JPS59200434A - Ｃｖｄ装置の試料台の取りつけ取り外し機構 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の試料台の取りつけ取り外し機構Info
- Publication number
- JPS59200434A JPS59200434A JP58074083A JP7408383A JPS59200434A JP S59200434 A JPS59200434 A JP S59200434A JP 58074083 A JP58074083 A JP 58074083A JP 7408383 A JP7408383 A JP 7408383A JP S59200434 A JPS59200434 A JP S59200434A
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- JP
- Japan
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- stage
- arm
- sample base
- sample
- cvd apparatus
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3308—Vertical transfer of a single workpiece
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＣＶＤ装置の試料台を、人手で直接扱うことな
く、自動的に取りつけ取り外し出来るようにした機構に
関する。
く、自動的に取りつけ取り外し出来るようにした機構に
関する。
ＣＶＤ装置の試料を載置する試料台は、頻繁に洗浄を行
う必要がある。その為、従来は、作業者の手作業で、試
料台の交換、洗浄を行っていたが、下記のような問題が
生じていた。即ち、試料台の交換に際しては、安全の為
、Ｃ’ＶＤ反応炉内温度（５００℃）を一旦常温付近に
まで下げて行わねばならず、多大の時間を要する、手作
業による交換の為、粗雑な扱いにより試料台を傷つけた
り、設置誤りをしがちである、ウェハ（試料）の大口径
化に伴い試料台の重量が増加するため、作業自体に危険
が増加するなどの問題である。
う必要がある。その為、従来は、作業者の手作業で、試
料台の交換、洗浄を行っていたが、下記のような問題が
生じていた。即ち、試料台の交換に際しては、安全の為
、Ｃ’ＶＤ反応炉内温度（５００℃）を一旦常温付近に
まで下げて行わねばならず、多大の時間を要する、手作
業による交換の為、粗雑な扱いにより試料台を傷つけた
り、設置誤りをしがちである、ウェハ（試料）の大口径
化に伴い試料台の重量が増加するため、作業自体に危険
が増加するなどの問題である。
本発明の目的は、上記従来の如き問題のない、作業者は
単に例えば操作ボタンを押すだけで、ＣＶＤ装置の試料
台の取りつけ取り外しが自動的に出来るようにした機構
を提供することにある。
単に例えば操作ボタンを押すだけで、ＣＶＤ装置の試料
台の取りつけ取り外しが自動的に出来るようにした機構
を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、ＣＶＤ装
置の試料台に対し、ＣＶＤ装置の外部に設けた駆動部に
駆動されて、ＣＶＤ装置側壁を越える往復動とＣＶＤ装
置上下方向の往復動とが可能な腕と、この腕の先端に設
けた、試料台をつかみ又は放す手段とが、ＣＶＤ装置の
試料台停止位置に対応、連動して、試料台をつかんで持
ち上げ、ＣＶＤ装置外部の試料台置き場（ステージ）の
上に移動させ、この位置で下降して試料台をステージに
置いて放す、又はその逆に、ＣＶＤ装置外部のステージ
に置いた試料台をつかんで持ち上げ、ＣＶＤ装置内の試
料台ステージの上に移動させ、この位置で下降してＣＶ
Ｄ装置内ステージに置いて放す動作を、順次自動的に行
えるような機構を設けた。
置の試料台に対し、ＣＶＤ装置の外部に設けた駆動部に
駆動されて、ＣＶＤ装置側壁を越える往復動とＣＶＤ装
置上下方向の往復動とが可能な腕と、この腕の先端に設
けた、試料台をつかみ又は放す手段とが、ＣＶＤ装置の
試料台停止位置に対応、連動して、試料台をつかんで持
ち上げ、ＣＶＤ装置外部の試料台置き場（ステージ）の
上に移動させ、この位置で下降して試料台をステージに
置いて放す、又はその逆に、ＣＶＤ装置外部のステージ
に置いた試料台をつかんで持ち上げ、ＣＶＤ装置内の試
料台ステージの上に移動させ、この位置で下降してＣＶ
Ｄ装置内ステージに置いて放す動作を、順次自動的に行
えるような機構を設けた。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第１図に示す。図中、１は’ＣＶ
Ｄ反応炉（内部）、２は反応炉側壁、３は試料台、４は
腕、５は試料台をつかみ又は放すチャックヘッド、６は
駆動部、７は取りつけボタン、８は取り外しボタン、９
は反応炉外部に設けた試料台冷却用ステージ、１０は腕
４が取りつけられた上下方向往復動可能な回転軸である
。なお、図示してないが、ＣＶＤ反応炉１内の周辺に沿
って、試料台３をのせて自転しつつ公転する多数のステ
ージが設けられている。
Ｄ反応炉（内部）、２は反応炉側壁、３は試料台、４は
腕、５は試料台をつかみ又は放すチャックヘッド、６は
駆動部、７は取りつけボタン、８は取り外しボタン、９
は反応炉外部に設けた試料台冷却用ステージ、１０は腕
４が取りつけられた上下方向往復動可能な回転軸である
。なお、図示してないが、ＣＶＤ反応炉１内の周辺に沿
って、試料台３をのせて自転しつつ公転する多数のステ
ージが設けられている。
作業者が取り外しボタン８を押すと、腕４が回転軸１０
により回転されて腕の先端に設けたチャンクヘッド５が
ＣＶＤ反応炉内の一つのステージ即ち一つの試料台３の
真上に来る、ここで腕４は回転軸により下降させられて
チャックヘッド５がステージ上の試料台３をつかむ（こ
の例では真空チャンクが吸いつける）、次いで腕４は上
昇し、回転してチャックヘッド５がＣＶＤ装置反応炉外
の冷却用ステージ９の真上に来たところで回転運動は止
まり、この位置で腕４は下降し、試料台３が冷却用ステ
ージ９に丁度のったところでチャックヘッド５は試料台
３を放す。冷却用ステージ９に載せられた試料台３は冷
却されて後の取扱は容易になる。試料台が十分冷えた後
、作業者が手動で或いは別機構により自動で、本機構外
へ取り出す。同時に反応炉内の次ぎの試料台が１インデ
