JPS59201418A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS59201418A JPS59201418A JP58076429A JP7642983A JPS59201418A JP S59201418 A JPS59201418 A JP S59201418A JP 58076429 A JP58076429 A JP 58076429A JP 7642983 A JP7642983 A JP 7642983A JP S59201418 A JPS59201418 A JP S59201418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- dimensions
- transfer accuracy
- exposure time
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はマスク寸法の設計値からのずれ量を現像後の
フォトレゾストの寸法が設計寸法に等しくなるように露
光時間を調節することによシ制御している露光装置に関
する。
フォトレゾストの寸法が設計寸法に等しくなるように露
光時間を調節することによシ制御している露光装置に関
する。
従来、フォトリソグラフィ工程においてはネガタイプフ
ォトレジストが主に使用されている。
ォトレジストが主に使用されている。
しかし、最近の超高集積回路化に伴ない、解像寸法が２
〜３μｍのフオ） ＩＪソグラフィ技術が要求されるよ
うになり、フォトレジストもネガタイプのものからボッ
タイプに置き換わりつつある。また、解像寸法が微細化
されるにつれてフォトマスクも従来のエマルソヨンタイ
ゾのものから金属とその酸化物から万るー・−ドマスク
と呼ばれるものに変化してきている。このようにフォト
マスクがノーードマスクに変わっていく理由は、従来の
エマルノヨ７タイプのマスクでは。 解像寸法精度が
良くないということに起因している。このように、微細
パターン化されるにつれ、解像寸法精度に対しても精度
の良いものが要求されてきている。現在、マスク精度は
フォトリングラフィ工程で使用されるもので±０．２〜
±０．５μｍ（３σの値）程度である。また、微細・マ
ターン化されるにつれて当然のことながら転写精度、つ
まシフオドマスクから半導体基板上に塗布されたフォト
レゾストに転写するときの精度に対しても一スク自体の
精度と同様に正確なものが要求されている。
〜３μｍのフオ） ＩＪソグラフィ技術が要求されるよ
うになり、フォトレジストもネガタイプのものからボッ
タイプに置き換わりつつある。また、解像寸法が微細化
されるにつれてフォトマスクも従来のエマルソヨンタイ
ゾのものから金属とその酸化物から万るー・−ドマスク
と呼ばれるものに変化してきている。このようにフォト
マスクがノーードマスクに変わっていく理由は、従来の
エマルノヨ７タイプのマスクでは。 解像寸法精度が
良くないということに起因している。このように、微細
パターン化されるにつれ、解像寸法精度に対しても精度
の良いものが要求されてきている。現在、マスク精度は
フォトリングラフィ工程で使用されるもので±０．２〜
±０．５μｍ（３σの値）程度である。また、微細・マ
ターン化されるにつれて当然のことながら転写精度、つ
まシフオドマスクから半導体基板上に塗布されたフォト
レゾストに転写するときの精度に対しても一スク自体の
精度と同様に正確なものが要求されている。
ところが、フォトリングラフィ工程において特に出来上
がったマスクを使ってレノスト上にパターンを転写する
工程においてはマスクの精度がそのままフォトレゾスト
上に転写されるため、どんなに精度良く転写したとして
もマスク以上の精度は得られない。現実にはこれよりも
多少悪くなる。ここで、フォトマスクの７母ターンをフ
ォトレジストに転写する場合の総合転写精度をσｔｏｔ
ａｌとすると、 σｔｏｔａｌ ＝ （’ ｍａｓｋ’＋ｃＩｔｒａ２）
”ここでσｍａｓｋはマスク精度、σ５、は転写精度で
ある。例えば、３０μｍの寸法のフォトマスクで寸法精
度が±０２μｍ（３σの値）のものをフォトレジストに
転写する場合に転写精度を±０５μｍ（３σの値）とす
ると総合転写精度は±０５７μｍ（３σの値）となる。
がったマスクを使ってレノスト上にパターンを転写する
工程においてはマスクの精度がそのままフォトレゾスト
上に転写されるため、どんなに精度良く転写したとして
もマスク以上の精度は得られない。現実にはこれよりも
多少悪くなる。ここで、フォトマスクの７母ターンをフ
ォトレジストに転写する場合の総合転写精度をσｔｏｔ
