ピンチオフ電圧に設定され、 ５ＰＳＴスイツチ（１
ω、ａηは遮断状態となっている。そのため、主線路０
３）を伝搬する電波は分岐線路０〜を径由して伝搬する
ようになる。
一方、第４図（ｂ）では、 ＦＥＴのゲート、＜イア
スかＯＶに設定され、 ５ＰＳＴスイツチ（ｌｂＬ
Ｑηは導通状態となっている。そのため、 ５ＴＳＴ
スイツチ０６］のドレイン電極（６）、およびソース電
極（８）から分岐線路Ｏａｌ側を見たインビーターンス
は高インピーダンスすなわち開放状態となシ、電岐は分
岐線！；８０Ｓ）の影響を受けずに８Ｐ８Ｔスイツチ０
ωｔ＝遇する。
スかＯＶに設定され、 ５ＰＳＴスイツチ（ｌｂＬ
Ｑηは導通状態となっている。そのため、 ５ＴＳＴ
スイツチ０６］のドレイン電極（６）、およびソース電
極（８）から分岐線路Ｏａｌ側を見たインビーターンス
は高インピーダンスすなわち開放状態となシ、電岐は分
岐線！；８０Ｓ）の影響を受けずに８Ｐ８Ｔスイツチ０
ωｔ＝遇する。
したがって、 ５ＰＳＴスイッチα６１． （１ηを
構成するＦＦＴのダートバイアスをピンチオフ電圧から
ＯＶＫ切シ換えることによシ、電汲の伝搬位相は１８０
度変化し、１８０度移相器が構成できる。
構成するＦＦＴのダートバイアスをピンチオフ電圧から
ＯＶＫ切シ換えることによシ、電汲の伝搬位相は１８０
度変化し、１８０度移相器が構成できる。
この構成による半導体移相器では、電Ｉ＆はｌｔ’ＥＴ
から成る５ＰＡＴスイツチを−イ１ツ通過するのみで。
から成る５ＰＡＴスイツチを−イ１ツ通過するのみで。
１８０度移相播を得ることができ、従来、２個のスイッ
チを通過していた場合にくらべて挿入損失金１／２近く
に低減できる。
チを通過していた場合にくらべて挿入損失金１／２近く
に低減できる。
なお２以上ＳＴＳ’ｌ’スイッチａηのソース電極（８
１Ｉ′ｉバイア示−ル（図示せず）等で接地はれる場合
について説明したが、この発明はこれに限らず、オ５図
に示す。他の実施例のように、概略１７２鼓長の長さの
ストリップ導体（１９１の一端をソース電極（８）に接
続し、他端金地導体（２）に接続しても良い。また、１
６図に示す他の実施例のように、先端を軸数した概略１
／４ａ長の長さのストリップ導体（４）全ソース電極（
８）に接続してもよい。
１Ｉ′ｉバイア示−ル（図示せず）等で接地はれる場合
について説明したが、この発明はこれに限らず、オ５図
に示す。他の実施例のように、概略１７２鼓長の長さの
ストリップ導体（１９１の一端をソース電極（８）に接
続し、他端金地導体（２）に接続しても良い。また、１
６図に示す他の実施例のように、先端を軸数した概略１
／４ａ長の長さのストリップ導体（４）全ソース電極（
８）に接続してもよい。
以上のように、この発明に係る半導体移相器では、入出
力線路を構成する２本のマイクロストリップ線路間に直
列にＦＥＴスイッチを接続し、かつ上記ＦＥＴのソース
電極とドレイン電極間を概略１／２枝長の長さの分岐線
路で接続し、ざらに上記分岐線路の中間にソース電極全
接地したＦＥＴスイッチのドレイン電極を接続する構成
とすることによシ、電岐ＦｉＦＥＴスイッチを、１個通
過するだけで、１８０度移相器が構成でき低損失移相器
を得る仁とができる。
力線路を構成する２本のマイクロストリップ線路間に直
列にＦＥＴスイッチを接続し、かつ上記ＦＥＴのソース
電極とドレイン電極間を概略１／２枝長の長さの分岐線
路で接続し、ざらに上記分岐線路の中間にソース電極全
接地したＦＥＴスイッチのドレイン電極を接続する構成
とすることによシ、電岐ＦｉＦＥＴスイッチを、１個通
過するだけで、１８０度移相器が構成でき低損失移相器
を得る仁とができる。
２１図は従来の半導体移相器の構造の一例を示す図、第
２図は２１図の動作説明図、第３図はこの発明による半
導体移相器の構造の一例を示す図。 第４図は、第３因に示した半導体移相器の動作説明図、
第５図および１６図は、この考案にょる半導体移相器の
他の実施例の構愈を示す図である。 図中、（ｌ半導体基板、（２）は地樺体、（３）はスト
タップ導体、（４）は第１の５ＰＤＴスイツチ、（５）
は２・２の５ＰＤＴスイツチ、（６）はＦＥＴのドレイ
ン電極。 （７）はＦＥＴのゲート電極、（８）はＰＥＴのソース
電極。 （９）は高インピーダンス＆ｉＮ、（ｉｕｒは低インヒ
ータンス線路、０１）はバイアス回路、ｕ匈はバイアス
端子。 ａ３）は１１１Ｍ路、ａ々は第１の分岐線路、ｕ５）は
第２の分岐線路、叫はオｌの単極投スイッチ、αηは才
・２の単極単投スイッチ、０団は分岐線路、 （］！Ｉ
）は１／２妓長の長さのストリップ導体、（支））は、
１／４ｆｆＪ長の長さのストリップ導体である。 なお２図中同一あるいは相当部分には同−符−号を付し
て示しである。 代理人 大岩増丸
２図は２１図の動作説明図、第３図はこの発明による半
導体移相器の構造の一例を示す図。 第４図は、第３因に示した半導体移相器の動作説明図、
第５図および１６図は、この考案にょる半導体移相器の
他の実施例の構愈を示す図である。 図中、（ｌ半導体基板、（２）は地樺体、（３）はスト
タップ導体、（４）は第１の５ＰＤＴスイツチ、（５）
は２・２の５ＰＤＴスイツチ、（６）はＦＥＴのドレイ
ン電極。 （７）はＦＥＴのゲート電極、（８）はＰＥＴのソース