ツクスだけ移動して取り外し待機状態となる。
により回転されて腕の先端に設けたチャンクヘッド５が
ＣＶＤ反応炉内の一つのステージ即ち一つの試料台３の
真上に来る、ここで腕４は回転軸により下降させられて
チャックヘッド５がステージ上の試料台３をつかむ（こ
の例では真空チャンクが吸いつける）、次いで腕４は上
昇し、回転してチャックヘッド５がＣＶＤ装置反応炉外
の冷却用ステージ９の真上に来たところで回転運動は止
まり、この位置で腕４は下降し、試料台３が冷却用ステ
ージ９に丁度のったところでチャックヘッド５は試料台
３を放す。冷却用ステージ９に載せられた試料台３は冷
却されて後の取扱は容易になる。試料台が十分冷えた後
、作業者が手動で或いは別機構により自動で、本機構外
へ取り出す。同時に反応炉内の次ぎの試料台が１インデ
ツクスだけ移動して取り外し待機状態となる。
試料台取りつけ時も同様に、作業者あるいは自動機構に
よりステージ９上に載置された試料台３は、取りつけボ
タン７を押すことにより、ＣＶＤ装置反応炉１の内部周
辺の取りつけ待機位置で待機していた一つのステージの
上に置かれてチャックヘッド５から放される。、その後
、反応炉１内部周辺のステージ群は１インデツクスだけ
公転移動して次ぎのステージが待機状態となる。
よりステージ９上に載置された試料台３は、取りつけボ
タン７を押すことにより、ＣＶＤ装置反応炉１の内部周
辺の取りつけ待機位置で待機していた一つのステージの
上に置かれてチャックヘッド５から放される。、その後
、反応炉１内部周辺のステージ群は１インデツクスだけ
公転移動して次ぎのステージが待機状態となる。
なお図示してないが、自動ウェハ搬送機構等やこより、
試料台の自転位相が必要なときは、ステージ上、及び試
料台裏面に、それぞれ、位相の符牒となる突起および凹
みを設ければよい。
試料台の自転位相が必要なときは、ステージ上、及び試
料台裏面に、それぞれ、位相の符牒となる突起および凹
みを設ければよい。
以上説明したように本発明によれば、ＣＶＤ装置の試料
台の取りつけ取り外しが極めて容易となり、従来１２時
間毎に３時間程度必要とした試料台交換の為の時間が３
０分程度に短縮され、がっ、安全性、作業性が高められ
る。
台の取りつけ取り外しが極めて容易となり、従来１２時
間毎に３時間程度必要とした試料台交換の為の時間が３
０分程度に短縮され、がっ、安全性、作業性が高められ
る。
なお、本発明はプラズマＣＶＤ装置、エピタキシャル成
長装置、ドライエツチング装置、その他バッチ式で試料
台交換の必要な装置全般に応用できる。
長装置、ドライエツチング装置、その他バッチ式で試料
台交換の必要な装置全般に応用できる。
第１図は本発明一実施例の斜視図である。
１・−ＣＶＤ装置反応炉（内部） 、２−反応炉側壁、
３・−試料台、４・−・腕、５・−チャックヘッド、６
−駆動部、７−取りつけボタン、８−取り外しボタン、
９−冷却用ステージ、１〇−回転軸。 代理人 弁理士 縣 武雄
３・−試料台、４・−・腕、５・−チャックヘッド、６
−駆動部、７−取りつけボタン、８−取り外しボタン、
９−冷却用ステージ、１〇−回転軸。 代理人 弁理士 縣 武雄
Claims (1)
- ＣＶＤ装置の試料台に対し、ＣＶＤ装置の外部に設けた
駆動部に駆動されて、ＣＶＤ装置側壁を越える往復動と
ＣＶＤ装置上下方向の往復動とが可能な腕と、この腕の
先端に設けた、試料台をつかみ又は放す手段とが、ＣＶ
Ｄ装置の試料台停止位置に対応、連動して、試料台をつ
かんで持ち上げ、ＣＶＤ装置外部の試料台置き場の上に
移動させ、この位置で下降して試料台を置き場に置いて
放す、又はその逆に、ＣＶＤ装置外部の置き場に置いた
試料台をつかんで持ち上げ、ＣＶＤ装置内の試料台置き
場の上に移動させ、この位置で下降してＣＶＤ装置内置
き場に置いて放す動作を、順次自動的に行うようにした
ことを特徴とするＣＶＤ装置の試料台の取りつけ取り外
し機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074083A JPS59200434A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の試料台の取りつけ取り外し機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074083A JPS59200434A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の試料台の取りつけ取り外し機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200434A true JPS59200434A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13536919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58074083A Pending JPS59200434A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の試料台の取りつけ取り外し機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200434A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145077A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-11-21 | ||
| JPS5595320A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd device |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58074083A patent/JPS59200434A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145077A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-11-21 | ||
| JPS5595320A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd device |
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