ａｌとすると、 σｔｏｔａｌ ＝ （’ ｍａｓｋ’＋ｃＩｔｒａ２）
”ここでσｍａｓｋはマスク精度、σ５、は転写精度で
ある。例えば、３０μｍの寸法のフォトマスクで寸法精
度が±０２μｍ（３σの値）のものをフォトレジストに
転写する場合に転写精度を±０５μｍ（３σの値）とす
ると総合転写精度は±０５７μｍ（３σの値）となる。
総合転写精度はマスクの影響はあまシ受けていないよう
に見えるが実際にはマスク一枚一枚で見ると寸法として
２８〜３．２μｍの間でバラツキ得る。最大と最小のも
のではマスク寸法の平均値で０．４μｍのひらきがある
。
に見えるが実際にはマスク一枚一枚で見ると寸法として
２８〜３．２μｍの間でバラツキ得る。最大と最小のも
のではマスク寸法の平均値で０．４μｍのひらきがある
。
このように総合転写精度はマスク精度と転写精度によシ
決まるわけであるが、従来マスク精度を良くした場合で
も転写精度が悪いと総合転写精度は悪くなるという欠点
があった。このような転写精度を悪くする原因としてマ
スクアライナの照度の変動、現像液の変動、レジスト膜
厚の変動等がある。
決まるわけであるが、従来マスク精度を良くした場合で
も転写精度が悪いと総合転写精度は悪くなるという欠点
があった。このような転写精度を悪くする原因としてマ
スクアライナの照度の変動、現像液の変動、レジスト膜
厚の変動等がある。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
はマスクの転写精度に影響するマスクアライナの照度の
変動、現像液の変動、レジスト膜厚の変動等の影響を露
光時間を調節ブることによシなくして転写精度を改善し
、総合転写精度を向上させることができる露光装置を提
供することにある。
はマスクの転写精度に影響するマスクアライナの照度の
変動、現像液の変動、レジスト膜厚の変動等の影響を露
光時間を調節ブることによシなくして転写精度を改善し
、総合転写精度を向上させることができる露光装置を提
供することにある。
マスクの転写精度に影響するマスクアライナの照度の変
動、現像液の変動、レジスト膜厚の変動等の影響を露光
時間を最適な時間に調節することによシなくして総合転
写精度を向上させている。
動、現像液の変動、レジスト膜厚の変動等の影響を露光
時間を最適な時間に調節することによシなくして総合転
写精度を向上させている。
以下、図面を参照してこの考案の一実施例に係る露光装
置について説明する。第１図に示すように、ボッタイプ
のフォトレジスト１１をマスク１２によ如露光現像する
場合において、マスク１２のパターン寸法をＷとし、照
射エネルギーをＥ とすると、フォトレゾスト１１に転
写されたパターンの寸法とマスク１２のパターン寸法と
の差ΔＷは次式の如く表わされる。また、このようすは
第２図に示しておく。
置について説明する。第１図に示すように、ボッタイプ
のフォトレジスト１１をマスク１２によ如露光現像する
場合において、マスク１２のパターン寸法をＷとし、照
射エネルギーをＥ とすると、フォトレゾスト１１に転
写されたパターンの寸法とマスク１２のパターン寸法と
の差ΔＷは次式の如く表わされる。また、このようすは
第２図に示しておく。
ΔＷ ＝ Ａ （ｔｎＦ２４− Ｂ ）
・−＝＝−ＪＪ）ここで、定数Ａ、Ｂはフォトリング
ラフィ工程の現像液の変動、塗布膜厚の変動によシ変化
するノぞラメータである。ここで、上記したようにΔ〜
Ｖ”’ ＷＤＥ’Ｖ−ＷＭＡＳＫである。現像後の寸法
としてはマスクの設計値と同じ値を得たいので、Ｗｎｇ
ｖとしてマスクの設計値を代入し、ＷＭ Ａ Ｓ Ｋと
して実際に出来上がったマスク寸法の平均値を代入する
。ここで、第１式を変形すると、Ｅ、＝ ＥＸＰ（Ｂ＋
（ＷＤＥｖ−Ｗ、ＡｓＫ）／Ａ） 、、、、、・
−＜２）ここで、露光エネルギＥ、は照度Ｉと露光時間
ｔとの積であるため、第２式を変形して露光時間ｔを算
出すると、 ｔ＝ｇＸＰ（Ｂ−ｔｎＩ＋（ＷＤ、−ＷＭＡ８Ｋ）／Ａ
：） −−−−−−（３）第３式に示すように現像
後の寸法とマスクの設計値とのずれΔＷは露光時間を適
当に調節することによシ修正することができる。つまシ
、フォトリングラフィ工程の工程パラメータＡ、Ｂを実
験的に決めておくことによシリソゲラフイエ程における
現像液の変動、塗布膜厚の変動による影響を受けなくす
ることができる。
・−＝＝−ＪＪ）ここで、定数Ａ、Ｂはフォトリング
ラフィ工程の現像液の変動、塗布膜厚の変動によシ変化
するノぞラメータである。ここで、上記したようにΔ〜
Ｖ”’ ＷＤＥ’Ｖ−ＷＭＡＳＫである。現像後の寸法
としてはマスクの設計値と同じ値を得たいので、Ｗｎｇ