電極。 （９）は高インピーダンス＆ｉＮ、（ｉｕｒは低インヒ
ータンス線路、０１）はバイアス回路、ｕ匈はバイアス
端子。 ａ３）は１１１Ｍ路、ａ々は第１の分岐線路、ｕ５）は
第２の分岐線路、叫はオｌの単極投スイッチ、αηは才
・２の単極単投スイッチ、０団は分岐線路、 （］！Ｉ
）は１／２妓長の長さのストリップ導体、（支））は、
１／４ｆｆＪ長の長さのストリップ導体である。 なお２図中同一あるいは相当部分には同−符−号を付し
て示しである。 代理人 大岩増丸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板に構成したマイクロスト９ツグ線路と、上記
半導体基板と同一の半導体基板に構成した電界効果トラ
ンジスタとから成る半導体移相器において、オｌの電界
効果トランジスタのソース電極、ドレイン電極それぞれ
に、入力および出力側線路となるマイクロストリップ線
路を接続し。 かつ、上記ソース電極、ドレイン電極間を概略１／２波
長の長さのマイクロストリップ線路から成る分岐線路で
接続し、さらに、上記分岐線路の概略Ｖ２の長さの点に
おいて、ソース電極を接地した第２の電界効果トランジ
スタのドレイン電極全接続し。 上記刃・１および第２の電界効果トランジスタそれぞれ
のゲート電極にノ（イアスミ圧を印加する手段を具備し
たことを特徴とする半導体移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096483A JPS59196603A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096483A JPS59196603A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196603A true JPS59196603A (ja) | 1984-11-08 |
| JPH0119761B2 JPH0119761B2 (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=13446706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7096483A Granted JPS59196603A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196603A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208307A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPH01305601A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPH0223102U (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-15 | ||
| JPH0344303U (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
| US6542051B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Stub switched phase shifter |
| JP2009253800A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波帯スイッチ |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP7096483A patent/JPS59196603A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208307A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPH01305601A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPH0223102U (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-15 | ||
| JPH0344303U (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
| US6542051B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Stub switched phase shifter |
| JP2009253800A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波帯スイッチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0119761B2 (ja) | 1989-04-13 |
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