ｖとしてマスクの設計値を代入し、ＷＭ Ａ Ｓ Ｋと
して実際に出来上がったマスク寸法の平均値を代入する
。ここで、第１式を変形すると、Ｅ、＝ ＥＸＰ（Ｂ＋
（ＷＤＥｖ−Ｗ、ＡｓＫ）／Ａ） 、、、、、・
−＜２）ここで、露光エネルギＥ、は照度Ｉと露光時間
ｔとの積であるため、第２式を変形して露光時間ｔを算
出すると、 ｔ＝ｇＸＰ（Ｂ−ｔｎＩ＋（ＷＤ、−ＷＭＡ８Ｋ）／Ａ
：） −−−−−−（３）第３式に示すように現像
後の寸法とマスクの設計値とのずれΔＷは露光時間を適
当に調節することによシ修正することができる。つまシ
、フォトリングラフィ工程の工程パラメータＡ、Ｂを実
験的に決めておくことによシリソゲラフイエ程における
現像液の変動、塗布膜厚の変動による影響を受けなくす
ることができる。
次に、工程パラメータＡ、Ｂを算出する場合について具
体的に説明する。Ｓ ｉＯ２膜の工程ノ９ラメータＡ、
Ｂを算出する場合について説明する。
体的に説明する。Ｓ ｉＯ２膜の工程ノ９ラメータＡ、
Ｂを算出する場合について説明する。
まず、シリコンウェー・を１１００℃の酸イヒ性雰囲気
で熱処理を施し、約５００ ｏ Ｘのシリコン酸化膜上
工程する。次に、シリコン酸化膜上にボッタイシフオド
レゾストをスピンコーターで約１．５μｍ厚に塗布し、
その後１０５℃の熱板で９０秒間熱処理する。次に、こ
のウニ・・を露光装置で、３０μｍｃｉ抜きノぐターン
を持つノヘードマスクを使用して露光時間を変えて露光
する。（このときの照度は５０２ ｍ Ｗ／ｃｍ２であ
る。）その後、スプレータイプのフォトレゾスト現像液
で現像したのち、測微計を利用して現像された寸法を測
定する。このとき得られた実験結果を第２図に示してお
く。この場合において、露光時間を変えることによシ異
な−）ｆＣ露光エネルギでの、・クターン寸法を得てい
る。以下最小２乗法によシパラメータＡ、Ｂｅ算出する
。この結果、ところで、Ｓ ｉＯ２だけではなく、５Ｉ
ｓＮ４ ｔ ｙ１’リシリコン、 ＡＬ等においても同
様にノ々ラメータを算出することができる。その様子を
下表に示す。
で熱処理を施し、約５００ ｏ Ｘのシリコン酸化膜上
工程する。次に、シリコン酸化膜上にボッタイシフオド
レゾストをスピンコーターで約１．５μｍ厚に塗布し、
その後１０５℃の熱板で９０秒間熱処理する。次に、こ
のウニ・・を露光装置で、３０μｍｃｉ抜きノぐターン
を持つノヘードマスクを使用して露光時間を変えて露光
する。（このときの照度は５０２ ｍ Ｗ／ｃｍ２であ
る。）その後、スプレータイプのフォトレゾスト現像液
で現像したのち、測微計を利用して現像された寸法を測
定する。このとき得られた実験結果を第２図に示してお
く。この場合において、露光時間を変えることによシ異
な−）ｆＣ露光エネルギでの、・クターン寸法を得てい
る。以下最小２乗法によシパラメータＡ、Ｂｅ算出する
。この結果、ところで、Ｓ ｉＯ２だけではなく、５Ｉ
ｓＮ４ ｔ ｙ１’リシリコン、 ＡＬ等においても同
様にノ々ラメータを算出することができる。その様子を
下表に示す。
表
次に、第３図を参照してこの発明に係る露光装置につい
て説明する。第３図において、２１１はマスクアライナ
である。このマスクアライナは超高圧水銀ランｆ２２．
凹面ミラー２３．凸レンズ２４．シャ、り２５．ミラー
２６よシなり、超高圧水銀ランフ’２２から発たれる光
はシャッタ２５を介してウェハ２７上に発たれる。
て説明する。第３図において、２１１はマスクアライナ
である。このマスクアライナは超高圧水銀ランｆ２２．
凹面ミラー２３．凸レンズ２４．シャ、り２５．ミラー
２６よシなり、超高圧水銀ランフ’２２から発たれる光
はシャッタ２５を介してウェハ２７上に発たれる。
ここで、ウェー・２７には例えばＳｉＯ２膜が形成され
ておシ、このＳ ｉＯ２膜をパターンニングするために
８１０２膜上にフォトレノストを塗布し、マスクによシ
上記フォトレジストを露光している。そして、上記ウェ
ハ２７に対する露光時間の調節はシャッタ駆動回路２８
ノによ多制御される。
ておシ、このＳ ｉＯ２膜をパターンニングするために
８１０２膜上にフォトレノストを塗布し、マスクによシ
上記フォトレジストを露光している。そして、上記ウェ
ハ２７に対する露光時間の調節はシャッタ駆動回路２８
ノによ多制御される。
まｌこ、マスクアライナ及びシャッタ駆動回路は複数個
存在しているもので、図番２１２・・・。
存在しているもので、図番２１２・・・。
２８２、・・・で示しておく。また、図番２９１゜２９
２、・・・はマスクアライナ２１１，２１２゜・・・に
対応して設けられたマスクアライナの全体の動作を制御
するマイクロコンピータである。
２、・・・はマスクアライナ２１１，２１２゜・・・に
対応して設けられたマスクアライナの全体の動作を制御
するマイクロコンピータである。
上記マイクロコンピュータ２９１，２９２．・・・は上
位コンピュータ３０によ多制御される。壕だ、上記コン
ピュータ３０はマスク寸法測定器３１から出力されるマ
スク寸法ＷＭ Ａ Ｓ Ｋが、現像寸法測定器３２から
出力される現像後のフォトレゾストの寸法ＷＤＥｖが、
前記工程パラメータ測定方法による方法で得られる工程
パラメータ”Ａ” ｐ（ｔ Ｂ ＃及び照度６エ”が入
力される。つまシ、上記コンピュータ３０はマスク寸法
測定器３）現像寸法測定器３２及び入力されるマスク寸
法ＷＭＡＳＫ ｊ現像寸法”ｏｇｖ （−ｒ スクｅｆ
ｄ寸法）、工程・９ラメータ″′Ａ＃、′Ｂ″及び照度
” Ｉ”をもとに第３式に示した最適な露光時間を算出
している。
位コンピュータ３０によ多制御される。壕だ、上記コン
ピュータ３０はマスク寸法測定器３１から出力されるマ
スク寸法ＷＭ Ａ Ｓ Ｋが、現像寸法測定器３２から
出力される現像後のフォトレゾストの寸法ＷＤＥｖが、
前記工程パラメータ測定方法による方法で得られる工程
パラメータ”Ａ” ｐ（ｔ Ｂ ＃及び照度６エ”が入
力される。つまシ、上記コンピュータ３０はマスク寸法
測定器３）現像寸法測定器３２及び入力されるマスク寸
法ＷＭＡＳＫ ｊ現像寸法”ｏｇｖ （−ｒ スクｅｆ
ｄ寸法）、工程・９ラメータ″′Ａ＃、′Ｂ″及び照度
” Ｉ”をもとに第３式に示した最適な露光時間を算出
している。
次に、第３図に示した露光装置の動作を説明する。例え
ば、ウェー・２７上に形成されるＳ ｓ Ｏ２膜をパタ
ーンニングする場合について説明する。
ば、ウェー・２７上に形成されるＳ ｓ Ｏ２膜をパタ
ーンニングする場合について説明する。
まず、マスク寸法測定器３１により実際に出来上がった
マスク寸法が測定される。この値ＷＭ Ａ Ｂ Ｋはコ
ンピュータ３０に入力される。また、現像寸法測定器３
２によシ現像後の７オトレジストの寸法が測定される。
マスク寸法が測定される。この値ＷＭ Ａ Ｂ Ｋはコ
ンピュータ３０に入力される。また、現像寸法測定器３
２によシ現像後の７オトレジストの寸法が測定される。
この値ＷＤＥｖはコンピュータ３０に入力される。さら
に、前記工程パラメータ測定方法による方法で得られた
表に示した工程パラメータ″Ａ ” 、“Ｂ”及び超高
圧水銀ランプ２２の照度Ｉがコンピュータ３０に入力さ
れる。ここで、表に示したように工程パラメータ“Ａ＃
は’０．６４”、工程パラメータ″ｔＢｓは’９．６３
”である。次に、コンピュータ３０はマスク寸法測定器
３１．現像寸法測定器３２から入力されるマスク寸法Ｗ
ＭＡｓＫ及びマスク設計寸法ＷＤ、Ｖ、、前記工程パラ
メータ測定方法による方法で得られた工程ノ′？ラメー
タ“Ａ＃、“Ｂ＃及び照度Ｉをもとに第３式に示した最
適な露光時間ｔｔ−算出している。この露光時間ｔはマ
イクロコンピュータ２９１を介してシャッタ駆動回路２
８ノに出力される。そして、このシャ、り駆動回路２８
１はシャッタ２５に露光時間がｔとなるように駆動信号
を出力する。この結果、ウェー２７上に形成させる５ｉ
０２膜上に塗布されたレジストは露光時間ｔだけ露光さ
れる。
に、前記工程パラメータ測定方法による方法で得られた
表に示した工程パラメータ″Ａ ” 、“Ｂ”及び超高
圧水銀ランプ２２の照度Ｉがコンピュータ３０に入力さ
れる。ここで、表に示したように工程パラメータ“Ａ＃
は’０．６４”、工程パラメータ″ｔＢｓは’９．６３
”である。次に、コンピュータ３０はマスク寸法測定器
３１．現像寸法測定器３２から入力されるマスク寸法Ｗ
ＭＡｓＫ及びマスク設計寸法ＷＤ、Ｖ、、前記工程パラ
メータ測定方法による方法で得られた工程ノ′？ラメー
タ“Ａ＃、“Ｂ＃及び照度Ｉをもとに第３式に示した最
適な露光時間ｔｔ−算出している。この露光時間ｔはマ
イクロコンピュータ２９１を介してシャッタ駆動回路２
８ノに出力される。そして、このシャ、り駆動回路２８
１はシャッタ２５に露光時間がｔとなるように駆動信号
を出力する。この結果、ウェー２７上に形成させる５ｉ
０２膜上に塗布されたレジストは露光時間ｔだけ露光さ
れる。
ところで、従来のフォトリングラフィ工程では高積度の
パターンニング性を要求される製造工程に限って、ウェ
ー・２０〜３０枚で構成される１０ツト内の２〜３枚に
対して仮に露光時間を決めておいて、露光・現像を行な
い、フォトレノストの寸法を測定して１０ツトの残ｐの
露光時間を決定する方法を用いていた（このような処理
を先行という）。しかし、従来の方法では１０ツｂｉｂ
の作業時間が６０〜９０分もかかっていたが、本願に係
る露光装置を用いると先行処理は必要ないために１０ツ
ト当シの作業時間を３０分程度で行なうことができる。
パターンニング性を要求される製造工程に限って、ウェ
ー・２０〜３０枚で構成される１０ツト内の２〜３枚に
対して仮に露光時間を決めておいて、露光・現像を行な
い、フォトレノストの寸法を測定して１０ツトの残ｐの
露光時間を決定する方法を用いていた（このような処理
を先行という）。しかし、従来の方法では１０ツｂｉｂ
の作業時間が６０〜９０分もかかっていたが、本願に係
る露光装置を用いると先行処理は必要ないために１０ツ
ト当シの作業時間を３０分程度で行なうことができる。
以上詳述したようにこの発明によれは、マスクの転写精
度に影響するマスクアライナの照度の変動、レノスト膜
厚等の影響を露光時間を調節することによシなくしたの
で、転写精度の良い露光装置を提供することができる。
度に影響するマスクアライナの照度の変動、レノスト膜
厚等の影響を露光時間を調節することによシなくしたの
で、転写精度の良い露光装置を提供することができる。
第１図はフォトレノストとマスクとの関係を示す図、第
２図は露光エネルギとパターン寸法を示す図、第３図は
この発明の〜実施例に係る露光装置を示す図である。 ２１１．２１２・・・マスクアライナ、２５・・・シャ
ッタ、２７・・・ウェハ、２８１１２８２・・・シャッ
タ駆動回路、３ノ・・・マスク寸法測定器、３２・・・
現像寸法測定器。
２図は露光エネルギとパターン寸法を示す図、第３図は
この発明の〜実施例に係る露光装置を示す図である。 ２１１．２１２・・・マスクアライナ、２５・・・シャ
ッタ、２７・・・ウェハ、２８１１２８２・・・シャッ
タ駆動回路、３ノ・・・マスク寸法測定器、３２・・・
現像寸法測定器。
Claims (1)
- 露光時間を調節するシャッタの開閉を制御するンヤッタ
駆動回路と、マスクの寸法を測定するマスク寸法測定手
段と、フォトレジストの現像後の寸法を測定する現像寸
法測定手段と、工程ノぐラメータＡ、Ｂ’ｉ）−算出す
る工程パラメータ測定手段と、上記マスク寸法測定手段
によシ測定されたマスクの寸法と上記現像寸法測定手段
によシ測定されたフォトレジストの寸法と上記工程パラ
メータＡ、Ｂ及び照度よシフォトレソストの現像後の寸
法がマスク設計寸法に等しくなるような露光時間を算出
する露光時間算出手段と、上記露光時間算出手段により
算出された露光時間をもとに上記シャッタ駆動回路を駆
動する手段を具備したことを特徴とする露光装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076429A JPS59201418A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076429A JPS59201418A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201418A true JPS59201418A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0141246B2 JPH0141246B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=13604917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076429A Granted JPS59201418A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246920A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277725A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Hitachi Ltd | Automatic exposure circuit |
| JPS5453864A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Monitoring method of line widths |
| JPS57118639A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Toshiba Corp | Process control of semiconductor photo-etching |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58076429A patent/JPS59201418A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277725A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Hitachi Ltd | Automatic exposure circuit |
| JPS5453864A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Monitoring method of line widths |
| JPS57118639A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Toshiba Corp | Process control of semiconductor photo-etching |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246920A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141246B2 (ja) | 1989-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3761357B2 (ja) | 露光量モニタマスク、露光量調整方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US20030054642A1 (en) | Production method of semiconductor device and production system of semiconductor device | |
| KR20120100297A (ko) | 플레어 보정방법 및 ｅｕｖ 마스크 제조방법 | |
| JPH08181064A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| CN100573326C (zh) | 光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法 | |
| JP3177948B2 (ja) | 露光用フォトマスク | |
| JPS59178729A (ja) | フォトレジストプロセスにおける露光方法 | |
| JPS59201418A (ja) | 露光装置 | |
| JPS60177623A (ja) | 露光装置 | |
| US7633601B2 (en) | Method and related operation system for immersion lithography | |
| JPH0620913A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH0955352A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2024536681A (ja) | フォーカスメトロロジのための方法及び関連する装置 | |
| JPH01257948A (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| JPH0225016A (ja) | 露光装置 | |
| JPH09146257A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0431858A (ja) | マスクの製作方法 | |
| KR100604041B1 (ko) | 마스크 제조방법 | |
| JP3837846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003318092A (ja) | 露光装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS62132318A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0210821A (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| JP2003272991A (ja) | 露光及びレジスト塗布現像方法並びに装置 | |
| TWI428776B (zh) | 光罩圖案校正方法與佈局方法 |